JPH07132629A - サーマルヘッドおよびその製造方法 - Google Patents
サーマルヘッドおよびその製造方法Info
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- JPH07132629A JPH07132629A JP5282489A JP28248993A JPH07132629A JP H07132629 A JPH07132629 A JP H07132629A JP 5282489 A JP5282489 A JP 5282489A JP 28248993 A JP28248993 A JP 28248993A JP H07132629 A JPH07132629 A JP H07132629A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 耐酸化性を有する保護層を施さなくても、高
温における耐酸化性の良好な、長寿命で高信頼度を示す
発熱抵抗体を備えたサーマルヘッドを提供すること。 【構成】 基板１の表面に保温層２を形成し、この基板
１の端部に複数の発熱抵抗体３と、これら各発熱抵抗体
３に接続される個別電極４ｂ及び共通電極４ａとを形成
してなるサーマルヘッドにおいて、前記発熱抵抗体３を
Ｓｉ−Ｍｏ−Ｏよりなる薄膜により形成したもの。
温における耐酸化性の良好な、長寿命で高信頼度を示す
発熱抵抗体を備えたサーマルヘッドを提供すること。 【構成】 基板１の表面に保温層２を形成し、この基板
１の端部に複数の発熱抵抗体３と、これら各発熱抵抗体
３に接続される個別電極４ｂ及び共通電極４ａとを形成
してなるサーマルヘッドにおいて、前記発熱抵抗体３を
Ｓｉ−Ｍｏ−Ｏよりなる薄膜により形成したもの。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、感熱記録用の薄膜型サ
ーマルヘッドに係わり、特に、耐酸化性が良好で長寿命
な発熱抵抗体を備えたサーマルヘッドおよびその製造方
法に関する。
ーマルヘッドに係わり、特に、耐酸化性が良好で長寿命
な発熱抵抗体を備えたサーマルヘッドおよびその製造方
法に関する。
【０００２】
【従来の技術】サーマルプリンタに搭載されるサーマル
ヘッドは、複数個の発熱抵抗体を基板上に直線的に配列
し、所望の印字情報に従っていずれかの発熱抵抗体に選
択的に順次通電を行って発熱抵抗体の長手方向中央部に
寄与する部分（ドット）を加熱させて、感熱プリンタに
おいては感熱記録紙を発色させ、熱転写プリンタにおい
てはインクリボンのインクを部分的に溶融し普通紙に転
写して印字を行うようになっている。
ヘッドは、複数個の発熱抵抗体を基板上に直線的に配列
し、所望の印字情報に従っていずれかの発熱抵抗体に選
択的に順次通電を行って発熱抵抗体の長手方向中央部に
寄与する部分（ドット）を加熱させて、感熱プリンタに
おいては感熱記録紙を発色させ、熱転写プリンタにおい
てはインクリボンのインクを部分的に溶融し普通紙に転
写して印字を行うようになっている。
【０００３】前記サーマルヘッドは、その発熱抵抗体の
形成方法に従い、薄膜型、厚膜型などに分類される。そ
して、薄膜型発熱抵抗体としては、タンタルの窒化物と
その上に作られた耐酸化性を有する酸化物の保護層とか
らなる窒化タンタルが最も一般的であり、非常に安定的
で経時変化も少ないという特性を示すことがよく知られ
ている。しかしながら、この窒化タンタルは略３００℃
以上において酸化される特性をも有しており、耐酸化性
を欠くため、サーマルヘッドの発熱抵抗体の上を酸化ケ
イ素のような耐酸化性に優れた保護層で被覆し、そのう
えに五酸化タンタル等の耐磨耗層を被覆していた。
形成方法に従い、薄膜型、厚膜型などに分類される。そ
して、薄膜型発熱抵抗体としては、タンタルの窒化物と
その上に作られた耐酸化性を有する酸化物の保護層とか
らなる窒化タンタルが最も一般的であり、非常に安定的
で経時変化も少ないという特性を示すことがよく知られ
ている。しかしながら、この窒化タンタルは略３００℃
以上において酸化される特性をも有しており、耐酸化性
を欠くため、サーマルヘッドの発熱抵抗体の上を酸化ケ
イ素のような耐酸化性に優れた保護層で被覆し、そのう
えに五酸化タンタル等の耐磨耗層を被覆していた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、このようにし
て形成されたサーマルヘッドの酸化を防ぐための保護層
は膜厚が厚くなり、製造工程も多くなるという問題点が
あり、逆に、保護層の膜厚を薄くした時は、印字中の保
護層のマイクロクラックの発生確率が高くなり、発熱抵
抗体の酸化による印字寿命が低下するという問題があっ
た。
て形成されたサーマルヘッドの酸化を防ぐための保護層
は膜厚が厚くなり、製造工程も多くなるという問題点が
あり、逆に、保護層の膜厚を薄くした時は、印字中の保
護層のマイクロクラックの発生確率が高くなり、発熱抵
抗体の酸化による印字寿命が低下するという問題があっ
た。
【０００５】また、発熱抵抗体の抵抗率が略２００〜３
００μΩ−ｃｍ程度と小さいため、サーマルヘッドとし
ての所望のドット抵抗値を得るには、その膜厚を略３０
０オングストロームと薄くすることが望ましいが、サー
マルヘッドを長時間動作させた場合に、自ら発生する熱
のために生じる発熱抵抗体表面の酸化物層の厚みによる
抵抗値の変化が無視できなくなるという問題点があっ
た。
００μΩ−ｃｍ程度と小さいため、サーマルヘッドとし
ての所望のドット抵抗値を得るには、その膜厚を略３０
０オングストロームと薄くすることが望ましいが、サー
マルヘッドを長時間動作させた場合に、自ら発生する熱
のために生じる発熱抵抗体表面の酸化物層の厚みによる
抵抗値の変化が無視できなくなるという問題点があっ
た。
【０００６】このような窒化タンタルを用いた発熱抵抗
体を備えたサーマルヘッドの欠点を改善したものとし
て、高融点金属のケイ化物、炭化物、ホウ化物等を発熱
抵抗体としたサーマルヘッドが特開昭５２−１０９９４
７号公報に記載されているが、この公報記載のサーマル
ヘッドによっても必ずしも満足し得る結果は得られず、
高温における酸化劣化による抵抗値の上昇を避けられな
いため、高速記録用として長寿命で高信頼度を与えるに
は、耐酸化性を有する保護層で被覆することが不可欠と
されていた。
体を備えたサーマルヘッドの欠点を改善したものとし
て、高融点金属のケイ化物、炭化物、ホウ化物等を発熱
抵抗体としたサーマルヘッドが特開昭５２−１０９９４
７号公報に記載されているが、この公報記載のサーマル
ヘッドによっても必ずしも満足し得る結果は得られず、
高温における酸化劣化による抵抗値の上昇を避けられな
いため、高速記録用として長寿命で高信頼度を与えるに
は、耐酸化性を有する保護層で被覆することが不可欠と
されていた。
【０００７】本発明は、耐酸化性を有する保護層を施さ
なくても、高温における耐酸化性の良好な、長寿命で高
信頼度を示す発熱抵抗体を備えたサーマルヘッドおよび
その製造方法を提供することを目的とする。
なくても、高温における耐酸化性の良好な、長寿命で高
信頼度を示す発熱抵抗体を備えたサーマルヘッドおよび
その製造方法を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
に、本発明のサーマルヘッドは、基板の表面に保温層を
形成し、この基板の端部に複数の発熱抵抗体と、これら
各発熱抵抗体に接続される個別電極及び共通電極とを形
成してなるサーマルヘッドにおいて、前記発熱抵抗体を
Ｓｉ−Ｍｏ−Ｏよりなる薄膜により形成したことを特徴
としている。
に、本発明のサーマルヘッドは、基板の表面に保温層を
形成し、この基板の端部に複数の発熱抵抗体と、これら
各発熱抵抗体に接続される個別電極及び共通電極とを形
成してなるサーマルヘッドにおいて、前記発熱抵抗体を
Ｓｉ−Ｍｏ−Ｏよりなる薄膜により形成したことを特徴
としている。
【０００９】また、請求項２のサーマルヘッドの製造方
法は、基板の表面に保温層を形成し、この基板の端部に
複数の発熱抵抗体と、これら各発熱抵抗体に接続される
個別電極及び共通電極とを形成してなる請求項１に記載
のサーマルヘッドにおいて、ほぼ７５〜８５mol ％のＳ
ｉと、ほぼ１５〜２５mol ％のＭｏからなるスパッタリ
ングターゲットを用い、Ｏ2 ガス流量がほぼ１〜１０％
の範囲内でＯ2 リアクティブスパッタを行ない、Ｓｉ−
Ｍｏ−Ｏ薄膜を形成し、酸化雰囲気において高温熱処理
を行ない発熱抵抗体を形成することを特徴としている。
法は、基板の表面に保温層を形成し、この基板の端部に
複数の発熱抵抗体と、これら各発熱抵抗体に接続される
個別電極及び共通電極とを形成してなる請求項１に記載
のサーマルヘッドにおいて、ほぼ７５〜８５mol ％のＳ
ｉと、ほぼ１５〜２５mol ％のＭｏからなるスパッタリ
ングターゲットを用い、Ｏ2 ガス流量がほぼ１〜１０％
の範囲内でＯ2 リアクティブスパッタを行ない、Ｓｉ−
Ｍｏ−Ｏ薄膜を形成し、酸化雰囲気において高温熱処理
を行ない発熱抵抗体を形成することを特徴としている。
【００１０】
【作用】前述した本発明のサーマルヘッドによれば、発
熱抵抗体としてＳｉ−Ｍｏ−Ｏ薄膜を形成することによ
り、１〜７０ｍΩ−ｃｍと十分に大きい抵抗率を有する
ものとなるので、発熱抵抗体の膜厚を約２０００〜５０
００オングストロームの範囲内で、低抵抗から高抵抗ま
で容易に設計することができる。また、製造方法におい
ては予め酸化雰囲気で高温熱処理を行なうため、自らの
発熱により発生する発熱抵抗体の表面保護層の酸化の影
響を完全に無視することができ、熱的安定性を確保する
ことができる。
熱抵抗体としてＳｉ−Ｍｏ−Ｏ薄膜を形成することによ
り、１〜７０ｍΩ−ｃｍと十分に大きい抵抗率を有する
ものとなるので、発熱抵抗体の膜厚を約２０００〜５０
００オングストロームの範囲内で、低抵抗から高抵抗ま
で容易に設計することができる。また、製造方法におい
ては予め酸化雰囲気で高温熱処理を行なうため、自らの
発熱により発生する発熱抵抗体の表面保護層の酸化の影
響を完全に無視することができ、熱的安定性を確保する
ことができる。
【００１１】
【実施例】以下、本発明の実施例を図１および図２につ
いて説明する。
いて説明する。
【００１２】図１は本発明のサーマルヘッドの構造を示
した断面図である。
した断面図である。
【００１３】セラミック基板等の絶縁性を有する基板１
の上には、ガラス等からなる保温層２が形成されてお
り、これらの基板１および保温層２の上面には複数個の
発熱抵抗体３が直線状にスパッタリング形成されてい
る。また、この発熱抵抗体３の上面一側には各発熱抵抗
体３に接続される共通電極４ａが積層されており、上面
他側には各発熱抵抗体３に独立して通電を行なうための
個別電極４ｂが積層されている。したがって、各発熱抵
抗体３の長手方向中央部には通電によって発熱され印字
に寄与するドット３ａが形成されることになる。更に、
これら保温層２、発熱抵抗体３、共通電極４ａ、個別電
極４ｂの上面には前記発熱抵抗体３および各電極４ａ、
４ｂを保護する保護層５が形成されており、この保護層
５は前記各電極４ａ、４ｂの端子部以外のすべての表面
を被覆している。
の上には、ガラス等からなる保温層２が形成されてお
り、これらの基板１および保温層２の上面には複数個の
発熱抵抗体３が直線状にスパッタリング形成されてい
る。また、この発熱抵抗体３の上面一側には各発熱抵抗
体３に接続される共通電極４ａが積層されており、上面
他側には各発熱抵抗体３に独立して通電を行なうための
個別電極４ｂが積層されている。したがって、各発熱抵
抗体３の長手方向中央部には通電によって発熱され印字
に寄与するドット３ａが形成されることになる。更に、
これら保温層２、発熱抵抗体３、共通電極４ａ、個別電
極４ｂの上面には前記発熱抵抗体３および各電極４ａ、
４ｂを保護する保護層５が形成されており、この保護層
５は前記各電極４ａ、４ｂの端子部以外のすべての表面
を被覆している。
【００１４】次に、本実施例における前記発熱抵抗体３
の製造方法を説明する。
の製造方法を説明する。
【００１５】まず、基板１の上面に形成された保温層２
の表面に、７５〜８５mol ％のＳｉと、ほぼ２５〜１５
mol ％のＭｏからなるスパッタリングターゲットを用
い、Ｏ2 ガス流量がほぼ１〜１０％の範囲内においてＯ
2 リアクティブスパッタを行ない、Ｓｉ−Ｍｏ−Ｏ薄膜
を形成する。そして、前記Ｓｉ−Ｍｏ−Ｏ薄膜に酸化雰
囲気中において高温熱処理を加えて表面を強制酸化させ
る。こうすることによって、高温における耐酸化性と抵
抗値をより安定化させた発熱抵抗体３を形成することが
できる。
の表面に、７５〜８５mol ％のＳｉと、ほぼ２５〜１５
mol ％のＭｏからなるスパッタリングターゲットを用
い、Ｏ2 ガス流量がほぼ１〜１０％の範囲内においてＯ
2 リアクティブスパッタを行ない、Ｓｉ−Ｍｏ−Ｏ薄膜
を形成する。そして、前記Ｓｉ−Ｍｏ−Ｏ薄膜に酸化雰
囲気中において高温熱処理を加えて表面を強制酸化させ
る。こうすることによって、高温における耐酸化性と抵
抗値をより安定化させた発熱抵抗体３を形成することが
できる。
【００１６】次に、本実施例の作用について説明する。
【００１７】Ｏ2 の流量を１〜１０％としたＳｉ−Ｍｏ
−Ｏ薄膜からなる発熱抵抗体は、これを高温で熱処理し
た時、一般のサーメット系抵抗体（Ｔａ−ＳｉＯ2 ）が
アニール効果によって抵抗率が減少するのに対し、反対
に抵抗率が増加する特徴があるが、Ｏ2 ガス流量が１０
％以下においては、熱処理による抵抗率の変動が小さく
再現性に優れているという特性を有している。ところ
が、Ｏ2 ガス流量をさらに１０％以上に増大していく
と、Ｓｉ−Ｍｏ−Ｏの抵抗率は急激な増加傾向を示し、
この領域においては成膜や熱処理による抵抗率のバラツ
キが大変大きくなり、再現性が劣るためサーマルヘッド
の発熱抵抗体形成に不適であることが判明している。こ
のことは次の実験からも立証される。
−Ｏ薄膜からなる発熱抵抗体は、これを高温で熱処理し
た時、一般のサーメット系抵抗体（Ｔａ−ＳｉＯ2 ）が
アニール効果によって抵抗率が減少するのに対し、反対
に抵抗率が増加する特徴があるが、Ｏ2 ガス流量が１０
％以下においては、熱処理による抵抗率の変動が小さく
再現性に優れているという特性を有している。ところ
が、Ｏ2 ガス流量をさらに１０％以上に増大していく
と、Ｓｉ−Ｍｏ−Ｏの抵抗率は急激な増加傾向を示し、
この領域においては成膜や熱処理による抵抗率のバラツ
キが大変大きくなり、再現性が劣るためサーマルヘッド
の発熱抵抗体形成に不適であることが判明している。こ
のことは次の実験からも立証される。
【００１８】図２はＳｉとＭｏの組成比を変え、Ｏ2 ガ
ス流量に対する抵抗率を測定した結果を示すグラフであ
る。
ス流量に対する抵抗率を測定した結果を示すグラフであ
る。
【００１９】まず、Ａｒと５％または１０％のＯ2 との
混合ガス中で、ＳｉとＭｏの組成比を７５：２５mol ％
としたスパッタリングターゲットを用いて、リアクティ
ブスパッタリングにより発熱抵抗体を形成し、７００℃
の酸化雰囲気で３時間の熱処理を行なった場合（図中Ａ
線）、その抵抗率はほぼ２ｍΩ−ｃｍとなり、従来、窒
化タンタルでは３００オングストローム程度としていた
膜厚を約１０倍の３０００オングストローム程度とする
ことができた。
混合ガス中で、ＳｉとＭｏの組成比を７５：２５mol ％
としたスパッタリングターゲットを用いて、リアクティ
ブスパッタリングにより発熱抵抗体を形成し、７００℃
の酸化雰囲気で３時間の熱処理を行なった場合（図中Ａ
線）、その抵抗率はほぼ２ｍΩ−ｃｍとなり、従来、窒
化タンタルでは３００オングストローム程度としていた
膜厚を約１０倍の３０００オングストローム程度とする
ことができた。
【００２０】次に、その組成比を８５：１５mol ％とし
たスパッタリングターゲットとを用いて、リアクティブ
スパッタリングにより発熱抵抗体を形成し、同様に熱処
理を行なった場合（図中Ｂ線）、その抵抗率はほぼ７０
ｍΩ−ｃｍとなり、ドット抵抗値を１０００Ω以上の高
抵抗とすることが容易になった。
たスパッタリングターゲットとを用いて、リアクティブ
スパッタリングにより発熱抵抗体を形成し、同様に熱処
理を行なった場合（図中Ｂ線）、その抵抗率はほぼ７０
ｍΩ−ｃｍとなり、ドット抵抗値を１０００Ω以上の高
抵抗とすることが容易になった。
【００２１】つまり、Ｓｉ−Ｍｏ−Ｏ薄膜からなる発熱
抵抗体はＯ2 ガス流量が１〜１０％の領域においては成
膜や熱処理による抵抗率のバラツキが小さく再現性に優
れており、サーマルヘッドの発熱抵抗体形成に適するも
のであり、なお且つ、ＳｉとＭｏの組成比を変えること
によって、ほぼ１〜７０ｍΩ−ｃｍの範囲で任意の値を
得ることができるのである。すなわち、本実施例によれ
ば、従来からこの種の発熱抵抗体に広く用いられてきた
金属窒化物よりも、遥かに大きな抵抗率を得ることがで
きる。
抵抗体はＯ2 ガス流量が１〜１０％の領域においては成
膜や熱処理による抵抗率のバラツキが小さく再現性に優
れており、サーマルヘッドの発熱抵抗体形成に適するも
のであり、なお且つ、ＳｉとＭｏの組成比を変えること
によって、ほぼ１〜７０ｍΩ−ｃｍの範囲で任意の値を
得ることができるのである。すなわち、本実施例によれ
ば、従来からこの種の発熱抵抗体に広く用いられてきた
金属窒化物よりも、遥かに大きな抵抗率を得ることがで
きる。
【００２２】そして、発熱抵抗体の膜中へのＯ2 の添加
量はスパッタの際に導入するＡｒとＯ2 の流量比を変え
ることにより連続的かつ容易に制御できるため、発熱抵
抗体の抵抗率の制御は容易に行なうことができるのであ
る。
量はスパッタの際に導入するＡｒとＯ2 の流量比を変え
ることにより連続的かつ容易に制御できるため、発熱抵
抗体の抵抗率の制御は容易に行なうことができるのであ
る。
【００２３】なお、堆積後の膜の加工は、（ＣＦ4 ＋Ｏ
2 ）等を用いたリアクティブイオンエッチング（ＲＩ
Ｅ）やケミカルドライエッチング（ＣＤＥ）により容易
に行なうことができるため、本材料は微細加工性に優れ
たサーマルヘッドに適しており、さらに、本発明の発熱
抵抗体は、その抵抗値温度係数（ＴＣＲ）がサーメット
系（例えばＴａ−ＳｉＯ2 ）と比べて小さいものとなっ
ているので、その点においてもサーマルヘッド用の発熱
抵抗体として適したものとなる。
2 ）等を用いたリアクティブイオンエッチング（ＲＩ
Ｅ）やケミカルドライエッチング（ＣＤＥ）により容易
に行なうことができるため、本材料は微細加工性に優れ
たサーマルヘッドに適しており、さらに、本発明の発熱
抵抗体は、その抵抗値温度係数（ＴＣＲ）がサーメット
系（例えばＴａ−ＳｉＯ2 ）と比べて小さいものとなっ
ているので、その点においてもサーマルヘッド用の発熱
抵抗体として適したものとなる。
【００２４】このように形成された発熱抵抗体を用いれ
ば、従来必要とされていた酸化防止のための耐酸化保護
層を省略することができ、サーマルヘッドの製造工程を
短縮することができる。また、保護層の薄膜化が容易と
なるため、印字における熱効率が高められるという利点
がある。また、酸化雰囲気で高温熱処理を行なうことに
よって高温における特性の劣化を防止することができ、
よって、高速記録においても信頼性の高いサーマルヘッ
ドを構成することができる。
ば、従来必要とされていた酸化防止のための耐酸化保護
層を省略することができ、サーマルヘッドの製造工程を
短縮することができる。また、保護層の薄膜化が容易と
なるため、印字における熱効率が高められるという利点
がある。また、酸化雰囲気で高温熱処理を行なうことに
よって高温における特性の劣化を防止することができ、
よって、高速記録においても信頼性の高いサーマルヘッ
ドを構成することができる。
【００２５】なお、本発明は前記実施例に限定されるも
のではなく、必要に応じて変更することができる。
のではなく、必要に応じて変更することができる。
【００２６】
【発明の効果】このように本発明のサーマルヘッドは構
成され作用するものであるから、従来必要とされていた
耐酸化保護層を省略することができ、よってサーマルヘ
ッドの製造工程を短縮し得ること、及び保護層の薄膜化
が容易となるため、印字における熱効率が高められると
いう利点がある。また、本発明の製造方法によれば高温
の熱処理を行なって発熱抵抗体を形成するので、高温に
おける特性の劣化がないため、高速記録において高信頼
性で長寿命のサーマルヘッドを提供し得るという効果を
奏する。
成され作用するものであるから、従来必要とされていた
耐酸化保護層を省略することができ、よってサーマルヘ
ッドの製造工程を短縮し得ること、及び保護層の薄膜化
が容易となるため、印字における熱効率が高められると
いう利点がある。また、本発明の製造方法によれば高温
の熱処理を行なって発熱抵抗体を形成するので、高温に
おける特性の劣化がないため、高速記録において高信頼
性で長寿命のサーマルヘッドを提供し得るという効果を
奏する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明のサーマルヘッドの実施例を示す断面図
【図２】図１の実施例の発熱抵抗体のＳｉとＭｏの組成
比を変え、Ｏ2 ガス流量に対する抵抗率を測定した結果
を示すグラフ
比を変え、Ｏ2 ガス流量に対する抵抗率を測定した結果
を示すグラフ
１ 基板 ２ 保温層 ３ 発熱抵抗体 ３ａ ドット ４ａ 共通電極 ４ｂ 個別電極 ５ 保護層
Claims (2)
- 【請求項１】 基板の表面に保温層を形成し、この基板
の端部に複数の発熱抵抗体と、これら各発熱抵抗体に接
続される個別電極及び共通電極とを形成してなるサーマ
ルヘッドにおいて、前記発熱抵抗体をＳｉ−Ｍｏ−Ｏよ
りなる薄膜により形成したことを特徴とするサーマルヘ
ッド。 - 【請求項２】 基板の表面に保温層を形成し、この基板
の端部に複数の発熱抵抗体と、これら各発熱抵抗体に接
続される個別電極及び共通電極とを形成してなるサーマ
ルヘッドにおいて、ほぼ７５〜８５mol ％のＳｉと、ほ
ぼ１５〜２５mol ％のＭｏからなるスパッタリングター
ゲットを用い、Ｏ2 ガス流量がほぼ１〜１０％の範囲内
でＯ2 リアクティブスパッタを行ない、Ｓｉ−Ｍｏ−Ｏ
薄膜を形成し、酸化雰囲気において高温熱処理を行ない
発熱抵抗体を形成することを特徴とする請求項１に記載
のサーマルヘッドの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5282489A JPH07132629A (ja) | 1993-11-11 | 1993-11-11 | サーマルヘッドおよびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5282489A JPH07132629A (ja) | 1993-11-11 | 1993-11-11 | サーマルヘッドおよびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07132629A true JPH07132629A (ja) | 1995-05-23 |
Family
ID=17653110
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5282489A Withdrawn JPH07132629A (ja) | 1993-11-11 | 1993-11-11 | サーマルヘッドおよびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07132629A (ja) |
-
1993
- 1993-11-11 JP JP5282489A patent/JPH07132629A/ja not_active Withdrawn
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20010130 |