JPH0669663A - コンデンサ内蔵多層基板 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 本発明は、内蔵コンデンサが、互いに干渉す
るようなことなく、互いに接近して配設され得るように
した、コンデンサ内蔵多層基板を提供する。 【構成】 複数の絶縁体層１１ａ，１１ｂ，１１ｃ及び
少なくとも一つのコンデンサ構成層１２とから成り、各
層の間及び上面及び下面に導電パターンによる電極部１
３が備えられている、コンデンサ内蔵多層基板におい
て、このコンデンサ構成層が、互いに対向するコンデン
サ電極部の間の領域のみ、誘電体層１２ａ，１２ｂ，１
２ｃにより形成されていて、他の領域が、絶縁体層１２
ｄにより形成されるように、コンデンサ内蔵多層基板２
０を構成する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、例えば、多層セラミッ
ク基板中に、コンデンサを内蔵させた、所謂コンデンサ
内蔵多層基板に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来、このようなコンデンサ内蔵多層基
板は、例えば図４に示すように構成されている。図４に
おいて、コンデンサ内蔵多層基板１は、複数の絶縁体層
２ａ，２ｂ及び２ｃの間に、全面に亘って誘電体層３を
挟み込むことにより、構成されている。

【０００３】このコンデンサ内蔵多層基板１の上面及び
下面と、各絶縁体層２ａ，２ｂ及び２ｃと誘電体層３の
間には、それぞれ所定の導電パターン等による電極部４
が形成されている。尚、図４（Ｂ）は図４（Ａ）のコン
デンサ部を拡大して示す図である。

【０００４】このように構成されたコンデンサ内蔵多層
基板１によれば、各電極部４は、それぞれ所定の回路を
構成していると共に、各絶縁体層２ａ，２ｂ及び２ｃと
誘電体層３を上下に貫通するビアホール５を介して、互
いに接続されている。これにより、基板１の全体が協働
して、回路を構成するようになっている。

【０００５】ここで、この誘電体層３を介して互いに対
向するように、この誘電体層３の上面及び下面に接して
配設された電極は、その間に誘電体層３が存在すること
から、それぞれコンデンサを構成するようになってい
る。

【０００６】図５は、従来のコンデンサ内蔵多層基板の
他の例を示しており、この場合、コンデンサ内蔵多層基
板１０は、複数の絶縁体層２ａ，２ｂ及び２ｃの間に、
印刷法によって所定位置の誘電体層３を設けることによ
り、構成されている。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うに構成されたコンデンサ内蔵多層基板１，１０におい
ては、以下のような問題がある。

【０００８】図４に示すコンデンサ内蔵多層基板１にお
いては、図４（Ｂ）に示すように、コンデンサ６は、互
いに対向する電極４ａ，４ｂにより構成されており、ま
た他のコンデンサ７は、互いに対向する電極４ｃ，４ｄ
により構成されている。ところで、このコンデンサ６，
７を構成する誘電体層３は、全面に亘って一体に配設さ
れていることから、各電極４ａと４ｃ，４ｂと４ｄを互
いに接近させて配設すると、図４（Ｂ）にて点線で示す
ように、互いに干渉することにより、クロストークが生
ずる等の電気的特性の劣化が生じてしまうことになる。
このため、各電極４ａと４ｃ，４ｂと４ｄを互いに離し
て配設すると、基板の高密度化や小型化が困難になって
しまう。

【０００９】また、絶縁体層２ａ，２ｂ，２ｃの間に、
誘電体層３が全面に亘って配設されているので、異種材
料間の熱膨張率や焼成収縮率等を十分に考慮する必要が
ある。さらには、この絶縁体層と誘電体層との密着性等
の信頼性も低下してしまうことになる。

【００１０】次に、図５に示すコンデンサ内蔵多層基板
１０の場合には、誘電体層３の印刷コストが比較的高く
なってしまう。また、基板１０の表面における平面性を
保持することが困難であるという問題があった。

【００１１】本発明は、以上の点に鑑み、内蔵コンデン
サが、互いに干渉するようなことなく、互いに接近して
配設され得るようにした、コンデンサ内蔵多層基板を提
供することを目的としている。

【００１２】

【課題を解決するための手段】上記目的は、本発明によ
れば、互いに積層された複数の絶縁体層及び少なくとも
一つのコンデンサ構成層とから成り、各層の間及び上面
及び下面に導電パターンによる電極部が備えられてい
る、コンデンサ内蔵多層基板において、このコンデンサ
構成層が、少なくとも一つの互いに対向するコンデンサ
電極部の間の領域のみ、誘電体層により形成されてい
て、他の領域が、絶縁体層により形成されており、上記
各誘電体層が、互いに絶縁層を介して絶縁されているコ
ンデンサ内蔵多層基板により、達成される。

【００１３】本発明によるコンデンサ内蔵多層基板は、
好ましくは、上記誘電体層が、上面または下面に電極を
付した小片ブロックから構成されている。

【００１４】さらに、本発明によるコンデンサ内蔵多層
基板は、好ましくは、上記コンデンサ構成層が、小片ブ
ロック状の誘電体層を、絶縁体層中に埋め込むことによ
り、構成されている。

【００１５】

【作用】上記構成によれば、コンデンサ構成層における
各内蔵コンデンサを構成する誘電体層が、このコンデン
サ構成層の絶縁体層により包囲されている。従って、一
つの内蔵コンデンサは、他の内蔵コンデンサとの間で、
互いに干渉するようなことはなく、クロストークが生ず
る等の電気的特性の劣化が生ずることはない。また、コ
ンデンサ構成層は、誘電体層の領域を除いて、他の領域
は、すべて絶縁体層から形成されている。従って、その
上方または下方の絶縁体層との間に、熱膨張率や、焼成
収縮率等の差がほとんどないので、これらを考慮する必
要はない。さらに、このコンデンサ構成層と絶縁体層と
の密着性は、良好である。

【００１６】また、上記誘電体層が、上面または下面に
電極を付した小片ブロックから構成されており、この小
片ブロック状の誘電体層を、絶縁体層中に埋め込むこと
により、コンデンサ構成層が形成される場合には、この
コンデンサ構成層が、比較的簡単な工程により、容易に
構成され得ることになり、従って、低コストで製造され
得ることになる。

【００１７】

【実施例】以下、この発明の好適な実施例を図１乃至図
３を参照しながら、詳細に説明する。尚、以下に述べる
実施例は、本発明の好適な具体例であるから、技術的に
好ましい種々の限定が付されているが、本発明の範囲
は、以下の説明において特に本発明を限定する旨の記載
がない限り、これらの態様に限られるものではない。

【００１８】図１は、本発明によるコンデンサ内蔵多層
基板の第一の実施例を示している。図１において、コン
デンサ内蔵多層基板２０は、互いに積層された、複数の
絶縁体層１１ａ，１１ｂ及び１１ｃと、これらの間に挟
み込まれた、一つのコンデンサ構成層１２とから構成さ
れている。ここで、このコンデンサ内蔵多層基板２０の
上面及び下面と、各絶縁体層１１ａ，１１ｂ及び１１ｃ
とコンデンサ構成層１２の間には、それぞれ所定の導電
パターン等による電極部１３が形成されている。さら
に、各電極部１３の一部は、各絶縁体層１１ａ，１１ｂ
及び１１ｃと誘電体層１２を上下に貫通するビアホール
１４を介して、互いに接続されている。これにより、基
板全体が協働して、回路を構成するようになっている。

【００１９】以上の構成は、図４に示した従来のコンデ
ンサ内蔵多層基板１と同様の構成であるが、本実施例に
よるコンデンサ内蔵多層基板２０においては、上記コン
デンサ構成層１２は、各コンデンサ１５，１６，１７を
構成すべき電極部１３ａ，１３ｂと、１３ｃ，１３ｄ
と、１３ｅ，１３ｆとの間の領域のみが、誘電体層１２
ａ，１２ｂ，１２ｃにより形成されており、他の領域
は、絶縁体層１２ｄにより形成されている。

【００２０】本実施例によるコンデンサ内蔵多層基板２
０は、以上のように構成されており、各コンデンサ１
５，１６，１７は、互いに絶縁体層１２ｄによって電気
的に絶縁されることになる。従って、各コンデンサ１
５，１６，１７の相互間で、干渉が生ずるようなことは
ないので、クロストーク等の電気的特性が向上され得る
ことになる。また、各コンデンサ１５，１６，１７は、
互いに接近して配設され得ることになり、基板全体の小
型化，高密度化が可能となる。

【００２１】さらに、コンデンサ構成層１２は、コンデ
ンサ１５，１６，１７の領域のみが、誘電体層１２ａ，
１２ｂ，１２ｃにより形成され、他の領域は、絶縁体層
１２ｄにより形成されている。従って、絶縁体層１２ｄ
内にて、部分的に誘電体層１２ａ，１２ｂ，１２ｃが点
在することになる。これにより、このコンデンサ構成層
１２とその上方または下方の絶縁体層１１ｂ，１１ｃと
の間に、熱膨張率や、焼成収縮率等の差がほとんどない
ので、これらを考慮する必要はない。さらに、このコン
デンサ構成層と絶縁体層との密着性は、良好であるの
で、材料的な信頼性が向上され得ることになる。

【００２２】さらに、コンデンサ１５，１６，１７を構
成する誘電体層１２ａ，１２ｂ，１２ｃは、同じ厚さの
絶縁体層１２ｄにより包囲されることにより、コンデン
サ構成層１２の全体が、均一の厚さに形成されている。
従って、基板２０の全体の平面性が、十分に維持され得
ることになる。

【００２３】図３は、本実施例によるコンデンサ内蔵多
層基板の製造工程を示している。図３（Ａ）において、
絶縁体層として、例えばガラスセラミック等から成る４
枚のグリーンシート２１，２２，２３，２４と、誘電体
層として、例えば鉛系の高誘電率シート２５を用意す
る。ここで、先づ図３（Ｂ）に示すように、各グリーン
シート２１乃至２４に対して、ビアホール１４のパンチ
を行なう。同時に、コンデンサ構成層となるべきグリー
ンシート２３に対しては、誘電体用挿入孔２３ａのパン
チを行なう。

【００２４】続いて、各ビアホール１４を導電材料によ
り充填する。その後、各グリーンシート２１乃至２４の
上面に、そして最下層となるグリーンシート２４につい
ては下面にも、電極部１３を印刷して、乾燥させる。ま
た、高誘電率シート２５に対して、上面に電極部１３を
印刷して、乾燥させる。

【００２５】ここで、図３（Ｃ）に示すように、グリー
ンシート２４の上に、グリーンシート２３を載置し、重
ね合わせる。また、高誘電率シート２５を、パンチング
により、上記グリーンシート２３の誘電体用挿入孔２３
ａに対応した形状の小片ブロックに分離する。

【００２６】その後、図３（Ｄ）に示すように、この高
誘電率シート２５の小片ブロックを、グリーンシート２
４上に載置されたグリーンシート２３の誘電体用挿入孔
２３ａ内に、挿入する。続いて、図３（Ｅ）に示すよう
に、グリーンシート２３の上に、グリーンシート２２及
びグリーンシート２１を順次に載置する。最後に、上方
から加圧しながら、焼成することにより、図３（Ｆ）に
示すように、コンデンサ内蔵多層基板２０が完成するこ
とになる。

【００２７】

【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば、各
内蔵コンデンサの相互間で、干渉が生ずるようなことは
なく、クロストーク等の電気的特性が向上され得ること
になる。従って、各内蔵コンデンサは、互いに接近して
配設され得ることになり、基板全体の小型化，高密度化
が可能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明によるコンデンサ内蔵多層基板の一実施
例を示す概略断面図である。

【図２】図１のコンデンサ内蔵多層基板の誘電体層でＧ
−Ｇ線に沿って切断した斜視図である。

【図３】図１のコンデンサ内蔵多層基板の製造工程を順
次に示す工程図である。

【図４】従来のコンデンサ内蔵多層基板の一例の構成を
示す（Ａ）概略断面図及び（Ｂ）コンデンサの付近の拡
大断面図である。

【図５】従来のコンデンサ内蔵多層基板の他の例の構成
を示す概略断面図である。

【符号の説明】

２０ コンデンサ内蔵多層基板 １１ａ 絶縁体層 １１ｂ 絶縁体層 １１ｃ 絶縁体層 １２ コンデンサ構成層 １２ａ 誘電体層 １２ｂ 誘電体層 １２ｃ 誘電体層 １２ｄ 絶縁体層 １３ 電極部 １４ ビアホール ２１ グリーンシート ２２ グリーンシート ２３ グリーンシート ２４ グリーンシート ２５ 高誘電率シート

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 互いに積層された複数の絶縁体層及び少
   なくとも一つのコンデンサ構成層とから成り、各層の間
   及び上面及び下面に導電パターンによる電極部が備えら
   れている、コンデンサ内蔵多層基板において、 このコンデンサ構成層が、少なくとも一つの互いに対向
   するコンデンサ電極部の間の領域のみ、誘電体層により
   形成されていて、他の領域が、絶縁体層により形成され
   ていることを特徴とする、コンデンサ内蔵多層基板。
2. 【請求項２】 前記各誘電体層が、互いに、絶縁層を介
   して、絶縁されていることを特徴とする、請求項１に記
   載のコンデンサ内蔵多層基板。
3. 【請求項３】 前記誘電体層が、上面または下面に電極
   を付した小片ブロックから構成されていることを特徴と
   する、請求項１または２のいずれかに記載のコンデンサ
   内蔵多層基板。
4. 【請求項４】 前記コンデンサ構成層が、小片ブロック
   状の誘電体層を、絶縁体層中に埋め込むことにより、構
   成されていることを特徴とする、請求項１または２のい
   ずれかに記載のコンデンサ内蔵多層基板。