JPH0616511B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH0616511B2 JPH0616511B2 JP61252332A JP25233286A JPH0616511B2 JP H0616511 B2 JPH0616511 B2 JP H0616511B2 JP 61252332 A JP61252332 A JP 61252332A JP 25233286 A JP25233286 A JP 25233286A JP H0616511 B2 JPH0616511 B2 JP H0616511B2
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- Japan
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- ion milling
- semiconductor device
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Links
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Landscapes
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- Bipolar Transistors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は加速されたイオンにより半導体装置を製造する
方法に関する。
方法に関する。
半導体装置の製造工程はウェットプロセスからドライプ
ロセスと移ってきているがその中の電極形成工程もイオ
ンミリング法が主流になってきた。特に超高周波トラン
ジスタの様にエミッタ・ベース間距離が数μｍ程度とい
う構造に対してはウェットプロセスはサイドエッチ量の
コントロールが非常に難しく不安定であった。一方、イ
オンミリング法はサイドエッチ量の全んど無い条件が得
られるのでマスクパターン通りの寸法仕上りを得ること
が出来る様になった。
ロセスと移ってきているがその中の電極形成工程もイオ
ンミリング法が主流になってきた。特に超高周波トラン
ジスタの様にエミッタ・ベース間距離が数μｍ程度とい
う構造に対してはウェットプロセスはサイドエッチ量の
コントロールが非常に難しく不安定であった。一方、イ
オンミリング法はサイドエッチ量の全んど無い条件が得
られるのでマスクパターン通りの寸法仕上りを得ること
が出来る様になった。
上述した従来のイオンミリング法は第２図の如く数KVの
高電圧で加速されたアルゴンイオンが半導体基板主面に
垂直に当るためエッチングされた金属屑が約45゜方向に
飛散し段差部側壁に再付着してＥ・Ｂ間が電気的にショ
ートされるという欠点がある。
高電圧で加速されたアルゴンイオンが半導体基板主面に
垂直に当るためエッチングされた金属屑が約45゜方向に
飛散し段差部側壁に再付着してＥ・Ｂ間が電気的にショ
ートされるという欠点がある。
〔問題点を解決するための手段〕 本発明によれば、半導体基板上に電極を形成するのにイ
オンミリング法を用いる半導体装置の製造方法におい
て、エミッタ・ベース電極をイオンミリングによりパタ
ーニングする工程と、前記エミッタ・ベース電極をマス
クにして多結晶シリコンを塩素系ガスによりドライエッ
チングを行った後、イオンミリングにより前記エミッタ
・ベース電極間の金属屑を除去する工程とを含む半導体
装置の製造方法が得られる。
オンミリング法を用いる半導体装置の製造方法におい
て、エミッタ・ベース電極をイオンミリングによりパタ
ーニングする工程と、前記エミッタ・ベース電極をマス
クにして多結晶シリコンを塩素系ガスによりドライエッ
チングを行った後、イオンミリングにより前記エミッタ
・ベース電極間の金属屑を除去する工程とを含む半導体
装置の製造方法が得られる。
次に、本発明について図面を参照して説明する。第１図
(a)〜(c)は本発明の一実施例の縦断面図である。１は半
導体基板、２はベース領域、３はエミッタ領域、４は絶
縁物、５は多結晶シリコン、６はエミッタ電極、７はベ
ース電極、８は再付着金属である。従来、イオンミリン
グを行うと、約45゜方向に被エッチング材が飛散してし
まう。（図(a)）が、この後エミッタ・ベース電極をマ
スクにして多結晶シリコンを塩素系ガスにてドライエッ
チングを行う。（図(b)）このとき、酸系のウェットエ
ッチではサイドエッチ量がコントロールが出来ないの
で、超高周波トランジスタのような目合せマージンの少
ないものは適用出来ない。次に、再度イオンミリング行
い金属屑８を除去する。（図(c)） 〔発明の効果〕 以上説明したように本発明は多結晶シリンコンをエッチ
ングすることによりエミッタ・ベース電極間が広くな
り、再度再付着してもショートしないという効果があ
る。
(a)〜(c)は本発明の一実施例の縦断面図である。１は半
導体基板、２はベース領域、３はエミッタ領域、４は絶
縁物、５は多結晶シリコン、６はエミッタ電極、７はベ
ース電極、８は再付着金属である。従来、イオンミリン
グを行うと、約45゜方向に被エッチング材が飛散してし
まう。（図(a)）が、この後エミッタ・ベース電極をマ
スクにして多結晶シリコンを塩素系ガスにてドライエッ
チングを行う。（図(b)）このとき、酸系のウェットエ
ッチではサイドエッチ量がコントロールが出来ないの
で、超高周波トランジスタのような目合せマージンの少
ないものは適用出来ない。次に、再度イオンミリング行
い金属屑８を除去する。（図(c)） 〔発明の効果〕 以上説明したように本発明は多結晶シリンコンをエッチ
ングすることによりエミッタ・ベース電極間が広くな
り、再度再付着してもショートしないという効果があ
る。
第１図(a)〜(c)は本発明の製造工程を示す縦断面図、第
２図は従来のイオンミリングを行っているところの縦断
面図である。 １，１０……半導体基板、２，２０……ベース領域、
３，３０……エミッタ領域、４，４０……絶縁物、５，
５０……多結晶シリコン、６，６０……エミッタ電極、
７，７０……ベース電極、８，８０……再付着金属
２図は従来のイオンミリングを行っているところの縦断
面図である。 １，１０……半導体基板、２，２０……ベース領域、
３，３０……エミッタ領域、４，４０……絶縁物、５，
５０……多結晶シリコン、６，６０……エミッタ電極、
７，７０……ベース電極、８，８０……再付着金属
Claims (1)
- 【請求項１】半導体基板上に電極を形成するのにイオン
ミリング法を用いる半導体装置の製造方法において、エ
ミッタ・ベース電極をイオンミリングによりパターニン
グする工程と、前記エミッタ・ベース電極をマスクにし
て多結晶シリコンを塩素系ガスによりドライエッチング
を行った後、イオンミリングにより前記エミッタ・ベー
ス電極間の金属屑を除去する工程とを含むことを特徴と
する半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61252332A JPH0616511B2 (ja) | 1986-10-22 | 1986-10-22 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61252332A JPH0616511B2 (ja) | 1986-10-22 | 1986-10-22 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63104474A JPS63104474A (ja) | 1988-05-09 |
| JPH0616511B2 true JPH0616511B2 (ja) | 1994-03-02 |
Family
ID=17235794
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61252332A Expired - Lifetime JPH0616511B2 (ja) | 1986-10-22 | 1986-10-22 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0616511B2 (ja) |
-
1986
- 1986-10-22 JP JP61252332A patent/JPH0616511B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63104474A (ja) | 1988-05-09 |
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