JPH0676269B2 - セラミック基板のレーザースクライブ方法 - Google Patents
セラミック基板のレーザースクライブ方法Info
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- JPH0676269B2 JPH0676269B2 JP2045970A JP4597090A JPH0676269B2 JP H0676269 B2 JPH0676269 B2 JP H0676269B2 JP 2045970 A JP2045970 A JP 2045970A JP 4597090 A JP4597090 A JP 4597090A JP H0676269 B2 JPH0676269 B2 JP H0676269B2
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Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/36—Removing material
- B23K26/362—Laser etching
- B23K26/364—Laser etching for making a groove or trench, e.g. for scribing a break initiation groove
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
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- H05K1/03—Use of materials for the substrate
- H05K1/0306—Inorganic insulating substrates, e.g. ceramic, glass
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
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- H05K3/0011—Working of insulating substrates or insulating layers
- H05K3/0017—Etching of the substrate by chemical or physical means
-
- H—ELECTRICITY
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- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/0097—Processing two or more printed circuits simultaneously, e.g. made from a common substrate, or temporarily stacked circuit boards
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、セラミック基板を分解する際前工程で行われ
るセラミック基板のレーザースクライバーによるスクラ
イブ方法に関する。
るセラミック基板のレーザースクライバーによるスクラ
イブ方法に関する。
例えばハイブリッドICは、セラミック基板に回路パター
ンを形成し、さらに電子素子を搭載して作成されるが、
個々のハイブリッドICは、数十ミリメータ角板であるの
で、これらが一度に多数得られるように大きなセラミッ
ク板を分割して作製される。
ンを形成し、さらに電子素子を搭載して作成されるが、
個々のハイブリッドICは、数十ミリメータ角板であるの
で、これらが一度に多数得られるように大きなセラミッ
ク板を分割して作製される。
この分割前のいわゆる集合基板から個々のセラミック基
板を分割する手段の一つとして、レーザースクライブ法
が用いられている。これは、レーザーによって集合基板
表面にミシン目状のスリットを形成するものあり、この
スリットを形成した後電子部品を実装してからこのスリ
ットに沿って分割され製品ができあがる。
板を分割する手段の一つとして、レーザースクライブ法
が用いられている。これは、レーザーによって集合基板
表面にミシン目状のスリットを形成するものあり、この
スリットを形成した後電子部品を実装してからこのスリ
ットに沿って分割され製品ができあがる。
従来、レーザースクライブ法によるスリットの形成は、
配線や電子素子をはんだ付けするためのはんだ付けラン
ド等の例えば銀ペースト等による厚膜塗膜を形成してか
ら行うものと、この厚膜塗膜を形成する前に行うものと
２通りある。
配線や電子素子をはんだ付けするためのはんだ付けラン
ド等の例えば銀ペースト等による厚膜塗膜を形成してか
ら行うものと、この厚膜塗膜を形成する前に行うものと
２通りある。
しかしながら、後者の厚膜塗膜を形成する前にレーザー
スクライブを行う場合には、これにより生じたスリット
の周縁に溶融したセラミックが盛り上がる等のいわゆる
バリが生じ、これをそのままにして厚膜塗膜を例えばス
クリーン印刷により形成しようとすると、スクリーンに
バリが引っ掛かってスクリーンを損傷する等の問題があ
る。
スクライブを行う場合には、これにより生じたスリット
の周縁に溶融したセラミックが盛り上がる等のいわゆる
バリが生じ、これをそのままにして厚膜塗膜を例えばス
クリーン印刷により形成しようとすると、スクリーンに
バリが引っ掛かってスクリーンを損傷する等の問題があ
る。
また、厚膜塗膜を形成した後のセラミック基板にレーザ
ースクライブを行なう場合、上記と同様にスリット周縁
にできたバリについてその除去作業を行なう際に、厚膜
塗膜を損傷することがあるのみならず、レーザーによっ
て高温に熱っせられてセラミックの昇華物が生じ、これ
が厚膜塗膜の電極ランド表面に付着し、電子部品やリー
ド端子をはんだ付けするときにはんだを良く付着しない
という問題がある。
ースクライブを行なう場合、上記と同様にスリット周縁
にできたバリについてその除去作業を行なう際に、厚膜
塗膜を損傷することがあるのみならず、レーザーによっ
て高温に熱っせられてセラミックの昇華物が生じ、これ
が厚膜塗膜の電極ランド表面に付着し、電子部品やリー
ド端子をはんだ付けするときにはんだを良く付着しない
という問題がある。
本発明は、上記課題を解決するために、セラミック基板
に複数の回路パターンを有しそれぞれの回路パターンに
電子部品を搭載後各回路パターン毎にセラミック基板を
分割するそのセラミック基板の分割のためのスリットを
形成するレーザースクライブ方法において、上記セラミ
ック基板の少なくとも分割予定線及びその近傍に剥離可
能な有機物を主体とする被覆体又は洗い流し可能な樹脂
膜を接着することにより被覆してから該被覆体又は樹脂
膜を介して上記レーザースクライブによるスリットを形
成し、該スリット形成後上記被覆体又は樹脂膜を除去す
るセラミック基板のレーザースクライブ方法を提供する
ものである。
に複数の回路パターンを有しそれぞれの回路パターンに
電子部品を搭載後各回路パターン毎にセラミック基板を
分割するそのセラミック基板の分割のためのスリットを
形成するレーザースクライブ方法において、上記セラミ
ック基板の少なくとも分割予定線及びその近傍に剥離可
能な有機物を主体とする被覆体又は洗い流し可能な樹脂
膜を接着することにより被覆してから該被覆体又は樹脂
膜を介して上記レーザースクライブによるスリットを形
成し、該スリット形成後上記被覆体又は樹脂膜を除去す
るセラミック基板のレーザースクライブ方法を提供する
ものである。
少なくともセラミック基板の分割予定線及びその近傍に
剥離可能な有機物を主体とした被覆体又は洗い流し可能
な樹脂膜を接着させることにより被覆してからその被覆
体又は樹脂膜を介してレーザースクライブを行ったの
で、そのレーザースクライブを被覆体又は樹脂膜の位置
ずれを生じることなく行うことができる。また、そのレ
ーザースクライブによって形成されるスリットの周縁に
セラミックのバリが生じ難いのみならず被覆体又は樹脂
膜のレーザー照射部分は有機物が分解・揮発して残留し
難く、仮に残留しても少なく、軟らかいので変形容易で
あるとともに、レーザーの熱によるセラミックの昇華が
抑制されてその飛散が抑制され、たとえ飛散したとして
も厚膜塗膜の電極ランドに付着しないようにできる。
剥離可能な有機物を主体とした被覆体又は洗い流し可能
な樹脂膜を接着させることにより被覆してからその被覆
体又は樹脂膜を介してレーザースクライブを行ったの
で、そのレーザースクライブを被覆体又は樹脂膜の位置
ずれを生じることなく行うことができる。また、そのレ
ーザースクライブによって形成されるスリットの周縁に
セラミックのバリが生じ難いのみならず被覆体又は樹脂
膜のレーザー照射部分は有機物が分解・揮発して残留し
難く、仮に残留しても少なく、軟らかいので変形容易で
あるとともに、レーザーの熱によるセラミックの昇華が
抑制されてその飛散が抑制され、たとえ飛散したとして
も厚膜塗膜の電極ランドに付着しないようにできる。
また、上記被覆体又は樹脂膜はレーザースクライブを行
った後除去でき、上記したようにそのレーザー照射部の
溶融物が残留しても少なく、変形容易であるので、厚膜
塗膜の回路パターン形成前にレーザースクライブを行う
ときはその回路パターン形成時にセラミック基板に段差
を生ぜず、硬い突起も生じないようにすることができ、
その回路パターン形成後レーザースクライブを行うとき
はこの回路パターンを露出し、例えばその電極ランドに
はんだペーストを塗布するときにも段差を生じたり、硬
い突起を生じないようにすることができる。
った後除去でき、上記したようにそのレーザー照射部の
溶融物が残留しても少なく、変形容易であるので、厚膜
塗膜の回路パターン形成前にレーザースクライブを行う
ときはその回路パターン形成時にセラミック基板に段差
を生ぜず、硬い突起も生じないようにすることができ、
その回路パターン形成後レーザースクライブを行うとき
はこの回路パターンを露出し、例えばその電極ランドに
はんだペーストを塗布するときにも段差を生じたり、硬
い突起を生じないようにすることができる。
次に本発明の実施例を図面に基づいて説明する。
第１図（イ）中、１は集合セラミック基板、２は厚膜塗
膜からなる電極ランド、３は電極ランド以外の配線や抵
抗体等を被覆するガラス層である。なお、電極ランド、
配線、抵抗体等により回路パターンが形成される。
膜からなる電極ランド、３は電極ランド以外の配線や抵
抗体等を被覆するガラス層である。なお、電極ランド、
配線、抵抗体等により回路パターンが形成される。
この状態の集合セラミック基板１の図示想像線のところ
にレーザーのスクライブを行ってスリットを形成すると
きは、同図（ロ）に示すようにレーザースクライブを行
おうとする個所にセロテープ（商品名）４を貼着し、集
合セラミック基板１の表面をマスキングする。
にレーザーのスクライブを行ってスリットを形成すると
きは、同図（ロ）に示すようにレーザースクライブを行
おうとする個所にセロテープ（商品名）４を貼着し、集
合セラミック基板１の表面をマスキングする。
これにレーザー光を照射すると、同図（ハ）に示すよう
に、レーザーが照射された部分のセロテープ４が溶解
し、分解・揮散するとともに集合セラミック基板１にス
リット５がミシン目状に入る。この操作を第３図（イ）
の点線で示すところに行なう。
に、レーザーが照射された部分のセロテープ４が溶解
し、分解・揮散するとともに集合セラミック基板１にス
リット５がミシン目状に入る。この操作を第３図（イ）
の点線で示すところに行なう。
この後、図示省略したが、厚さ100μｍのアクリル系粘
着テープを上記張り合わせたセロテープで溶融せず残っ
ている部分に張り付けて剥がすようにすると、その接着
力でセロテープが剥がれる。このようにし第１図（ニ）
に示すようにレーザースクライブによるスリットが集合
セラミック基板１に形成される。
着テープを上記張り合わせたセロテープで溶融せず残っ
ている部分に張り付けて剥がすようにすると、その接着
力でセロテープが剥がれる。このようにし第１図（ニ）
に示すようにレーザースクライブによるスリットが集合
セラミック基板１に形成される。
そして、電極ランド２にクリームはんだをはんだスクリ
ーンを用いて印刷し、その後電子部品をこの電極に載置
し、リフローはんだ装置によりはんだ付けを行なう。
ーンを用いて印刷し、その後電子部品をこの電極に載置
し、リフローはんだ装置によりはんだ付けを行なう。
第１図は集合セラミック板の片面実装の場合であるが、
両面実装の場合には同様のことを集合セラミック基板の
裏面についても行なっても良い。
両面実装の場合には同様のことを集合セラミック基板の
裏面についても行なっても良い。
このようにして得られたセラミック集合基板をその表面
に形成したミシン目のスリットに沿って機械的に分割す
る。これにより第３図（ロ）に示す電子部品を搭載した
セラミック基板６、６…ができあがる。
に形成したミシン目のスリットに沿って機械的に分割す
る。これにより第３図（ロ）に示す電子部品を搭載した
セラミック基板６、６…ができあがる。
上記はセロテープを用いたが、メンディングテープ、両
面紙粘着テープ、両面セロハン粘着テープ、導電性粘着
テープ、プリント基板用粘着テープ等の剥離可能でレー
ザーの当たった個所が溶融し、分解・揮散する有機物を
主体とする被覆体を用いても良い。
面紙粘着テープ、両面セロハン粘着テープ、導電性粘着
テープ、プリント基板用粘着テープ等の剥離可能でレー
ザーの当たった個所が溶融し、分解・揮散する有機物を
主体とする被覆体を用いても良い。
また、第２図に示すように、第１図（イ）と同様な回路
パターンを形成した集合セラミック基板に第２図（ロ）
に示すように、レーザーによるスクライブをする面にフ
ラックスを塗布してその塗膜４′でセラミック基板表面
をマスキングし、電極ランド表面を保護する。
パターンを形成した集合セラミック基板に第２図（ロ）
に示すように、レーザーによるスクライブをする面にフ
ラックスを塗布してその塗膜４′でセラミック基板表面
をマスキングし、電極ランド表面を保護する。
その後、同図（ハ）に示すように、レーザースクライバ
ーによって集合セラミック基板にスリット５′をミシン
目状に入れる。次いで集合セラミック基板を洗浄し、フ
ラックス膜を洗い流し、同図（ニ）に示すレーザースク
ライブされた集合セラミック基板を得る。
ーによって集合セラミック基板にスリット５′をミシン
目状に入れる。次いで集合セラミック基板を洗浄し、フ
ラックス膜を洗い流し、同図（ニ）に示すレーザースク
ライブされた集合セラミック基板を得る。
必要により集合セラミック基板の裏面についも同様のこ
とを行った後、クリームはんだをスクリーン印刷により
電極ランドに印刷し、これに電子部品を載せてリフロー
はんだ装置によりはんだ付けを行なう。
とを行った後、クリームはんだをスクリーン印刷により
電極ランドに印刷し、これに電子部品を載せてリフロー
はんだ装置によりはんだ付けを行なう。
この後第１図の場合と同様にスリットに沿って集合セラ
ミック基板を分割することにより電子部品を搭載したセ
ラミック基板ができあがる。
ミック基板を分割することにより電子部品を搭載したセ
ラミック基板ができあがる。
上記フラックスとしては非ハロゲン活性化ロジンフラッ
クス、ハロゲン含有弱活性化ロジンフラックス、活性化
ロジンフラックス等が用いられる。
クス、ハロゲン含有弱活性化ロジンフラックス、活性化
ロジンフラックス等が用いられる。
また、他の有機物を主体とした洗い流し可能な樹脂膜を
上記フラックス膜と同様に用いても良い。
上記フラックス膜と同様に用いても良い。
上記は電極ランド等の回路パターンの厚膜塗膜を形成し
た後レーザースクライブを行ったが、この厚膜形成前に
レーザースクライブしようとする面に上記と同様の被覆
体又はフラックス膜や樹脂膜を形成することによりマス
キングし、その後レーザースクライブを行ってスリット
を形成しても良く、この場合には熱っせられて昇華する
セラミック成分の飛散が抑制されるので、スリットの周
縁にバリが生じ難い。したがって、この後スクリーン印
刷を行ってもスクリーンを損傷する等のことがない。本
発明はこの場合も含む。
た後レーザースクライブを行ったが、この厚膜形成前に
レーザースクライブしようとする面に上記と同様の被覆
体又はフラックス膜や樹脂膜を形成することによりマス
キングし、その後レーザースクライブを行ってスリット
を形成しても良く、この場合には熱っせられて昇華する
セラミック成分の飛散が抑制されるので、スリットの周
縁にバリが生じ難い。したがって、この後スクリーン印
刷を行ってもスクリーンを損傷する等のことがない。本
発明はこの場合も含む。
本発明によれば、レーザーのスクライブによるスリット
を形成する前に少なくともそのスリットを形成する個所
及びその近傍に剥離可能な有機物を主体とする被覆体又
は洗い流し可能な樹脂膜を接着することにより被覆し、
レーザースクライブを行った後はその被覆体又は樹脂膜
を除去できるようにしたので、そのレーザースクライブ
を被覆体又は樹脂膜の位置ずれを生じることなく行うこ
とができるため、取扱いが容易である。また、そのレー
ザースクライブによって形成されるスリットの周縁にセ
ラミックのバリが生じ難いのみならず、上記被覆体又は
樹脂膜のレーザー照射部分も有機物が分解・揮発して残
留し難く、仮に残留しても少なく、軟らかく変形容易で
あるので、セラミック基板にレーザースクライブを行っ
た後に回路パターンを例えばスクリーン印刷により形成
する場合、あるいは回路パターン形成後レーザースクラ
イブを行った後例えば電極ランドにはんだペーストをス
クリーン印刷する場合のいずれにも段差を生じることが
ないだけではなく、スクリーンを破るような硬い突起も
生じないから、スクリーンが基板表面に密着することに
より均一厚さの厚膜塗膜を基板の所定個所に良く密着し
た状態で形成することができ、厚膜塗膜の印刷精度を損
なうことがない。
を形成する前に少なくともそのスリットを形成する個所
及びその近傍に剥離可能な有機物を主体とする被覆体又
は洗い流し可能な樹脂膜を接着することにより被覆し、
レーザースクライブを行った後はその被覆体又は樹脂膜
を除去できるようにしたので、そのレーザースクライブ
を被覆体又は樹脂膜の位置ずれを生じることなく行うこ
とができるため、取扱いが容易である。また、そのレー
ザースクライブによって形成されるスリットの周縁にセ
ラミックのバリが生じ難いのみならず、上記被覆体又は
樹脂膜のレーザー照射部分も有機物が分解・揮発して残
留し難く、仮に残留しても少なく、軟らかく変形容易で
あるので、セラミック基板にレーザースクライブを行っ
た後に回路パターンを例えばスクリーン印刷により形成
する場合、あるいは回路パターン形成後レーザースクラ
イブを行った後例えば電極ランドにはんだペーストをス
クリーン印刷する場合のいずれにも段差を生じることが
ないだけではなく、スクリーンを破るような硬い突起も
生じないから、スクリーンが基板表面に密着することに
より均一厚さの厚膜塗膜を基板の所定個所に良く密着し
た状態で形成することができ、厚膜塗膜の印刷精度を損
なうことがない。
また、レーザーの熱によるセラミックの昇華が抑制され
てその飛散が抑制され、たとえ飛散したとしても、回路
パターン形成後レーザースクライブを行うときはその飛
散物が厚膜塗膜の電強ランドに付着しないようにでき、
しかもこの回路パターンを露出させて後工程において電
子部品のはんだ付けを行うことを防げないようにするこ
とができる。
てその飛散が抑制され、たとえ飛散したとしても、回路
パターン形成後レーザースクライブを行うときはその飛
散物が厚膜塗膜の電強ランドに付着しないようにでき、
しかもこの回路パターンを露出させて後工程において電
子部品のはんだ付けを行うことを防げないようにするこ
とができる。
このようにして従来のようなバリを取り除く工程を減ら
し、電子部品を電極ランドに接続する性能も損なわない
ようにすることができる。
し、電子部品を電極ランドに接続する性能も損なわない
ようにすることができる。
第１図（イ）〜（ニ）は本発明の一実施例の方法を示す
断面工程図、第２図（イ）〜（ニ）はその他の実施例の
方法を示す断面工程図、第３図（イ）は分割線を示す説
明図、同（ロ）はその分割状態を示す説明図である。 図中、１は集合セラミック基板、２は厚膜塗膜からなる
電極ランド、３はガラス層、４は被覆体としてのセロテ
ープ、４′は樹脂膜としてのフラッスク膜、５、５′は
スリットである。
断面工程図、第２図（イ）〜（ニ）はその他の実施例の
方法を示す断面工程図、第３図（イ）は分割線を示す説
明図、同（ロ）はその分割状態を示す説明図である。 図中、１は集合セラミック基板、２は厚膜塗膜からなる
電極ランド、３はガラス層、４は被覆体としてのセロテ
ープ、４′は樹脂膜としてのフラッスク膜、５、５′は
スリットである。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０５Ｋ 1/02 Ｇ 7047−4Ｅ 3/00 Ａ 6921−4Ｅ
Claims (1)
- 【請求項１】セラミック基板に複数の回路パターンを有
しそれぞれの回路パターンに電子部品を搭載後各回路パ
ターン毎にセラミック基板を分割するそのセラミック基
板の分割のためのスリットを形成するレーザースクライ
ブ方法において、上記セラミック基板の少なくとも分割
予定線及びその近傍に剥離可能な有機物を主体とする被
覆体又は洗い流し可能な樹脂膜を接着することにより被
覆してから該被覆体又は樹脂膜を介して上記レーザース
クライブによるスリットを形成し、該スリット形成後上
記被覆体又は樹脂膜を除去するセラミック基板のレーザ
ースクライブ方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2045970A JPH0676269B2 (ja) | 1990-02-28 | 1990-02-28 | セラミック基板のレーザースクライブ方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2045970A JPH0676269B2 (ja) | 1990-02-28 | 1990-02-28 | セラミック基板のレーザースクライブ方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
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