JPH0682268A - 磁気式位置検出装置 - Google Patents
磁気式位置検出装置Info
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- JPH0682268A JPH0682268A JP5571491A JP5571491A JPH0682268A JP H0682268 A JPH0682268 A JP H0682268A JP 5571491 A JP5571491 A JP 5571491A JP 5571491 A JP5571491 A JP 5571491A JP H0682268 A JPH0682268 A JP H0682268A
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- Japan
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- pitch
- magnetic field
- harmonic
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- Measurement Of Length, Angles, Or The Like Using Electric Or Magnetic Means (AREA)
- Transmission And Conversion Of Sensor Element Output (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 工作機やロボット装置等の制御端における位
置検出に使用される磁気式位置検出装置であって，歪み
の少ない正弦波出力を得るようにしたもの。 【構成】 所定のピッチで複数の磁極が着磁された磁気
媒体と，この磁気媒体と対向する表面に設けられた磁気
抵抗効果素子（以下ＭＲ素子という）からなる磁気セン
サを備えた位置検出装置において，１組の３端子を構成
する２個のＭＲ素子の配設ピッチが，繰り返し磁気信号
のピッチをλとしたとき，λに比例する特定条件の間隔
とし，且つ第１及び第２組の３端子間のピッチもλに比
例する特定条件の間隔となるようにした。
置検出に使用される磁気式位置検出装置であって，歪み
の少ない正弦波出力を得るようにしたもの。 【構成】 所定のピッチで複数の磁極が着磁された磁気
媒体と，この磁気媒体と対向する表面に設けられた磁気
抵抗効果素子（以下ＭＲ素子という）からなる磁気セン
サを備えた位置検出装置において，１組の３端子を構成
する２個のＭＲ素子の配設ピッチが，繰り返し磁気信号
のピッチをλとしたとき，λに比例する特定条件の間隔
とし，且つ第１及び第２組の３端子間のピッチもλに比
例する特定条件の間隔となるようにした。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は工作機やロボット装置等
の制御端における位置検出に使用される磁気式位置検出
装置の改良に関する。
の制御端における位置検出に使用される磁気式位置検出
装置の改良に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の磁気式位置検出器（磁気エンコ−
ダ）は図６に示すように構成されていた。同図におい
て，１は回転軸，２はこの回転軸１に固着された磁気ド
ラムで，この磁気ドラム２の外周に設けられた磁気記録
と空隙を介して磁気センサ３が対向設置される。図７は
磁気ドラム２の磁気記録と磁気センサ３に設けられた複
数個の磁気抵抗効果素子（以下ＭＲ素子という）の夫々
の配設ピッチの関係を示す展開図，また，図８は磁気セ
ンサ３と４個のＭＲ素子Ｒ1〜Ｒ4をブリッジに組み磁気
ドラム２の回転を検出する電気回路を示す。上記のよう
に構成される従来の磁気エンコ−ダの動作特性は，図９
に示すようになる。同図において，（イ）のＭＲはＭＲ
素子の入力磁界Ｈと抵抗Ｒとの関係を示す特性曲線，
（ロ）のＭＨは磁気ドラム２の磁界Ｈの変化を示す特性
曲線である。ＭＨがｓｉｎθに比例するものとすれば，
ＭＨの変化によってＭＲの抵抗変化は（ハ）のＲ1，Ｒ2
に示すようになる。また，図８の電気回路において出力
端子ａの電圧は図９の（ニ）に示す曲線で表され，磁気
ドラムが回転するとその回転位置に応じて出力電圧Ｅa
が変化し，磁気ドラムの磁気信号１サイクルに対し２サ
イクルの出力が得られる。
ダ）は図６に示すように構成されていた。同図におい
て，１は回転軸，２はこの回転軸１に固着された磁気ド
ラムで，この磁気ドラム２の外周に設けられた磁気記録
と空隙を介して磁気センサ３が対向設置される。図７は
磁気ドラム２の磁気記録と磁気センサ３に設けられた複
数個の磁気抵抗効果素子（以下ＭＲ素子という）の夫々
の配設ピッチの関係を示す展開図，また，図８は磁気セ
ンサ３と４個のＭＲ素子Ｒ1〜Ｒ4をブリッジに組み磁気
ドラム２の回転を検出する電気回路を示す。上記のよう
に構成される従来の磁気エンコ−ダの動作特性は，図９
に示すようになる。同図において，（イ）のＭＲはＭＲ
素子の入力磁界Ｈと抵抗Ｒとの関係を示す特性曲線，
（ロ）のＭＨは磁気ドラム２の磁界Ｈの変化を示す特性
曲線である。ＭＨがｓｉｎθに比例するものとすれば，
ＭＨの変化によってＭＲの抵抗変化は（ハ）のＲ1，Ｒ2
に示すようになる。また，図８の電気回路において出力
端子ａの電圧は図９の（ニ）に示す曲線で表され，磁気
ドラムが回転するとその回転位置に応じて出力電圧Ｅa
が変化し，磁気ドラムの磁気信号１サイクルに対し２サ
イクルの出力が得られる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところで，従来技術の
ものでは，磁気エンコ−ダの出力電圧は基本的にはＭＲ
素子に作用する磁界に強さに比例して変化するものであ
るが，磁界の強さに対し抵抗変化が飽和特性をもってい
ること，磁界の極性に対し対称でないこと，外部から移
動磁性体の磁気記録とは別の一定方向の磁界により磁界
の強さが非対称形となること，また，ＭＲ素子に作用す
る磁気記録の磁界の強さがｓｉｎθとならない等の原因
によって出力電圧は多くの高調波を含んだ歪み波形とな
っており，これが誤差の原因となるという問題点があっ
た。図１０は磁気記録の磁界が第３高調波を含んだ波形
である場合を示すもので，基本波Ｖ1 に対し第３高調波
Ｖ3 を重畳させるとＶ0 で示すような歪み波形となって
しまう。また，図１１は外部磁界の影響で磁気センサに
作用する磁界の強さが非対称となった場合の出力電圧の
波形を示すもので，磁気記録の２倍の周期の出力電圧の
振幅が１サイクルおきに大，小となるなるように変化
し，この振幅の変化は１サイクルの基本波に対し１／２
周期となることを示している。このように出力電圧の波
形が歪みが大きいということは，正弦波出力を高分解化
する上で，大きな妨げとなるものである。本発明は従来
のものの上記課題（問題点）を解決し，歪みの少ない正
弦波出力を得るようにした磁気式位置検出装置を提供す
ることを目的とする。
ものでは，磁気エンコ−ダの出力電圧は基本的にはＭＲ
素子に作用する磁界に強さに比例して変化するものであ
るが，磁界の強さに対し抵抗変化が飽和特性をもってい
ること，磁界の極性に対し対称でないこと，外部から移
動磁性体の磁気記録とは別の一定方向の磁界により磁界
の強さが非対称形となること，また，ＭＲ素子に作用す
る磁気記録の磁界の強さがｓｉｎθとならない等の原因
によって出力電圧は多くの高調波を含んだ歪み波形とな
っており，これが誤差の原因となるという問題点があっ
た。図１０は磁気記録の磁界が第３高調波を含んだ波形
である場合を示すもので，基本波Ｖ1 に対し第３高調波
Ｖ3 を重畳させるとＶ0 で示すような歪み波形となって
しまう。また，図１１は外部磁界の影響で磁気センサに
作用する磁界の強さが非対称となった場合の出力電圧の
波形を示すもので，磁気記録の２倍の周期の出力電圧の
振幅が１サイクルおきに大，小となるなるように変化
し，この振幅の変化は１サイクルの基本波に対し１／２
周期となることを示している。このように出力電圧の波
形が歪みが大きいということは，正弦波出力を高分解化
する上で，大きな妨げとなるものである。本発明は従来
のものの上記課題（問題点）を解決し，歪みの少ない正
弦波出力を得るようにした磁気式位置検出装置を提供す
ることを目的とする。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明は繰り返し磁気信
号のピッチλに対して１組の３端子を構成する２個のＭ
Ｒ素子を
号のピッチλに対して１組の３端子を構成する２個のＭ
Ｒ素子を
【数３】 のピッチで配設することにより高調波成分のうち第３高
調波成分を除去し，且つ，第１及び第２組の３端子間を
調波成分を除去し，且つ，第１及び第２組の３端子間を
【数４】 のピッチで配設するように構成することで，上記課題を
達成するようにしている。
達成するようにしている。
【０００５】
【作用】本発明は繰り返し磁気信号のピッチに対して，
ある特定のピッチで２個のＭＲ素子を３端子結合するこ
とによって，まず，奇数高調波の内で一番大きな割合を
有する第３高調波を除去し，次いで，第１組及び第２組
の３端子間で偶数高調波を除去し，歪みの少ない正弦波
出力電圧を得るようにしている。
ある特定のピッチで２個のＭＲ素子を３端子結合するこ
とによって，まず，奇数高調波の内で一番大きな割合を
有する第３高調波を除去し，次いで，第１組及び第２組
の３端子間で偶数高調波を除去し，歪みの少ない正弦波
出力電圧を得るようにしている。
【０００６】
【実施例】以下図１〜図５に示す各実施例により本発明
を具体的に説明する。先ず，本発明の第１の実施例を図
１〜図４により説明する。本発明の全体構成は図６と同
等であるのでその図示は省略し，その同図の符号を用い
て以下の説明を行うことにする。図１は回転ドラム１と
磁気センサ２の関係をＭＲ素子の配設ピッチも分かるよ
うに示した展開接続図である。即ち，磁気センサ２は４
個のＭＲ素子Ｒ11，Ｒ12，Ｒ21，Ｒ22によって構成さ
れ，図示のように，ＭＲ素子Ｒ11とＲ12，Ｒ21とＲ22は
(２λ)／３の間隔（配設ピッチ）で，ＭＲ素子Ｒ11とＲ
21はλ／２の間隔を隔てて配置されている。なお，ｅ1
及びｅ2は出力端子の出力である。図２ではＭＲ素子Ｒ
11〜Ｒ22をブリッジ接続し，電源５より電圧を供給する
ように構成した磁気ドラムのように回転を検出する電気
回路である。この場合，３端子出力ｅ1，ｅ2は差動増幅
器４に入力され，最終出力ｅ0を出すようになってい
る。図３はまだ第３高調波を含んでいる状態の波形図
で，同図中（イ）はＭＲ素子Ｒ11の出力波形，（ロ）は
ＭＲ素子Ｒ12の出力波形，（ハ）は出力電圧ｅ1即ちｅa
とｅbの和の波形である。同図に示すように，磁界の小
さな部分では磁界に比例して抵抗が変化するが，大きな
磁界が加わると，抵抗変化が飽和して歪みの大きい波形
となっている。即ち，図３に示すように基本波Ｖａ1，
Ｖｂ1とこれらの基本波の３倍の周波数，換言すれば第
３高調波Ｖａ3，Ｖｂ3に分けられる。ここで，図１に示
すように基本波Ｖａ1，Ｖｂ1の位相差が(２λ)／３（こ
れは４π／３に等しい値である）になるように配設され
ているので第３高調波Ｖａ3とＶｂ3の位相差は４πとな
る。したがって，ＭＲ素子Ｒ11，Ｒ12を３端子結合する
ことにより，両波を差動的に加えるのと等価のため第３
高調波Ｖａ3，Ｖｂ3成分は互いに相殺されて”０”にな
り，基本波成分Ｖａ1，Ｖｂ1のみが加え合わされる。図
４は３端子接続により第３高調波が除去された後，まだ
第２高調波が残っている出力波形ｅ1，ｅ2を示す。この
波形は同図に示すように，第３高調波は除去できたが，
基本波Ｖｃ1，Ｖｄ1と基本波の２倍の周波数つまり第２
高調波Ｖｃ2，Ｖｄ2に分けられる。ここで，図１に示し
たように基本波Ｖｃ1，Ｖｄ1の位相差がλ／２（これは
πに等しい値である）となるように配設されているので
第２高調波Ｖｃ2，Ｖｄ2の位相差は２πとなる。したが
って，センサ出力ｅ1，ｅ2を図２に示すように差動増幅
器４に抵抗Ｒiを介して入力することにより第２高調波
Ｖｃ2，Ｖｄ2は相殺されて”０”となり基本波Ｖｃ1，
Ｖｄ1のみが加え合わされる。その結果，得られた最終
出力ｅ0は図４の（ハ）に示すように偶数調波及び第３
高調波が除去された歪みの少ない正弦波出力となる。
を具体的に説明する。先ず，本発明の第１の実施例を図
１〜図４により説明する。本発明の全体構成は図６と同
等であるのでその図示は省略し，その同図の符号を用い
て以下の説明を行うことにする。図１は回転ドラム１と
磁気センサ２の関係をＭＲ素子の配設ピッチも分かるよ
うに示した展開接続図である。即ち，磁気センサ２は４
個のＭＲ素子Ｒ11，Ｒ12，Ｒ21，Ｒ22によって構成さ
れ，図示のように，ＭＲ素子Ｒ11とＲ12，Ｒ21とＲ22は
(２λ)／３の間隔（配設ピッチ）で，ＭＲ素子Ｒ11とＲ
21はλ／２の間隔を隔てて配置されている。なお，ｅ1
及びｅ2は出力端子の出力である。図２ではＭＲ素子Ｒ
11〜Ｒ22をブリッジ接続し，電源５より電圧を供給する
ように構成した磁気ドラムのように回転を検出する電気
回路である。この場合，３端子出力ｅ1，ｅ2は差動増幅
器４に入力され，最終出力ｅ0を出すようになってい
る。図３はまだ第３高調波を含んでいる状態の波形図
で，同図中（イ）はＭＲ素子Ｒ11の出力波形，（ロ）は
ＭＲ素子Ｒ12の出力波形，（ハ）は出力電圧ｅ1即ちｅa
とｅbの和の波形である。同図に示すように，磁界の小
さな部分では磁界に比例して抵抗が変化するが，大きな
磁界が加わると，抵抗変化が飽和して歪みの大きい波形
となっている。即ち，図３に示すように基本波Ｖａ1，
Ｖｂ1とこれらの基本波の３倍の周波数，換言すれば第
３高調波Ｖａ3，Ｖｂ3に分けられる。ここで，図１に示
すように基本波Ｖａ1，Ｖｂ1の位相差が(２λ)／３（こ
れは４π／３に等しい値である）になるように配設され
ているので第３高調波Ｖａ3とＶｂ3の位相差は４πとな
る。したがって，ＭＲ素子Ｒ11，Ｒ12を３端子結合する
ことにより，両波を差動的に加えるのと等価のため第３
高調波Ｖａ3，Ｖｂ3成分は互いに相殺されて”０”にな
り，基本波成分Ｖａ1，Ｖｂ1のみが加え合わされる。図
４は３端子接続により第３高調波が除去された後，まだ
第２高調波が残っている出力波形ｅ1，ｅ2を示す。この
波形は同図に示すように，第３高調波は除去できたが，
基本波Ｖｃ1，Ｖｄ1と基本波の２倍の周波数つまり第２
高調波Ｖｃ2，Ｖｄ2に分けられる。ここで，図１に示し
たように基本波Ｖｃ1，Ｖｄ1の位相差がλ／２（これは
πに等しい値である）となるように配設されているので
第２高調波Ｖｃ2，Ｖｄ2の位相差は２πとなる。したが
って，センサ出力ｅ1，ｅ2を図２に示すように差動増幅
器４に抵抗Ｒiを介して入力することにより第２高調波
Ｖｃ2，Ｖｄ2は相殺されて”０”となり基本波Ｖｃ1，
Ｖｄ1のみが加え合わされる。その結果，得られた最終
出力ｅ0は図４の（ハ）に示すように偶数調波及び第３
高調波が除去された歪みの少ない正弦波出力となる。
【０００７】図５は本発明の第２の実施例を示す。ＭＲ
素子Ｒ11，Ｒ12及びＲ21，Ｒ22の各ピッチはλ／３，Ｍ
Ｒ素子Ｒ11とＲ21のピッチは（１＋１／２）λの間隔を
離して配置してある。このようにすると第３高調波はλ
／３（これは２π／３に等しい値である）の位相差とな
り上述したように相殺され”０”となる。又ｅ1，ｅ2の
位相差は（３λ／２）＝３πなので，第２高調波成分は
３λ＝６πとなり，同様に相殺されて”０”となる。上
記各実施例では回転体について述べたが，直線運動を行
なうものの位置検出に使用しても同様の作用効果が得ら
れることは勿論である。
素子Ｒ11，Ｒ12及びＲ21，Ｒ22の各ピッチはλ／３，Ｍ
Ｒ素子Ｒ11とＲ21のピッチは（１＋１／２）λの間隔を
離して配置してある。このようにすると第３高調波はλ
／３（これは２π／３に等しい値である）の位相差とな
り上述したように相殺され”０”となる。又ｅ1，ｅ2の
位相差は（３λ／２）＝３πなので，第２高調波成分は
３λ＝６πとなり，同様に相殺されて”０”となる。上
記各実施例では回転体について述べたが，直線運動を行
なうものの位置検出に使用しても同様の作用効果が得ら
れることは勿論である。
【０００８】
【発明の効果】本発明によれば，磁気抵抗素子の飽和に
よる出力波形の歪みを除去でき，歪みの少ない正弦波出
力を得ることができるので，高精度の位置検出又は高分
解能化が可能となるという優れた効果を有する。
よる出力波形の歪みを除去でき，歪みの少ない正弦波出
力を得ることができるので，高精度の位置検出又は高分
解能化が可能となるという優れた効果を有する。
【図１】本発明の第１の実施例を示す展開接続図であ
る。
る。
【図２】本発明の磁気ドラムの回転検出を行う電気回路
を示す接続図である。
を示す接続図である。
【図３】本発明における第３高調波が含まれている状態
の出力電圧の波形図である。
の出力電圧の波形図である。
【図４】本発明により第３高調波が除かれた後，まだ第
２高調波が残っている状態の出力電圧の波形図である。
２高調波が残っている状態の出力電圧の波形図である。
【図５】本発明の第２の実施例を示す展開接続図であ
る。
る。
【図６】従来例の全体構成を示す斜視図である。
【図７】従来例のＭＲ素子の配設ピッチを示す展開接続
図である。
図である。
【図８】従来例の磁気ドラムの回転検出を行う電気回路
を示す接続図である。
を示す接続図である。
【図９】従来例の動作特性図である。
【図１０】従来例の磁界の強さが第３高調波を含んだ場
合の波形図である。
合の波形図である。
【図１１】従来例の磁界が非対称となった場合の出力電
圧の波形図である。
圧の波形図である。
１：回転ドラム ２：磁気センサ Ｒ11〜Ｒ22：磁気抵抗効果素子（ＭＲ素子）λ：ピッチ
【手続補正書】
【提出日】平成３年４月２６日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の詳細な説明
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところで，従来技術の
ものでは，磁気エンコ−ダの出力電圧は基本的にはＭＲ
素子に作用する磁界の強さに比例して変化するものであ
るが，磁界の強さに対し抵抗変化が飽和特性をもってい
ること，磁界の極性に対し対称でないこと，外部から移
動磁性体の磁気記録とは別の一定方向の磁界により磁界
の強さが非対称形となること，また，ＭＲ素子に作用す
る磁気記録の磁界の強さがｓｉｎθとならない等の原因
によって出力電圧は多くの高調波を含んだ歪み波形とな
っており，これが誤差の原因となるという問題点があっ
た。図１０は磁気記録の磁界が第３高調波を含んだ波形
である場合を示すもので，基本波Ｖ1 に対し第３高調波
Ｖ3 を重畳させるとＶ0 で示すような歪み波形となって
しまう。また，図１１は外部磁界の影響で磁気センサに
作用する磁界の強さが非対称となった場合の出力電圧の
波形を示すもので，磁気記録の２倍の周期の出力電圧の
振幅が１サイクルおきに大，小となるなるように変化
し，この振幅の変化は１サイクルの基本波に対し１／２
周期となることを示している。このように出力電圧の波
形が歪みが大きいということは，正弦波出力を高分解化
する上で，大きな妨げとなるものである。本発明は従来
のものの上記課題（問題点）を解決し，歪みの少ない正
弦波出力を得るようにした磁気式位置検出装置を提供す
ることを目的とする。
ものでは，磁気エンコ−ダの出力電圧は基本的にはＭＲ
素子に作用する磁界の強さに比例して変化するものであ
るが，磁界の強さに対し抵抗変化が飽和特性をもってい
ること，磁界の極性に対し対称でないこと，外部から移
動磁性体の磁気記録とは別の一定方向の磁界により磁界
の強さが非対称形となること，また，ＭＲ素子に作用す
る磁気記録の磁界の強さがｓｉｎθとならない等の原因
によって出力電圧は多くの高調波を含んだ歪み波形とな
っており，これが誤差の原因となるという問題点があっ
た。図１０は磁気記録の磁界が第３高調波を含んだ波形
である場合を示すもので，基本波Ｖ1 に対し第３高調波
Ｖ3 を重畳させるとＶ0 で示すような歪み波形となって
しまう。また，図１１は外部磁界の影響で磁気センサに
作用する磁界の強さが非対称となった場合の出力電圧の
波形を示すもので，磁気記録の２倍の周期の出力電圧の
振幅が１サイクルおきに大，小となるなるように変化
し，この振幅の変化は１サイクルの基本波に対し１／２
周期となることを示している。このように出力電圧の波
形が歪みが大きいということは，正弦波出力を高分解化
する上で，大きな妨げとなるものである。本発明は従来
のものの上記課題（問題点）を解決し，歪みの少ない正
弦波出力を得るようにした磁気式位置検出装置を提供す
ることを目的とする。
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２
【補正方法】変更
【補正内容】
【図２】 ─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成５年１０月８日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところで，従来技術の
ものでは，磁気エンコーダの出力電圧は基本的にはＭＲ
素子に作用する磁界の強さに比例して変化するものであ
るが，磁界の強さに対し抵抗変化が飽和特性をもってい
ること，磁界の極性に対し対称でないこと，外部から移
動磁性体の磁気記録とは別の一定方向の磁界により磁界
の強さが非対称形となること，また，ＭＲ素子に作用す
る磁気記録の磁界の強さがｓｉｎθとならない等の原因
によって出力電圧は多くの高調波を含んだ歪み波形とな
っており，これが誤差の原因となるという問題点があっ
た。図１０は磁気記録の磁界が第３高調波を含んだ波形
である場合を示すもので，基本波Ｖ１に対し第３高調波
Ｖ３を重畳させるとＶ０で示すような歪み波形となって
しまう。また，図１１は外部磁界の影響で磁気センサに
作用する磁界の強さが非対称となった場合の出力電圧の
波形を示すもので，磁気記録の２倍の周期の出力電圧の
振幅が１サイクルおきに大，小となるように変化し，こ
の振幅の変化は１サイクルの基本波に対し１／２周期と
なることを示している。このように出力電圧の波形が歪
みが大きいということは，正弦波出力を高分解化する上
で，大きな妨げとなるものである。本発明は従来のもの
の上記課題（問題点）を解決し，歪みの少ない正弦波出
力を得るようにした磁気式位置検出装置を提供すること
を目的とする。
ものでは，磁気エンコーダの出力電圧は基本的にはＭＲ
素子に作用する磁界の強さに比例して変化するものであ
るが，磁界の強さに対し抵抗変化が飽和特性をもってい
ること，磁界の極性に対し対称でないこと，外部から移
動磁性体の磁気記録とは別の一定方向の磁界により磁界
の強さが非対称形となること，また，ＭＲ素子に作用す
る磁気記録の磁界の強さがｓｉｎθとならない等の原因
によって出力電圧は多くの高調波を含んだ歪み波形とな
っており，これが誤差の原因となるという問題点があっ
た。図１０は磁気記録の磁界が第３高調波を含んだ波形
である場合を示すもので，基本波Ｖ１に対し第３高調波
Ｖ３を重畳させるとＶ０で示すような歪み波形となって
しまう。また，図１１は外部磁界の影響で磁気センサに
作用する磁界の強さが非対称となった場合の出力電圧の
波形を示すもので，磁気記録の２倍の周期の出力電圧の
振幅が１サイクルおきに大，小となるように変化し，こ
の振幅の変化は１サイクルの基本波に対し１／２周期と
なることを示している。このように出力電圧の波形が歪
みが大きいということは，正弦波出力を高分解化する上
で，大きな妨げとなるものである。本発明は従来のもの
の上記課題（問題点）を解決し，歪みの少ない正弦波出
力を得るようにした磁気式位置検出装置を提供すること
を目的とする。
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２
【補正方法】変更
【補正内容】
【図２】
Claims (1)
- 【請求項１】 所定のピッチで複数の磁極が着磁された
磁気媒体と，この磁気媒体と対向する表面に設けられた
磁気抵抗効果素子（以下ＭＲ素子という）からなる磁気
センサを備えた磁気式位置検出装置において，１組の３
端子を構成する２個のＭＲ素子の配設ピッチが，繰り返
し磁気信号のピッチをλとしたとき， 【数１】 の間隔とし，且つ第１及び第２組の３端子間のピッチが 【数２】 の間隔となるようにしたことを特徴とする磁気式位置検
出装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5571491A JPH0682268A (ja) | 1991-02-28 | 1991-02-28 | 磁気式位置検出装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5571491A JPH0682268A (ja) | 1991-02-28 | 1991-02-28 | 磁気式位置検出装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0682268A true JPH0682268A (ja) | 1994-03-22 |
Family
ID=13006549
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5571491A Pending JPH0682268A (ja) | 1991-02-28 | 1991-02-28 | 磁気式位置検出装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0682268A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10122808A (ja) * | 1996-10-22 | 1998-05-15 | Hitachi Metals Ltd | 磁気センサ |
| JP2005214920A (ja) * | 2004-02-02 | 2005-08-11 | Sankyo Seiki Mfg Co Ltd | 磁気センサ |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61173113A (ja) * | 1985-01-28 | 1986-08-04 | Akai Electric Co Ltd | 磁気回転センサ |
| JPS63225124A (ja) * | 1987-03-14 | 1988-09-20 | Hitachi Ltd | 磁気的位置検出装置 |
| JPS63311117A (ja) * | 1987-06-15 | 1988-12-19 | Hitachi Ltd | 位置検出用磁気センサ |
| JPH02304988A (ja) * | 1989-05-19 | 1990-12-18 | Japan Servo Co Ltd | 磁気センサ |
-
1991
- 1991-02-28 JP JP5571491A patent/JPH0682268A/ja active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61173113A (ja) * | 1985-01-28 | 1986-08-04 | Akai Electric Co Ltd | 磁気回転センサ |
| JPS63225124A (ja) * | 1987-03-14 | 1988-09-20 | Hitachi Ltd | 磁気的位置検出装置 |
| JPS63311117A (ja) * | 1987-06-15 | 1988-12-19 | Hitachi Ltd | 位置検出用磁気センサ |
| JPH02304988A (ja) * | 1989-05-19 | 1990-12-18 | Japan Servo Co Ltd | 磁気センサ |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10122808A (ja) * | 1996-10-22 | 1998-05-15 | Hitachi Metals Ltd | 磁気センサ |
| JP2005214920A (ja) * | 2004-02-02 | 2005-08-11 | Sankyo Seiki Mfg Co Ltd | 磁気センサ |
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