JPH0669260A - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents

半導体装置及びその製造方法

Info

Publication number
JPH0669260A
JPH0669260A JP4128399A JP12839992A JPH0669260A JP H0669260 A JPH0669260 A JP H0669260A JP 4128399 A JP4128399 A JP 4128399A JP 12839992 A JP12839992 A JP 12839992A JP H0669260 A JPH0669260 A JP H0669260A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
resin
semiconductor device
cavity
manufacturing
pellet
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP4128399A
Other languages
English (en)
Inventor
Hiroshi Arai
洋 荒井
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
Priority to JP4128399A priority Critical patent/JPH0669260A/ja
Publication of JPH0669260A publication Critical patent/JPH0669260A/ja
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/50—Bond wires
    • H10W72/541—Dispositions of bond wires
    • H10W72/5449—Dispositions of bond wires not being orthogonal to a side surface of the chip, e.g. fan-out arrangements
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W74/00—Encapsulations, e.g. protective coatings
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W90/00—Package configurations
    • H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
    • H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
    • H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink

Landscapes

  • Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
  • Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】半導体素子を樹脂封止する場合に、キャビティ
内での封止用樹脂の流速の差によりボイドが発生するの
を抑制する。 【構成】内部リード５上下面に絶縁テープ７を接着した
リードフレームにペレット１０をマウントし、ボンディ
ングを行ったものを樹脂封止する事により、ペレット上
下左右での樹脂の流速の差による空気の巻き込みを抑制
する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置及び製造方法
に関し、特にトランスファーモールド法により樹脂封止
を行う半導体装置及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の半導体装置およびその製造方法で
は、図２の一例に示す様に、アイランド吊りピン６にて
リードフレームの外枠１に固定されたアイランド４上に
ペレット８をマウントし、ペレットと内部リード５をボ
ンディングワイヤー９にてボンディングされた半導体装
置の半製品が樹脂封止工程へ送られる。樹脂封止工程に
送られたボンディング済半製品は、図３に示す様に、樹
脂封止用金型の溝であるキャビティ１０部内にクランプ
された後、トランスファーモールド法によりキャビティ
内に注入された熱硬化性樹脂を硬化させる事によって封
止され、次工程へ送られる。
【０００３】次に、樹脂封止工程での樹脂の流動の仕方
の詳細について述べる。
【０００４】図３（ｂ）に於いて、ゲート１１よりキャ
ビティ１０内に流入した樹脂は、大きく分けてレット８
上とアイランド４下との２つに分かれて流動する。又、
図３（ｃ）に於いては、ペレット上下と内部リード上下
との２つに分かれて流動する。
【０００５】樹脂はキャビティ内の空気をエアベントに
より排気しながら流動し、樹脂がエアベント迄到達する
と、樹脂によりエアベントが塞がれる為キャビティ内の
排気は終了し、樹脂を注入する圧力はキャビティ内の樹
脂の圧縮率を上げる事に費やされる。
【０００６】尚、注入圧力により内部リード間よりキャ
ビティ外へ漏れる樹脂は、図２に示すタイバー３によ
り、外部リード２迄流出する事が防止される。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】この従来の半導体装置
の製造方法では、樹脂封止工程に於いて、樹脂がキャビ
ティ内の流路を流動する際、流路容積が大きい部分程樹
脂の流速が速い為に、キャビティの上半分，下半分で流
路容積が異なる場合、又、ペレット上下と内部リード上
下で流路容積で異なる場合等に先行した樹脂がエアベン
トを塞いでしまう為、キャビティ内に空気が残ったまま
になり、ボイドとなるという問題があった。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体装置の製
造方法の樹脂封止工程に於いては、リードフレームの内
部リードの上下に同形の絶縁テープを接着して樹脂封止
を行う。
【０００９】なお、接着する絶縁テープの膜厚を調整し
たリードフレームを用いて樹脂封止を行っても良い。
【００１０】
【実施例】次に本技術について図面を参照して説明す
る。図１は本発明の一実施例の半導体装置およびその製
造方法の樹脂封止工程で使用するリードフレーム、図４
は樹脂の流れ方である。図４（ｂ）に於いてトランスフ
ァーモールド法によりゲート９からキャビティ８内に流
入した樹脂は、ペレット１０上、アイランド４下及び絶
縁テープ７上下等の流路を流動する。ペレット上とアイ
ランド下とで流路の容積が同じ形状の絶縁テープ７が上
下同じ位置にあるためほぼ同じになり、このエアベント
１１側の内部リード５に接着した絶縁テープ７により、
キャビティの上半分から下半分への、又はその逆の樹脂
の回り込みはなくなり、ボイドができない。
【００１１】つまり流路高さの差を０にする事により、
図４（ｂ）に示す様に、ペレット上，アイランド下の樹
脂の流動速度と、内部リード上下の樹脂の流動速度の差
を少なくする。
【００１２】以上の一実施例に於いて、絶縁テープの接
着は、リードフレームメーカーにてあらかじめ接着剤の
ものを使用する。もしくはボンディング前迄に内部リー
ド上に接着する工程を設ける等の方法により行う。
【００１３】
【発明の効果】以上説明したように、本発明は半導体装
置の樹脂封止を行う際、封止するリードフレームの内部
リードの上下に絶縁テープを接着し、かつそのテープの
厚さ、接着する箇所を調整する事により、キャビティ内
の上下の樹脂の流動のしかた、流動速度を同じにしたの
で、樹脂の充填差に起因するボイドの発生を低減できる
という効果を有する。
【図面の簡単な説明】
【図１】（ａ），（ｂ）は本発明の一実施例の半導体装
置の樹脂封止前の状態の上面図および下面図，（ｃ）は
本発明の一実施例の半導体装置の樹脂封止前の状態の断
面図。
【図２】（ａ）は従来の半導体装置の樹脂封止前の状態
の平面図、（ｂ）は従来の半導体装置の樹脂封止前の状
態の側面図。
【図３】従来の半導体装置での樹脂の流れ方の説明図。
【図４】本発明の一実施例の半導体装置での樹脂の流れ
方の説明図。
【符号の説明】
１ 外枠 ２ 外部リード ３ タイバー ４ アイランド ５ 内部リード ６ アイランド吊りピン ７ 絶縁テープ ８ ペレット ９ ボンディングワイヤー １０ キャビティ １１ ゲート １２ エアベント １３ 樹脂

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 樹脂封止を行なう半導体装置に於いて、
    リードフレームの内部リードの上下の同じ位置に同形の
    絶縁テープを接着する事を特徴とする半導体装置。
  2. 【請求項２】 樹脂封止を行なう半導体装置の製造方法
    に於いて、リードフレームの内部リードの上下の同じ位
    置に同じ形の絶縁テープを接着する工程を有する事を特
    徴とする半導体装置の製造方法。
JP4128399A 1992-05-21 1992-05-21 半導体装置及びその製造方法 Withdrawn JPH0669260A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP4128399A JPH0669260A (ja) 1992-05-21 1992-05-21 半導体装置及びその製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP4128399A JPH0669260A (ja) 1992-05-21 1992-05-21 半導体装置及びその製造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH0669260A true JPH0669260A (ja) 1994-03-11

Family

ID=14983840

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP4128399A Withdrawn JPH0669260A (ja) 1992-05-21 1992-05-21 半導体装置及びその製造方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH0669260A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08111492A (ja) * 1994-10-06 1996-04-30 Nec Corp 樹脂封止型半導体装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08111492A (ja) * 1994-10-06 1996-04-30 Nec Corp 樹脂封止型半導体装置

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US20060255435A1 (en) Method for encapsulating a semiconductor device and semiconductor device
JP3411448B2 (ja) 半導体素子の樹脂封止金型及び半導体装置の製造方法
JPH1158449A (ja) 半導体装置の樹脂封止成形金型
CN106876342A (zh) 一种双面散热半导体元件的制造方法
JPH03167834A (ja) 樹脂封止型半導体装置
JP2555931B2 (ja) 半導体装置の製造方法
JPH0745765A (ja) 樹脂封止型半導体装置の樹脂封止法
JPS60111432A (ja) 半導体装置用樹脂封止金型
JPH0669366A (ja) 半導体装置実装体及び実装方法
JP3092568B2 (ja) 樹脂封止型半導体装置製造金型
JPH10138294A (ja) 樹脂封止金型及び樹脂封止方法
JPS5839868Y2 (ja) 樹脂封止金型
JPH0691118B2 (ja) 半導体装置およびその製造方法
JPH0521696A (ja) 半導体装置のリードフレーム
JP3062134B2 (ja) 樹脂封止型半導体装置の製造方法
JPH0758136A (ja) トランスファモールド方法
JPS61145835A (ja) 半導体装置の製造方法
JP3106946B2 (ja) 樹脂封止型半導体装置の製造方法およびその金型
JP3109919B2 (ja) 樹脂封止型半導体装置の製造方法及び金型
JPS60253235A (ja) 半導体装置の製造方法
JPH06226773A (ja) 半導体装置の製造方法
JPH07161875A (ja) 樹脂封止型半導体装置
JPH11274191A (ja) 半導体素子の樹脂封止装置
JPH08107178A (ja) 樹脂封止型半導体装置及びその製造方法
JPH04134837A (ja) トランスファモールド金型

Legal Events

Date Code Title Description
A300 Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300

Effective date: 19990803