JPH0677030B2 - 磁界検出素子付ガス絶縁母線 - Google Patents
磁界検出素子付ガス絶縁母線Info
- Publication number
- JPH0677030B2 JPH0677030B2 JP58126975A JP12697583A JPH0677030B2 JP H0677030 B2 JPH0677030 B2 JP H0677030B2 JP 58126975 A JP58126975 A JP 58126975A JP 12697583 A JP12697583 A JP 12697583A JP H0677030 B2 JPH0677030 B2 JP H0677030B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetic field
- metal sheath
- gas
- conductor
- detection element
- Prior art date
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- Expired - Lifetime
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- Measuring Instrument Details And Bridges, And Automatic Balancing Devices (AREA)
- Installation Of Bus-Bars (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 本発明は、導体電流検出用の磁界検出素子を取付けたGI
LやGISなどのガス絶縁母線に関するものである。
LやGISなどのガス絶縁母線に関するものである。
ガス絶縁母線の導体電流を測定する手段として、従来の
CT（変流器）を用いる方法に代え、導体電流の作る磁界
を検出して、その値から導体電流を知る方法が検討され
ている。この場合の磁界検出素子としては、磁界の変化
により特殊なガラス（例えば鉛ガラス）を透過する光の
屈折角が変化することを利用した光応用素子などが、電
気的ノイズに影響されないことから有望視されている。
CT（変流器）を用いる方法に代え、導体電流の作る磁界
を検出して、その値から導体電流を知る方法が検討され
ている。この場合の磁界検出素子としては、磁界の変化
により特殊なガラス（例えば鉛ガラス）を透過する光の
屈折角が変化することを利用した光応用素子などが、電
気的ノイズに影響されないことから有望視されている。
第１図はそのような磁界検出素子を備えた従来のガス絶
縁母線を示す。ガス絶縁母線１は導体２と金属シース３
の間をSF6などのガス４で絶縁したものであり、その一
部には磁界検出部５が設けられている。この磁界検出部
５は、金属シース３の開口部に形成されたフランジ６、
開口部を密閉する盲蓋７、盲蓋７に指示された磁界検出
素子８、この素子のリード線９が盲蓋７を貫通する部分
の気密性を保つ貫通部材10、素子８を静電的に遮蔽する
遮蔽板11などから構成されている。
縁母線を示す。ガス絶縁母線１は導体２と金属シース３
の間をSF6などのガス４で絶縁したものであり、その一
部には磁界検出部５が設けられている。この磁界検出部
５は、金属シース３の開口部に形成されたフランジ６、
開口部を密閉する盲蓋７、盲蓋７に指示された磁界検出
素子８、この素子のリード線９が盲蓋７を貫通する部分
の気密性を保つ貫通部材10、素子８を静電的に遮蔽する
遮蔽板11などから構成されている。
この場合、磁界検出素子８は金属シース３内面より内側
に設置する必要がある。その理由は、導体２に電流ICが
流れると、金属シース３には‐ICに相当するリターン電
流ISが流れ、金属シース３の内径より外側では磁界が打
消されてしまうからである。即ち、導体２の中心から径
方向の距離ｘの点の磁界Ｈは、金属シース３の半径以下
では、 となり、検出可能であるが、上記半径以上では、 となり、検出不可能となる。
に設置する必要がある。その理由は、導体２に電流ICが
流れると、金属シース３には‐ICに相当するリターン電
流ISが流れ、金属シース３の内径より外側では磁界が打
消されてしまうからである。即ち、導体２の中心から径
方向の距離ｘの点の磁界Ｈは、金属シース３の半径以下
では、 となり、検出可能であるが、上記半径以上では、 となり、検出不可能となる。
このように従来は、金属シースの内側でしか導体電流に
応じた磁界の検出はできないと考えられていたため、磁
界検出素子は金属シースの内側に設置せざるを得ない状
況にあつた。このため従来の磁界検出素子付ガス絶縁母
線は、磁界検出素子及びリード線に耐圧性及び耐真空性
を具備させる必要のあること、気密性の貫通部材を必要
とすること並びに内部に遮弊板を設ける必要のあること
などの理由から高価になる欠点がある。さらに、万一、
磁界検出素子に異常が生じた場合、それを点検するには
盲蓋を開ける必要があり、そのためには送電を停止し、
ガスを回収し、点検後再封入するという大作業が必要と
なり、事実上点検は不可能であるという問題もある。
応じた磁界の検出はできないと考えられていたため、磁
界検出素子は金属シースの内側に設置せざるを得ない状
況にあつた。このため従来の磁界検出素子付ガス絶縁母
線は、磁界検出素子及びリード線に耐圧性及び耐真空性
を具備させる必要のあること、気密性の貫通部材を必要
とすること並びに内部に遮弊板を設ける必要のあること
などの理由から高価になる欠点がある。さらに、万一、
磁界検出素子に異常が生じた場合、それを点検するには
盲蓋を開ける必要があり、そのためには送電を停止し、
ガスを回収し、点検後再封入するという大作業が必要と
なり、事実上点検は不可能であるという問題もある。
本発明の目的は、上記のような問題点に鑑み、磁界検出
素子を金属シースの外部に設置できるようにして、安価
で、保守点検も容易な磁界検出素子付ガス絶縁母線を提
供せんとするものである。
素子を金属シースの外部に設置できるようにして、安価
で、保守点検も容易な磁界検出素子付ガス絶縁母線を提
供せんとするものである。
上記目的のため本発明は、金属シースの外側に、その金
属シースを流れる電流（前述のリターン電流）を分流さ
せる分流導体を取付けることにより、その分流導体と金
属シースとの間に導体電流に相応する磁界を生じさせ、
この磁界を磁界検出素子で検出するようにしたものであ
る。
属シースを流れる電流（前述のリターン電流）を分流さ
せる分流導体を取付けることにより、その分流導体と金
属シースとの間に導体電流に相応する磁界を生じさせ、
この磁界を磁界検出素子で検出するようにしたものであ
る。
第２図及び第３図は本発明の一実施例を示す。図におい
て、12は金属シース３の全周を包囲するように設けられ
た分流導体である。この分流導体12は第３図に示すよう
に断面コ字形をしており、その両端は金属シース３の外
周面に溶接されている。つまり分流導体12は金属シース
３の長手方向の２点を電気的に接続しているので、そこ
には金属シース３を流れる電流の一部が分流することに
なる。この分流導体12は高導電率の材料例えばアルミニ
ウムで構成される。磁界検出素子８は、この分流導体12
と金属シース３との間にできる空間13に設置され、その
リード線９は分流導体12を貫通して外部に引き出され
る。リード線９は磁界検出素子８が光応用素子である場
合には、バンドル型光フアイバの形態である。空間13は
金属シース３の内部とは完全に隔離されているため、大
気圧のままでよく、したがつてリード線９の貫通部は湿
気が侵入しない程度であればよく、従来ほどの気密性は
要求されない。
て、12は金属シース３の全周を包囲するように設けられ
た分流導体である。この分流導体12は第３図に示すよう
に断面コ字形をしており、その両端は金属シース３の外
周面に溶接されている。つまり分流導体12は金属シース
３の長手方向の２点を電気的に接続しているので、そこ
には金属シース３を流れる電流の一部が分流することに
なる。この分流導体12は高導電率の材料例えばアルミニ
ウムで構成される。磁界検出素子８は、この分流導体12
と金属シース３との間にできる空間13に設置され、その
リード線９は分流導体12を貫通して外部に引き出され
る。リード線９は磁界検出素子８が光応用素子である場
合には、バンドル型光フアイバの形態である。空間13は
金属シース３の内部とは完全に隔離されているため、大
気圧のままでよく、したがつてリード線９の貫通部は湿
気が侵入しない程度であればよく、従来ほどの気密性は
要求されない。
上記のように構成すると、導体２に電流ICが流れた場
合、金属シース３には‐ICに相当する電流ISが流れる
が、分流導体12のある部分ではISはIS1（金属シース
側）とIS2（分流導体側）に分流する。このため磁界検
出素子８のある位置Ｐでの磁界HPは、 となる。ただしＫはISの何％がIS2として流れるかで決
まる定数（０＜Ｋ＜１）で、磁界検出部５の構造から一
義的に定まる。つまり（３）式は、分流導体12の構造が
決まると、Ｋが決定し、Ｐ点の磁界HPは導体電流ICに比
例したものになることを示している。換言すれば、分流
導体12を設けたことにより、それと金属シース３との間
には導体電流ICに比例した磁界が発生するわけである。
従つて、磁界検出素子８によりＰ点の磁界を測定すれば
（３）式より導体電流ICを知ることができる。
合、金属シース３には‐ICに相当する電流ISが流れる
が、分流導体12のある部分ではISはIS1（金属シース
側）とIS2（分流導体側）に分流する。このため磁界検
出素子８のある位置Ｐでの磁界HPは、 となる。ただしＫはISの何％がIS2として流れるかで決
まる定数（０＜Ｋ＜１）で、磁界検出部５の構造から一
義的に定まる。つまり（３）式は、分流導体12の構造が
決まると、Ｋが決定し、Ｐ点の磁界HPは導体電流ICに比
例したものになることを示している。換言すれば、分流
導体12を設けたことにより、それと金属シース３との間
には導体電流ICに比例した磁界が発生するわけである。
従つて、磁界検出素子８によりＰ点の磁界を測定すれば
（３）式より導体電流ICを知ることができる。
なお、Ｋの値は分流導体12の導電率と板厚に依存する。
Ｋを大きくするには導電率の高い、板厚の厚い材料で分
流導体12を構成すればよい。
Ｋを大きくするには導電率の高い、板厚の厚い材料で分
流導体12を構成すればよい。
このように本実施例によれば、磁界検出素子を金属シー
スの外側に設置した状態で導体電流に応じた磁界を検出
することができる。
スの外側に設置した状態で導体電流に応じた磁界を検出
することができる。
第４図は本発明の他の実施例を示す。この実施例は金属
シース３の周囲の一部に分流導体12を設けたものであ
る。また第５図は本発明のさらに他の実施例を示し、こ
れは金属シース３の周囲の一部に２つの分流導体12A,12
Bを設けたものである。図示してないがいずれの場合も
磁界検出素子は分流導体12又は12A,12Bと金属シース３
の間に設置される。第４図又は第５図のような構造では
前述のＫの値が小さくなるが、磁界検出素子の検出感度
が高いときは、このような構造の方がコストを低くでき
る。
シース３の周囲の一部に分流導体12を設けたものであ
る。また第５図は本発明のさらに他の実施例を示し、こ
れは金属シース３の周囲の一部に２つの分流導体12A,12
Bを設けたものである。図示してないがいずれの場合も
磁界検出素子は分流導体12又は12A,12Bと金属シース３
の間に設置される。第４図又は第５図のような構造では
前述のＫの値が小さくなるが、磁界検出素子の検出感度
が高いときは、このような構造の方がコストを低くでき
る。
以上説明したように本発明によれば、金属シースの外側
に分流導体を設けることにより、磁界検出素子を金属シ
ースの外部に設置した状態で導体電流に応じた磁界を検
出できるようにしたので、磁界検出部の高度の気密処理
が不要となり、従つて構造が簡単になり、安価になると
共に、磁界検出素子の点検、交換等もガス絶縁母線の内
部には全く影響を及ぼすことなく行えるという大きな利
点がある。
に分流導体を設けることにより、磁界検出素子を金属シ
ースの外部に設置した状態で導体電流に応じた磁界を検
出できるようにしたので、磁界検出部の高度の気密処理
が不要となり、従つて構造が簡単になり、安価になると
共に、磁界検出素子の点検、交換等もガス絶縁母線の内
部には全く影響を及ぼすことなく行えるという大きな利
点がある。
第１図は従来の磁界検出素子付ガス絶縁母線の要部切開
正面図、第２図は本発明の一実施例に係る磁界検出素子
付ガス絶縁母線の斜視図、第３図は同母線の要部拡大断
面図、第４図及び第５図はそれぞれ本発明の他の実施例
を示す斜視図である。 １……ガス絶縁母線、２……導体、３……金属シース、
４……ガス、５……磁界検出部、８……磁界検出素子、
12,12A,12B……分流導体。
正面図、第２図は本発明の一実施例に係る磁界検出素子
付ガス絶縁母線の斜視図、第３図は同母線の要部拡大断
面図、第４図及び第５図はそれぞれ本発明の他の実施例
を示す斜視図である。 １……ガス絶縁母線、２……導体、３……金属シース、
４……ガス、５……磁界検出部、８……磁界検出素子、
12,12A,12B……分流導体。
Claims (3)
- 【請求項１】導体と金属シース間をガスで絶縁したガス
絶縁母線に、導体電流に応じた磁界を検出する磁界検出
素子を取付けたものにおいて、前記金属シースの外側
に、その金属シースを流れる電流を分流させる分流導体
を取付け、その分流導体と金属シースとの間に前記磁界
検出素子を設置したことを特徴とする磁界検出素子付ガ
ス絶縁母線。 - 【請求項２】特許請求の範囲第１項記載の磁界検出素子
付ガス絶縁母線であつて、前記分流導体は、前記金属シ
ースの周囲を包囲するように設けられ、それの金属シー
ス長手方向の両端が金属シースと電気的に接続されてい
るもの。 - 【請求項３】特許請求の範囲第１項記載の磁界検出素子
付ガス絶縁母線であつて、前記分流導体は、前記金属シ
ースの周囲の一部に設けられ、それの金属シース長手方
向の両端が金属シースと電気的に接続されているもの。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58126975A JPH0677030B2 (ja) | 1983-07-14 | 1983-07-14 | 磁界検出素子付ガス絶縁母線 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58126975A JPH0677030B2 (ja) | 1983-07-14 | 1983-07-14 | 磁界検出素子付ガス絶縁母線 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6020152A JPS6020152A (ja) | 1985-02-01 |
| JPH0677030B2 true JPH0677030B2 (ja) | 1994-09-28 |
Family
ID=14948527
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58126975A Expired - Lifetime JPH0677030B2 (ja) | 1983-07-14 | 1983-07-14 | 磁界検出素子付ガス絶縁母線 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0677030B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6088365A (ja) * | 1983-10-19 | 1985-05-18 | Tokyo Electric Power Co Inc:The | 電気量検出装置 |
| JPS6456964U (ja) * | 1987-10-01 | 1989-04-10 |
-
1983
- 1983-07-14 JP JP58126975A patent/JPH0677030B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6020152A (ja) | 1985-02-01 |
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