JPH0691050B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPH0691050B2 JPH0691050B2 JP61082702A JP8270286A JPH0691050B2 JP H0691050 B2 JPH0691050 B2 JP H0691050B2 JP 61082702 A JP61082702 A JP 61082702A JP 8270286 A JP8270286 A JP 8270286A JP H0691050 B2 JPH0691050 B2 JP H0691050B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor device
- ion milling
- semiconductor substrate
- manufacturing semiconductor
- main surface
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、半導体装置の製造方法に関し、特に加速され
たイオンにより半導体基板に電極を形成するイオンミリ
ング法に関するものである。
たイオンにより半導体基板に電極を形成するイオンミリ
ング法に関するものである。
〔従来の技術〕 半導体装置の製造工程はウェットプロセスからドライプ
ロセスへと移ってきているが、その中の電極形成工程も
イオンミリング法が主流になってきた。特に超高周波ト
ランジスタの様にエミッタ・ベース間距離が数μｍ程度
という構造に対しては、ウェットプロセスはサイドエッ
チ量のコントロールが非常に難しく不安定であった。一
方、イオンミリング法はサイドエッチ量の全んど無い条
件が得られるのでマスクパターン通りの寸法仕上りを得
ることが出来る様になった。
ロセスへと移ってきているが、その中の電極形成工程も
イオンミリング法が主流になってきた。特に超高周波ト
ランジスタの様にエミッタ・ベース間距離が数μｍ程度
という構造に対しては、ウェットプロセスはサイドエッ
チ量のコントロールが非常に難しく不安定であった。一
方、イオンミリング法はサイドエッチ量の全んど無い条
件が得られるのでマスクパターン通りの寸法仕上りを得
ることが出来る様になった。
上述した従来のイオンミリング法は、数KVの高電圧で加
速されたイオンが半導体主面に垂直に当るためエッチン
ギされた金属屑が約45゜方向に飛散し段差部側壁に再付
着してＥ・Ｂ間が電気的にショートされるという欠点が
ある。
速されたイオンが半導体主面に垂直に当るためエッチン
ギされた金属屑が約45゜方向に飛散し段差部側壁に再付
着してＥ・Ｂ間が電気的にショートされるという欠点が
ある。
本発明のイオンミリング法は、垂直方向にエッチングし
た後、45゜方向から再エッチングすることにより再付着
した金属屑を除去するものである。
た後、45゜方向から再エッチングすることにより再付着
した金属屑を除去するものである。
本発明の半導体装置の製造方法は、半導体基板上に電極
を形成するのにイオンミリング法を用いる半導体装置の
製造方法において、半導体基板の主面に対しほぼ垂直方
向からイオンミリングを行う工程と、その後主面に対し
ほぼ45゜方向からイオンミングを行うことを特徴とす
る。
を形成するのにイオンミリング法を用いる半導体装置の
製造方法において、半導体基板の主面に対しほぼ垂直方
向からイオンミリングを行う工程と、その後主面に対し
ほぼ45゜方向からイオンミングを行うことを特徴とす
る。
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の一実施例の縦断面図である。
まず、第１図（ａ）に示す如く、数KVの高電圧で加速さ
れたアルゴンイオン９を半導体基板１の主面に垂直に当
てイオンミリングを行う。このとき約45゜方向に飛散し
た金属屑８がエミッタ多結晶シリコン５の側壁に堆積す
る。次に第１図（ｂ）に示すように半導体基板を回転さ
せながら45゜方向より再イオンミリングを行い堆積した
金属屑８を除去する。
れたアルゴンイオン９を半導体基板１の主面に垂直に当
てイオンミリングを行う。このとき約45゜方向に飛散し
た金属屑８がエミッタ多結晶シリコン５の側壁に堆積す
る。次に第１図（ｂ）に示すように半導体基板を回転さ
せながら45゜方向より再イオンミリングを行い堆積した
金属屑８を除去する。
以上説明したように本発明は、半導体基板を回転させな
がらほぼ45゜方向より再イオンミリングを行うことによ
り、再付着した金属屑を除去できる効果がある。
がらほぼ45゜方向より再イオンミリングを行うことによ
り、再付着した金属屑を除去できる効果がある。
第１図（ａ），（ｂ）は本発明の一実施例のイオンミリ
ングを工程の縦断面図である。 １……半導体基板、２……ベース領域、３……エミッタ
領域、４……絶縁膜、５……多結晶シリコン、６……エ
ミッタ電極、７……ベース電極、８……金属屑、９……
アルゴンイオン。
ングを工程の縦断面図である。 １……半導体基板、２……ベース領域、３……エミッタ
領域、４……絶縁膜、５……多結晶シリコン、６……エ
ミッタ電極、７……ベース電極、８……金属屑、９……
アルゴンイオン。
Claims (1)
- 【請求項１】半導体基板上に複数の電極を形成するのに
イオンミリング法を用いる半導体装置の製造方法におい
て、前記半導体基板の主面に対しほぼ垂直方向からイオ
ンミリングを行う第１の工程と、その後主面に対しほぼ
45度方向からイオンミリングを行うことにより、前記第
１の工程において前記電極間に形成された金属屑を除去
する第２の工程とを有することを特徴とする半導体装置
の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61082702A JPH0691050B2 (ja) | 1986-04-09 | 1986-04-09 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61082702A JPH0691050B2 (ja) | 1986-04-09 | 1986-04-09 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62238626A JPS62238626A (ja) | 1987-10-19 |
| JPH0691050B2 true JPH0691050B2 (ja) | 1994-11-14 |
Family
ID=13781729
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61082702A Expired - Lifetime JPH0691050B2 (ja) | 1986-04-09 | 1986-04-09 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0691050B2 (ja) |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55108742A (en) * | 1979-02-14 | 1980-08-21 | Nec Corp | Forming method of minute pattern |
| JPS62149135A (ja) * | 1985-12-24 | 1987-07-03 | Fujitsu Ltd | パタ−ン形成方法 |
-
1986
- 1986-04-09 JP JP61082702A patent/JPH0691050B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62238626A (ja) | 1987-10-19 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS6376330A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS63258021A (ja) | 接続孔の形成方法 | |
| JPH0552058B2 (ja) | ||
| JPH02183534A (ja) | 集積デバイス中に接点を形成するために絶縁層を通してテーパー状のホールを形成する方法 | |
| JPH02219227A (ja) | プラズマ散乱現象を利用した蝕刻方法 | |
| JPH0616511B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS62238626A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS618952A (ja) | 配線形成方法 | |
| JPS6346152B2 (ja) | ||
| JPS63260134A (ja) | スル−・ホ−ルの形成方法 | |
| JP2946719B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH03108330A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH047095B2 (ja) | ||
| JP2740292B2 (ja) | 半導体素子の製造方法 | |
| JPH07114109B2 (ja) | プレーナ型冷陰極の製造方法 | |
| JPS61114536A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2577996B2 (ja) | 画像表示装置の製造方法 | |
| JPS6142169A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS59191333A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2001267298A (ja) | 微細パターン形成方法 | |
| JPS6279625A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH03276633A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS59208749A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS6077460A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS6386453A (ja) | 半導体装置の製造方法 |