JPH07100631B2 - セラミック複合体の製法およびこれに用いる接着剤 - Google Patents
セラミック複合体の製法およびこれに用いる接着剤Info
- Publication number
- JPH07100631B2 JPH07100631B2 JP60250777A JP25077785A JPH07100631B2 JP H07100631 B2 JPH07100631 B2 JP H07100631B2 JP 60250777 A JP60250777 A JP 60250777A JP 25077785 A JP25077785 A JP 25077785A JP H07100631 B2 JPH07100631 B2 JP H07100631B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ceramics
- ceramic
- alkali metal
- phosphoric acid
- phosphate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Landscapes
- Ceramic Products (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔発明の利用分野〕 本発明は新規なセラミツクス複合体の製法およびこれに
用いる接着剤に関する。
用いる接着剤に関する。
セラミツクスは単独で使用することもあるが、セラミツ
クスの応用を図る上で異なる材料を接合してセラミツク
スの特性を生かした利用技術開発の必要性がある。
クスの応用を図る上で異なる材料を接合してセラミツク
スの特性を生かした利用技術開発の必要性がある。
例えば、構造用セラミツクスでは、焼結済みの各部分を
接合し、複雑な形状のものをつくる必要性が生じてい
る。この接合には金属をインサート材として用いて1000
℃以上の高温で焼成する方法がとられている。
接合し、複雑な形状のものをつくる必要性が生じてい
る。この接合には金属をインサート材として用いて1000
℃以上の高温で焼成する方法がとられている。
また、機能性セラミツクスについても、セラミツクス同
志の接合、セラミツクスとの金属の接合技術が用途を広
げる上で不可欠である。
志の接合、セラミツクスとの金属の接合技術が用途を広
げる上で不可欠である。
様々な分野でセラミツクスが利用されているが、セラミ
ツクスの応用を図る上でセラミツクス同志の接合技術は
重要である。構造用セラミツクスの分野では、複雑な形
状の焼結体が要求されるに従つて、焼結済みの各部分を
接合して複雑形状の焼結体を得る方法が必要とされてい
る。その場合、接合は金属をインサート材として用い10
00℃以上に焼成して行われている。
ツクスの応用を図る上でセラミツクス同志の接合技術は
重要である。構造用セラミツクスの分野では、複雑な形
状の焼結体が要求されるに従つて、焼結済みの各部分を
接合して複雑形状の焼結体を得る方法が必要とされてい
る。その場合、接合は金属をインサート材として用い10
00℃以上に焼成して行われている。
機能性セラミツクスの分野においてもセラミツクス同志
の接合が重要な技術である。電子、あるいはイオン伝動
性セラミツクスを絶縁性セラミツクスと接合する技術が
セラミツクスの用途拡大の上で不可欠である。ある接合
技術の主なものにガラス半田、あるいはりん酸塩を用い
た方法がある。ガラス半田の場合には金属をインサート
材として用いる接合法と同様に1000℃以上の高い温度が
必要であるために、熱応力が発生し、セラミツクスが破
損する恐れがある。
の接合が重要な技術である。電子、あるいはイオン伝動
性セラミツクスを絶縁性セラミツクスと接合する技術が
セラミツクスの用途拡大の上で不可欠である。ある接合
技術の主なものにガラス半田、あるいはりん酸塩を用い
た方法がある。ガラス半田の場合には金属をインサート
材として用いる接合法と同様に1000℃以上の高い温度が
必要であるために、熱応力が発生し、セラミツクスが破
損する恐れがある。
一方、りん酸化合物を用いる従来の方法は、りん酸にア
ルミニウム,アルカリ土類金属の水酸化物を添加したも
の(特開昭53−36513号公報)、あるいは、りん酸塩の
水溶液を用いる方法がある(特開昭49−122513号公報)
りん酸化合物を用いた方法は低温でセラミツクス同志を
接合できる利点はあるが、水酸化物、あるいは、水溶液
を用いているため、脱水成分が多く、加熱すると水酸化
物からの脱水あるいは、水溶液の水分の蒸発が起り、接
合部に気泡が発生する恐れがある。
ルミニウム,アルカリ土類金属の水酸化物を添加したも
の(特開昭53−36513号公報)、あるいは、りん酸塩の
水溶液を用いる方法がある(特開昭49−122513号公報)
りん酸化合物を用いた方法は低温でセラミツクス同志を
接合できる利点はあるが、水酸化物、あるいは、水溶液
を用いているため、脱水成分が多く、加熱すると水酸化
物からの脱水あるいは、水溶液の水分の蒸発が起り、接
合部に気泡が発生する恐れがある。
本発明の目的は、低温で接合でき密着性のすぐれたセラ
ミツクス複合体の製法およびこれに用いる接着剤を提供
するにある。
ミツクス複合体の製法およびこれに用いる接着剤を提供
するにある。
本発明は、セラミックスと他のセラミックスの接合界面
にアルカリ金属を含む縮合りん酸塩の溶融層を形成さ
せ、加圧接触させ前記溶融層を冷却することを特徴とす
る、セラミックス同志がアルカリ金属を含む縮合りん酸
塩層を介して接合されたセラミックス複合体の製法にあ
る。
にアルカリ金属を含む縮合りん酸塩の溶融層を形成さ
せ、加圧接触させ前記溶融層を冷却することを特徴とす
る、セラミックス同志がアルカリ金属を含む縮合りん酸
塩層を介して接合されたセラミックス複合体の製法にあ
る。
本発明の製法は、セラミックスの少なくとも一方がアル
カリ金属を含むセラミックスである場合の複合体の製造
に好適であり、特に、セラミックスの少なくとも一方が
アルカリ金属を20重量%以下含む焼結体の複合体の製造
に好適であり、酸化物、窒化物、炭化物、硼化物、珪化
物又はそれらの混合物系焼結体の複合体の製造に好適で
ある。アルカリ金属は、Li,Na,K,Rb,Cs,Frと他元素の化
合物、特に酸化物の少なくとも1種か好ましく、前述の
焼結体に対し5〜20重量%含有、より好ましくは5〜10
重量%含有される。
カリ金属を含むセラミックスである場合の複合体の製造
に好適であり、特に、セラミックスの少なくとも一方が
アルカリ金属を20重量%以下含む焼結体の複合体の製造
に好適であり、酸化物、窒化物、炭化物、硼化物、珪化
物又はそれらの混合物系焼結体の複合体の製造に好適で
ある。アルカリ金属は、Li,Na,K,Rb,Cs,Frと他元素の化
合物、特に酸化物の少なくとも1種か好ましく、前述の
焼結体に対し5〜20重量%含有、より好ましくは5〜10
重量%含有される。
本発明の製法は、特にα−アルミナ系焼結体同志、β−
アルミナ系焼結体同志又はα−アルミナ系焼結体とβ−
アルミナ系焼結体の複合体の製造に好適である。
アルミナ系焼結体同志又はα−アルミナ系焼結体とβ−
アルミナ系焼結体の複合体の製造に好適である。
また、本発明の製法により得られるセラミックス複合体
のアルカリ金属を含む縮合りん酸塩層は、50μm以下の
厚さが好ましく、特に5〜30μmの厚さが好ましい。
のアルカリ金属を含む縮合りん酸塩層は、50μm以下の
厚さが好ましく、特に5〜30μmの厚さが好ましい。
本発明の製法によれば、セラミックスの少なくとも一方
がアルカリ金属を含むセラミックスである場合、該セラ
ミックスと他のセラミックスとの接合界面にりん酸塩皮
膜を介在させて高温に加熱し、前記りん酸塩を溶融させ
て前記セラミックスと反応させた後、加圧接触させて前
記りん酸塩の溶融層を冷却することによりセラミックス
複合体を製造することができる。
がアルカリ金属を含むセラミックスである場合、該セラ
ミックスと他のセラミックスとの接合界面にりん酸塩皮
膜を介在させて高温に加熱し、前記りん酸塩を溶融させ
て前記セラミックスと反応させた後、加圧接触させて前
記りん酸塩の溶融層を冷却することによりセラミックス
複合体を製造することができる。
また、セラミックスの少なくとも一方がアルカリ金属を
含むセラミックスである場合の接合温度は、160〜280℃
とするのが好ましい。特に、アルカリ金属を含むセラミ
ツクスの所望表面に溶融したりん酸塩皮膜を形成させ、
その皮膜に他のセラミツクスを接触させ高温で反応させ
凝固させることにより両者を接合する方法が好ましい。
また、りん酸溶融塩中にセラミツクスを浸漬させてそれ
らの表面にりん酸との反応生成物を形成させ両者のセラ
ミツクスを接触させて冷却することにより接合すること
ができる。
含むセラミックスである場合の接合温度は、160〜280℃
とするのが好ましい。特に、アルカリ金属を含むセラミ
ツクスの所望表面に溶融したりん酸塩皮膜を形成させ、
その皮膜に他のセラミツクスを接触させ高温で反応させ
凝固させることにより両者を接合する方法が好ましい。
また、りん酸溶融塩中にセラミツクスを浸漬させてそれ
らの表面にりん酸との反応生成物を形成させ両者のセラ
ミツクスを接触させて冷却することにより接合すること
ができる。
即ち、セラミックスの少なくとも一方がアルカリ金属を
含むセラミックスである場合、本発明の製法によれば、
アルカリ金属化合物を含むセラミツクスを160℃以上の
温度に加熱溶融したりん酸塩に浸漬してセラミツクスと
りん酸との反応層を形成し、処理面を接合物に接触させ
て接合することにより、セラミックス複合体を製造する
ことができる。通常市販のりん酸は、H3PO4濃度が75〜8
9%であり、その沸点は約130℃である。りん酸を沸点以
上に熱すると鎖状あるいは環状に縮合したりん酸ができ
る。150℃に熱した場合H3PO4濃度は100%である。更に
温度を上げると温度は100%を越え、これはりん酸が縮
合していることを示すものである。即ち、160℃以上の
りん酸処理することは縮合りん酸で処理することにな
る。一方、縮合りん酸のアルカリ金属塩は、ガラス質
(鎖状無機高分子)になる。160℃以上の縮合りん酸で
アルカリ金属を含むセラミツクスを処理することにより
ガラス質の縮合りん酸塩が生じ、この層が接合に寄与す
ることが判明した。
含むセラミックスである場合、本発明の製法によれば、
アルカリ金属化合物を含むセラミツクスを160℃以上の
温度に加熱溶融したりん酸塩に浸漬してセラミツクスと
りん酸との反応層を形成し、処理面を接合物に接触させ
て接合することにより、セラミックス複合体を製造する
ことができる。通常市販のりん酸は、H3PO4濃度が75〜8
9%であり、その沸点は約130℃である。りん酸を沸点以
上に熱すると鎖状あるいは環状に縮合したりん酸ができ
る。150℃に熱した場合H3PO4濃度は100%である。更に
温度を上げると温度は100%を越え、これはりん酸が縮
合していることを示すものである。即ち、160℃以上の
りん酸処理することは縮合りん酸で処理することにな
る。一方、縮合りん酸のアルカリ金属塩は、ガラス質
(鎖状無機高分子)になる。160℃以上の縮合りん酸で
アルカリ金属を含むセラミツクスを処理することにより
ガラス質の縮合りん酸塩が生じ、この層が接合に寄与す
ることが判明した。
更に、本発明はアルカリ金属を含むりん酸塩を主成分と
するペーストからなることを特徴とするセラミツクス用
溶融接着剤である。即ち、アルカリ金属化合物を含まな
いセラミツクスは前述のりん酸と反応しがたいためりん
酸と反応して接合に寄与する接合層を介在させることに
より各種のセラミツクス同志を接合させることができ
る。
するペーストからなることを特徴とするセラミツクス用
溶融接着剤である。即ち、アルカリ金属化合物を含まな
いセラミツクスは前述のりん酸と反応しがたいためりん
酸と反応して接合に寄与する接合層を介在させることに
より各種のセラミツクス同志を接合させることができ
る。
ここで、溶融接着剤とは、セラミックス同志を接着する
に際して、セラミックスと他のセラミックスとの接合界
面に該接着剤を介在させて高温に加熱し、前記接着剤を
溶融させて前記セラミックスと反応させた後、加圧接着
させて前記接着剤の溶融層を冷却することによりセラミ
ックス同志を接合する接着剤をいう。
に際して、セラミックスと他のセラミックスとの接合界
面に該接着剤を介在させて高温に加熱し、前記接着剤を
溶融させて前記セラミックスと反応させた後、加圧接着
させて前記接着剤の溶融層を冷却することによりセラミ
ックス同志を接合する接着剤をいう。
アルカリ金属の含有量は0.05〜5重量%が好ましく、特
に0.1〜2重量%が好ましい。
に0.1〜2重量%が好ましい。
従来、りん酸化合物の水溶液あるいは、りん酸にアルカ
リ土類金属の水酸化物を用いた方法がある。いずれも脱
水により接合部に気胞が発生する恐れがある。本発明は
水溶液あるいは水酸化物を用いていないので接合部の気
胞の発生を低減できる利点がある。
リ土類金属の水酸化物を用いた方法がある。いずれも脱
水により接合部に気胞が発生する恐れがある。本発明は
水溶液あるいは水酸化物を用いていないので接合部の気
胞の発生を低減できる利点がある。
また、一般にセラミツクスはアルカリ成分と反応しやす
い性質があり、アルカリ化合物は、セラミツクスの溶融
材として利用されている。本発明はこのアルカリ成分の
反応性を利用しているため、セラミツクスを比較的に低
い温度で接合できる技術である。
い性質があり、アルカリ化合物は、セラミツクスの溶融
材として利用されている。本発明はこのアルカリ成分の
反応性を利用しているため、セラミツクスを比較的に低
い温度で接合できる技術である。
実施例1 直径5mm,長さ30mmの大きさのα−アルミナ及び、β″−
アルミナ(8〜10重量%Na2Oを含む)の接合を行った。
接合する面を1μmのダイヤモンドペーストで鏡面研磨
した。研磨面を市販の濃りん酸の各種温度に溶融させた
その中に5分浸漬し、りん酸処理面を介在させて互いに
若干加圧接触させ徐冷して接合した。冷却後、接合部を
エチルアルコールで洗浄し、残りのりん酸を除去した。
接合部の室温の引張り強度とりん酸処理温度との関係を
第1図に示す。図に示す如く、190℃以上では安定した
接合強度が得られる。160℃では20MPa以上の接合強度が
得られる。
アルミナ(8〜10重量%Na2Oを含む)の接合を行った。
接合する面を1μmのダイヤモンドペーストで鏡面研磨
した。研磨面を市販の濃りん酸の各種温度に溶融させた
その中に5分浸漬し、りん酸処理面を介在させて互いに
若干加圧接触させ徐冷して接合した。冷却後、接合部を
エチルアルコールで洗浄し、残りのりん酸を除去した。
接合部の室温の引張り強度とりん酸処理温度との関係を
第1図に示す。図に示す如く、190℃以上では安定した
接合強度が得られる。160℃では20MPa以上の接合強度が
得られる。
実施例2 実施例1で用いたものと同じα−アルミナ及びβ″−ア
ルミナを用いて同じ方法で、りん酸の温度を200℃一定
として、処理時間と接合強度との関係を調べた。その結
果を第2図に示す。図に示す如く、処理時間が5分未満
では、接合強度が低下し、十分な反応層が得られない
が、5分以上処理することにより安定した強度が得られ
る。5分以上処理したものは、接合面にガラス質の縮合
りん酸塩が認められた。
ルミナを用いて同じ方法で、りん酸の温度を200℃一定
として、処理時間と接合強度との関係を調べた。その結
果を第2図に示す。図に示す如く、処理時間が5分未満
では、接合強度が低下し、十分な反応層が得られない
が、5分以上処理することにより安定した強度が得られ
る。5分以上処理したものは、接合面にガラス質の縮合
りん酸塩が認められた。
実施例3 外径15mm,内径13mm,長さ180mmのβ″−アルミナの一端
に、直径15mm厚さ1mmのα−アルミナを200℃の溶融縮合
りん酸に10分間浸漬して処理面同志を互いに加圧接触さ
せて冷却し、両者を接合した。密封度をHeリークテスト
で調べた結果、3×10-9cc/cm2s-1以下の値であり、高
い機密性が得られることが分つた。
に、直径15mm厚さ1mmのα−アルミナを200℃の溶融縮合
りん酸に10分間浸漬して処理面同志を互いに加圧接触さ
せて冷却し、両者を接合した。密封度をHeリークテスト
で調べた結果、3×10-9cc/cm2s-1以下の値であり、高
い機密性が得られることが分つた。
実施例4 β−アルミナ系Na2PZr2Si2O12同志の接合及び、Na2PZr2
Si2O12とα−アルミアの接合を実施例2と同様の方法で
行なつた。その結果室温結合強度はNa2PZr2Si2O12同志
の場合が、40MPaであり、Na2PZr2Si2O12とα−アルミナ
の場合は35MPaであつた。
Si2O12とα−アルミアの接合を実施例2と同様の方法で
行なつた。その結果室温結合強度はNa2PZr2Si2O12同志
の場合が、40MPaであり、Na2PZr2Si2O12とα−アルミナ
の場合は35MPaであつた。
実施例5 β″−アルミナとMgOセラミツクスとの接合を実施例2
と同様の方法で行つた。接合部の引張り強度45MPaであ
つた。
と同様の方法で行つた。接合部の引張り強度45MPaであ
つた。
実施例6 Na2PZr2Si2O12とMgO系セラミツクスを実施例2と同様の
方法で行つた。接合部の引張り強度を測定した。強度は
35MPaであつた。
方法で行つた。接合部の引張り強度を測定した。強度は
35MPaであつた。
実施例7 実施例1で190℃以上で接合したもの及び実施例4で接
合したセラミツクスを400〜800℃で熱処理を行つたが接
合部の剥離現象は認められなかつた。特に超高温で使用
しない機能性材料の接合に有効であることを確認した。
合したセラミツクスを400〜800℃で熱処理を行つたが接
合部の剥離現象は認められなかつた。特に超高温で使用
しない機能性材料の接合に有効であることを確認した。
実施例8 市販濃りん酸20ccにβ″−アルミナ粉末(粒径1μm)
1gを加えたペーストを作成した。このペーストを第1表
に示す各種セラミツクス同志の接合界面に塗布し、表に
示す温度で加熱溶融し、若干加圧して接合した。本発明
では接合が困難なセラミツクスの接合も比較的低い温度
で接合可能であることを認めた。表に示すようにペース
トを用いた手法で接合したセラミツクスの室温での接合
強度は20MPa以上の高いものが得られた。
1gを加えたペーストを作成した。このペーストを第1表
に示す各種セラミツクス同志の接合界面に塗布し、表に
示す温度で加熱溶融し、若干加圧して接合した。本発明
では接合が困難なセラミツクスの接合も比較的低い温度
で接合可能であることを認めた。表に示すようにペース
トを用いた手法で接合したセラミツクスの室温での接合
強度は20MPa以上の高いものが得られた。
実施例9 Na2CO3とα−Al2O3をモル比1:1,1:2.5,1:5及び1:10で混
合し、1200℃で3時間熱処理をして種々の組成比のアル
ミン酸ナトリウムを得た。このアルミン酸ナトリウムを
粉砕後、市販りん酸30ccに粉末10gを加えてペースト状
にした。このペーストをα−Al2O3に塗布し、塗布面に
α−アルミナを接触させて300℃以上に加熱した接合し
た。
合し、1200℃で3時間熱処理をして種々の組成比のアル
ミン酸ナトリウムを得た。このアルミン酸ナトリウムを
粉砕後、市販りん酸30ccに粉末10gを加えてペースト状
にした。このペーストをα−Al2O3に塗布し、塗布面に
α−アルミナを接触させて300℃以上に加熱した接合し
た。
いずれの組成のアルミン酸ナトリウムにおいても良好な
接合体が得られた。
接合体が得られた。
得られた接合体の断面組織を観察した結果、接合層の厚
さは40μmであり、接合層に気胞などの存在は認められ
なかつた。また接合強度を調べた結果、15〜18MPaであ
り、良好な接合が得られた。
さは40μmであり、接合層に気胞などの存在は認められ
なかつた。また接合強度を調べた結果、15〜18MPaであ
り、良好な接合が得られた。
実施例10 実施例9と同じペーストを用いてSiC(2重量%BeOを含
む)(焼結体)同志、及びSi3N4焼結体同志の接合を行
つた。SiC及びSi3N4を鏡面研磨後、ペーストを塗布し
た。600℃以上に1時間保持することによりSiC同志及び
Si3N4同志の接合体を得た。
む)(焼結体)同志、及びSi3N4焼結体同志の接合を行
つた。SiC及びSi3N4を鏡面研磨後、ペーストを塗布し
た。600℃以上に1時間保持することによりSiC同志及び
Si3N4同志の接合体を得た。
α−アルミナとSiCも同様の方法で接合したが健全な接
合体が得られた。
合体が得られた。
実施例11 第3図は本発明の接合法を適用した半導体装置の断面図
である。セラミツクス基板1に半導体素子2が金ろう7
によつて接合され、リードフレーム3にワイヤ4がポー
ルボンデングされ外部回路に接続される。半導体素子2
はセラミツクスキヤツプ5によつて機密封止されてい
る。リードフレーム3は基板1にガラスによつて接合さ
れる。キヤツプは例えばアルミナ,炭化珪素,ムライト
等の焼結体が用いられ、また基板1として0.1〜5重量B
eを含む炭化珪素焼結体(理論密度98%以上、室温の熱
伝導率0.2cal/cm・sec.℃以上)が用いられ、これらを
アルカリ金属酸化物を含む実施例9で用いたりん酸塩の
ペーストによつて接合部8のように接合封止される。
である。セラミツクス基板1に半導体素子2が金ろう7
によつて接合され、リードフレーム3にワイヤ4がポー
ルボンデングされ外部回路に接続される。半導体素子2
はセラミツクスキヤツプ5によつて機密封止されてい
る。リードフレーム3は基板1にガラスによつて接合さ
れる。キヤツプは例えばアルミナ,炭化珪素,ムライト
等の焼結体が用いられ、また基板1として0.1〜5重量B
eを含む炭化珪素焼結体(理論密度98%以上、室温の熱
伝導率0.2cal/cm・sec.℃以上)が用いられ、これらを
アルカリ金属酸化物を含む実施例9で用いたりん酸塩の
ペーストによつて接合部8のように接合封止される。
実施例12 第4図は本発明の接合法を適用した他の例を示す半導体
装置の断面図である。実施例12と異なる点は放熱フイン
9(例えばAl製)と樹脂10で基板1に接合したもので、
他は実施例11と同様で、接合部8を有する。
装置の断面図である。実施例12と異なる点は放熱フイン
9(例えばAl製)と樹脂10で基板1に接合したもので、
他は実施例11と同様で、接合部8を有する。
本実施例によれば前述と同様に基板1としての炭化珪素
焼結体とキヤツプ5のアルミナ焼結体との接合性に優
れ、機密性の高いものが得られた。
焼結体とキヤツプ5のアルミナ焼結体との接合性に優
れ、機密性の高いものが得られた。
本発明によれば、各種セラミツクス同志を比較的低温で
接合してセラミツクス複合体を製造することができ、特
にα−アルミナ基板を使用した機能性セラミックスを接
合して複合体を製造するのに好適であり、電子装置の接
合への応用に効果が期待できる。
接合してセラミツクス複合体を製造することができ、特
にα−アルミナ基板を使用した機能性セラミックスを接
合して複合体を製造するのに好適であり、電子装置の接
合への応用に効果が期待できる。
第1図は室温の接合強度とりん酸処理温度との関係を示
す線図、第2図は同じ接合強度とりん酸処理時間との関
係を示す線図、第3図及び第4図は本発明の接合法を応
用した半導体装置の断面図である。 1……セラミツクス基板、5……セラミツクスキヤツ
プ、8……本発明の接合部。
す線図、第2図は同じ接合強度とりん酸処理時間との関
係を示す線図、第3図及び第4図は本発明の接合法を応
用した半導体装置の断面図である。 1……セラミツクス基板、5……セラミツクスキヤツ
プ、8……本発明の接合部。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 小山 哲雄 茨城県日立市久慈町4026番地 株式会社日 立製作所日立研究所内 (72)発明者 中沢 哲夫 茨城県日立市久慈町4026番地 株式会社日 立製作所日立研究所内 (72)発明者 国谷 啓一 茨城県日立市久慈町4026番地 株式会社日 立製作所日立研究所内 (56)参考文献 特公 昭54−15454(JP,B2)
Claims (6)
- 【請求項1】セラミックスと他のセラミックスの接合界
面にアルカリ金属を含む縮合りん酸塩の溶融層を形成さ
せ、加圧接触させ前記溶融層を冷却することを特徴とす
る、セラミックス同志がアルカリ金属を含む縮合りん酸
塩層を介して接合されたセラミックス複合体の製法。 - 【請求項2】セラミックスの少なくとも一方がアルカリ
金属を含むセラミックスである特許請求の範囲第1項記
載のセラミックス複合体の製法。 - 【請求項3】アルカリ金属を含むセラミックスをりん酸
塩の溶融浴中に浸漬して前記セラミックスとりん酸塩と
の反応層を形成させた後、該反応層を介して他のセラミ
ックスを加圧接触させ冷却する特許請求の範囲第2項記
載のセラミックス複合体の製法。 - 【請求項4】りん酸塩の溶融温度を160〜280℃とする特
許請求の範囲第2項〜第3項のいずれか一つに記載のセ
ラミックス複合体の製法。 - 【請求項5】アルカリ金属を含むりん酸塩を主成分とす
るペーストよりなることを特徴とするセラミックス用溶
融接着剤。 - 【請求項6】アルカリ金属を0.05〜10重量%含む特許請
求の範囲第5項記載のセラミックス用溶融接着剤。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60250777A JPH07100631B2 (ja) | 1985-11-11 | 1985-11-11 | セラミック複合体の製法およびこれに用いる接着剤 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60250777A JPH07100631B2 (ja) | 1985-11-11 | 1985-11-11 | セラミック複合体の製法およびこれに用いる接着剤 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62113774A JPS62113774A (ja) | 1987-05-25 |
| JPH07100631B2 true JPH07100631B2 (ja) | 1995-11-01 |
Family
ID=17212887
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60250777A Expired - Lifetime JPH07100631B2 (ja) | 1985-11-11 | 1985-11-11 | セラミック複合体の製法およびこれに用いる接着剤 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07100631B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE102005000865A1 (de) * | 2005-01-05 | 2006-07-20 | Schott Ag | Verfahren zum Niedertemperatur-Zusammenfügen von Körpern und verfahrensgemäß hergestellte Erzeugnisse |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5415454A (en) * | 1977-07-06 | 1979-02-05 | Japan Steel Works Ltd | Mouth draw forging of large ring |
-
1985
- 1985-11-11 JP JP60250777A patent/JPH07100631B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62113774A (ja) | 1987-05-25 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4849292A (en) | Method for directly bonding ceramic and metal members and laminated body of the same | |
| KR880000654B1 (ko) | 금속-세라믹접합체 | |
| US4471026A (en) | Ternary alloys in brazing ceramics | |
| JPH0817189B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS5925754B2 (ja) | セラミックス用接着剤及びその接着方法 | |
| KR930005894B1 (ko) | 금속화층이 형성된 질화알루미늄 소결체 및 이의 제조방법 | |
| JPS62113774A (ja) | セラミック複合体の製法およびこれに用いる接着剤 | |
| JPS58130546A (ja) | 炭化珪素質基板およびその製造方法 | |
| JPS6261549B2 (ja) | ||
| JPS6154748B2 (ja) | ||
| JPS62216983A (ja) | 金属化層を有する窒化アルミニウム焼結体並びにその製造方法 | |
| JPS5924755B2 (ja) | 窒化珪素の接着方法 | |
| JPS6410100B2 (ja) | ||
| JPH0460946B2 (ja) | ||
| JPS6116751B2 (ja) | ||
| JPH0725617B2 (ja) | 窒化アルミニウム基板およびその製造方法 | |
| JPH0631163B2 (ja) | 接合用ain質焼結基板材及びその接合方法 | |
| JPS62265184A (ja) | 非酸化物系セラミックス用接着剤および接着方法 | |
| JPH08144065A (ja) | セラミックスのメタライズ及び接合方法 | |
| JPH11329676A (ja) | セラミックスと金属の接合体及びこれを用いたセラミックヒータ、ならびにその製造方法 | |
| JPH08169778A (ja) | アルミナ系セラミックス−アルミニウム合金の接合用ろう合金及び接合体 | |
| JPS5961054A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS6121982A (ja) | セラミツクス接着方法 | |
| JPS58176187A (ja) | 炭化珪素質基板およびその製造方法 | |
| JPS60226463A (ja) | 非酸化物セラミツクス用接着剤及びその接着方法 |