JPH0686562A - 半導体電力変換装置におけるスナバ回路 - Google Patents
半導体電力変換装置におけるスナバ回路Info
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- JPH0686562A JPH0686562A JP4233189A JP23318992A JPH0686562A JP H0686562 A JPH0686562 A JP H0686562A JP 4233189 A JP4233189 A JP 4233189A JP 23318992 A JP23318992 A JP 23318992A JP H0686562 A JPH0686562 A JP H0686562A
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- Japan
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- snubber
- switching element
- semiconductor
- circuit
- capacitor
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体スイッチング素子からなる半導体電力
変換器におけるスナバ回路の電力損失を低減し、半導体
電力変換装置全体の効率の改善を図る。 【構成】 半導体電力変換装置におけるスナバ回路のコ
ンデンサに蓄積された電荷を電源側に回生させるための
スイッチを前記スナバ回路の放電路内に設ける。
変換器におけるスナバ回路の電力損失を低減し、半導体
電力変換装置全体の効率の改善を図る。 【構成】 半導体電力変換装置におけるスナバ回路のコ
ンデンサに蓄積された電荷を電源側に回生させるための
スイッチを前記スナバ回路の放電路内に設ける。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、絶縁ゲート型バイポー
ラトランジスタ(IGBT)など半導体スイッング素子
を用いた半導体電力変換装置におけるスナバ回路に関す
る。
ラトランジスタ(IGBT)など半導体スイッング素子
を用いた半導体電力変換装置におけるスナバ回路に関す
る。
【0002】
【従来の技術】半導体電力変換装置に用いられているI
GBTなど半導体スイッチング素子(以下、単に「スッ
チング素子」という)には、そのターンオフ動作時にお
いて、短時間で主電流を遮断し、かつ該スイッチング素
子に加わるサージ電圧(過電圧)とスイッチング損失の
低減を図るために、図1に示すように、スナバダイオー
ドDとスナバコンデンサCの直列回路と放電抵抗Rとか
らなるスナバ回路が使用されている。
GBTなど半導体スイッチング素子(以下、単に「スッ
チング素子」という)には、そのターンオフ動作時にお
いて、短時間で主電流を遮断し、かつ該スイッチング素
子に加わるサージ電圧(過電圧)とスイッチング損失の
低減を図るために、図1に示すように、スナバダイオー
ドDとスナバコンデンサCの直列回路と放電抵抗Rとか
らなるスナバ回路が使用されている。
【0003】図1は、電解コンデンサC0を接続した直
流電源端子(P−N)間にスイッチ素子Tr1,Tr2
からなる正,負アームを接続し、その接続中点を交流出
力端子ACとした半導体電力変換装置におけるスナバ回
路を示すものである。
流電源端子(P−N)間にスイッチ素子Tr1,Tr2
からなる正,負アームを接続し、その接続中点を交流出
力端子ACとした半導体電力変換装置におけるスナバ回
路を示すものである。
【0004】スナバコンデンサC1,C2は、スイッチ
ング素子Tr1,Tr2のターンオフ動作時に該素子に
加わるサージ電圧(過電圧)を、スナバダイオードD
1,D2を介して吸収し図示極性で直流電源電圧Edよ
り高い電圧に充電される。この充電々圧をこのままにし
ておくと、スイッチング素子Tr1,Tr2のターンオ
ン動作時に高電圧からのオン動作となりスイッチング損
失などが増大するので、毎サイクル放電させる必要があ
る。
ング素子Tr1,Tr2のターンオフ動作時に該素子に
加わるサージ電圧(過電圧)を、スナバダイオードD
1,D2を介して吸収し図示極性で直流電源電圧Edよ
り高い電圧に充電される。この充電々圧をこのままにし
ておくと、スイッチング素子Tr1,Tr2のターンオ
ン動作時に高電圧からのオン動作となりスイッチング損
失などが増大するので、毎サイクル放電させる必要があ
る。
【0005】そこで、放電抵抗R1,R2を設置して、
スイッチング素子Tr1,Tr2のターンオフ動作後に
スナバコンデンサC1,C2に充電された電荷を抵抗R
1,R2及び電解コンデンサC0を介して放電させてい
る。
スイッチング素子Tr1,Tr2のターンオフ動作後に
スナバコンデンサC1,C2に充電された電荷を抵抗R
1,R2及び電解コンデンサC0を介して放電させてい
る。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】従来のスナバ回路は、
スナバコンデンサC1,C2に蓄積された電荷(エネル
ギー)は、それぞれ毎サイクル放電抵抗R1,R2を介
して放電されるので、該放電抵抗R1,R2によってエ
ネルギーが消費されてしまい、半導体電力変換装置の効
率の低下を招いていた。
スナバコンデンサC1,C2に蓄積された電荷(エネル
ギー)は、それぞれ毎サイクル放電抵抗R1,R2を介
して放電されるので、該放電抵抗R1,R2によってエ
ネルギーが消費されてしまい、半導体電力変換装置の効
率の低下を招いていた。
【0007】本発明は、スナバ回路におけるエネルギー
損失を低減することにより半導体電力変換装置の効率の
向上を図るためになされたものである。
損失を低減することにより半導体電力変換装置の効率の
向上を図るためになされたものである。
【0008】
【課題を解決するための手段・作用】図1に示す従来の
スナバ回路における放電抵抗R1,R2の代わりに自己
消弧形のスイッチング素子からなるスイッチSW1,S
W2を接続して、半導体電力変換装置のスイッチング素
子Tr1,Tr2のベース信号で相補的に該スイッチS
W1,SW2を動作させることにより、スナバコンデン
サC1,C2に蓄積された電荷(エネルギー)を電源側
の電荷コンデンサC0に回生させ、エネルギ−損失を低
減する。
スナバ回路における放電抵抗R1,R2の代わりに自己
消弧形のスイッチング素子からなるスイッチSW1,S
W2を接続して、半導体電力変換装置のスイッチング素
子Tr1,Tr2のベース信号で相補的に該スイッチS
W1,SW2を動作させることにより、スナバコンデン
サC1,C2に蓄積された電荷(エネルギー)を電源側
の電荷コンデンサC0に回生させ、エネルギ−損失を低
減する。
【0009】
【実施例】以下、図2及び図3によって本発明の実施例
を説明する。
を説明する。
【0010】図2に示すように、半導体電力変換装置の
主回路は、直流電源側の電解コンデンサC0の両端の直
流電源端子P−N間に、正アームにスイッチング素子T
r1を、負アームにスイッチング素子Tr2を直列接続
し、その接続中点を交流出力端子ACとして構成する。
主回路は、直流電源側の電解コンデンサC0の両端の直
流電源端子P−N間に、正アームにスイッチング素子T
r1を、負アームにスイッチング素子Tr2を直列接続
し、その接続中点を交流出力端子ACとして構成する。
【0011】スナバ回路は、スナバコンデンサC1,C
2の電荷(エネルギー)が放電される放電路に自己消弧
形の半導体スイッチング素子からなるスイッチSW1,
SW2を接続して構成する。
2の電荷(エネルギー)が放電される放電路に自己消弧
形の半導体スイッチング素子からなるスイッチSW1,
SW2を接続して構成する。
【0012】図2におけるスナバ回路の動作をに説明す
る。図3において、(a)はスイッチング素子Tr1及び
スナバ回路のスイッチSW2をオンオフ制御するベース
信号を示すものであり、(b)はスイッチンググ素子Tr
2及びスナバ回路のスイッチSW1をオンオフ制御する
ベース信号を示すものである。いま、図3(a)で示すベ
ース信号でオンオフ制御されるスイッチング素子Tr1
がt1時点においてターンオフ動作をすると、該スイッ
チング素子Tr1には図示極性のサージ電圧が印加する
が、ダイオードD1を介してスナバコンデンサC1によ
り吸収され、サージ電圧から該スイッチング素子Tr1
は保護される。
る。図3において、(a)はスイッチング素子Tr1及び
スナバ回路のスイッチSW2をオンオフ制御するベース
信号を示すものであり、(b)はスイッチンググ素子Tr
2及びスナバ回路のスイッチSW1をオンオフ制御する
ベース信号を示すものである。いま、図3(a)で示すベ
ース信号でオンオフ制御されるスイッチング素子Tr1
がt1時点においてターンオフ動作をすると、該スイッ
チング素子Tr1には図示極性のサージ電圧が印加する
が、ダイオードD1を介してスナバコンデンサC1によ
り吸収され、サージ電圧から該スイッチング素子Tr1
は保護される。
【0013】このとき、サージ電圧によりスナバコンデ
ンサC1に蓄積された図示極性の電荷(エネルギー)
は、未だ直流電源電圧Edより高い電圧に充電されてお
り、スイッチング素子Tr1に過電圧が印加されている
ので、速やかに放電させる必要があるから、ターンオフ
時点t1からデットタイムΔt分だけ遅れた時点t2に
てターンオン動作をするスイッチング素子Tr2のベー
ス信号(図3(b))によってスイッチSW1をオンさせ
ることにより、スナバコンデンサC1に蓄積された電荷
はスイッチSW1を介して直流電源側の電解コンデンサ
C0に回生される。同様に時点t3にてターンオフ動作
をするスイッチング素子Tr2によって充電されるスナ
バコンデンサC2に蓄積された電荷(エネルギー)は半
導体スイッチング素子Tr1のベース信号(図3(a))
によってスイッチSW2をオンさせることにより該スイ
ッチSW2を介して直流電源側の電解コンデンサC0に
回生される。
ンサC1に蓄積された図示極性の電荷(エネルギー)
は、未だ直流電源電圧Edより高い電圧に充電されてお
り、スイッチング素子Tr1に過電圧が印加されている
ので、速やかに放電させる必要があるから、ターンオフ
時点t1からデットタイムΔt分だけ遅れた時点t2に
てターンオン動作をするスイッチング素子Tr2のベー
ス信号(図3(b))によってスイッチSW1をオンさせ
ることにより、スナバコンデンサC1に蓄積された電荷
はスイッチSW1を介して直流電源側の電解コンデンサ
C0に回生される。同様に時点t3にてターンオフ動作
をするスイッチング素子Tr2によって充電されるスナ
バコンデンサC2に蓄積された電荷(エネルギー)は半
導体スイッチング素子Tr1のベース信号(図3(a))
によってスイッチSW2をオンさせることにより該スイ
ッチSW2を介して直流電源側の電解コンデンサC0に
回生される。
【0014】以上の動作で重要なことは、スイッチSW
1,SW2のベース信号と主回路のスイッチング素子の
ベース信号とを相補的にスイッチング(スイッチSW1
とスイッチング素子Tr2,スイッチSw2とスイッチ
ング素子Tr1を同時にオンオフさせる)させるように
しなければ、スイッチング素子Tr1,Tr2のターン
オン動作時にスナバコンデンサC1,C2の蓄積電荷が
放電されずオフ動作状態にあるスイッチング素子Tr
2,Tr1に過電圧が印加されたままになってしまうこ
とである。
1,SW2のベース信号と主回路のスイッチング素子の
ベース信号とを相補的にスイッチング(スイッチSW1
とスイッチング素子Tr2,スイッチSw2とスイッチ
ング素子Tr1を同時にオンオフさせる)させるように
しなければ、スイッチング素子Tr1,Tr2のターン
オン動作時にスナバコンデンサC1,C2の蓄積電荷が
放電されずオフ動作状態にあるスイッチング素子Tr
2,Tr1に過電圧が印加されたままになってしまうこ
とである。
【0015】すなわち、スイッチSW1,SW2のベー
ス信号とスイッチング素子Tr1,Tr2のベース信号
を相補的にすれば、いまスイッチング素子Tr1が時点
t1でターンオフ動作し、スナバコンデンサC1がサー
ジ電圧を吸収して図2の図示極性に充電されたとき、次
のデットタイムΔt時間後の時点t2でスイッチング素
子Tr2のターンオン動作と同時にスイッチSW1もオ
ン動作させ、スナバコンデンサC1の電荷を直流電源電
圧Edに低下するまで電源側の電解コンデンサC0を介
して回生し、その後スナバコンデンサC1の電圧は直流
電源電圧Edの状態で次の時点t4でのスイッチング素
子Tr1のターンオン動作に備えることができる。半導
体スイッチング素子Tr2とスイッチSw2の動作も同
様に行なわれる。
ス信号とスイッチング素子Tr1,Tr2のベース信号
を相補的にすれば、いまスイッチング素子Tr1が時点
t1でターンオフ動作し、スナバコンデンサC1がサー
ジ電圧を吸収して図2の図示極性に充電されたとき、次
のデットタイムΔt時間後の時点t2でスイッチング素
子Tr2のターンオン動作と同時にスイッチSW1もオ
ン動作させ、スナバコンデンサC1の電荷を直流電源電
圧Edに低下するまで電源側の電解コンデンサC0を介
して回生し、その後スナバコンデンサC1の電圧は直流
電源電圧Edの状態で次の時点t4でのスイッチング素
子Tr1のターンオン動作に備えることができる。半導
体スイッチング素子Tr2とスイッチSw2の動作も同
様に行なわれる。
【0016】以上の動作は、スイッチング素子Tr1,
Tr2のベース信号とスイッチSW1,SW2のベース
信号とを併用し、両スイッチを同期的かつ相補的にスイ
ッチングさせるように制御するものであるが、スイッチ
SW1,SW2のベース信号をスイッチング素子Tr
1,Tr2のベース信号と併用することなく別個のベー
ス信号を用いても、また必ずしも同期的にスイッチング
させなくても、スナバコンデンサC1,C2の蓄積電荷
が直流電源側の電解コンデンサC0に回生される。
Tr2のベース信号とスイッチSW1,SW2のベース
信号とを併用し、両スイッチを同期的かつ相補的にスイ
ッチングさせるように制御するものであるが、スイッチ
SW1,SW2のベース信号をスイッチング素子Tr
1,Tr2のベース信号と併用することなく別個のベー
ス信号を用いても、また必ずしも同期的にスイッチング
させなくても、スナバコンデンサC1,C2の蓄積電荷
が直流電源側の電解コンデンサC0に回生される。
【0017】
【発明の効果】以上のごとく、本発明によれば、スナバ
コンデンサに蓄積されるエネルギーを電源側に回生する
ことができるので、電力変換装置の損失が低減し、効率
の向上が図れる。
コンデンサに蓄積されるエネルギーを電源側に回生する
ことができるので、電力変換装置の損失が低減し、効率
の向上が図れる。
【0018】また、回生用のスイッチの信号は電力変換
装置の主回路を構成するスイッチング素子のベース信号
が併用できるのでスイッチの駆動回路が簡単となる。
装置の主回路を構成するスイッチング素子のベース信号
が併用できるのでスイッチの駆動回路が簡単となる。
【0019】更に、電力変換装置の主回路を構成するス
イッチング素子は、スナバコンデンサにより電源電圧に
保護され過電圧にならないので、ターンオン動作時のス
イッチング損失も増大することがない。
イッチング素子は、スナバコンデンサにより電源電圧に
保護され過電圧にならないので、ターンオン動作時のス
イッチング損失も増大することがない。
【図1】 従来のスナバ回路を有する半導体電力変換装
置
置
【図2】 本発明のスナバ回路を有する半導体電力変換
装置
装置
【図3】 本発明のスナバ回路のスイッチのベース信号
波形図
波形図
Tr1,Tr2‥半導体電力変換器のスイッチング素子 C1,C2‥スナバコンデンサ D1,D2‥スナバダイオード SW1,SW2‥回生用スイッチ Ed‥直流電源電圧
Claims (2)
- 【請求項1】コンデンサを接続した直流電源端子間に、
それぞれ半導体スイッチング素子からなる正,負ア−ム
を接続し、該正,負アームの接続中点を交流出力端子と
した半導体電力変換装置におけるスナバ回路であって、 前記半導体スイチイング素子の両端に並列接続されたス
ナバコンデンサとスナバダイオードとの直列回路と、前
記半導体スイッチング素子のターンオフ動作時に前記ス
ナバコンデンサに充電された電荷が前記直流電源側コン
デンサを介して放電する放電路を形成するスイッチとか
ら構成されていることを特徴とする半導体電力変換装置
におけるスナバ回路。 - 【請求項2】前記正,負アームの半導体スイッチング素
子と、それら半導体スイッチング素子用のスナバ回路の
スイッチとは相補的かつ同期したベース信号により交互
にオンーオフ動作することを特徴とする請求項1記載の
半導体電力変換装置におけるスナバ回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23318992A JP3259345B2 (ja) | 1992-09-01 | 1992-09-01 | 半導体電力変換装置におけるスナバ回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23318992A JP3259345B2 (ja) | 1992-09-01 | 1992-09-01 | 半導体電力変換装置におけるスナバ回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0686562A true JPH0686562A (ja) | 1994-03-25 |
| JP3259345B2 JP3259345B2 (ja) | 2002-02-25 |
Family
ID=16951141
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23318992A Expired - Fee Related JP3259345B2 (ja) | 1992-09-01 | 1992-09-01 | 半導体電力変換装置におけるスナバ回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3259345B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1997001214A1 (en) * | 1995-06-23 | 1997-01-09 | Kabushiki Kaisha Yaskawa Denki | Bridge power converter |
| CN115420108A (zh) * | 2022-07-22 | 2022-12-02 | 江苏天楹环保能源成套设备有限公司 | 一种新型等离子体熔炉排渣加热系统 |
-
1992
- 1992-09-01 JP JP23318992A patent/JP3259345B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1997001214A1 (en) * | 1995-06-23 | 1997-01-09 | Kabushiki Kaisha Yaskawa Denki | Bridge power converter |
| CN1076902C (zh) * | 1995-06-23 | 2001-12-26 | 株式会社安川电机 | 桥式电源变流器 |
| CN115420108A (zh) * | 2022-07-22 | 2022-12-02 | 江苏天楹环保能源成套设备有限公司 | 一种新型等离子体熔炉排渣加热系统 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3259345B2 (ja) | 2002-02-25 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |