JPH0660424A - 光情報記録媒体 - Google Patents
光情報記録媒体Info
- Publication number
- JPH0660424A JPH0660424A JP4227924A JP22792492A JPH0660424A JP H0660424 A JPH0660424 A JP H0660424A JP 4227924 A JP4227924 A JP 4227924A JP 22792492 A JP22792492 A JP 22792492A JP H0660424 A JPH0660424 A JP H0660424A
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- Japan
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- information recording
- optical information
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- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 静電気による塵の付着、キズの発生及び反射
を防止した信頼性の高い光情報記録媒体を提供する。 【構成】 透明基板１の一方の面の上に、順に第１誘電
体保護層２、光磁気記録層３、第２誘電体保護層４、金
属反射層５、有機保護膜６を形成し、他方の面（読み取
り面側表面）に酸素が添加された光学ギャップ２．０ｅ
Ｖ以上の水素化シリコン膜７を形成する。この膜７は、
シランガスとＣＯ2 ガスと水素ガスを用いＥＣＲプラズ
マＣＶＤ法で形成することができる。
を防止した信頼性の高い光情報記録媒体を提供する。 【構成】 透明基板１の一方の面の上に、順に第１誘電
体保護層２、光磁気記録層３、第２誘電体保護層４、金
属反射層５、有機保護膜６を形成し、他方の面（読み取
り面側表面）に酸素が添加された光学ギャップ２．０ｅ
Ｖ以上の水素化シリコン膜７を形成する。この膜７は、
シランガスとＣＯ2 ガスと水素ガスを用いＥＣＲプラズ
マＣＶＤ法で形成することができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、レーザー光を用いて情
報の記録、再生を行う光情報記録媒体に関する。
報の記録、再生を行う光情報記録媒体に関する。
【０００２】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】光情報
記録媒体において記録層を支持する基板としては、ポリ
カーボーネートや、２Ｐ（フォトポリマー）樹脂などが
広く使用されている。ところが、これらの樹脂は誘電性
であるため帯電しやすい。光情報記録媒体が帯電すると
微小な塵やゴミ等が静電気により記録媒体の読み取り面
側表面に付着して情報の再生及び記録の妨げになる。ま
た帯電電荷が電子回路の誤動作を誘発する原因ともな
る。このような光情報記録媒体の帯電を防止する目的
で、光情報記録媒体の読み取り側表面に帯電防止膜を設
けることが提案されている。さらに基板表面に付着した
塵を布などで清掃した場合、ポリカーボネート基板など
は表面硬度が低いため、基板にキズが生じ情報の記録・
再生に支障を来すことになる。
記録媒体において記録層を支持する基板としては、ポリ
カーボーネートや、２Ｐ（フォトポリマー）樹脂などが
広く使用されている。ところが、これらの樹脂は誘電性
であるため帯電しやすい。光情報記録媒体が帯電すると
微小な塵やゴミ等が静電気により記録媒体の読み取り面
側表面に付着して情報の再生及び記録の妨げになる。ま
た帯電電荷が電子回路の誤動作を誘発する原因ともな
る。このような光情報記録媒体の帯電を防止する目的
で、光情報記録媒体の読み取り側表面に帯電防止膜を設
けることが提案されている。さらに基板表面に付着した
塵を布などで清掃した場合、ポリカーボネート基板など
は表面硬度が低いため、基板にキズが生じ情報の記録・
再生に支障を来すことになる。
【０００３】以上のように光情報記録媒体の読み取り面
側表面は帯電防止機能と高い表面硬度を兼ね備えること
が好ましい。さらに入射レーザー光を有効に利用し、再
生出力を大きくするための反射防止機能を有することも
重要である。しかしながら、これらをすべて備えた光情
報記録媒体はこれまでのところ提案されていない。
側表面は帯電防止機能と高い表面硬度を兼ね備えること
が好ましい。さらに入射レーザー光を有効に利用し、再
生出力を大きくするための反射防止機能を有することも
重要である。しかしながら、これらをすべて備えた光情
報記録媒体はこれまでのところ提案されていない。
【０００４】本発明は、このような従来技術の実情に鑑
みてなされたもので、静電気による塵の付着、キズの発
生及び反射を防止した信頼性の高い光情報記録媒体を提
供することを目的とする。
みてなされたもので、静電気による塵の付着、キズの発
生及び反射を防止した信頼性の高い光情報記録媒体を提
供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段及び作用】上記課題を解決
すべく、本発明者は鋭意研究を重ねた結果、光情報記録
媒体の読み取り面側表面に、酸素原子を添加した特定の
物性を有する水素化シリコン膜を設置することにより、
帯電防止機能、反射防止機能及び高表面硬度のすべてを
満足する光情報記録媒体が得られることを見出し、本発
明を完成するに至った。
すべく、本発明者は鋭意研究を重ねた結果、光情報記録
媒体の読み取り面側表面に、酸素原子を添加した特定の
物性を有する水素化シリコン膜を設置することにより、
帯電防止機能、反射防止機能及び高表面硬度のすべてを
満足する光情報記録媒体が得られることを見出し、本発
明を完成するに至った。
【０００６】即ち、本発明によれば、少なくとも透明基
板と記録層とからなり、レーザー光を照射し記録再生を
行う光情報記録媒体において、当該光情報記録媒体の読
み取面側表面に、酸素原子が添加された光学ギャップが
２．０ｅＶ以上の水素化シリコン膜を設けたことを特徴
とする光情報記録媒体が提供される。また、本発明によ
れば、上記において、酸素が添加された水素化シリコン
膜が活性型の伝導性を示し、その伝導率が室温で１×１
０-13 Ｓ／ｃｍ以上であることを特徴とする光情報記録
媒体が提供される。さらに、本発明によれば、上記にお
いて、酸素が添加された水素化シリコン膜が、シランガ
スとＣＯ2 ガスと水素ガスをＥＣＲプラズマＣＤＶ法を
用いて分解して形成したものであることを特徴とする光
情報記録媒体が提供される。
板と記録層とからなり、レーザー光を照射し記録再生を
行う光情報記録媒体において、当該光情報記録媒体の読
み取面側表面に、酸素原子が添加された光学ギャップが
２．０ｅＶ以上の水素化シリコン膜を設けたことを特徴
とする光情報記録媒体が提供される。また、本発明によ
れば、上記において、酸素が添加された水素化シリコン
膜が活性型の伝導性を示し、その伝導率が室温で１×１
０-13 Ｓ／ｃｍ以上であることを特徴とする光情報記録
媒体が提供される。さらに、本発明によれば、上記にお
いて、酸素が添加された水素化シリコン膜が、シランガ
スとＣＯ2 ガスと水素ガスをＥＣＲプラズマＣＤＶ法を
用いて分解して形成したものであることを特徴とする光
情報記録媒体が提供される。
【０００７】以下、本発明の光情報記録媒体につき詳述
する。図１は本発明による光情報記録媒体の構成例を示
す断面図で、記録層に光磁気記録磁性材料を用いた光磁
気ディスクを示している。透明基板１の一方の面の上に
は、順に第１誘電体保護層２、光磁気記録層３、第２誘
電体保護層４、金属反射層５、有機保護膜６が形成され
ており、ここまでは従来の媒体と同じであるが、基板１
の他方の面（読み取り面側表面）に酸素が添加された水
素化シリコン膜７が形成されている点が従来とは異な
る。
する。図１は本発明による光情報記録媒体の構成例を示
す断面図で、記録層に光磁気記録磁性材料を用いた光磁
気ディスクを示している。透明基板１の一方の面の上に
は、順に第１誘電体保護層２、光磁気記録層３、第２誘
電体保護層４、金属反射層５、有機保護膜６が形成され
ており、ここまでは従来の媒体と同じであるが、基板１
の他方の面（読み取り面側表面）に酸素が添加された水
素化シリコン膜７が形成されている点が従来とは異な
る。
【０００８】酸素が添加された水素化シリコン膜７は、
シリコンと水素と酸素を主成分とする無機材料膜であ
り、水素の含有量と結合様式を変えることで、あるいは
酸素の添加量を変えることで光学特性、電気特性、機械
特性をある程度任意に変えることができる。水素の含有
量は５at.％〜３０at.％が好ましく、１０at.％〜２５a
t.％がより好ましい。シリコンの含有量は４５at.％〜
８５at.％が好ましく、５０at.％〜７５at.％がより好
ましい。酸素の添加量は１０at.％〜２５at.％が好まし
く、１５at.％〜２５at.％がより好ましい。充分な透過
率を確保するためには、酸素が添加された水素化シリコ
ン膜７の光学ギャップは２．０ｅＶ以上でなければなら
ない。また、酸素が添加された水素化シリコン膜７は、
半導体の性質を有するので、活性型の伝導性、すなわち
温度が高くなるにつれ、伝導性が向上するため、ディス
クの帯電によるごみの付着の確率を低くできるという性
質を示し、その値が１×１０-13 Ｓ／ｃｍ以上であるの
が好ましい。酸素が添加された水素化シリコン膜７の膜
厚は、表面での反射が防止できるようにその膜の屈折率
を考慮して決定されるが、通常５００〜５０００Åが適
当である。
シリコンと水素と酸素を主成分とする無機材料膜であ
り、水素の含有量と結合様式を変えることで、あるいは
酸素の添加量を変えることで光学特性、電気特性、機械
特性をある程度任意に変えることができる。水素の含有
量は５at.％〜３０at.％が好ましく、１０at.％〜２５a
t.％がより好ましい。シリコンの含有量は４５at.％〜
８５at.％が好ましく、５０at.％〜７５at.％がより好
ましい。酸素の添加量は１０at.％〜２５at.％が好まし
く、１５at.％〜２５at.％がより好ましい。充分な透過
率を確保するためには、酸素が添加された水素化シリコ
ン膜７の光学ギャップは２．０ｅＶ以上でなければなら
ない。また、酸素が添加された水素化シリコン膜７は、
半導体の性質を有するので、活性型の伝導性、すなわち
温度が高くなるにつれ、伝導性が向上するため、ディス
クの帯電によるごみの付着の確率を低くできるという性
質を示し、その値が１×１０-13 Ｓ／ｃｍ以上であるの
が好ましい。酸素が添加された水素化シリコン膜７の膜
厚は、表面での反射が防止できるようにその膜の屈折率
を考慮して決定されるが、通常５００〜５０００Åが適
当である。
【０００９】このような酸素が添加された水素化シリコ
ン膜７は、シランガスとＣＯ2 ガスと水素ガスを用いＥ
ＣＲプラズマＣＶＤ法で形成することができる。その場
合の成膜条件は下記の通りである （成膜条件） ＳｉＨ4 …１〜４ｓｃｃｍ Ｈ2 …４〜８ｓｃｃｍ ＣＯ2 …２〜１０ｓｃｃｍ 圧力 …２．５×１０-4〜７．３×１０-4Ｔｏｒｒ パワー …４００〜６００Ｗ 基板温度…７５〜１２０℃
ン膜７は、シランガスとＣＯ2 ガスと水素ガスを用いＥ
ＣＲプラズマＣＶＤ法で形成することができる。その場
合の成膜条件は下記の通りである （成膜条件） ＳｉＨ4 …１〜４ｓｃｃｍ Ｈ2 …４〜８ｓｃｃｍ ＣＯ2 …２〜１０ｓｃｃｍ 圧力 …２．５×１０-4〜７．３×１０-4Ｔｏｒｒ パワー …４００〜６００Ｗ 基板温度…７５〜１２０℃
【００１０】次に、酸素が添加された水素化シリコン膜
７以外の構成要素を説明すると、透明基板１にはポリカ
ーボネート、アクリル、エポキシ、ＰＭＭＡ（ポリメチ
ルメタクリレート）等の合成樹脂、ガラスまたは２Ｐ基
板などが使用される。第１誘電体保護層２、第２誘電体
保護層４は光磁気記録層３をＨ2 Ｏ、Ｏ2 等による酸化
腐食から保護したり、カー回転角をエンハンスメントす
るために設けられ、材料としてはＳｉＮｘ、ＳｉＯｘ、
Ｉｎ2 Ｏ3 等が使用される。光磁気記録層３としてはＴ
ｂＤｙＦｅＣｏ合金を用いることが好ましいが、これに
限定されるものではない。金属反射層５は入射レーザー
光を反射しエンハンスメント効果をもたらすために設け
られ、Ａｌ、Ａｕ等の反射率の高い金属あるいはこれら
の合金が用いられる。有機保護膜６は金属反射層５以下
に積層された各層の腐食防止を行うもので、紫外線硬化
型樹脂、熱可塑性樹脂等が用いられる。
７以外の構成要素を説明すると、透明基板１にはポリカ
ーボネート、アクリル、エポキシ、ＰＭＭＡ（ポリメチ
ルメタクリレート）等の合成樹脂、ガラスまたは２Ｐ基
板などが使用される。第１誘電体保護層２、第２誘電体
保護層４は光磁気記録層３をＨ2 Ｏ、Ｏ2 等による酸化
腐食から保護したり、カー回転角をエンハンスメントす
るために設けられ、材料としてはＳｉＮｘ、ＳｉＯｘ、
Ｉｎ2 Ｏ3 等が使用される。光磁気記録層３としてはＴ
ｂＤｙＦｅＣｏ合金を用いることが好ましいが、これに
限定されるものではない。金属反射層５は入射レーザー
光を反射しエンハンスメント効果をもたらすために設け
られ、Ａｌ、Ａｕ等の反射率の高い金属あるいはこれら
の合金が用いられる。有機保護膜６は金属反射層５以下
に積層された各層の腐食防止を行うもので、紫外線硬化
型樹脂、熱可塑性樹脂等が用いられる。
【００１１】上記では光磁気ディスクを例にして説明し
てきたが、本発明はこれに限定されるものではなく、種
々のタイプの光情報記録媒体に適用可能である。
てきたが、本発明はこれに限定されるものではなく、種
々のタイプの光情報記録媒体に適用可能である。
【００１２】
【実施例】次に、本発明の実施例を述べる。 実施例１〜３ ポリカーボネートからなる基板１上に、第１誘電体保護
層２として屈折率２．２０のシリコン窒化膜を９００Å
厚に、光磁気記録層３としてＴｂ15Ｄｙ7 Ｆｅ70Ｃｏ8
膜を２００Å厚に、第２誘電体保護層４として屈折率
２．２０のシリコン窒化膜を３００Å厚に、金属反射層
５としてアルミニウム膜を５００Å厚に順次積層し、さ
らにその上に紫外線硬化型樹脂からなる有機保護膜６を
１μｍ厚に形成した。次に、基板１の反対側の面に下記
のような成膜条件で、酸素を添加した水素化シリコン膜
をＥＣＲプラズマＣＶＤ法により表１に示す厚さに形成
し、本発明による光磁気ディスクを得た。上記で形成し
た酸素が添加された水素化シリコン膜の光学ギャップ、
伝導率、屈折率、透過率を表１に併せて示す。 （実施例１） ＳｉＨ4 …１．３ｓｃｃｍ Ｈ2 …５ｓｃｃｍ ＣＯ2 …３．３ｓｃｃｍ 圧力 …６×１０-4Ｔｏｒｒ パワー …５００Ｗ 基板温度…８０℃ （実施例２） ＳｉＨ4 …１．３ｓｃｃｍ Ｈ2 …５ｓｃｃｍ ＣＯ2 …３．３ｓｃｃｍ 圧力 …４×１０-4Ｔｏｒｒ パワー …５５０Ｗ 基板温度…８０℃ （実施例３） ＳｉＨ4 …１．３ｓｃｃｍ Ｈ2 …５ｓｃｃｍ ＣＯ2 …５ｓｃｃｍ 圧力 …７×１０-4Ｔｏｒｒ パワー …５５０Ｗ 基板温度…８０℃
層２として屈折率２．２０のシリコン窒化膜を９００Å
厚に、光磁気記録層３としてＴｂ15Ｄｙ7 Ｆｅ70Ｃｏ8
膜を２００Å厚に、第２誘電体保護層４として屈折率
２．２０のシリコン窒化膜を３００Å厚に、金属反射層
５としてアルミニウム膜を５００Å厚に順次積層し、さ
らにその上に紫外線硬化型樹脂からなる有機保護膜６を
１μｍ厚に形成した。次に、基板１の反対側の面に下記
のような成膜条件で、酸素を添加した水素化シリコン膜
をＥＣＲプラズマＣＶＤ法により表１に示す厚さに形成
し、本発明による光磁気ディスクを得た。上記で形成し
た酸素が添加された水素化シリコン膜の光学ギャップ、
伝導率、屈折率、透過率を表１に併せて示す。 （実施例１） ＳｉＨ4 …１．３ｓｃｃｍ Ｈ2 …５ｓｃｃｍ ＣＯ2 …３．３ｓｃｃｍ 圧力 …６×１０-4Ｔｏｒｒ パワー …５００Ｗ 基板温度…８０℃ （実施例２） ＳｉＨ4 …１．３ｓｃｃｍ Ｈ2 …５ｓｃｃｍ ＣＯ2 …３．３ｓｃｃｍ 圧力 …４×１０-4Ｔｏｒｒ パワー …５５０Ｗ 基板温度…８０℃ （実施例３） ＳｉＨ4 …１．３ｓｃｃｍ Ｈ2 …５ｓｃｃｍ ＣＯ2 …５ｓｃｃｍ 圧力 …７×１０-4Ｔｏｒｒ パワー …５５０Ｗ 基板温度…８０℃
【００１３】
【表１】
【００１４】比較例 上記実施例において、酸素を添加した水素化シリコン膜
を設けないこと以外は同様にして光磁気ディスクを得
て、比較例とした。
を設けないこと以外は同様にして光磁気ディスクを得
て、比較例とした。
【００１５】以上のようにして作製した各光磁気ディス
クについて反射率、表面硬度、及び塵あい試験前後のＢ
ＥＲ（ビットエラー率）を評価した。その結果を表２に
示す。
クについて反射率、表面硬度、及び塵あい試験前後のＢ
ＥＲ（ビットエラー率）を評価した。その結果を表２に
示す。
【００１６】
【表２】
【００１７】
【発明の効果】本発明によれば、以下のような効果が得
られる。帯電防止効果を持ち酸素の添加された水素化シ
リコン膜を基板の読み取り側表面に設けることで、記録
媒体表面への塵あい付着を防止することができ、また反
射を効果的に防止することができる。表面硬度の高い水
素化シリコン膜を基板の読み取り側表面に設けること
で、布などで表面を清掃しても媒体を損傷する可能性が
低減できる。
られる。帯電防止効果を持ち酸素の添加された水素化シ
リコン膜を基板の読み取り側表面に設けることで、記録
媒体表面への塵あい付着を防止することができ、また反
射を効果的に防止することができる。表面硬度の高い水
素化シリコン膜を基板の読み取り側表面に設けること
で、布などで表面を清掃しても媒体を損傷する可能性が
低減できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明による光情報記録媒体の一構成例（光磁
気ディスク）を模式的に示す断面図である。
気ディスク）を模式的に示す断面図である。
１ 透明基板 ２ 第１誘電体保護層 ３ 光磁気記録膜 ４ 第２誘電体保護層 ５ 金属反射層 ６ 有機保護層 ７ 酸素が添加された水素化シリコン膜
Claims (3)
- 【請求項１】 少なくとも透明基板と記録層とからな
り、レーザー光を照射し記録再生を行う光情報記録媒体
において、当該光情報記録媒体の読み取り面側表面に、
酸素原子が添加された光学ギャップが２．０ｅＶ以上の
水素化シリコン膜を設けたことを特徴とする光情報記録
媒体。 - 【請求項２】 酸素が添加された水素化シリコン膜が活
性型の伝導性を示し、その伝導率が室温で１×１０-13
Ｓ／ｃｍ以上であることを特徴とする請求項１に記載の
光情報記録媒体。 - 【請求項３】 酸素が添加された水素化シリコン膜が、
シランガスとＣＯ2ガスと水素ガスをＥＣＲプラズマＣ
ＤＶ法を用いて分解して形成したものであることを特徴
とする請求項１に記載の光情報記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4227924A JPH0660424A (ja) | 1992-08-04 | 1992-08-04 | 光情報記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4227924A JPH0660424A (ja) | 1992-08-04 | 1992-08-04 | 光情報記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0660424A true JPH0660424A (ja) | 1994-03-04 |
Family
ID=16868433
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4227924A Pending JPH0660424A (ja) | 1992-08-04 | 1992-08-04 | 光情報記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0660424A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20000013106A (ko) * | 1998-08-04 | 2000-03-06 | 구자홍 | 광 기록 매체 |
-
1992
- 1992-08-04 JP JP4227924A patent/JPH0660424A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20000013106A (ko) * | 1998-08-04 | 2000-03-06 | 구자홍 | 광 기록 매체 |
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