JPH07138567A - フェニルビシクロヘキサン誘導体 - Google Patents
フェニルビシクロヘキサン誘導体Info
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- JPH07138567A JPH07138567A JP5290853A JP29085393A JPH07138567A JP H07138567 A JPH07138567 A JP H07138567A JP 5290853 A JP5290853 A JP 5290853A JP 29085393 A JP29085393 A JP 29085393A JP H07138567 A JPH07138567 A JP H07138567A
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- cyclohexyl
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【構成】 一般式（Ｉ）
（Ｒ1：Ｃ１〜12のアルキル、アルケニル又はアルコキ
シアルキル、Ｘ1〜Ｘ4：Ｈ又はＤ、少なくとも１個は
Ｄ、Ｙ1、Ｙ2：Ｈ又はＦ、Ｚ：Ｆ、Ｃｌ、ＣＮ、Ｒ 2、
ＯＲ2、ＣＦ3、ＯＣＦ3、ＯＣＦ2Ｈ又はＯＣＨ2ＣＦ3、
Ｒ2：Ｃ１〜12のアルキル又はアルケニル）で表わされ
る２種以上の化合物が、(1)互いにＸ1〜Ｘ4におけるＤ
の数及び／又は置換位置が異なり、且つ(2)互いにＲ1、
Ｙ1、Ｙ2及びＺが同一である前記一般式（Ｉ）で表わさ
れる２種以上の化合物からなる混合物及びその中間体。 【効果】 ＴＮ、ＳＴＮ、アクティブマトリクス表示装
置の構成材料として極めて有用である。
シアルキル、Ｘ1〜Ｘ4：Ｈ又はＤ、少なくとも１個は
Ｄ、Ｙ1、Ｙ2：Ｈ又はＦ、Ｚ：Ｆ、Ｃｌ、ＣＮ、Ｒ 2、
ＯＲ2、ＣＦ3、ＯＣＦ3、ＯＣＦ2Ｈ又はＯＣＨ2ＣＦ3、
Ｒ2：Ｃ１〜12のアルキル又はアルケニル）で表わされ
る２種以上の化合物が、(1)互いにＸ1〜Ｘ4におけるＤ
の数及び／又は置換位置が異なり、且つ(2)互いにＲ1、
Ｙ1、Ｙ2及びＺが同一である前記一般式（Ｉ）で表わさ
れる２種以上の化合物からなる混合物及びその中間体。 【効果】 ＴＮ、ＳＴＮ、アクティブマトリクス表示装
置の構成材料として極めて有用である。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は電気光学的液晶表示材料
の特性を改善することができる、重水素原子を有する液
晶化合物からなる混合物に関し、更に詳しくは、低温領
域で長期間結晶を析出させない優れた効果を有するフェ
ニルビシクロヘキサン誘導体の混合物に関し、更にこの
混合物の製造中間体として有用な重水素原子を有するシ
クロヘキサン誘導体及びシクロヘキサンアルカナール誘
導体に関する。
の特性を改善することができる、重水素原子を有する液
晶化合物からなる混合物に関し、更に詳しくは、低温領
域で長期間結晶を析出させない優れた効果を有するフェ
ニルビシクロヘキサン誘導体の混合物に関し、更にこの
混合物の製造中間体として有用な重水素原子を有するシ
クロヘキサン誘導体及びシクロヘキサンアルカナール誘
導体に関する。
【０００２】
【従来の技術】液晶表示素子は、時計、電卓をはじめと
して、各種測定機器、自動車用パネル、ワープロ、電子
手帳、プリンター、コンピューター、テレビ等に用いら
れるようになっている。液晶表示方式としては、その代
表的なものにＴＮ（捩れネマチック）型、ＳＴＮ（超捩
れネマチック）型、ＤＳ（動的光散乱）型、ＧＨ（ゲス
ト・ホスト）型あるいはＦＬＣ（強誘電性液晶）等があ
り、また駆動方式としても従来のスタティック駆動から
マルチプレックス駆動が一般的になり、最近ではこのよ
うな単純マトリックス駆動から、ＴＦＴ（Thin Film Tr
ansistor）やＭＩＭ（Metal-Insulator-Metal）等を用
いたアクティブマトリックス駆動が実用化されている。
して、各種測定機器、自動車用パネル、ワープロ、電子
手帳、プリンター、コンピューター、テレビ等に用いら
れるようになっている。液晶表示方式としては、その代
表的なものにＴＮ（捩れネマチック）型、ＳＴＮ（超捩
れネマチック）型、ＤＳ（動的光散乱）型、ＧＨ（ゲス
ト・ホスト）型あるいはＦＬＣ（強誘電性液晶）等があ
り、また駆動方式としても従来のスタティック駆動から
マルチプレックス駆動が一般的になり、最近ではこのよ
うな単純マトリックス駆動から、ＴＦＴ（Thin Film Tr
ansistor）やＭＩＭ（Metal-Insulator-Metal）等を用
いたアクティブマトリックス駆動が実用化されている。
【０００３】これらの表示方式や駆動方式に応じて、液
晶組成物に種々の特性が要求されているが、（１）液晶
相の温度範囲が低温から高温まで広く、広い温度範囲で
駆動できること、（２）しきい値電圧が低く、低電圧で
駆動可能なこと、（３）低粘性であり、高速応答可能な
ことは、表示方式や駆動方式によらず、どの液晶組成物
にも共通して要求されている重要な特性である。
晶組成物に種々の特性が要求されているが、（１）液晶
相の温度範囲が低温から高温まで広く、広い温度範囲で
駆動できること、（２）しきい値電圧が低く、低電圧で
駆動可能なこと、（３）低粘性であり、高速応答可能な
ことは、表示方式や駆動方式によらず、どの液晶組成物
にも共通して要求されている重要な特性である。
【０００４】現在までのところ、こうした要求特性を単
独で満たす液晶化合物は知られておらず、種々の液晶化
合物を混合することによって所望の特性を有する液晶組
成物を得ているのが現状である。
独で満たす液晶化合物は知られておらず、種々の液晶化
合物を混合することによって所望の特性を有する液晶組
成物を得ているのが現状である。
【０００５】このうち、幅広い温度範囲で液晶相を示す
液晶組成物を得るために、液晶相の温度領域の異なる種
々の液晶化合物を混合する方法が用いられている。この
ような手法を用いる場合、例えば、液晶組成物のネマチ
ック相−等方性液体相転移温度（以下、ＴN-I点とい
う。）を上昇させる場合には、ＴN-I点の高い液晶化合
物の混合割合を高くすればよい。しかしながら、このよ
うな化合物はネマチック相の下限温度（以下、ＴC-N点
という。）も高いので、必然的に得られる液晶組成物の
ＴC-N点も上昇してしまい、低温で結晶が析出してしま
うものが多く、実用的な液晶組成物として用いることが
できなくなる場合が多い。
液晶組成物を得るために、液晶相の温度領域の異なる種
々の液晶化合物を混合する方法が用いられている。この
ような手法を用いる場合、例えば、液晶組成物のネマチ
ック相−等方性液体相転移温度（以下、ＴN-I点とい
う。）を上昇させる場合には、ＴN-I点の高い液晶化合
物の混合割合を高くすればよい。しかしながら、このよ
うな化合物はネマチック相の下限温度（以下、ＴC-N点
という。）も高いので、必然的に得られる液晶組成物の
ＴC-N点も上昇してしまい、低温で結晶が析出してしま
うものが多く、実用的な液晶組成物として用いることが
できなくなる場合が多い。
【０００６】このようなことから、ネマチック相の温度
範囲が低温領域から高温領域まで広い実用的な液晶組成
物を調製する場合には、一般的に融点の低い液晶化合物
と室温付近でネマチック相を示す液晶化合物とＴN-I点
の高い化合物を、経験的に１０〜２０種類混合すること
により、液晶相の温度範囲を調整している。
範囲が低温領域から高温領域まで広い実用的な液晶組成
物を調製する場合には、一般的に融点の低い液晶化合物
と室温付近でネマチック相を示す液晶化合物とＴN-I点
の高い化合物を、経験的に１０〜２０種類混合すること
により、液晶相の温度範囲を調整している。
【０００７】しかしながら、温度範囲を拡大すると同時
に、実際には使用目的に応じて、電気光学的特性や粘性
も最適化しなければならないため、液晶組成物の構成成
分となる液晶化合物としては、他の化合物との相溶性も
含めて数々の要求特性をある程度満たすものでなければ
使用できない。従って、数多い液晶化合物の中でも、実
用的な液晶組成物を調製する上で使用できる化合物の選
択範囲はかなり限定される。
に、実際には使用目的に応じて、電気光学的特性や粘性
も最適化しなければならないため、液晶組成物の構成成
分となる液晶化合物としては、他の化合物との相溶性も
含めて数々の要求特性をある程度満たすものでなければ
使用できない。従って、数多い液晶化合物の中でも、実
用的な液晶組成物を調製する上で使用できる化合物の選
択範囲はかなり限定される。
【０００８】例えば、現在、液晶表示装置の主流となり
つつあるＴＦＴやＭＩＭ等のアクティブマトリクス駆動
方式用の液晶組成物にも、前述の（１）から（３）の特
性が要求されるが、これらに加えて第４番目の特性とし
て、（４）高い電圧保持率を有することが更に要求され
る。これは、液晶組成物の電圧保持率が低いと、駆動さ
せたはずの画素の輝度が変化するフリッカ現象が起きて
しまうからである。
つつあるＴＦＴやＭＩＭ等のアクティブマトリクス駆動
方式用の液晶組成物にも、前述の（１）から（３）の特
性が要求されるが、これらに加えて第４番目の特性とし
て、（４）高い電圧保持率を有することが更に要求され
る。これは、液晶組成物の電圧保持率が低いと、駆動さ
せたはずの画素の輝度が変化するフリッカ現象が起きて
しまうからである。
【０００９】一般的に、液晶組成物の電圧保持率を高く
するためには、デバイス中での熱や光等に対して化学的
に安定で、しかも比抵抗値が高くなければならない。こ
のような要求特性を満たす液晶化合物が種々検討された
結果、従来、ＴＮ、ＳＴＮに用いられていた化合物の中
でも、エステル基、シアノ基、ピリミジン環あるいはジ
オキサン環等を有する液晶化合物は、電圧保持率を低下
させるので、アクティブマトリクス用には適さないこと
が明らかになった。
するためには、デバイス中での熱や光等に対して化学的
に安定で、しかも比抵抗値が高くなければならない。こ
のような要求特性を満たす液晶化合物が種々検討された
結果、従来、ＴＮ、ＳＴＮに用いられていた化合物の中
でも、エステル基、シアノ基、ピリミジン環あるいはジ
オキサン環等を有する液晶化合物は、電圧保持率を低下
させるので、アクティブマトリクス用には適さないこと
が明らかになった。
【００１０】また、アクティブマトリクス駆動方式にお
いても、表示方式は従来のＴＮ表示方式と同じであるた
め、液晶組成物の誘電率異方性（Δε）は全体として正
であることが必須である。しかしながら、従来使用され
ていたΔεが正の液晶化合物（以下、ｐ形液晶化合物と
する。）の中でも比較的大きなΔεを有するものも、同
様に電圧保持率を低下させるので、下記のような化合物
はアクティブマトリクス駆動用には適さないことが明ら
かになった。
いても、表示方式は従来のＴＮ表示方式と同じであるた
め、液晶組成物の誘電率異方性（Δε）は全体として正
であることが必須である。しかしながら、従来使用され
ていたΔεが正の液晶化合物（以下、ｐ形液晶化合物と
する。）の中でも比較的大きなΔεを有するものも、同
様に電圧保持率を低下させるので、下記のような化合物
はアクティブマトリクス駆動用には適さないことが明ら
かになった。
【００１１】
【化４】
【００１２】（式中、Ｒはアルキル基を表わす。）その
ため、現在では液晶組成物のΔεを正の適当な値にする
ために、官能基としてフルオロ基やクロロ基を有する化
合物、例えば、下記のようなｐ形液晶化合物がアクティ
ブマトリクス用の材料として用いられている。
ため、現在では液晶組成物のΔεを正の適当な値にする
ために、官能基としてフルオロ基やクロロ基を有する化
合物、例えば、下記のようなｐ形液晶化合物がアクティ
ブマトリクス用の材料として用いられている。
【００１３】
【化５】
【００１４】
【化６】
【００１５】（式中、Ｒはアルキル基を表わし、Ｒ’は
アルキル基、アルケニル基又はアルコキシアルキル基を
表わす。） しかしながら、これらの化合物を用いてアクティブマト
リクス駆動に必要な電気光学的特性を達成することはで
きても、アクティブマトリクスに用いられる液晶化合物
は、比較的ＴN-I点が高いものが多いので、ＴC-N点が十
分に低い液晶組成物を調製することは非常に難しい。
アルキル基、アルケニル基又はアルコキシアルキル基を
表わす。） しかしながら、これらの化合物を用いてアクティブマト
リクス駆動に必要な電気光学的特性を達成することはで
きても、アクティブマトリクスに用いられる液晶化合物
は、比較的ＴN-I点が高いものが多いので、ＴC-N点が十
分に低い液晶組成物を調製することは非常に難しい。
【００１６】この問題を解決するために、前記フルオロ
系化合物のうち、同一骨格を有し、且つ末端アルキル基
の炭素原子数が２〜７までの範囲で互いに異なる同族体
を数種添加することによって液晶組成物のＴC-N点を低
下させる方法が用いられている。しかしながら、この方
法ではＴC-N点はさほど低下せず、しかも末端アルキル
基の炭素原子数が大きくなるほど粘性が上昇する傾向が
あるので、結果的には前述の（３）の応答特性を悪化さ
せてしまう。
系化合物のうち、同一骨格を有し、且つ末端アルキル基
の炭素原子数が２〜７までの範囲で互いに異なる同族体
を数種添加することによって液晶組成物のＴC-N点を低
下させる方法が用いられている。しかしながら、この方
法ではＴC-N点はさほど低下せず、しかも末端アルキル
基の炭素原子数が大きくなるほど粘性が上昇する傾向が
あるので、結果的には前述の（３）の応答特性を悪化さ
せてしまう。
【００１７】このように、前述の（１）から（４）の特
性をすべて満足するアクティブ用液晶組成物は現在のと
ころ得られておらず、アクティブマトリクス用の液晶組
成物としては、（２）〜（４）の特性を満たすことを優
先させており、（１）の温度範囲については、ＴC-N点
が充分に低くないものでも使用せざるを得ない状況であ
り、当然、低温では結晶が析出しやすいものが多い。
性をすべて満足するアクティブ用液晶組成物は現在のと
ころ得られておらず、アクティブマトリクス用の液晶組
成物としては、（２）〜（４）の特性を満たすことを優
先させており、（１）の温度範囲については、ＴC-N点
が充分に低くないものでも使用せざるを得ない状況であ
り、当然、低温では結晶が析出しやすいものが多い。
【００１８】また、ＳＴＮ液晶表示装置に用いられる液
晶組成物には、前述の（１）から（３）の特性に加え
て、更に４番目の特性として（５）液晶組成物の弾性定
数比（Ｋ33／Ｋ11）が大きく、高コントラストを達成す
ることが要求されている。更に、ＳＴＮ表示方式は、特
にラップトップコンピューター等の汎用機器に多く適用
されているため、（２）のしきい値電圧が低いことも重
要な要求特性である。
晶組成物には、前述の（１）から（３）の特性に加え
て、更に４番目の特性として（５）液晶組成物の弾性定
数比（Ｋ33／Ｋ11）が大きく、高コントラストを達成す
ることが要求されている。更に、ＳＴＮ表示方式は、特
にラップトップコンピューター等の汎用機器に多く適用
されているため、（２）のしきい値電圧が低いことも重
要な要求特性である。
【００１９】液晶組成物のしきい値電圧を低下させるた
めには、下記の式に従って、液晶組成物の誘電率異方性
Δεを大きくするか、弾性定数Ｋを小さくする必要があ
る。
めには、下記の式に従って、液晶組成物の誘電率異方性
Δεを大きくするか、弾性定数Ｋを小さくする必要があ
る。
【００２０】
【数１】
【００２１】（式中、ｋは比例定数を、Ｖthはしきい値
電圧を、Δεは誘電率異方性をそれぞれ表わす。） ここで、Δεの非常に大きな液晶化合物としては例え
ば、下式のような化合物があるが、Δεの大きすぎる化
合物を多量に使用すると、電流値の増大等の問題を引き
起こす場合が多く、実際に液晶表示装置として使用する
場合、信頼性の面で問題がある。
電圧を、Δεは誘電率異方性をそれぞれ表わす。） ここで、Δεの非常に大きな液晶化合物としては例え
ば、下式のような化合物があるが、Δεの大きすぎる化
合物を多量に使用すると、電流値の増大等の問題を引き
起こす場合が多く、実際に液晶表示装置として使用する
場合、信頼性の面で問題がある。
【００２２】
【化７】
【００２３】（式中、Ｒはアルキル基を表わす。） また、弾性定数の小さい液晶組成物は、ｐ形液晶化合物
からなる母体液晶と、ＴN-I点が高く、且つ弾性定数の
比較的小さく、Δεが負の液晶化合物（以下、ｎ形液晶
化合物とする。）の３環系液晶化合物若しくは３環系ｐ
形液晶化合物を混合する方法によって調製される。
からなる母体液晶と、ＴN-I点が高く、且つ弾性定数の
比較的小さく、Δεが負の液晶化合物（以下、ｎ形液晶
化合物とする。）の３環系液晶化合物若しくは３環系ｐ
形液晶化合物を混合する方法によって調製される。
【００２４】弾性定数比Ｋ33／Ｋ11の値が大きいｐ形液
晶化合物として、例えば、下式の化合物が用いられる。
晶化合物として、例えば、下式の化合物が用いられる。
【００２５】
【化８】
【００２６】（式中、Ｒ’はアルキル基、アルケニル基
又はアルコキシアルキル基を表わし、Ｘは水素原子又は
フッ素原子を表わす。） 従って、ＳＴＮにおけるしきい値電圧特性とコントラス
ト特性を満たすために、このようなｐ形液晶化合物と前
述の３環系のｐ形あるいはｎ形液晶化合物を混合する
と、低温領域で結晶が析出しやすい傾向があるという問
題がある。そこで、アクティブマトリクスの場合と同様
に、同一骨格を有し、且つＲ’の炭素原子数が互いに異
なる同族体を何種類も添加したり、Ｒ’がアルケニル基
である場合、二重結合の位置が互いに異なる同族体を何
種類も添加して、得られる液晶組成物のＴC-N点を低下
させている。
又はアルコキシアルキル基を表わし、Ｘは水素原子又は
フッ素原子を表わす。） 従って、ＳＴＮにおけるしきい値電圧特性とコントラス
ト特性を満たすために、このようなｐ形液晶化合物と前
述の３環系のｐ形あるいはｎ形液晶化合物を混合する
と、低温領域で結晶が析出しやすい傾向があるという問
題がある。そこで、アクティブマトリクスの場合と同様
に、同一骨格を有し、且つＲ’の炭素原子数が互いに異
なる同族体を何種類も添加したり、Ｒ’がアルケニル基
である場合、二重結合の位置が互いに異なる同族体を何
種類も添加して、得られる液晶組成物のＴC-N点を低下
させている。
【００２７】しかしながら、このような方法では、炭素
原子数の違いあるいは二重結合の位置の違いによって、
化合物の弾性定数比Ｋ33／Ｋ11の値も大きく異なるの
で、結局、得られる液晶組成物の弾性定数比Ｋ33／Ｋ11
が小さくなり、コントラストが低下してしまう場合が多
い。また、同族体を添加する方法ではＴC-N点の低下に
も限界があることに加えて、粘性が増大し、応答速度が
遅くなるという問題もあり、これらの問題点を考慮した
上で液晶組成物の組成設計をすることは非常に難しい。
原子数の違いあるいは二重結合の位置の違いによって、
化合物の弾性定数比Ｋ33／Ｋ11の値も大きく異なるの
で、結局、得られる液晶組成物の弾性定数比Ｋ33／Ｋ11
が小さくなり、コントラストが低下してしまう場合が多
い。また、同族体を添加する方法ではＴC-N点の低下に
も限界があることに加えて、粘性が増大し、応答速度が
遅くなるという問題もあり、これらの問題点を考慮した
上で液晶組成物の組成設計をすることは非常に難しい。
【００２８】現状では、しきい値電圧が１．２Ｖ程度の
しきい値電圧の低いＳＴＮ用液晶組成物も調製されては
いるが、上述のように弾性定数比Ｋ33／Ｋ11の値が充分
大きくないので、低電圧駆動で、高いコントラストのＳ
ＴＮ液晶表示装置は現在のところ作製されていない。
しきい値電圧の低いＳＴＮ用液晶組成物も調製されては
いるが、上述のように弾性定数比Ｋ33／Ｋ11の値が充分
大きくないので、低電圧駆動で、高いコントラストのＳ
ＴＮ液晶表示装置は現在のところ作製されていない。
【００２９】ここまで説明してきたように、前述の
（１）の液晶相の温度範囲の広い液晶組成物としては、
液晶組成物のＴN-I点が高いことはもちろん、ＴC-N点が
低いことも要求されるが、実際には、ＴC-N点よりも高
い温度であっても、長期間低温領域で保存すると結晶が
析出してしまう材料も少なくないので、信頼性の高い液
晶表示装置には、低温領域でも長期間液晶組成物中に結
晶が析出せず、表示画面全体に環境温度変化による表示
欠陥のないことが要求される。
（１）の液晶相の温度範囲の広い液晶組成物としては、
液晶組成物のＴN-I点が高いことはもちろん、ＴC-N点が
低いことも要求されるが、実際には、ＴC-N点よりも高
い温度であっても、長期間低温領域で保存すると結晶が
析出してしまう材料も少なくないので、信頼性の高い液
晶表示装置には、低温領域でも長期間液晶組成物中に結
晶が析出せず、表示画面全体に環境温度変化による表示
欠陥のないことが要求される。
【００３０】液晶組成物のＴC-N点は、個々の液晶単体
物質で構成される混合系組成物が過冷却現象を示す場合
が多いので、ＴC-N点は液晶組成物を液体窒素等で固化
あるいはガラス状態に充分低温（例えば−７０℃）に冷
却して結晶化をはかり、しかるのちに温度を徐々に上昇
させながら固体からネマチック相への転移温度を測定
し、これをもってＴC-N点としている。
物質で構成される混合系組成物が過冷却現象を示す場合
が多いので、ＴC-N点は液晶組成物を液体窒素等で固化
あるいはガラス状態に充分低温（例えば−７０℃）に冷
却して結晶化をはかり、しかるのちに温度を徐々に上昇
させながら固体からネマチック相への転移温度を測定
し、これをもってＴC-N点としている。
【００３１】しかしながら、成分数が１０〜２０種類の
実用的な液晶組成物の場合、共融混合物ではないため、
前述の測定に基づくネマチック相の下限温度より高い温
度で保存したとしても、結晶が析出してしまう場合が多
々あり、結局駆動可能な温度範囲は狭められてしまう。
実用的な液晶組成物の場合、共融混合物ではないため、
前述の測定に基づくネマチック相の下限温度より高い温
度で保存したとしても、結晶が析出してしまう場合が多
々あり、結局駆動可能な温度範囲は狭められてしまう。
【００３２】例えば、ＴC-N点が−７０℃であるにもか
かわらず、室温で結晶が析出するというものも珍しくな
い。また、前述のように車載用あるいは航空機用などに
は−４０℃から１１０℃までの幅広い温度範囲で安定に
ネマチック相を示すことが要求されているが、−５５℃
の低温で保存しても結晶が析出しない液晶組成物は現在
のところ得られていない。そのため、実際に車載用とし
て汎用されている液晶組成物でさえ、例えば、−２５℃
で保存すると１週間程度で結晶が析出してしまうものも
ある。
かわらず、室温で結晶が析出するというものも珍しくな
い。また、前述のように車載用あるいは航空機用などに
は−４０℃から１１０℃までの幅広い温度範囲で安定に
ネマチック相を示すことが要求されているが、−５５℃
の低温で保存しても結晶が析出しない液晶組成物は現在
のところ得られていない。そのため、実際に車載用とし
て汎用されている液晶組成物でさえ、例えば、−２５℃
で保存すると１週間程度で結晶が析出してしまうものも
ある。
【００３３】このような例からも、液晶組成物のＴC-N
点が非常に低くても、それより高い温度で結晶が析出し
ないとは限らないので、前述の（１）の特性を満たすも
のとしては、ＴC-N点が低いことではなく、低温領域で
も結晶が析出しないことが高い信頼性を得るために必要
とされる。
点が非常に低くても、それより高い温度で結晶が析出し
ないとは限らないので、前述の（１）の特性を満たすも
のとしては、ＴC-N点が低いことではなく、低温領域で
も結晶が析出しないことが高い信頼性を得るために必要
とされる。
【００３４】以上述べたように、液晶組成物はその表示
方式や駆動方式に適応するように種々の液晶化合物を混
合することによって調製されるが、現在使用されている
液晶化合物だけでは特性の改善には限界がある。特に、
汎用の液晶組成物は電気光学的特性を満足することに主
眼が置かれて組成設計されている場合多い。しかしなが
ら、そのような汎用の液晶組成物の中でも、特にＴＦＴ
やＭＩＭ等のアクティブマトリクス駆動方式用の液晶組
成物や、ＳＴＮ液晶表示装置用の液晶組成物において
は、（１）の液晶相の温度範囲が広いものであって、且
つ低温領域で結晶が析出しないことで、実用上高い信頼
性を得ている材料はほとんど存在しない。
方式や駆動方式に適応するように種々の液晶化合物を混
合することによって調製されるが、現在使用されている
液晶化合物だけでは特性の改善には限界がある。特に、
汎用の液晶組成物は電気光学的特性を満足することに主
眼が置かれて組成設計されている場合多い。しかしなが
ら、そのような汎用の液晶組成物の中でも、特にＴＦＴ
やＭＩＭ等のアクティブマトリクス駆動方式用の液晶組
成物や、ＳＴＮ液晶表示装置用の液晶組成物において
は、（１）の液晶相の温度範囲が広いものであって、且
つ低温領域で結晶が析出しないことで、実用上高い信頼
性を得ている材料はほとんど存在しない。
【００３５】前述の（２）〜（５）の特性をほぼ満足す
る汎用の液晶組成物は、その使用目的により温度は異な
るが、比較的低い温度で保存しても約１カ月間結晶が析
出しなければ、信頼性の高い実用液晶として認識されて
いる。
る汎用の液晶組成物は、その使用目的により温度は異な
るが、比較的低い温度で保存しても約１カ月間結晶が析
出しなければ、信頼性の高い実用液晶として認識されて
いる。
【００３６】しかしながら、このような液晶組成物を用
いた場合、それを構成材料とする液晶表示装置は使用す
る環境温度が当然制限されている。このようなことから
も明らかなように、より低温でも結晶が析出しない、信
頼性の高い液晶組成物であって、各種の表示方式や駆動
方式に要求される電気光学的特性を充分に満足する液晶
組成物は現在のところ得られていないのである。
いた場合、それを構成材料とする液晶表示装置は使用す
る環境温度が当然制限されている。このようなことから
も明らかなように、より低温でも結晶が析出しない、信
頼性の高い液晶組成物であって、各種の表示方式や駆動
方式に要求される電気光学的特性を充分に満足する液晶
組成物は現在のところ得られていないのである。
【００３７】
【発明が解決しようとする課題】本発明が解決しようと
する課題は、液晶材料に添加することにより低温領域に
おける結晶析出の問題点を顕著に改善できるという効果
を示し、しかもしきい値電圧等の電気光学的特性等を悪
化させることのない液晶材料を提供することにある。
する課題は、液晶材料に添加することにより低温領域に
おける結晶析出の問題点を顕著に改善できるという効果
を示し、しかもしきい値電圧等の電気光学的特性等を悪
化させることのない液晶材料を提供することにある。
【００３８】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記課題
を解決するために鋭意検討したが、現在汎用されている
液晶化合物だけでは、前述のように特性の改善には限界
があった。従って、本発明者らは、汎用の液晶組成物に
は全く用いられていない液晶材料を開発する必要がある
と考えた。
を解決するために鋭意検討したが、現在汎用されている
液晶化合物だけでは、前述のように特性の改善には限界
があった。従って、本発明者らは、汎用の液晶組成物に
は全く用いられていない液晶材料を開発する必要がある
と考えた。
【００３９】そこで、本発明者らは種々の文献に着目し
たが、その中で重水素原子（Ｄ）を有する液晶化合物に
ついては、以下に示すように既に数例の報告がある。 1) H.Gasparoux等，Ann.ReV.Phys.Chem.,27, 175(1976) 2) G.W.Gray等, Mol.Cryst.Liq.Cryst.,41, 75(1977) 3) A.J.Leadbetter等, J.Phys.［Paris］coll C3, 40,
125(1979) 4) A.Kolbe等, Z.Naturforsch.,23a, 1237(1968) 5) J.D.Rowell等, J.Chem.Phys.,43, 3442(1965) 6) W.D.Philips等, J.Chem.Phys.,41, 2551(1964) 7) A.F.Martins等, Mol.Cryst.Liq.Cryst.,14, 85(197
1) 8) E.T.Samulski等, Phys.Rev.Lett.,29, 340(1972) 9) H.Zimmermann等,Liquid Crystals.,4, 591(1989)
たが、その中で重水素原子（Ｄ）を有する液晶化合物に
ついては、以下に示すように既に数例の報告がある。 1) H.Gasparoux等，Ann.ReV.Phys.Chem.,27, 175(1976) 2) G.W.Gray等, Mol.Cryst.Liq.Cryst.,41, 75(1977) 3) A.J.Leadbetter等, J.Phys.［Paris］coll C3, 40,
125(1979) 4) A.Kolbe等, Z.Naturforsch.,23a, 1237(1968) 5) J.D.Rowell等, J.Chem.Phys.,43, 3442(1965) 6) W.D.Philips等, J.Chem.Phys.,41, 2551(1964) 7) A.F.Martins等, Mol.Cryst.Liq.Cryst.,14, 85(197
1) 8) E.T.Samulski等, Phys.Rev.Lett.,29, 340(1972) 9) H.Zimmermann等,Liquid Crystals.,4, 591(1989)
【００４０】しかしながら、これらの報告において、４
−アルコキシ安息香酸のカルボキシル基における水素原
子（Ｈ）を重水素原子（Ｄ）で置換した例（文献(1)）
以外はすべて、末端基中の水素原子（Ｈ）を重水素原子
（Ｄ）で置換するか、あるいはベンゼン環に結合する水
素原子（Ｈ）を重水素原子（Ｄ）で置換した例であっ
た。しかもこれらの文献には、その化合物を液晶組成物
に添加した例すらも記載されていない。
−アルコキシ安息香酸のカルボキシル基における水素原
子（Ｈ）を重水素原子（Ｄ）で置換した例（文献(1)）
以外はすべて、末端基中の水素原子（Ｈ）を重水素原子
（Ｄ）で置換するか、あるいはベンゼン環に結合する水
素原子（Ｈ）を重水素原子（Ｄ）で置換した例であっ
た。しかもこれらの文献には、その化合物を液晶組成物
に添加した例すらも記載されていない。
【００４１】そこで、本発明者らは、これまでに報告さ
れていない、飽和炭化水素環に結合する水素原子（Ｈ）
を重水素原子（Ｄ）で置換することを試みたが、これに
よって得られる液晶材料は、前述の文献からは全く予想
もできないような、優れた特性を有していることが明ら
かになった。
れていない、飽和炭化水素環に結合する水素原子（Ｈ）
を重水素原子（Ｄ）で置換することを試みたが、これに
よって得られる液晶材料は、前述の文献からは全く予想
もできないような、優れた特性を有していることが明ら
かになった。
【００４２】即ち、本発明は上記課題を解決するため
に、一般式（Ｉ）
に、一般式（Ｉ）
【００４３】
【化９】
【００４４】（式中、Ｒ1は炭素原子数１〜１２のアル
キル基、アルケニル基又はアルコキシアルキル基を表わ
し、Ｘ1、Ｘ2、Ｘ3及びＸ4はそれぞれ独立的に、水素原
子（Ｈ）又は重水素原子（Ｄ）を表わすが、このうち少
なくとも１個は重水素原子（Ｄ）を表わし、Ｙ1及びＹ2
はそれぞれ独立的に水素原子又はフッ素原子を表わし、
Ｚはフッ素原子、塩素原子、シアノ基、−Ｒ2、−Ｏ
Ｒ2、−ＣＦ3、−ＯＣＦ3、−ＯＣＦ2Ｈ又は−ＯＣＨ2
ＣＦ3を表わし、Ｒ2は炭素原子数１〜１２のアルキル基
又は炭素原子数２〜１２のアルケニル基を表わし、シク
ロヘキサン環はトランス配置である。）で表わされる２
種以上の化合物が、（１）互いにＸ1〜Ｘ4における重水
素原子（Ｄ）の数及び／又は置換位置が異なり、且つ
（２）互いにＲ1、Ｙ1、Ｙ2及びＺが同一であることを
特徴とする、前記一般式（Ｉ）で表わされる２種以上の
化合物からなる混合物を提供する。
キル基、アルケニル基又はアルコキシアルキル基を表わ
し、Ｘ1、Ｘ2、Ｘ3及びＸ4はそれぞれ独立的に、水素原
子（Ｈ）又は重水素原子（Ｄ）を表わすが、このうち少
なくとも１個は重水素原子（Ｄ）を表わし、Ｙ1及びＹ2
はそれぞれ独立的に水素原子又はフッ素原子を表わし、
Ｚはフッ素原子、塩素原子、シアノ基、−Ｒ2、−Ｏ
Ｒ2、−ＣＦ3、−ＯＣＦ3、−ＯＣＦ2Ｈ又は−ＯＣＨ2
ＣＦ3を表わし、Ｒ2は炭素原子数１〜１２のアルキル基
又は炭素原子数２〜１２のアルケニル基を表わし、シク
ロヘキサン環はトランス配置である。）で表わされる２
種以上の化合物が、（１）互いにＸ1〜Ｘ4における重水
素原子（Ｄ）の数及び／又は置換位置が異なり、且つ
（２）互いにＲ1、Ｙ1、Ｙ2及びＺが同一であることを
特徴とする、前記一般式（Ｉ）で表わされる２種以上の
化合物からなる混合物を提供する。
【００４５】上述のように本発明に係わる混合物の特徴
は、一般式（Ｉ）において、Ｘ1、Ｘ2、Ｘ3及びＸ4は水
素原子（Ｈ）又は重水素原子（Ｄ）を表わし、且つその
うちの少なくとも１個は重水素原子（Ｄ）である化合物
であって、しかもこのような重水素置換された２種以上
の化合物におけるＲ1、Ｙ1、Ｙ2及びＺが同一である化
合物からなる混合物である点にある。即ち、一般式
（Ｉ）においてＲ1、Ｙ1、Ｙ2及びＺを固定した場合
に、Ｘ1〜Ｘ4における重水素原子（Ｄ）の置換位置ある
いは数の違いにより、一般式（Ｉ）の化合物には立体異
性体を含めると１０種の化合物が存在し得ることにな
る。
は、一般式（Ｉ）において、Ｘ1、Ｘ2、Ｘ3及びＸ4は水
素原子（Ｈ）又は重水素原子（Ｄ）を表わし、且つその
うちの少なくとも１個は重水素原子（Ｄ）である化合物
であって、しかもこのような重水素置換された２種以上
の化合物におけるＲ1、Ｙ1、Ｙ2及びＺが同一である化
合物からなる混合物である点にある。即ち、一般式
（Ｉ）においてＲ1、Ｙ1、Ｙ2及びＺを固定した場合
に、Ｘ1〜Ｘ4における重水素原子（Ｄ）の置換位置ある
いは数の違いにより、一般式（Ｉ）の化合物には立体異
性体を含めると１０種の化合物が存在し得ることにな
る。
【００４６】ところが、これらの１０種の化合物を選択
的に１種ずつ製造することは、製造工程が煩雑になり産
業上有利ではない。このため、重水素原子（Ｄ）の数あ
るいは置換位置の違いによる１０種の同族体のうちの数
種の化合物からなる混合物の状態で使用することは液晶
材料としては何等差し支えがない。
的に１種ずつ製造することは、製造工程が煩雑になり産
業上有利ではない。このため、重水素原子（Ｄ）の数あ
るいは置換位置の違いによる１０種の同族体のうちの数
種の化合物からなる混合物の状態で使用することは液晶
材料としては何等差し支えがない。
【００４７】逆に混合物として用いることにより、低温
領域における結晶析出が起こりにくくなることや、他の
液晶化合物との相溶性が向上するといった優れた特性が
得られ、むしろ一般式（Ｉ）で表わされる１種の化合物
単独で用いる場合よりも好ましい。
領域における結晶析出が起こりにくくなることや、他の
液晶化合物との相溶性が向上するといった優れた特性が
得られ、むしろ一般式（Ｉ）で表わされる１種の化合物
単独で用いる場合よりも好ましい。
【００４８】また、このような本発明の混合物の中で
も、一般式（Ｉ）で表わされる２種以上の化合物におい
て、Ｘ1〜Ｘ4の総数に対する重水素原子（Ｄ）の数の割
合が、３０〜９５％の範囲にある混合物は、より優れた
効果を示すことができ、４０〜９０％の範囲が特に好ま
しい。
も、一般式（Ｉ）で表わされる２種以上の化合物におい
て、Ｘ1〜Ｘ4の総数に対する重水素原子（Ｄ）の数の割
合が、３０〜９５％の範囲にある混合物は、より優れた
効果を示すことができ、４０〜９０％の範囲が特に好ま
しい。
【００４９】本発明に係わる一般式（Ｉ）の化合物は、
例えば、以下の中間体を経由して製造することができ
る。一般式（ＩＩ’）
例えば、以下の中間体を経由して製造することができ
る。一般式（ＩＩ’）
【００５０】
【化１０】
【００５１】（式中、Ｙ1、Ｙ2及びＺは一般式（Ｉ）に
おけると同じ意味を表わす。）で表わされる４−（トラ
ンス−４−フェニルシクロヘキシル）シクロヘキサノン
誘導体を、塩基存在下に重水（Ｄ2Ｏ）で重水素置換す
ることにより、一般式（ＩＩ）
おけると同じ意味を表わす。）で表わされる４−（トラ
ンス−４−フェニルシクロヘキシル）シクロヘキサノン
誘導体を、塩基存在下に重水（Ｄ2Ｏ）で重水素置換す
ることにより、一般式（ＩＩ）
【００５２】
【化１１】
【００５３】（式中、Ｙ1、Ｙ2、Ｚ、Ｘ1、Ｘ2、Ｘ3及
びＸ4は一般式（Ｉ）におけると同じ意味を表わす。）
で表わされる重水素置換された４−（４−フェニルシク
ロヘキシル）シクロヘキサノン誘導体を得ることができ
る。このとき、反応溶媒はジクロロメタン等の非プロト
ン性溶媒が好ましく、塩基としてはアルカリ金属アルコ
ラートが好ましい。また反応温度は室温から溶媒の還流
温度が望ましく、反応を促進させるために、臭化テトラ
ブチルアンモニウム等の４級アンモニウム塩を共存させ
ることも好ましい。この一般式（ＩＩ）の化合物は以下
に述べるように一般式（Ｉ）の化合物の製造中間体とし
て重要であり、本発明はこの一般式（ＩＩ）の化合物及
びこの化合物の２種以上からなる混合物も提供する。
びＸ4は一般式（Ｉ）におけると同じ意味を表わす。）
で表わされる重水素置換された４−（４−フェニルシク
ロヘキシル）シクロヘキサノン誘導体を得ることができ
る。このとき、反応溶媒はジクロロメタン等の非プロト
ン性溶媒が好ましく、塩基としてはアルカリ金属アルコ
ラートが好ましい。また反応温度は室温から溶媒の還流
温度が望ましく、反応を促進させるために、臭化テトラ
ブチルアンモニウム等の４級アンモニウム塩を共存させ
ることも好ましい。この一般式（ＩＩ）の化合物は以下
に述べるように一般式（Ｉ）の化合物の製造中間体とし
て重要であり、本発明はこの一般式（ＩＩ）の化合物及
びこの化合物の２種以上からなる混合物も提供する。
【００５４】この一般式（ＩＩ）の化合物を、式（ＩＶ
ａ）
ａ）
【００５５】
【化１２】ＣＨ3ＯＣＨ＝ＰＰｈ3 （ＩＶａ） （式中、Ｐｈはフェニル基を表わす。）のウィッティヒ
反応剤と反応させ、次いで酸処理を行い、更に塩基でト
ランス体に異性化させることにより、一般式（ＩＩＩ）
反応剤と反応させ、次いで酸処理を行い、更に塩基でト
ランス体に異性化させることにより、一般式（ＩＩＩ）
【００５６】
【化１３】
【００５７】（式中、ｍは０〜１０の整数を表わし、Ｙ
1、Ｙ2、Ｚ、Ｘ1、Ｘ2、Ｘ3及びＸ4は一般式（Ｉ）にお
けると同じ意味を表わす。）で表わされる重水素置換さ
れた４−（４−フェニルシクロヘキシル）シクロヘキサ
ンエタナール誘導体のうち、ｍ＝０の化合物を得ること
ができる。この一般式（ＩＩＩ）においてｍ＝０の化合
物と前述の式（ＩＶａ）の化合物との反応を更にｍ回繰
り返すことにより、一般式（ＩＩＩ）においてｍ≧１の
化合物を得ることができる。
1、Ｙ2、Ｚ、Ｘ1、Ｘ2、Ｘ3及びＸ4は一般式（Ｉ）にお
けると同じ意味を表わす。）で表わされる重水素置換さ
れた４−（４−フェニルシクロヘキシル）シクロヘキサ
ンエタナール誘導体のうち、ｍ＝０の化合物を得ること
ができる。この一般式（ＩＩＩ）においてｍ＝０の化合
物と前述の式（ＩＶａ）の化合物との反応を更にｍ回繰
り返すことにより、一般式（ＩＩＩ）においてｍ≧１の
化合物を得ることができる。
【００５８】あるいは、式（ＩＶａ）の化合物との反応
を３回繰り返すかわりに、式（ＩＶｂ）
を３回繰り返すかわりに、式（ＩＶｂ）
【００５９】
【化１４】
【００６０】（式中、Phはフェニル基を表わす。）のウ
ィッティヒ反応剤を反応させ、二重結合を水素添加した
後に加水分解してもよい。このようにして得られる一般
式（ＩＩＩ）の化合物も前述の一般式（ＩＩ）の化合物
と同様に、一般式（Ｉ）の化合物の製造中間体として重
要であり、本発明はこの一般式（ＩＩＩ）の化合物及び
この化合物の２種以上からなる混合物を提供する。
ィッティヒ反応剤を反応させ、二重結合を水素添加した
後に加水分解してもよい。このようにして得られる一般
式（ＩＩＩ）の化合物も前述の一般式（ＩＩ）の化合物
と同様に、一般式（Ｉ）の化合物の製造中間体として重
要であり、本発明はこの一般式（ＩＩＩ）の化合物及び
この化合物の２種以上からなる混合物を提供する。
【００６１】これらの一般式（ＩＩ）あるいは一般式
（ＩＩＩ）の化合物を用いて、例えば以下のようにして
本発明に係わる一般式（Ｉ）の混合物を製造できる。 （イ）一般式（Ｉ）において、Ｒ1＝アルケニル基であ
る混合物の場合 一般式（ＩＩＩ）の化合物と一般式（ＩＶｃ）
（ＩＩＩ）の化合物を用いて、例えば以下のようにして
本発明に係わる一般式（Ｉ）の混合物を製造できる。 （イ）一般式（Ｉ）において、Ｒ1＝アルケニル基であ
る混合物の場合 一般式（ＩＩＩ）の化合物と一般式（ＩＶｃ）
【００６２】
【化１５】Ｒ3ＣＨ＝ＰＰｈ3 （ＩＶｃ） （式中、Ｒ3は水素原子（Ｈ）又は炭素原子数１〜８の
アルキル基を表わし、Ｐｈはフェニル基を表わす。）の
ウィッティヒ反応剤とを反応させることにより、Ｒ1が
任意の位置に二重結合を有するアルケニル基である一般
式（Ｉｂ）の化合物を得ることができる。一般式（ＩＶ
ｃ）において、Ｒ3が水素原子（Ｈ）以外の場合にはア
ルケニル基の二重結合はシス体が主として得られるが、
これはベンゼンスルフィン酸等によりトランス体に異性
化させることが可能である。 （ロ）一般式（Ｉ）において、Ｒ1＝アルキル基である
化合物の場合 前述の（イ）で得られるＲ1がアルケニル基の化合物を
水素添加することにより、対応するＲ1がアルキル基で
ある一般式（Ｉａ）の化合物を得ることができる。
アルキル基を表わし、Ｐｈはフェニル基を表わす。）の
ウィッティヒ反応剤とを反応させることにより、Ｒ1が
任意の位置に二重結合を有するアルケニル基である一般
式（Ｉｂ）の化合物を得ることができる。一般式（ＩＶ
ｃ）において、Ｒ3が水素原子（Ｈ）以外の場合にはア
ルケニル基の二重結合はシス体が主として得られるが、
これはベンゼンスルフィン酸等によりトランス体に異性
化させることが可能である。 （ロ）一般式（Ｉ）において、Ｒ1＝アルキル基である
化合物の場合 前述の（イ）で得られるＲ1がアルケニル基の化合物を
水素添加することにより、対応するＲ1がアルキル基で
ある一般式（Ｉａ）の化合物を得ることができる。
【００６３】あるいは一般式（ＩＩ）の化合物と一般式
（ＩＶｄ）
（ＩＶｄ）
【００６４】
【化１６】Ｒ4ＣＨ＝ＰＰｈ3 （ＩＶｄ） （式中、Ｒ4は水素原子（Ｈ）又は炭素原子数１〜９の
アルキル基を表わす。）のウィッティヒ反応剤とを反応
させて得られるアルキリデンシクロヘキサン誘導体を水
素添加し、次いでシス体を分離することによっても得る
ことができる。
アルキル基を表わす。）のウィッティヒ反応剤とを反応
させて得られるアルキリデンシクロヘキサン誘導体を水
素添加し、次いでシス体を分離することによっても得る
ことができる。
【００６５】あるいは一般式（ＩＩ）の化合物に一般式
（Ｖａ）
（Ｖａ）
【００６６】
【化１７】Ｒ5−Ｍ （Ｖａ） （式中、Ｒ5は炭素原子数１〜１０のアルキル基を表わ
し、ＭはＭｇＢｒ、ＭｇＣｌ、ＭｇＩ又はＬｉを表わ
す。）の有機金属反応剤を反応させ、次いで酸で脱水し
てシクロヘキセン誘導体を得て、これを水素添加するこ
とによっても得ることができる。この場合には得られた
一般式（Ｉａ）の化合物はＸ1〜Ｘ4のうち１個は水素原
子（Ｈ）である。
し、ＭはＭｇＢｒ、ＭｇＣｌ、ＭｇＩ又はＬｉを表わ
す。）の有機金属反応剤を反応させ、次いで酸で脱水し
てシクロヘキセン誘導体を得て、これを水素添加するこ
とによっても得ることができる。この場合には得られた
一般式（Ｉａ）の化合物はＸ1〜Ｘ4のうち１個は水素原
子（Ｈ）である。
【００６７】一般式（Ｉａ）において、ＺがＯＲ2であ
り、且つＲ2がアルケニル基を表わす化合物の場合に
は、上記の（イ）、（ロ）の方法ではＲ2も同時に還元
されてしまうため、製造が困難である。その場合には一
般式（ＩＩ）あるいは一般式（ＩＩＩ）の化合物に代え
て、Ｚが
り、且つＲ2がアルケニル基を表わす化合物の場合に
は、上記の（イ）、（ロ）の方法ではＲ2も同時に還元
されてしまうため、製造が困難である。その場合には一
般式（ＩＩ）あるいは一般式（ＩＩＩ）の化合物に代え
て、Ｚが
【００６８】
【化１８】ＯＣＨ2Ｐｈ （式中、Ｐｈはフェニル基を表わす。）で表わされる基
である一般式（ＩＩｐ）あるいは一般式（ＩＩＩｐ）の
化合物を用いて同様に行うことにより、一般式（Ｉａ）
においてＺがＯＨである一般式（Ｉｐ）
である一般式（ＩＩｐ）あるいは一般式（ＩＩＩｐ）の
化合物を用いて同様に行うことにより、一般式（Ｉａ）
においてＺがＯＨである一般式（Ｉｐ）
【００６９】
【化１９】
【００７０】（式中、Ｒ1、Ｘ1、Ｘ2、Ｘ3、Ｘ4、Ｙ1及
びＹ2は一般式（Ｉ）におけると同じ意味を表わす。）
で表わされる化合物を得る。この一般式（Ｉｐ）の化合
物を、一般式（ＶＩＩａ）
びＹ2は一般式（Ｉ）におけると同じ意味を表わす。）
で表わされる化合物を得る。この一般式（Ｉｐ）の化合
物を、一般式（ＶＩＩａ）
【００７１】
【化２０】Ｒ2−Ｗ （ＶＩＩａ） （式中、Ｒ2は一般式（Ｉ）におけると同じ意味を表わ
し、Ｗは塩素原子、臭素原子、沃素原子、ｐ−トルエン
スルホニル基等の脱離基を表わす。）と塩基存在下に反
応させることにより得ることができる。 （ハ）一般式（Ｉ）において、Ｒ1＝アルコキシアルキ
ル基である化合物の場合一般式（ＩＩＩ）の化合物を、
水素化アルミニウムリチウムあるいは水素化ホウ素ナト
リウム等により還元して、一般式（ＶＩ）
し、Ｗは塩素原子、臭素原子、沃素原子、ｐ−トルエン
スルホニル基等の脱離基を表わす。）と塩基存在下に反
応させることにより得ることができる。 （ハ）一般式（Ｉ）において、Ｒ1＝アルコキシアルキ
ル基である化合物の場合一般式（ＩＩＩ）の化合物を、
水素化アルミニウムリチウムあるいは水素化ホウ素ナト
リウム等により還元して、一般式（ＶＩ）
【００７２】
【化２１】
【００７３】（式中、ｍ、Ｙ1、Ｙ2、Ｚ、Ｘ1、Ｘ2、Ｘ
3及びＸ4は一般式（Ｉ）におけると同じ意味を表わ
す。）で表わされるヒドロキシアルキル誘導体を得る。
これを一般式（ＶＩＩｂ）
3及びＸ4は一般式（Ｉ）におけると同じ意味を表わ
す。）で表わされるヒドロキシアルキル誘導体を得る。
これを一般式（ＶＩＩｂ）
【００７４】
【化２２】Ｒ5−Ｗ （ＶＩＩｂ） （式中、Ｒ5及びＷは前述の意味を表わす。）で表わさ
れる化合物と塩基存在下に反応させることにより得るこ
とができる。
れる化合物と塩基存在下に反応させることにより得るこ
とができる。
【００７５】斯くして得られる一般式（Ｉ）で表わされ
る２種以上の化合物からなる混合物の代表的なものの例
を、その相転移温度とともに下記第１表、第２表及び第
３表に掲げる。
る２種以上の化合物からなる混合物の代表的なものの例
を、その相転移温度とともに下記第１表、第２表及び第
３表に掲げる。
【００７６】
【表１】
【００７７】
【表２】
【００７８】
【表３】
【００７９】（表中、Ｃｒは結晶相を、Ｓｍはスメクチ
ック相を、Ｎはネマチック相を、Ｉは等方性液体相をそ
れぞれ表わす。相転移温度は、数字の左側の相と右側の
相との間の転移温度を表わし、例えば、Ｃ５０ Ｎは結
晶相とネマチック相との間の転移温度が５０℃であるこ
とを表わす。また、Ｄ化率はその混合物におけるＸ1〜
Ｘ4の総数に対する重水素原子（Ｄ）の数の割合を示し
たものである。） この一般式（Ｉ）の２種以上の化合物からなる混合物
は、重水素置換されていないが、同一の骨格を有する単
一化合物と比較すると明らかに融点が低い。しかも、本
発明の混合物は液晶組成物に添加することにより、低温
でも結晶を析出させないという優れた効果を有する。
ック相を、Ｎはネマチック相を、Ｉは等方性液体相をそ
れぞれ表わす。相転移温度は、数字の左側の相と右側の
相との間の転移温度を表わし、例えば、Ｃ５０ Ｎは結
晶相とネマチック相との間の転移温度が５０℃であるこ
とを表わす。また、Ｄ化率はその混合物におけるＸ1〜
Ｘ4の総数に対する重水素原子（Ｄ）の数の割合を示し
たものである。） この一般式（Ｉ）の２種以上の化合物からなる混合物
は、重水素置換されていないが、同一の骨格を有する単
一化合物と比較すると明らかに融点が低い。しかも、本
発明の混合物は液晶組成物に添加することにより、低温
でも結晶を析出させないという優れた効果を有する。
【００８０】そのような例として、現在汎用されている
母体液晶（Ａ）
母体液晶（Ａ）
【００８１】
【化２３】
【００８２】８５重量％及び第１表中の（Ｎｏ．２）の
混合物
混合物
【００８３】
【化２４】
【００８４】１５重量％からなる混合液晶（Ｂ）を調製
し、これを−２０℃で保存したところ１カ月経過後も結
晶の析出は観察できなかった。これに対し、母体液晶
（Ａ）８５重量％及び（Ｎｏ．２）の化合物と同一の骨
格を有するが、重水素置換されていない式（Ｒ−１）
し、これを−２０℃で保存したところ１カ月経過後も結
晶の析出は観察できなかった。これに対し、母体液晶
（Ａ）８５重量％及び（Ｎｏ．２）の化合物と同一の骨
格を有するが、重水素置換されていない式（Ｒ−１）
【００８５】
【化２５】
【００８６】の化合物１５重量％からなる混合液晶
（Ｃ）を調製し、同様にして−２０℃で保存したとこ
ろ、５日後には結晶の析出が認められた。このことか
ら、本発明の一般式（Ｉ）で表わされる２種以上の化合
物からなる混合物は、低温領域でも組成物中に結晶を析
出させないという優れた特徴を有し、実用的な液晶材料
を調製する上で極めて有用であることが理解できる。
（Ｃ）を調製し、同様にして−２０℃で保存したとこ
ろ、５日後には結晶の析出が認められた。このことか
ら、本発明の一般式（Ｉ）で表わされる２種以上の化合
物からなる混合物は、低温領域でも組成物中に結晶を析
出させないという優れた特徴を有し、実用的な液晶材料
を調製する上で極めて有用であることが理解できる。
【００８７】
【実施例】以下に本発明の実施例を示し、本発明を更に
説明する。しかしながら、本発明はこれらの実施例に限
定されるものではない。
説明する。しかしながら、本発明はこれらの実施例に限
定されるものではない。
【００８８】なお、各混合物における化合物の構造は、
重水素化されていない既知の化合物と、キャピラリーガ
スクロマトグラフ及び薄層クロマトグラフを比較し、同
一の保持時間（あるいはＲｆ値）を示すこと、及び核磁
気共鳴スペクトル（ＮＭＲ）、質量スペクトル（Ｍ
Ｓ）、赤外吸収スペクトル（ＩＲ）により確認した。ま
た、混合物全体としてのＤ化率はＮＭＲにより測定した
が、その測定に用いたＮＭＲは日本電子（株）製ＪＮＭ
−ＧＳＸ４００（４００ＭＨｚ1Ｈ）である。なお、Ｄ
化率は一般式（ＩＩ）の混合物について測定し、一般式
（Ｉ）及び一般式（ＩＩＩ）の化合物のＤ化率は原料と
して用いた一般式（ＩＩ）の化合物のＤ化率をそのまま
用いた。
重水素化されていない既知の化合物と、キャピラリーガ
スクロマトグラフ及び薄層クロマトグラフを比較し、同
一の保持時間（あるいはＲｆ値）を示すこと、及び核磁
気共鳴スペクトル（ＮＭＲ）、質量スペクトル（Ｍ
Ｓ）、赤外吸収スペクトル（ＩＲ）により確認した。ま
た、混合物全体としてのＤ化率はＮＭＲにより測定した
が、その測定に用いたＮＭＲは日本電子（株）製ＪＮＭ
−ＧＳＸ４００（４００ＭＨｚ1Ｈ）である。なお、Ｄ
化率は一般式（ＩＩ）の混合物について測定し、一般式
（Ｉ）及び一般式（ＩＩＩ）の化合物のＤ化率は原料と
して用いた一般式（ＩＩ）の化合物のＤ化率をそのまま
用いた。
【００８９】なお、化合物名及び構造式の前に記したｄ
4−はベンゼン環と結合していないシクロヘキサン環の
３位及び５位（一般式（ＩＩ）及び一般式（ＩＩＩ）の
化合物においては２位及び６位）の４個の水素原子のう
ち少なくとも１個が重水素置換されている化合物からな
る混合物であることを表わすものとする。
4−はベンゼン環と結合していないシクロヘキサン環の
３位及び５位（一般式（ＩＩ）及び一般式（ＩＩＩ）の
化合物においては２位及び６位）の４個の水素原子のう
ち少なくとも１個が重水素置換されている化合物からな
る混合物であることを表わすものとする。
【００９０】（実施例１） ４−［トランス−４−
（３，４−ジフルオロフェニル）シクロヘキシル］シク
ロヘキサノンの重水素化
（３，４−ジフルオロフェニル）シクロヘキシル］シク
ロヘキサノンの重水素化
【００９１】
【化２６】
【００９２】（１−ａ）ナトリウムメトキシド２７．０
ｇを重水（Ｄ化率：９９．８％）８８ｇに溶解した。こ
れにジクロロメタン２９０ｍｌに溶解した４−［トラン
ス−４−（３，４−ジフルオロフェニル）シクロヘキシ
ル］シクロヘキサノン２９２ｇを加え、更に臭化テトラ
ブチルアンモニウム３．０ｇを加えて８時間溶媒の還流
温度で加熱攪拌した。放冷後、有機層を分離し、水層は
ジクロロメタンで抽出した後に回収した。この抽出液に
分離した有機層を併せ、これを水で洗滌し、無水硫酸ナ
トリウムで脱水乾燥した。
ｇを重水（Ｄ化率：９９．８％）８８ｇに溶解した。こ
れにジクロロメタン２９０ｍｌに溶解した４−［トラン
ス−４−（３，４−ジフルオロフェニル）シクロヘキシ
ル］シクロヘキサノン２９２ｇを加え、更に臭化テトラ
ブチルアンモニウム３．０ｇを加えて８時間溶媒の還流
温度で加熱攪拌した。放冷後、有機層を分離し、水層は
ジクロロメタンで抽出した後に回収した。この抽出液に
分離した有機層を併せ、これを水で洗滌し、無水硫酸ナ
トリウムで脱水乾燥した。
【００９３】溶媒を溜去して、シクロヘキサノン環の２
位及び／又は６位が重水素置換されたｄ4−４−［トラ
ンス−４−（３，４−ジフルオロフェニル）シクロヘキ
シル］シクロヘキサノン２９３．５ｇを得た。薄層クロ
マトグラフィー（ＴＬＣ）及びキャピラリーガスクロマ
トグラフィーによる分析では不純物は全く生成していな
かった。ＮＭＲによりこの混合物のＤ化率を測定したと
ころ、約６７％であった。
位及び／又は６位が重水素置換されたｄ4−４−［トラ
ンス−４−（３，４−ジフルオロフェニル）シクロヘキ
シル］シクロヘキサノン２９３．５ｇを得た。薄層クロ
マトグラフィー（ＴＬＣ）及びキャピラリーガスクロマ
トグラフィーによる分析では不純物は全く生成していな
かった。ＮＭＲによりこの混合物のＤ化率を測定したと
ころ、約６７％であった。
【００９４】（１−ｂ）上記（１−ａ）において、使用
する重水（Ｄ2Ｏ）の量を１１７ｇとした以外は（１−
ａ）と同様にして、ｄ4−４−［トランス−４−（３，
４−ジフルオロフェニル）シクロヘキシル］シクロヘキ
サノンの混合物を得た。ＮＭＲによりこの混合物のＤ化
率を測定したところ、約７１％であった。
する重水（Ｄ2Ｏ）の量を１１７ｇとした以外は（１−
ａ）と同様にして、ｄ4−４−［トランス−４−（３，
４−ジフルオロフェニル）シクロヘキシル］シクロヘキ
サノンの混合物を得た。ＮＭＲによりこの混合物のＤ化
率を測定したところ、約７１％であった。
【００９５】（１−ｃ）上記（１−ａ）において、使用
する重水（Ｄ2Ｏ）の量を５９ｇとした以外は（１−
ａ）と同様にして、ｄ4−４−［トランス−４−（３，
４−ジフルオロフェニル）シクロヘキシル］シクロヘキ
サノンの混合物を得た。ＮＭＲによりこの混合物のＤ化
率を測定したところ、約５２％であった。
する重水（Ｄ2Ｏ）の量を５９ｇとした以外は（１−
ａ）と同様にして、ｄ4−４−［トランス−４−（３，
４−ジフルオロフェニル）シクロヘキシル］シクロヘキ
サノンの混合物を得た。ＮＭＲによりこの混合物のＤ化
率を測定したところ、約５２％であった。
【００９６】（１−ｄ）上記（１−ａ）において、使用
する重水（Ｄ2Ｏ）の量を１７５ｇとした以外は（１−
ａ）と同様にして、ｄ4−４−［トランス−４−（３，
４−ジフルオロフェニル）シクロヘキシル］シクロヘキ
サノンの混合物を得た。ＮＭＲによりこの混合物のＤ化
率を測定したところ、約７７％であった。
する重水（Ｄ2Ｏ）の量を１７５ｇとした以外は（１−
ａ）と同様にして、ｄ4−４−［トランス−４−（３，
４−ジフルオロフェニル）シクロヘキシル］シクロヘキ
サノンの混合物を得た。ＮＭＲによりこの混合物のＤ化
率を測定したところ、約７７％であった。
【００９７】（１−ｅ）上記（１−ａ）において、使用
する重水（Ｄ2Ｏ）の量を２３３ｇとした以外は（１−
ａ）と同様にして、ｄ4−４−［トランス−４−（３，
４−ジフルオロフェニル）シクロヘキシル］シクロヘキ
サノンの混合物を得た。ＮＭＲによりこの混合物のＤ化
率を測定したところ、約８０％であった。
する重水（Ｄ2Ｏ）の量を２３３ｇとした以外は（１−
ａ）と同様にして、ｄ4−４−［トランス−４−（３，
４−ジフルオロフェニル）シクロヘキシル］シクロヘキ
サノンの混合物を得た。ＮＭＲによりこの混合物のＤ化
率を測定したところ、約８０％であった。
【００９８】（実施例２） ４−［トランス−４−
（３，４，５−トリフルオロフェニル）シクロヘキシ
ル］シクロヘキサノンの重水素化
（３，４，５−トリフルオロフェニル）シクロヘキシ
ル］シクロヘキサノンの重水素化
【００９９】
【化２７】
【０１００】４−［トランス−４−（３，４，５−トリ
フルオロフェニル）シクロヘキシル］シクロヘキサノン
１０３．０ｇをジクロロメタン１００ｍｌに溶解した。
これにナトリウムメトキシド９．０ｇを重水（Ｄ2Ｏ）
（Ｄ化率：９９．８％）６３ｇに溶解して加え、更に臭
化テトラブチルアンモニウム１．５ｇを加えた。１０時
間加熱還流させた後、放冷し、有機層を分離した。水層
の反応生成物はジクロロメタンで抽出した。この抽出液
と分離した有機層を合わせ、これを水で洗滌し、無水硫
酸ナトリウムで脱水乾燥した。
フルオロフェニル）シクロヘキシル］シクロヘキサノン
１０３．０ｇをジクロロメタン１００ｍｌに溶解した。
これにナトリウムメトキシド９．０ｇを重水（Ｄ2Ｏ）
（Ｄ化率：９９．８％）６３ｇに溶解して加え、更に臭
化テトラブチルアンモニウム１．５ｇを加えた。１０時
間加熱還流させた後、放冷し、有機層を分離した。水層
の反応生成物はジクロロメタンで抽出した。この抽出液
と分離した有機層を合わせ、これを水で洗滌し、無水硫
酸ナトリウムで脱水乾燥した。
【０１０１】溶媒を溜去して、シクロヘキサノン環の２
位及び６位が重水素置換されたｄ4−４−［トランス−
４−（３，４，５−トリフルオロフェニル）シクロヘキ
シル］シクロヘキサノン２９３．５ｇを得た。薄層クロ
マトグラフィー（ＴＬＣ）及びキャピラリーガスクロマ
トグラフィーによる分析では不純物は全く生成していな
かった。ＮＭＲによりこの混合物のＤ化率を測定したと
ころ、約７０％であった。
位及び６位が重水素置換されたｄ4−４−［トランス−
４−（３，４，５−トリフルオロフェニル）シクロヘキ
シル］シクロヘキサノン２９３．５ｇを得た。薄層クロ
マトグラフィー（ＴＬＣ）及びキャピラリーガスクロマ
トグラフィーによる分析では不純物は全く生成していな
かった。ＮＭＲによりこの混合物のＤ化率を測定したと
ころ、約７０％であった。
【０１０２】（実施例３） ４−［トランス−４−（４
−トリフルオロメトキシフェニル）シクロヘキシル］シ
クロヘキサノンの重水素化
−トリフルオロメトキシフェニル）シクロヘキシル］シ
クロヘキサノンの重水素化
【０１０３】
【化２８】
【０１０４】４−［トランス−４−（３，４−ジフルオ
ロフェニル）シクロヘキシル］シクロヘキサノンに代え
て、４−［トランス−４−（４−トリフルオロメトキシ
フェニル）シクロヘキシル］シクロヘキサノンを用いた
以外は上記（１−ｅ）と同様にして、シクロヘキサノン
環の２位及び／又は６位が重水素置換されたｄ4−４−
［トランス−４−（４−トリフルオロメトキシフェニ
ル）シクロヘキシル］シクロヘキサノンを得た。ＮＭＲ
によりこの混合物のＤ化率を測定したところ、約８０％
であった。
ロフェニル）シクロヘキシル］シクロヘキサノンに代え
て、４−［トランス−４−（４−トリフルオロメトキシ
フェニル）シクロヘキシル］シクロヘキサノンを用いた
以外は上記（１−ｅ）と同様にして、シクロヘキサノン
環の２位及び／又は６位が重水素置換されたｄ4−４−
［トランス−４−（４−トリフルオロメトキシフェニ
ル）シクロヘキシル］シクロヘキサノンを得た。ＮＭＲ
によりこの混合物のＤ化率を測定したところ、約８０％
であった。
【０１０５】（実施例４）実施例１又は２と同様にし
て、ｄ4−４−［トランス−４−（４−メトキシフェニ
ル）シクロヘキシル］シクロヘキサノン、ｄ4−４−
［トランス−４−（３，５−ジフルオロ−４−メトキシ
フェニル）シクロヘキシル］シクロヘキサノン、ｄ4−
４−［トランス−４−（３−フルオロ−４−トリフルオ
ロメトキシフェニル）シクロヘキシル］シクロヘキサノ
ン、ｄ4−４−［トランス−４−（４−シアノフェニ
ル）シクロヘキシル］シクロヘキサノン、ｄ4−４−
［トランス−４−（３−フルオロ−４−シアノフェニ
ル）シクロヘキシル］シクロヘキサノン、ｄ4−４−
［トランス−４−（３，５−ジフルオロ−４−クロロフ
ェニル）シクロヘキシル］シクロヘキサノン、ｄ4−４
−［トランス−４−（４−プロピルフェニル）シクロヘ
キシル］シクロヘキサノン、ｄ4−４−［トランス−４
−［３，５−ジフルオロ−４−（２，２，２−トリフル
オロエトキシ）フェニル］シクロヘキシル］シクロヘキ
サノンの各混合物を得た。
て、ｄ4−４−［トランス−４−（４−メトキシフェニ
ル）シクロヘキシル］シクロヘキサノン、ｄ4−４−
［トランス−４−（３，５−ジフルオロ−４−メトキシ
フェニル）シクロヘキシル］シクロヘキサノン、ｄ4−
４−［トランス−４−（３−フルオロ−４−トリフルオ
ロメトキシフェニル）シクロヘキシル］シクロヘキサノ
ン、ｄ4−４−［トランス−４−（４−シアノフェニ
ル）シクロヘキシル］シクロヘキサノン、ｄ4−４−
［トランス−４−（３−フルオロ−４−シアノフェニ
ル）シクロヘキシル］シクロヘキサノン、ｄ4−４−
［トランス−４−（３，５−ジフルオロ−４−クロロフ
ェニル）シクロヘキシル］シクロヘキサノン、ｄ4−４
−［トランス−４−（４−プロピルフェニル）シクロヘ
キシル］シクロヘキサノン、ｄ4−４−［トランス−４
−［３，５−ジフルオロ−４−（２，２，２−トリフル
オロエトキシ）フェニル］シクロヘキシル］シクロヘキ
サノンの各混合物を得た。
【０１０６】（実施例５） ｄ4−４−［トランス−４
−（３，４−ジフルオロフェニル）シクロヘキシル］シ
クロヘキサンカルバルデヒドの合成
−（３，４−ジフルオロフェニル）シクロヘキシル］シ
クロヘキサンカルバルデヒドの合成
【０１０７】
【化２９】
【０１０８】塩化メトキシメチルトリフェニルホスホニ
ウム１５２．４ｇをＴＨＦ１５０ｍｌ及びトルエン４５
０ｍｌに懸濁し、氷冷した。これにｔ−ブトキシカリウ
ム５３．８ｇを、内温が５℃を超えないように２回にわ
けて加え、ウィッティヒ反応剤を調製した。１時間攪拌
した後、前記（１−ｄ）で得られたｄ4−４−［トラン
ス−４−（３，４−ジフルオロフェニル）シクロヘキシ
ル］シクロヘキサノン（Ｄ化率：約７７％）の１１５．
９ｇをトルエン２３０ｍｌに溶解して、内温１０℃以下
で滴下した。更に１時間攪拌した後、水４００ｍｌを加
え、更に少量の稀塩酸で中和した。有機層を減圧下に濃
縮し、ヘキサン２００ｍｌを加え、析出結晶を濾別し
た。濾液を水／メタノール混合溶媒で洗滌し、溶媒を溜
去して、中間体であるエノールエーテル体１４１ｇを得
た。この全量をＴＨＦ３００ｍｌに溶解し、同量の稀塩
酸を加えて２時間加熱還流させた。放冷後、反応生成物
を酢酸エチルで抽出し、抽出液を脱水した後、溶媒を溜
去した。エタノール５００ｍｌに溶解し、水酸化ナトリ
ウム２０％水溶液を滴下し、２時間攪拌した。水３００
ｍｌを加え、反応生成物をトルエンで抽出し、有機層を
水で洗滌した後、減圧下に溶媒を溜去して、ｄ4−４−
［トランス−４−（３，４−ジフルオロフェニル）シク
ロヘキシル］シクロヘキサンカルバルデヒド１１２ｇを
得た。
ウム１５２．４ｇをＴＨＦ１５０ｍｌ及びトルエン４５
０ｍｌに懸濁し、氷冷した。これにｔ−ブトキシカリウ
ム５３．８ｇを、内温が５℃を超えないように２回にわ
けて加え、ウィッティヒ反応剤を調製した。１時間攪拌
した後、前記（１−ｄ）で得られたｄ4−４−［トラン
ス−４−（３，４−ジフルオロフェニル）シクロヘキシ
ル］シクロヘキサノン（Ｄ化率：約７７％）の１１５．
９ｇをトルエン２３０ｍｌに溶解して、内温１０℃以下
で滴下した。更に１時間攪拌した後、水４００ｍｌを加
え、更に少量の稀塩酸で中和した。有機層を減圧下に濃
縮し、ヘキサン２００ｍｌを加え、析出結晶を濾別し
た。濾液を水／メタノール混合溶媒で洗滌し、溶媒を溜
去して、中間体であるエノールエーテル体１４１ｇを得
た。この全量をＴＨＦ３００ｍｌに溶解し、同量の稀塩
酸を加えて２時間加熱還流させた。放冷後、反応生成物
を酢酸エチルで抽出し、抽出液を脱水した後、溶媒を溜
去した。エタノール５００ｍｌに溶解し、水酸化ナトリ
ウム２０％水溶液を滴下し、２時間攪拌した。水３００
ｍｌを加え、反応生成物をトルエンで抽出し、有機層を
水で洗滌した後、減圧下に溶媒を溜去して、ｄ4−４−
［トランス−４−（３，４−ジフルオロフェニル）シク
ロヘキシル］シクロヘキサンカルバルデヒド１１２ｇを
得た。
【０１０９】（実施例６） ｄ4−４−［トランス−４
−（３，４，５−トリフルオロフェニル）シクロヘキシ
ル］シクロヘキサンカルバルデヒドの合成
−（３，４，５−トリフルオロフェニル）シクロヘキシ
ル］シクロヘキサンカルバルデヒドの合成
【０１１０】
【化３０】
【０１１１】実施例２で得られたｄ4−４−［トランス
−４−（３，４，５−トリフルオロフェニル）シクロヘ
キシル］シクロヘキサノンを用いた以外は実施例５と同
様にして、ｄ4−４−［トランス−４−（３，４，５−
トリフルオロフェニル）シクロヘキシル］シクロヘキサ
ンカルバルデヒドを得た。
−４−（３，４，５−トリフルオロフェニル）シクロヘ
キシル］シクロヘキサノンを用いた以外は実施例５と同
様にして、ｄ4−４−［トランス−４−（３，４，５−
トリフルオロフェニル）シクロヘキシル］シクロヘキサ
ンカルバルデヒドを得た。
【０１１２】（実施例７） ｄ4−４−［トランス−４
−（４−トリフルオロメトキシフェニル）シクロヘキシ
ル］シクロヘキサンカルバルデヒドの合成
−（４−トリフルオロメトキシフェニル）シクロヘキシ
ル］シクロヘキサンカルバルデヒドの合成
【０１１３】
【化３１】
【０１１４】実施例３で得られたｄ4−４−［トランス
−４−（４−トリフルオロメトキシフェニル）シクロヘ
キシル］シクロヘキサノンを用いた以外は実施例５と同
様にして、ｄ4−４−［トランス−４−（４−トリフル
オロメトキシフェニル）シクロヘキシル］シクロヘキサ
ンカルバルデヒドを得た。
−４−（４−トリフルオロメトキシフェニル）シクロヘ
キシル］シクロヘキサノンを用いた以外は実施例５と同
様にして、ｄ4−４−［トランス−４−（４−トリフル
オロメトキシフェニル）シクロヘキシル］シクロヘキサ
ンカルバルデヒドを得た。
【０１１５】（実施例８） ｄ4−４−［トランス−４
−（３，４，５−トリフルオロフェニル）シクロヘキシ
ル］シクロヘキサンプロパナールの合成
−（３，４，５−トリフルオロフェニル）シクロヘキシ
ル］シクロヘキサンプロパナールの合成
【０１１６】
【化３２】
【０１１７】臭化３−（１，３−ジオキソラン−２−イ
ル）プロピルトリフェニルホスホニウム５１．４ｇをト
ルエン２００ｍｌ及びＴＨＦ１００ｍｌに懸濁した。こ
れを５℃以下に氷冷し、ｔ−ブトキシカリウム１３．９
ｇを内温５℃以下で加えてウィッティヒ反応剤を調製し
た。これに実施例２で得られたｄ4−４−［トランス−
４−（３，４，５−トリフルオロフェニル）シクロヘキ
シル］シクロヘキサノン２６．０ｇをトルエン５０ｍｌ
に溶解し、内温が１０℃を超えないようにして滴下し、
１時間反応させた。反応終了後、水１００ｍｌを加え、
少量の稀塩酸を加えて反応液を中和した。有機層を減圧
下に濃縮し、ヘキサン１００ｍｌを加え、析出した結晶
を濾別した。濾液を水／メタノール混合溶媒で洗滌し、
溶媒を溜去して得られた粗生成物４５ｇを、シリカゲル
カラムクロマトグラフィー（ヘキサン／酢酸エチル＝４
／１）を用いて精製し、更にエタノールから再結晶させ
て精製して、ｄ4−３−［４−［トランス−４−（３，
４，５−トリフルオロフェニル）シクロヘキシル］シク
ロヘキシリデン］プロパナールエチレンアセタール２
７．２ｇを得た。この全量をトルエン４００ｍｌ及びト
リエチルアミン２８ｍｌに溶解し、パラジウム炭素５．
４ｇを加え、水素圧３気圧で４時間反応させた。触媒を
濾別した後、稀塩酸次いで水で洗滌し、溶媒を減圧化に
溜去して得られた粗結晶（シクロヘキサン環の配置がト
ランス／シス＝約８／２の混合物である）２６．５ｇ
を、トルエン／エタノール混合溶媒から再結晶させて精
製して、ｄ 4−トランス−４−［トランス−４−（３，
４，５−トリフルオロフェニル）シクロヘキシル］シク
ロヘキサンプロパナールエチレンアセタール１９．１ｇ
を得た。この全量をトルエン１００ｍｌに溶解し、蟻酸
３０ｍｌを加え、４時間室温で攪拌した。水を加え、有
機層を分離し、炭酸水素ナトリウム水溶液、水で洗滌
し、無水硫酸ナトリウムで脱水乾燥した。溶媒を溜去し
て、ｄ4−トランス−４−［トランス−４−（３，４，
５−トリフルオロフェニル）シクロヘキシル］シクロヘ
キサンプロパナール１７．１ｇを得た。
ル）プロピルトリフェニルホスホニウム５１．４ｇをト
ルエン２００ｍｌ及びＴＨＦ１００ｍｌに懸濁した。こ
れを５℃以下に氷冷し、ｔ−ブトキシカリウム１３．９
ｇを内温５℃以下で加えてウィッティヒ反応剤を調製し
た。これに実施例２で得られたｄ4−４−［トランス−
４−（３，４，５−トリフルオロフェニル）シクロヘキ
シル］シクロヘキサノン２６．０ｇをトルエン５０ｍｌ
に溶解し、内温が１０℃を超えないようにして滴下し、
１時間反応させた。反応終了後、水１００ｍｌを加え、
少量の稀塩酸を加えて反応液を中和した。有機層を減圧
下に濃縮し、ヘキサン１００ｍｌを加え、析出した結晶
を濾別した。濾液を水／メタノール混合溶媒で洗滌し、
溶媒を溜去して得られた粗生成物４５ｇを、シリカゲル
カラムクロマトグラフィー（ヘキサン／酢酸エチル＝４
／１）を用いて精製し、更にエタノールから再結晶させ
て精製して、ｄ4−３−［４−［トランス−４−（３，
４，５−トリフルオロフェニル）シクロヘキシル］シク
ロヘキシリデン］プロパナールエチレンアセタール２
７．２ｇを得た。この全量をトルエン４００ｍｌ及びト
リエチルアミン２８ｍｌに溶解し、パラジウム炭素５．
４ｇを加え、水素圧３気圧で４時間反応させた。触媒を
濾別した後、稀塩酸次いで水で洗滌し、溶媒を減圧化に
溜去して得られた粗結晶（シクロヘキサン環の配置がト
ランス／シス＝約８／２の混合物である）２６．５ｇ
を、トルエン／エタノール混合溶媒から再結晶させて精
製して、ｄ 4−トランス−４−［トランス−４−（３，
４，５−トリフルオロフェニル）シクロヘキシル］シク
ロヘキサンプロパナールエチレンアセタール１９．１ｇ
を得た。この全量をトルエン１００ｍｌに溶解し、蟻酸
３０ｍｌを加え、４時間室温で攪拌した。水を加え、有
機層を分離し、炭酸水素ナトリウム水溶液、水で洗滌
し、無水硫酸ナトリウムで脱水乾燥した。溶媒を溜去し
て、ｄ4−トランス−４−［トランス−４−（３，４，
５−トリフルオロフェニル）シクロヘキシル］シクロヘ
キサンプロパナール１７．１ｇを得た。
【０１１８】（実施例９） ｄ4−４−［トランス−４
−（３，４−ジフルオロフェニル）シクロヘキシル］シ
クロヘキサンプロパナールの合成
−（３，４−ジフルオロフェニル）シクロヘキシル］シ
クロヘキサンプロパナールの合成
【０１１９】
【化３３】
【０１２０】実施例（１−ｅ）で得られたｄ4−４−
［トランス−４−（３，４−ジフルオロフェニル）シク
ロヘキシル］シクロヘキサノン（Ｄ化率：約８０％）を
用いた以外は実施例８と同様にして、ｄ4−４−［トラ
ンス−４−（３，４−ジフルオロフェニル）シクロヘキ
シル］シクロヘキサンプロパナールを得た。
［トランス−４−（３，４−ジフルオロフェニル）シク
ロヘキシル］シクロヘキサノン（Ｄ化率：約８０％）を
用いた以外は実施例８と同様にして、ｄ4−４−［トラ
ンス−４−（３，４−ジフルオロフェニル）シクロヘキ
シル］シクロヘキサンプロパナールを得た。
【０１２１】（実施例１０） ｄ4−４−［トランス−
４−（４−トリフルオロメトキシフェニル）シクロヘキ
シル］シクロヘキサンプロパナールの合成
４−（４−トリフルオロメトキシフェニル）シクロヘキ
シル］シクロヘキサンプロパナールの合成
【０１２２】
【化３４】
【０１２３】実施例３で得られたｄ4−４−［トランス
−４−（４−トリフルオロメトキシフェニル）シクロヘ
キシル］シクロヘキサノンを用いた以外は実施例８と同
様にして、ｄ4−４−［トランス−４−（４−トリフル
オロメトキシフェニル）シクロヘキシル］シクロヘキサ
ンプロパナールを得た。
−４−（４−トリフルオロメトキシフェニル）シクロヘ
キシル］シクロヘキサノンを用いた以外は実施例８と同
様にして、ｄ4−４−［トランス−４−（４−トリフル
オロメトキシフェニル）シクロヘキシル］シクロヘキサ
ンプロパナールを得た。
【０１２４】（実施例１１） ｄ4−３，４−ジフルオ
ロ−１−［トランス−４−（トランス−４−エテニルシ
クロヘキシル）シクロヘキシル］ベンゼン（第１表中Ｎ
ｏ．４の混合物）の合成
ロ−１−［トランス−４−（トランス−４−エテニルシ
クロヘキシル）シクロヘキシル］ベンゼン（第１表中Ｎ
ｏ．４の混合物）の合成
【０１２５】
【化３５】
【０１２６】ヨウ化メチルトリフェニルホスホニウム２
６．６ｇをトルエン１００ｍｌ及びＴＨＦ２７ｍｌ中に
懸濁させ、５℃以下に氷冷した。ｔ−ブトキシカリウム
７．９５ｇを加え、１時間攪拌してウィッティヒ反応剤
を調製した。これに実施例５で得られたｄ4−４−［ト
ランス−４−（３，４−ジフルオロフェニル）シクロヘ
キシル］シクロヘキサンカルバルデヒド１５．０ｇのト
ルエン４０ｍｌ溶液を内温１０℃以下で滴下し、更に１
時間同温度で攪拌した。水１００ｍｌを加え、稀塩酸で
中和した後、有機層を分離し、減圧下に濃縮した。得ら
れた残渣をヘキサン１００ｍｌに溶解し、不溶物を濾別
した。濾液を水／メタノール混合溶媒で洗滌し、溶媒を
溜去して得られた粗生成物２１ｇをシリカゲルカラムク
ロマトグラフィー（ヘキサン）を用いて精製して、ｄ4
−３，４−ジフルオロ−１−［トランス−４−（トラン
ス−４−エテニルシクロヘキシル）シクロヘキシル］ベ
ンゼンの白色結晶１３．２ｇを得た。この混合物の相転
移温度は第１表にまとめて示した。
６．６ｇをトルエン１００ｍｌ及びＴＨＦ２７ｍｌ中に
懸濁させ、５℃以下に氷冷した。ｔ−ブトキシカリウム
７．９５ｇを加え、１時間攪拌してウィッティヒ反応剤
を調製した。これに実施例５で得られたｄ4−４−［ト
ランス−４−（３，４−ジフルオロフェニル）シクロヘ
キシル］シクロヘキサンカルバルデヒド１５．０ｇのト
ルエン４０ｍｌ溶液を内温１０℃以下で滴下し、更に１
時間同温度で攪拌した。水１００ｍｌを加え、稀塩酸で
中和した後、有機層を分離し、減圧下に濃縮した。得ら
れた残渣をヘキサン１００ｍｌに溶解し、不溶物を濾別
した。濾液を水／メタノール混合溶媒で洗滌し、溶媒を
溜去して得られた粗生成物２１ｇをシリカゲルカラムク
ロマトグラフィー（ヘキサン）を用いて精製して、ｄ4
−３，４−ジフルオロ−１−［トランス−４−（トラン
ス−４−エテニルシクロヘキシル）シクロヘキシル］ベ
ンゼンの白色結晶１３．２ｇを得た。この混合物の相転
移温度は第１表にまとめて示した。
【０１２７】（実施例１２） ｄ4−３，４−ジフルオ
ロ−１−［トランス−４−（トランス−４−エチルシク
ロヘキシル）シクロヘキシル］ベンゼン（第１表中Ｎ
ｏ．１の混合物）の合成
ロ−１−［トランス−４−（トランス−４−エチルシク
ロヘキシル）シクロヘキシル］ベンゼン（第１表中Ｎ
ｏ．１の混合物）の合成
【０１２８】
【化３６】
【０１２９】実施例１１で得られたｄ4−３，４−ジフ
ルオロ−１−［トランス−４−（トランス−４−エテニ
ルシクロヘキシル）シクロヘキシル］ベンゼン６．０ｇ
をトルエン９０ｍｌに溶解し、パラジウム炭素１．２ｇ
を加え、水素圧３気圧で５時間攪拌した。触媒を濾別
し、水洗し、無水硫酸ナトリウムで脱水乾燥した。減圧
下に溶媒を溜去し、得られた粗結晶５．９ｇをエタノー
ルから再結晶させて精製して、ｄ4−３，４−ジフルオ
ロ−１−［トランス−４−（トランス−４−エチルシク
ロヘキシル）シクロヘキシル］ベンゼン５．０ｇを得
た。この混合物の相転移温度は第１表にまとめて示し
た。
ルオロ−１−［トランス−４−（トランス−４−エテニ
ルシクロヘキシル）シクロヘキシル］ベンゼン６．０ｇ
をトルエン９０ｍｌに溶解し、パラジウム炭素１．２ｇ
を加え、水素圧３気圧で５時間攪拌した。触媒を濾別
し、水洗し、無水硫酸ナトリウムで脱水乾燥した。減圧
下に溶媒を溜去し、得られた粗結晶５．９ｇをエタノー
ルから再結晶させて精製して、ｄ4−３，４−ジフルオ
ロ−１−［トランス−４−（トランス−４−エチルシク
ロヘキシル）シクロヘキシル］ベンゼン５．０ｇを得
た。この混合物の相転移温度は第１表にまとめて示し
た。
【０１３０】（実施例１３） ｄ4−３，４−ジフルオ
ロ−１−［トランス−４−（トランス−４−プロピルシ
クロヘキシル）シクロヘキシル］ベンゼン（第１表中Ｎ
ｏ．２の混合物）の合成
ロ−１−［トランス−４−（トランス−４−プロピルシ
クロヘキシル）シクロヘキシル］ベンゼン（第１表中Ｎ
ｏ．２の混合物）の合成
【０１３１】
【化３７】
【０１３２】ヨウ化プロピルトリフェニルホスホニウ
ム、ｔ−ブトキシカリウムから調製したウィッティヒ反
応剤及び前記（１−ｅ）で得られたｄ4−４−［トラン
ス−４−（３，４−ジフルオロフェニル）シクロヘキシ
ル］シクロヘキサノン（Ｄ化率：約８０％）を実施例１
１と同様に反応させて、ｄ4−３，４−ジフルオロ−１
−［トランス−４−（４−プロピリデンシクロヘキシ
ル）シクロヘキシル］ベンゼンを得た。これを実施例８
と同様に還元し、シス体を分離除去して、ｄ4−３，４
−ジフルオロ−１−［トランス−４−（トランス−４−
プロピルシクロヘキシル）シクロヘキシル］ベンゼンを
得た。この混合物の相転移温度は第１表にまとめて示し
た。
ム、ｔ−ブトキシカリウムから調製したウィッティヒ反
応剤及び前記（１−ｅ）で得られたｄ4−４−［トラン
ス−４−（３，４−ジフルオロフェニル）シクロヘキシ
ル］シクロヘキサノン（Ｄ化率：約８０％）を実施例１
１と同様に反応させて、ｄ4−３，４−ジフルオロ−１
−［トランス−４−（４−プロピリデンシクロヘキシ
ル）シクロヘキシル］ベンゼンを得た。これを実施例８
と同様に還元し、シス体を分離除去して、ｄ4−３，４
−ジフルオロ−１−［トランス−４−（トランス−４−
プロピルシクロヘキシル）シクロヘキシル］ベンゼンを
得た。この混合物の相転移温度は第１表にまとめて示し
た。
【０１３３】（実施例１４） ｄ4−３，４−ジフルオ
ロ−１−［トランス−４−［トランス−４−（３−ブテ
ニル）シクロヘキシル］シクロヘキシル］ベンゼン（第
１表中Ｎｏ．５の混合物）の合成
ロ−１−［トランス−４−［トランス−４−（３−ブテ
ニル）シクロヘキシル］シクロヘキシル］ベンゼン（第
１表中Ｎｏ．５の混合物）の合成
【０１３４】
【化３８】
【０１３５】実施例９で得られたｄ4−４−［トランス
−４−（３，４−ジフルオロフェニル）シクロヘキシ
ル］シクロヘキサンプロパナールを用いた以外は実施例
１１と同様にして、ｄ4−３，４−ジフルオロ−１−
［トランス−４−［トランス−４−（３−ブテニル）シ
クロヘキシル］シクロヘキシル］ベンゼンを得た。この
混合物の相転移温度は第１表にまとめて示した。
−４−（３，４−ジフルオロフェニル）シクロヘキシ
ル］シクロヘキサンプロパナールを用いた以外は実施例
１１と同様にして、ｄ4−３，４−ジフルオロ−１−
［トランス−４−［トランス−４−（３−ブテニル）シ
クロヘキシル］シクロヘキシル］ベンゼンを得た。この
混合物の相転移温度は第１表にまとめて示した。
【０１３６】（実施例１５） ｄ4−３，４−ジフルオ
ロ−１−［トランス−４−（トランス−４−ブチルシク
ロヘキシル）シクロヘキシル］ベンゼン（第１表中Ｎ
ｏ．３の混合物）の合成
ロ−１−［トランス−４−（トランス−４−ブチルシク
ロヘキシル）シクロヘキシル］ベンゼン（第１表中Ｎ
ｏ．３の混合物）の合成
【０１３７】
【化３９】
【０１３８】実施例１４で得られたｄ4−３，４−ジフ
ルオロ−１−［トランス−４−［トランス−４−（３−
ブテニル）シクロヘキシル］シクロヘキシル］ベンゼン
を用いた以外は実施例１２と同様にして、ｄ4−３，４
−ジフルオロ−１−［トランス−４−（トランス−４−
ブチルシクロヘキシル）シクロヘキシル］ベンゼンを得
た。この混合物の相転移温度は第１表にまとめて示し
た。
ルオロ−１−［トランス−４−［トランス−４−（３−
ブテニル）シクロヘキシル］シクロヘキシル］ベンゼン
を用いた以外は実施例１２と同様にして、ｄ4−３，４
−ジフルオロ−１−［トランス−４−（トランス−４−
ブチルシクロヘキシル）シクロヘキシル］ベンゼンを得
た。この混合物の相転移温度は第１表にまとめて示し
た。
【０１３９】（実施例１６） ｄ4−３，４−ジフルオ
ロ−１−［トランス−４−［トランス−４−（３−メト
キシプロピル）シクロヘキシル］シクロヘキシル］ベン
ゼン（第１表中Ｎｏ．６の混合物）の合成
ロ−１−［トランス−４−［トランス−４−（３−メト
キシプロピル）シクロヘキシル］シクロヘキシル］ベン
ゼン（第１表中Ｎｏ．６の混合物）の合成
【０１４０】
【化４０】
【０１４１】水素化アルミニウムリチウム１．０ｇをＴ
ＨＦ１００ｍｌに懸濁させた。これに実施例９で得られ
たｄ4−トランス−４−［トランス−４−（３，４−ジ
フルオロフェニル）シクロヘキシル］シクロヘキサンプ
ロパナール１０．０ｇのＴＨＦ５０ｍｌ溶液を室温でゆ
っくり滴下した。滴下終了後、酢酸エチルを加えて過剰
の水素化物を分解し、次いで稀塩酸を加えて無機物を沈
澱させた。沈澱を傾しゃで除き、トルエンで洗浄し、有
機層を併せて無水硫酸マグネシウムで乾燥した。減圧下
に溶媒を溜去して、ｄ4−３−［トランス−４−［トラ
ンス−４−（３，４−ジフルオロフェニル）シクロヘキ
シル］シクロヘキシル］プロパノール９．８ｇを得た。
この全量をＴＨＦ３０ｍｌに溶解し、これをＴＨＦ６０
ｍｌ中に懸濁させた水素化ナトリウム１．０ｇ中に滴下
した。２時間室温で攪拌した後、ヨウ化メチル１０ｇを
滴下し、更に２４時間加熱還流下に攪拌した。反応終了
後、放冷し、水を加えて過剰の水素化物を分解した後、
反応液を稀塩酸で中和した。トルエンを加え、水層を分
離した後ＴＨＦの大部分を溜去し、次いで水で洗滌し無
水硫酸ナトリウムで脱水乾燥した。減圧下に溶媒を溜去
して得られた粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラ
フィー（ヘキサン／酢酸エチル＝５／１）を用いて精製
して、未反応のアルコールを分離し、ｄ4−３，４−ジ
フルオロ−１−［トランス−４−［トランス−４−（３
−メトキシプロピル）シクロヘキシル］シクロヘキシ
ル］ベンゼン４．３ｇを得た。この混合物の相転移温度
は第１表にまとめて示した。
ＨＦ１００ｍｌに懸濁させた。これに実施例９で得られ
たｄ4−トランス−４−［トランス−４−（３，４−ジ
フルオロフェニル）シクロヘキシル］シクロヘキサンプ
ロパナール１０．０ｇのＴＨＦ５０ｍｌ溶液を室温でゆ
っくり滴下した。滴下終了後、酢酸エチルを加えて過剰
の水素化物を分解し、次いで稀塩酸を加えて無機物を沈
澱させた。沈澱を傾しゃで除き、トルエンで洗浄し、有
機層を併せて無水硫酸マグネシウムで乾燥した。減圧下
に溶媒を溜去して、ｄ4−３−［トランス−４−［トラ
ンス−４−（３，４−ジフルオロフェニル）シクロヘキ
シル］シクロヘキシル］プロパノール９．８ｇを得た。
この全量をＴＨＦ３０ｍｌに溶解し、これをＴＨＦ６０
ｍｌ中に懸濁させた水素化ナトリウム１．０ｇ中に滴下
した。２時間室温で攪拌した後、ヨウ化メチル１０ｇを
滴下し、更に２４時間加熱還流下に攪拌した。反応終了
後、放冷し、水を加えて過剰の水素化物を分解した後、
反応液を稀塩酸で中和した。トルエンを加え、水層を分
離した後ＴＨＦの大部分を溜去し、次いで水で洗滌し無
水硫酸ナトリウムで脱水乾燥した。減圧下に溶媒を溜去
して得られた粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラ
フィー（ヘキサン／酢酸エチル＝５／１）を用いて精製
して、未反応のアルコールを分離し、ｄ4−３，４−ジ
フルオロ−１−［トランス−４−［トランス−４−（３
−メトキシプロピル）シクロヘキシル］シクロヘキシ
ル］ベンゼン４．３ｇを得た。この混合物の相転移温度
は第１表にまとめて示した。
【０１４２】また、この混合物はヨウ化（３−メトキシ
プロピル）トリフェニルホスホニウムとｔ−ブトキシカ
リウムから調製したウィッティヒ反応剤と、前記（１−
ｂ）で得られたｄ4−４−［トランス−４−（３，４−
ジフルオロフェニル）シクロヘキシル］シクロヘキサノ
ン（Ｄ化率：約７１％）を実施例１３と同様に反応させ
ることによっても得ることができる。
プロピル）トリフェニルホスホニウムとｔ−ブトキシカ
リウムから調製したウィッティヒ反応剤と、前記（１−
ｂ）で得られたｄ4−４−［トランス−４−（３，４−
ジフルオロフェニル）シクロヘキシル］シクロヘキサノ
ン（Ｄ化率：約７１％）を実施例１３と同様に反応させ
ることによっても得ることができる。
【０１４３】（実施例１７） ｄ4−３，４，５−トリ
フルオロ−１−［トランス−４−（トランス−４−エテ
ニルシクロヘキシル）シクロヘキシル］ベンゼン（第１
表中Ｎｏ．１０の混合物）の合成
フルオロ−１−［トランス−４−（トランス−４−エテ
ニルシクロヘキシル）シクロヘキシル］ベンゼン（第１
表中Ｎｏ．１０の混合物）の合成
【０１４４】
【化４１】
【０１４５】実施例６で得られたｄ4−４−［トランス
−４−（３，４，５−トリフルオロフェニル）シクロヘ
キシル］シクロヘキサンカルバルデヒドを用いた以外は
実施例１１と同様にして、ｄ4−３，４，５−トリフル
オロ−１−［トランス−４−（トランス−４−エテニル
シクロヘキシル）シクロヘキシル］ベンゼンを得た。こ
の混合物の相転移温度は第１表にまとめて示した。
−４−（３，４，５−トリフルオロフェニル）シクロヘ
キシル］シクロヘキサンカルバルデヒドを用いた以外は
実施例１１と同様にして、ｄ4−３，４，５−トリフル
オロ−１−［トランス−４−（トランス−４−エテニル
シクロヘキシル）シクロヘキシル］ベンゼンを得た。こ
の混合物の相転移温度は第１表にまとめて示した。
【０１４６】（実施例１８） ｄ4−３，４，５−トリ
フルオロ−１−［トランス−４−（トランス−４−エチ
ルシクロヘキシル）シクロヘキシル］ベンゼン（第１表
中Ｎｏ．７の混合物）の合成
フルオロ−１−［トランス−４−（トランス−４−エチ
ルシクロヘキシル）シクロヘキシル］ベンゼン（第１表
中Ｎｏ．７の混合物）の合成
【０１４７】
【化４２】
【０１４８】実施例１７で得られたｄ4−３，４，５−
トリフルオロ−１−［トランス−４−（トランス−４−
エテニルシクロヘキシル）シクロヘキシル］ベンゼンを
用いた以外は実施例１２と同様にして、ｄ4−３，４，
５−トリフルオロ−１−［トランス−４−（トランス−
４−エチルシクロヘキシル）シクロヘキシル］ベンゼン
を得た。この混合物の相転移温度は第１表にまとめて示
した。
トリフルオロ−１−［トランス−４−（トランス−４−
エテニルシクロヘキシル）シクロヘキシル］ベンゼンを
用いた以外は実施例１２と同様にして、ｄ4−３，４，
５−トリフルオロ−１−［トランス−４−（トランス−
４−エチルシクロヘキシル）シクロヘキシル］ベンゼン
を得た。この混合物の相転移温度は第１表にまとめて示
した。
【０１４９】（実施例１９） ｄ4−３，４，５−トリ
フルオロ−１−［トランス−４−［トランス−４−（ト
ランス−１−プロペニル）シクロヘキシル］シクロヘキ
シル］ベンゼン（Ｎｏ．１１の混合物）の合成
フルオロ−１−［トランス−４−［トランス−４−（ト
ランス−１−プロペニル）シクロヘキシル］シクロヘキ
シル］ベンゼン（Ｎｏ．１１の混合物）の合成
【０１５０】
【化４３】
【０１５１】実施例１１において、ヨウ化メチルトリフ
ェニルホスホニウムから調製したウィッティヒ反応剤に
代えて、臭化エチルトリフェニルホスホニウムから調製
したウィッティヒ反応剤を用い、実施例６で得られたｄ
4−４−［トランス−４−（３，４，５−トリフルオロ
フェニル）シクロヘキシル］シクロヘキサンカルバルデ
ヒド３２．０ｇを用いた以外は実施例１１と同様にし
て、油状のｄ4−３，４，５−トリフルオロ−１−［ト
ランス−４−［トランス−４−（シス−１−プロペニ
ル）シクロヘキシル］シクロヘキシル］ベンゼン２６．
１ｇを得た。このうち３．０ｇをトルエン１０ｍｌに溶
解し、１０％塩酸１５ｍｌを加えた。ベンゼンスルフィ
ン酸ナトリウム０．３ｇを加え、８時間加熱還流させ
た。放冷後、トルエン３０ｍｌを加え、水層及び不溶物
を除去し、稀塩酸、炭酸水素ナトリウム水溶液次いで水
で洗滌した。無水硫酸ナトリウムで脱水乾燥した後、溶
媒を溜去して原料とｄ4−３，４，５−トリフルオロ−
１−［トランス−４−［トランス−４−（トランス−１
−プロペニル）シクロヘキシル］シクロヘキシル］ベン
ゼンとの重量比約２０／８０の混合物を得た。この混合
物をエタノールから２回再結晶させて、ｄ4−３，４，
５−トリフルオロ−１−［トランス−４−［トランス−
４−（トランス−１−プロペニル）シクロヘキシル］シ
クロヘキシル］ベンゼンの白色結晶１．５６ｇを得た。
この混合物の相転移温度は第１表にまとめて示した。
ェニルホスホニウムから調製したウィッティヒ反応剤に
代えて、臭化エチルトリフェニルホスホニウムから調製
したウィッティヒ反応剤を用い、実施例６で得られたｄ
4−４−［トランス−４−（３，４，５−トリフルオロ
フェニル）シクロヘキシル］シクロヘキサンカルバルデ
ヒド３２．０ｇを用いた以外は実施例１１と同様にし
て、油状のｄ4−３，４，５−トリフルオロ−１−［ト
ランス−４−［トランス−４−（シス−１−プロペニ
ル）シクロヘキシル］シクロヘキシル］ベンゼン２６．
１ｇを得た。このうち３．０ｇをトルエン１０ｍｌに溶
解し、１０％塩酸１５ｍｌを加えた。ベンゼンスルフィ
ン酸ナトリウム０．３ｇを加え、８時間加熱還流させ
た。放冷後、トルエン３０ｍｌを加え、水層及び不溶物
を除去し、稀塩酸、炭酸水素ナトリウム水溶液次いで水
で洗滌した。無水硫酸ナトリウムで脱水乾燥した後、溶
媒を溜去して原料とｄ4−３，４，５−トリフルオロ−
１−［トランス−４−［トランス−４−（トランス−１
−プロペニル）シクロヘキシル］シクロヘキシル］ベン
ゼンとの重量比約２０／８０の混合物を得た。この混合
物をエタノールから２回再結晶させて、ｄ4−３，４，
５−トリフルオロ−１−［トランス−４−［トランス−
４−（トランス−１−プロペニル）シクロヘキシル］シ
クロヘキシル］ベンゼンの白色結晶１．５６ｇを得た。
この混合物の相転移温度は第１表にまとめて示した。
【０１５２】（実施例２０） ｄ4−３，４，５−トリ
フルオロ−１−［トランス−４−（トランス−４−プロ
ピルシクロヘキシル）シクロヘキシル］ベンゼン（第１
表中Ｎｏ．８の混合物）の合成
フルオロ−１−［トランス−４−（トランス−４−プロ
ピルシクロヘキシル）シクロヘキシル］ベンゼン（第１
表中Ｎｏ．８の混合物）の合成
【０１５３】
【化４４】
【０１５４】実施例１９で中間体として得られたｄ4−
３，４，５−トリフルオロ−１−［トランス−４−［ト
ランス−４−（シス−１−プロペニル）シクロヘキシ
ル］シクロヘキシル］ベンゼン２３．２ｇを用いた以外
は実施例１２と同様にして、ｄ 4−３，４，５−トリフ
ルオロ−１−［トランス−４−（トランス−４−プロピ
ルシクロヘキシル）シクロヘキシル］ベンゼン１５．３
ｇを得た。
３，４，５−トリフルオロ−１−［トランス−４−［ト
ランス−４−（シス−１−プロペニル）シクロヘキシ
ル］シクロヘキシル］ベンゼン２３．２ｇを用いた以外
は実施例１２と同様にして、ｄ 4−３，４，５−トリフ
ルオロ−１−［トランス−４−（トランス−４−プロピ
ルシクロヘキシル）シクロヘキシル］ベンゼン１５．３
ｇを得た。
【０１５５】この混合物の相転移温度を測定したとこ
ろ、融点は６０℃であり、９０．５℃までネマチック相
を示した。重水素化されていない３，４，５−トリフル
オロ−１−［トランス−４−（トランス−４−プロピル
シクロヘキシル）シクロヘキシル］ベンゼンの文献に記
載された相転移温度は、融点６２．３℃、ＴN-I：８
７．９℃であった。（第１８回液晶討論会予稿集１Ｂ５
０４に記載）
ろ、融点は６０℃であり、９０．５℃までネマチック相
を示した。重水素化されていない３，４，５−トリフル
オロ−１−［トランス−４−（トランス−４−プロピル
シクロヘキシル）シクロヘキシル］ベンゼンの文献に記
載された相転移温度は、融点６２．３℃、ＴN-I：８
７．９℃であった。（第１８回液晶討論会予稿集１Ｂ５
０４に記載）
【０１５６】（実施例２１） ｄ4−３，４，５−トリ
フルオロ−１−［トランス−４−［トランス−４−（ト
ランス−１−ブテニル）シクロヘキシル］シクロヘキシ
ル］ベンゼン（第２表中Ｎｏ．１２の混合物）の合成
フルオロ−１−［トランス−４−［トランス−４−（ト
ランス−１−ブテニル）シクロヘキシル］シクロヘキシ
ル］ベンゼン（第２表中Ｎｏ．１２の混合物）の合成
【０１５７】
【化４５】
【０１５８】実施例１９において、臭化エチルトリフェ
ニルホスホニウムから調製したウィッティヒ反応剤に代
えて、臭化プロピルトリフェニルホスホニウムから調製
したウィッティヒ反応剤を用いた以外は実施例１９と同
様にして、ｄ4−３，４，５−トリフルオロ−１−［ト
ランス−４−［トランス−４−（トランス−１−ブテニ
ル）シクロヘキシル］シクロヘキシル］ベンゼンを得
た。この混合物の相転移温度は第２表にまとめて示し
た。
ニルホスホニウムから調製したウィッティヒ反応剤に代
えて、臭化プロピルトリフェニルホスホニウムから調製
したウィッティヒ反応剤を用いた以外は実施例１９と同
様にして、ｄ4−３，４，５−トリフルオロ−１−［ト
ランス−４−［トランス−４−（トランス−１−ブテニ
ル）シクロヘキシル］シクロヘキシル］ベンゼンを得
た。この混合物の相転移温度は第２表にまとめて示し
た。
【０１５９】（実施例２２） ｄ4−３，４，５−トリ
フルオロ−１−［トランス−４−［トランス−４−（３
−ブテニル）シクロヘキシル］シクロヘキシル］ベンゼ
ン（第２表中Ｎｏ．１３の混合物）の合成
フルオロ−１−［トランス−４−［トランス−４−（３
−ブテニル）シクロヘキシル］シクロヘキシル］ベンゼ
ン（第２表中Ｎｏ．１３の混合物）の合成
【０１６０】
【化４６】
【０１６１】実施例８で得られたｄ4−４−［トランス
−４−（３，４，５−トリフルオロフェニル）シクロヘ
キシル］シクロヘキサンプロパナールを用いた以外は実
施例１１と同様にして、ｄ4−３，４，５−トリフルオ
ロ−１−［トランス−４−［トランス−４−（３−ブテ
ニル）シクロヘキシル］シクロヘキシル］ベンゼンを得
た。この混合物の相転移温度は第２表にまとめて示し
た。
−４−（３，４，５−トリフルオロフェニル）シクロヘ
キシル］シクロヘキサンプロパナールを用いた以外は実
施例１１と同様にして、ｄ4−３，４，５−トリフルオ
ロ−１−［トランス−４−［トランス−４−（３−ブテ
ニル）シクロヘキシル］シクロヘキシル］ベンゼンを得
た。この混合物の相転移温度は第２表にまとめて示し
た。
【０１６２】（実施例２３） ｄ4−３，４，５−トリ
フルオロ−１−［トランス−４−（トランス−４−ブチ
ルシクロヘキシル）シクロヘキシル］ベンゼン（第１表
中Ｎｏ．９の混合物）の合成
フルオロ−１−［トランス−４−（トランス−４−ブチ
ルシクロヘキシル）シクロヘキシル］ベンゼン（第１表
中Ｎｏ．９の混合物）の合成
【０１６３】
【化４７】
【０１６４】実施例２２で中間体として得られたｄ4−
３，４，５−トリフルオロ−１−［トランス−４−［ト
ランス−４−（シス−１−ブテニル）シクロヘキシル］
シクロヘキシル］ベンゼン２３．２ｇを用いた以外は実
施例１２と同様にして、ｄ4−３，４，５−トリフルオ
ロ−１−［トランス−４−（トランス−４−ブチルシク
ロヘキシル）シクロヘキシル］ベンゼン１５．６ｇを得
た。この混合物の相転移温度は第１表にまとめて示し
た。
３，４，５−トリフルオロ−１−［トランス−４−［ト
ランス−４−（シス−１−ブテニル）シクロヘキシル］
シクロヘキシル］ベンゼン２３．２ｇを用いた以外は実
施例１２と同様にして、ｄ4−３，４，５−トリフルオ
ロ−１−［トランス−４−（トランス−４−ブチルシク
ロヘキシル）シクロヘキシル］ベンゼン１５．６ｇを得
た。この混合物の相転移温度は第１表にまとめて示し
た。
【０１６５】（実施例２４） ｄ4−４−メトキシ−１
−［トランス−４−（トランス−４−プロピルシクロヘ
キシル）シクロヘキシル］ベンゼン（第２表中Ｎｏ．１
４の混合物）の合成
−［トランス−４−（トランス−４−プロピルシクロヘ
キシル）シクロヘキシル］ベンゼン（第２表中Ｎｏ．１
４の混合物）の合成
【０１６６】
【化４８】
【０１６７】実施例４で得られたｄ4−４−［トランス
−４−（４−メトキシフェニル）シクロヘキシル］シク
ロヘキサノンを用いた以外は実施例１３と同様にして、
ｄ4−４−メトキシ−１−［トランス−４−（トランス
−４−プロピルシクロヘキシル）シクロヘキシル］ベン
ゼンを得た。この混合物の相転移温度は第２表にまとめ
て示した。
−４−（４−メトキシフェニル）シクロヘキシル］シク
ロヘキサノンを用いた以外は実施例１３と同様にして、
ｄ4−４−メトキシ−１−［トランス−４−（トランス
−４−プロピルシクロヘキシル）シクロヘキシル］ベン
ゼンを得た。この混合物の相転移温度は第２表にまとめ
て示した。
【０１６８】（実施例２５） ｄ4−４−（トランス−
２−ブテニルオキシ）−１−［トランス−４−［トラン
ス−４−プロピルシクロヘキシル］シクロヘキシル］ベ
ンゼン（第２表中Ｎｏ．１５の混合物）の合成
２−ブテニルオキシ）−１−［トランス−４−［トラン
ス−４−プロピルシクロヘキシル］シクロヘキシル］ベ
ンゼン（第２表中Ｎｏ．１５の混合物）の合成
【０１６９】
【化４９】
【０１７０】実施例２４で得られたｄ4−４−メトキシ
−１−［トランス−４−（トランス−４−プロピルシク
ロヘキシル）シクロヘキシル］ベンゼン５．０ｇを酢酸
３０ｍｌに溶解し、４９％臭化水素酸３０ｍｌを加え、
還流下に１５時間加熱攪拌した。放冷した後、反応液を
水３００ｍｌにあけ、反応生成物をトルエンで抽出し、
炭酸水素ナトリウム水溶液、次いで水で洗滌した。溶媒
を溜去して得られた粗生成物をシリカゲルカラムクロマ
トグラフィー（ヘキサン／酢酸エチル＝５／１〜３／
１）を用いて精製し、更にヘキサンから再結晶させて精
製して、ｄ4−４−［トランス−４−（トランス−４−
プロピルシクロヘキシル）シクロヘキシル］フェノール
３．３ｇを得た。これをＴＨＦ１０ｍｌに溶解し、ＴＨ
Ｆ２０ｍｌに懸濁させた水素化ナトリウム０．３５ｇ中
に滴下し、更に１時間攪拌した。これにトランス−１−
ブロモ−２−ブテン２．０ｇを滴下し、６時間還流下に
加熱攪拌した。放冷した後、水を加え、過剰の水素化物
を分解し、反応生成物をトルエンで抽出し、水で洗滌し
た。溶媒を溜去して得られた粗生成物をシリカゲルカラ
ムクロマトグラフィーを用いて精製して、ｄ4−４−
（トランス−２−ブテニルオキシ）−１−［トランス−
４−［トランス−４−プロピルシクロヘキシル］シクロ
ヘキシル］ベンゼン２．６ｇを得た。この混合物の相転
移温度は第２表にまとめて示した。
−１−［トランス−４−（トランス−４−プロピルシク
ロヘキシル）シクロヘキシル］ベンゼン５．０ｇを酢酸
３０ｍｌに溶解し、４９％臭化水素酸３０ｍｌを加え、
還流下に１５時間加熱攪拌した。放冷した後、反応液を
水３００ｍｌにあけ、反応生成物をトルエンで抽出し、
炭酸水素ナトリウム水溶液、次いで水で洗滌した。溶媒
を溜去して得られた粗生成物をシリカゲルカラムクロマ
トグラフィー（ヘキサン／酢酸エチル＝５／１〜３／
１）を用いて精製し、更にヘキサンから再結晶させて精
製して、ｄ4−４−［トランス−４−（トランス−４−
プロピルシクロヘキシル）シクロヘキシル］フェノール
３．３ｇを得た。これをＴＨＦ１０ｍｌに溶解し、ＴＨ
Ｆ２０ｍｌに懸濁させた水素化ナトリウム０．３５ｇ中
に滴下し、更に１時間攪拌した。これにトランス−１−
ブロモ−２−ブテン２．０ｇを滴下し、６時間還流下に
加熱攪拌した。放冷した後、水を加え、過剰の水素化物
を分解し、反応生成物をトルエンで抽出し、水で洗滌し
た。溶媒を溜去して得られた粗生成物をシリカゲルカラ
ムクロマトグラフィーを用いて精製して、ｄ4−４−
（トランス−２−ブテニルオキシ）−１−［トランス−
４−［トランス−４−プロピルシクロヘキシル］シクロ
ヘキシル］ベンゼン２．６ｇを得た。この混合物の相転
移温度は第２表にまとめて示した。
【０１７１】（実施例２６） ｄ4−３，５−ジフルオ
ロ−４−メトキシ−１−［トランス−４−（トランス−
４−プロピルシクロヘキシル）シクロヘキシル］ベンゼ
ン（第２表Ｎｏ．１６の混合物）の合成
ロ−４−メトキシ−１−［トランス−４−（トランス−
４−プロピルシクロヘキシル）シクロヘキシル］ベンゼ
ン（第２表Ｎｏ．１６の混合物）の合成
【０１７２】
【化５０】
【０１７３】実施例４で得られたｄ4−４−［トランス
−４−（３，５−ジフルオロ−４−メトキシフェニル）
シクロヘキシル］シクロヘキサノンを用いた以外は実施
例１３と同様にして、ｄ4−３，５−ジフルオロ−４−
メトキシ−１−［トランス−４−（トランス−４−プロ
ピルシクロヘキシル）シクロヘキシル］ベンゼンを得
た。この混合物の相転移温度は第２表にまとめて示し
た。
−４−（３，５−ジフルオロ−４−メトキシフェニル）
シクロヘキシル］シクロヘキサノンを用いた以外は実施
例１３と同様にして、ｄ4−３，５−ジフルオロ−４−
メトキシ−１−［トランス−４−（トランス−４−プロ
ピルシクロヘキシル）シクロヘキシル］ベンゼンを得
た。この混合物の相転移温度は第２表にまとめて示し
た。
【０１７４】（実施例２７） ｄ4−４−トリフルオロ
メトキシ−１−［トランス−４−（トランス−４−エテ
ニルシクロヘキシル）シクロヘキシル］ベンゼン（第２
表中Ｎｏ．１９の化合物）の合成
メトキシ−１−［トランス−４−（トランス−４−エテ
ニルシクロヘキシル）シクロヘキシル］ベンゼン（第２
表中Ｎｏ．１９の化合物）の合成
【０１７５】
【化５１】
【０１７６】実施例７で得られたｄ4−４−［トランス
−４−（４−トリフルオロメトキシフェニル）シクロヘ
キシル］シクロヘキサンカルバルデヒド３９．０ｇを用
いた以外は実施例１１と同様にして、更にエタノールか
ら再結晶させて、ｄ4−４−トリフルオロメトキシ−１
−［トランス−４−（トランス−４−エテニルシクロヘ
キシル）シクロヘキシル］ベンゼン３３．０ｇを得た。
この混合物の相転移温度は第２表にまとめて示した。
−４−（４−トリフルオロメトキシフェニル）シクロヘ
キシル］シクロヘキサンカルバルデヒド３９．０ｇを用
いた以外は実施例１１と同様にして、更にエタノールか
ら再結晶させて、ｄ4−４−トリフルオロメトキシ−１
−［トランス−４−（トランス−４−エテニルシクロヘ
キシル）シクロヘキシル］ベンゼン３３．０ｇを得た。
この混合物の相転移温度は第２表にまとめて示した。
【０１７７】（実施例２８） ｄ4−４−トリフルオロ
メトキシ−１−［トランス−４−（トランス−４−エチ
ルシクロヘキシル）シクロヘキシル］ベンゼン（第２表
中Ｎｏ．１７の混合物）の合成
メトキシ−１−［トランス−４−（トランス−４−エチ
ルシクロヘキシル）シクロヘキシル］ベンゼン（第２表
中Ｎｏ．１７の混合物）の合成
【０１７８】
【化５２】
【０１７９】実施例２７で得られたｄ4−４−トリフル
オロメトキシ−１−［トランス−４−（トランス−４−
エテニルシクロヘキシル）シクロヘキシル］ベンゼン１
８．０ｇを用いた以外は実施例１２と同様にして、ｄ4
−４−トリフルオロメトキシ−１−［トランス−４−
（トランス−４−エチルシクロヘキシル）シクロヘキシ
ル］ベンゼン１３．０ｇを得た。この混合物の相転移温
度は第２表にまとめて示した。
オロメトキシ−１−［トランス−４−（トランス−４−
エテニルシクロヘキシル）シクロヘキシル］ベンゼン１
８．０ｇを用いた以外は実施例１２と同様にして、ｄ4
−４−トリフルオロメトキシ−１−［トランス−４−
（トランス−４−エチルシクロヘキシル）シクロヘキシ
ル］ベンゼン１３．０ｇを得た。この混合物の相転移温
度は第２表にまとめて示した。
【０１８０】（実施例２９） ｄ4−４−トリフルオロ
メトキシ−１−［トランス−４−（トランス−４−プロ
ピルシクロヘキシル）シクロヘキシル］ベンゼン（第２
表中Ｎｏ．１８の混合物）の合成
メトキシ−１−［トランス−４−（トランス−４−プロ
ピルシクロヘキシル）シクロヘキシル］ベンゼン（第２
表中Ｎｏ．１８の混合物）の合成
【０１８１】
【化５３】
【０１８２】実施例３で得られたｄ4−４−［トランス
−４−（４−トリフルオロメトキシフェニル）シクロヘ
キシル］シクロヘキサノンを用いた以外は実施例１３と
同様にして、ｄ4−４−トリフルオロメトキシ−１−
［トランス−４−（トランス−４−プロピルシクロヘキ
シル）シクロヘキシル］ベンゼンを得た。この混合物の
相転移温度は第２表にまとめて示した。
−４−（４−トリフルオロメトキシフェニル）シクロヘ
キシル］シクロヘキサノンを用いた以外は実施例１３と
同様にして、ｄ4−４−トリフルオロメトキシ−１−
［トランス−４−（トランス−４−プロピルシクロヘキ
シル）シクロヘキシル］ベンゼンを得た。この混合物の
相転移温度は第２表にまとめて示した。
【０１８３】（実施例３０） ｄ4−４−トリフルオロ
メトキシ−１−［トランス−４−［トランス−４−（３
−ブテニル）シクロヘキシル］シクロヘキシル］ベンゼ
ン（第２表中Ｎｏ．２０の混合物）の合成
メトキシ−１−［トランス−４−［トランス−４−（３
−ブテニル）シクロヘキシル］シクロヘキシル］ベンゼ
ン（第２表中Ｎｏ．２０の混合物）の合成
【０１８４】
【化５４】
【０１８５】実施例１０で得られたｄ4−４−［トラン
ス−４−（４−トリフルオロメトキシフェニル）シクロ
ヘキシル］シクロヘキサンプロパナール１５．５ｇを用
いた以外は実施例１１と同様にして、更にエタノールか
ら再結晶させて、ｄ4−４−トリフルオロメトキシ−１
−［トランス−４−［トランス−４−（３−ブテニル）
シクロヘキシル］シクロヘキシル］ベンゼン１０．２ｇ
を得た。この混合物の相転移温度は第２表にまとめて示
した。
ス−４−（４−トリフルオロメトキシフェニル）シクロ
ヘキシル］シクロヘキサンプロパナール１５．５ｇを用
いた以外は実施例１１と同様にして、更にエタノールか
ら再結晶させて、ｄ4−４−トリフルオロメトキシ−１
−［トランス−４−［トランス−４−（３−ブテニル）
シクロヘキシル］シクロヘキシル］ベンゼン１０．２ｇ
を得た。この混合物の相転移温度は第２表にまとめて示
した。
【０１８６】（実施例３１） ｄ4−３−フルオロ−４
−トリフルオロメトキシ−１−［トランス−４−（トラ
ンス−４−プロピルシクロヘキシル）シクロヘキシル］
ベンゼン（第２表中Ｎｏ．２１の混合物）の合成
−トリフルオロメトキシ−１−［トランス−４−（トラ
ンス−４−プロピルシクロヘキシル）シクロヘキシル］
ベンゼン（第２表中Ｎｏ．２１の混合物）の合成
【０１８７】
【化５５】
【０１８８】実施例４で得られたｄ4−４−［トランス
−４−（３−フルオロ−４−トリフルオロメトキシフェ
ニル）シクロヘキシル］シクロヘキサノンを用いた以外
は実施例１３と同様にして、ｄ4−３−フルオロ−４−
トリフルオロメトキシ−１−［トランス−４−（トラン
ス−４−プロピルシクロヘキシル）シクロヘキシル］ベ
ンゼンを得た。この混合物の相転移温度は第２表にまと
めて示した。
−４−（３−フルオロ−４−トリフルオロメトキシフェ
ニル）シクロヘキシル］シクロヘキサノンを用いた以外
は実施例１３と同様にして、ｄ4−３−フルオロ−４−
トリフルオロメトキシ−１−［トランス−４−（トラン
ス−４−プロピルシクロヘキシル）シクロヘキシル］ベ
ンゼンを得た。この混合物の相転移温度は第２表にまと
めて示した。
【０１８９】（実施例３２） ｄ4−３，５−ジフルオ
ロ−４−クロロ−１−［トランス−４−（トランス−４
−プロピルシクロヘキシル）シクロヘキシル］ベンゼン
（第３表中Ｎｏ．２２の混合物）の合成
ロ−４−クロロ−１−［トランス−４−（トランス−４
−プロピルシクロヘキシル）シクロヘキシル］ベンゼン
（第３表中Ｎｏ．２２の混合物）の合成
【０１９０】
【化５６】
【０１９１】実施例４で得られたｄ4−４−［トランス
−４−（３，５−ジフルオロ−４−クロロフェニル）シ
クロヘキシル］シクロヘキサノンを用いた以外は実施例
１３と同様にして、ｄ4−３，５−ジフルオロ−４−ク
ロロ−１−［トランス−４−（トランス−４−プロピル
シクロヘキシル）シクロヘキシル］ベンゼンを得た。こ
の混合物の相転移温度は第３表にまとめて示した。
−４−（３，５−ジフルオロ−４−クロロフェニル）シ
クロヘキシル］シクロヘキサノンを用いた以外は実施例
１３と同様にして、ｄ4−３，５−ジフルオロ−４−ク
ロロ−１−［トランス−４−（トランス−４−プロピル
シクロヘキシル）シクロヘキシル］ベンゼンを得た。こ
の混合物の相転移温度は第３表にまとめて示した。
【０１９２】（実施例３３） ｄ4−３，５−ジフルオ
ロ−４−（２，２，２−トリフルオロエトキシ）−１−
［トランス−４−（トランス−４−プロピルシクロヘキ
シル）シクロヘキシル］ベンゼン（第３表中Ｎｏ．２３
の混合物）の合成
ロ−４−（２，２，２−トリフルオロエトキシ）−１−
［トランス−４−（トランス−４−プロピルシクロヘキ
シル）シクロヘキシル］ベンゼン（第３表中Ｎｏ．２３
の混合物）の合成
【０１９３】
【化５７】
【０１９４】実施例２６で得られたｄ4−３，５−ジフ
ルオロ−４−メトキシ−１−［トランス−４−（トラン
ス−４−プロピルシクロヘキシル）シクロヘキシル］ベ
ンゼン６．０ｇを酢酸１２０ｍｌに溶解し、４９％臭化
水素酸１９０ｍｌを加え、１０時間加熱還流させた。放
冷した後、反応液を水にあけ、反応生成物をトルエンで
抽出し、水層が中性になるまで水で洗滌した。溶媒を溜
去して得られた粗結晶をシリカゲルカラムクロマトグラ
フィーを用いて精製して、ｄ4−３，５−ジフルオロ−
１−［トランス−４−（トランス−４−プロピルシクロ
ヘキシル）シクロヘキシル］フェノール４．１ｇを得
た。この２．０ｇをＤＭＦ５ｍｌに溶解し、ＴＨＦ１０
ｍｌに懸濁させた水素化ナトリウム０．２５ｇ中に滴下
した。１時間攪拌した後、これにｐ−トルエンスルホン
酸２，２，２−トリフルオロエチル（この化合物は２，
２，２−トリフルオロエタノールと塩化ｐ−トルエンス
ルホニルとをジクロロメタン中で等モルのピリジン存在
下に反応させて製造した。）２．０ｇを加え、１０時間
加熱還流させた。放冷した後、水を加え、反応生成物を
酢酸エチルで抽出した。抽出液を水で洗滌した後、溶媒
を溜去し、得られた粗生成物をシリカゲルカラムクロマ
トグラフィー（ヘキサン／酢酸エチル＝９／１）を用い
て精製し、更にエタノールから再結晶させて精製して、
ｄ4−３，５−ジフルオロ−４−（２，２，２−トリフ
ルオロエトキシ）−１−［トランス−４−（トランス−
４−プロピルシクロヘキシル）シクロヘキシル］ベンゼ
ン１．２ｇを得た。この混合物の相転移温度は第３表に
まとめて示した。
ルオロ−４−メトキシ−１−［トランス−４−（トラン
ス−４−プロピルシクロヘキシル）シクロヘキシル］ベ
ンゼン６．０ｇを酢酸１２０ｍｌに溶解し、４９％臭化
水素酸１９０ｍｌを加え、１０時間加熱還流させた。放
冷した後、反応液を水にあけ、反応生成物をトルエンで
抽出し、水層が中性になるまで水で洗滌した。溶媒を溜
去して得られた粗結晶をシリカゲルカラムクロマトグラ
フィーを用いて精製して、ｄ4−３，５−ジフルオロ−
１−［トランス−４−（トランス−４−プロピルシクロ
ヘキシル）シクロヘキシル］フェノール４．１ｇを得
た。この２．０ｇをＤＭＦ５ｍｌに溶解し、ＴＨＦ１０
ｍｌに懸濁させた水素化ナトリウム０．２５ｇ中に滴下
した。１時間攪拌した後、これにｐ−トルエンスルホン
酸２，２，２−トリフルオロエチル（この化合物は２，
２，２−トリフルオロエタノールと塩化ｐ−トルエンス
ルホニルとをジクロロメタン中で等モルのピリジン存在
下に反応させて製造した。）２．０ｇを加え、１０時間
加熱還流させた。放冷した後、水を加え、反応生成物を
酢酸エチルで抽出した。抽出液を水で洗滌した後、溶媒
を溜去し、得られた粗生成物をシリカゲルカラムクロマ
トグラフィー（ヘキサン／酢酸エチル＝９／１）を用い
て精製し、更にエタノールから再結晶させて精製して、
ｄ4−３，５−ジフルオロ−４−（２，２，２−トリフ
ルオロエトキシ）−１−［トランス−４−（トランス−
４−プロピルシクロヘキシル）シクロヘキシル］ベンゼ
ン１．２ｇを得た。この混合物の相転移温度は第３表に
まとめて示した。
【０１９５】（実施例３４） ｄ4−３，５−ジフルオ
ロ−４−ジフルオロメトキシ−１−［トランス−４−
（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）シクロヘキ
シル］ベンゼン（第３表中Ｎｏ．２４の混合物）の合成
ロ−４−ジフルオロメトキシ−１−［トランス−４−
（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）シクロヘキ
シル］ベンゼン（第３表中Ｎｏ．２４の混合物）の合成
【０１９６】
【化５８】
【０１９７】実施例３３で中間体として得られたｄ4−
３，５−ジフルオロ−１−［トランス−４−（トランス
−４−プロピルシクロヘキシル）シクロヘキシル］フェ
ノール２．０ｇをトルエン３０ｍｌに溶解し、蟻酸５ｍ
ｌ及びｐ−トルエンスルホン酸０．２ｇを加え、共沸す
る水を除去しながら５時間加熱還流させた。放冷した
後、水層が中性になるまで水で洗滌し、溶媒を溜去し
て、蟻酸ｄ4−３，５−ジフルオロ−１−［トランス−
４−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）シクロ
ヘキシル］フェニル２．１ｇを得た。これをジクロロメ
タン１０ｍｌ及びＴＨＦ１０ｍｌに溶解し、−１５℃に
冷却した。ジメチルアミノ三弗化硫黄（ＤＡＳＴ）１．
０ｇを加え、同温度で５時間攪拌し、０℃まで昇温し
た。反応液を炭酸水素ナトリウム水溶液にあけ、反応生
成物をトルエンで抽出し、抽出液を水で洗滌した後、溶
媒を溜去して得られた粗生成物をシリカゲルカラムクロ
マトグラフィー（ヘキサン／酢酸エチル＝１０）を用い
て精製して、ｄ4−３，５−ジフルオロ−４−ジフルオ
ロメトキシ−１−［トランス−４−（トランス−４−プ
ロピルシクロヘキシル）シクロヘキシル］ベンゼン０．
８ｇを得た。この混合物の相転移温度は第３表にまとめ
て示した。
３，５−ジフルオロ−１−［トランス−４−（トランス
−４−プロピルシクロヘキシル）シクロヘキシル］フェ
ノール２．０ｇをトルエン３０ｍｌに溶解し、蟻酸５ｍ
ｌ及びｐ−トルエンスルホン酸０．２ｇを加え、共沸す
る水を除去しながら５時間加熱還流させた。放冷した
後、水層が中性になるまで水で洗滌し、溶媒を溜去し
て、蟻酸ｄ4−３，５−ジフルオロ−１−［トランス−
４−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）シクロ
ヘキシル］フェニル２．１ｇを得た。これをジクロロメ
タン１０ｍｌ及びＴＨＦ１０ｍｌに溶解し、−１５℃に
冷却した。ジメチルアミノ三弗化硫黄（ＤＡＳＴ）１．
０ｇを加え、同温度で５時間攪拌し、０℃まで昇温し
た。反応液を炭酸水素ナトリウム水溶液にあけ、反応生
成物をトルエンで抽出し、抽出液を水で洗滌した後、溶
媒を溜去して得られた粗生成物をシリカゲルカラムクロ
マトグラフィー（ヘキサン／酢酸エチル＝１０）を用い
て精製して、ｄ4−３，５−ジフルオロ−４−ジフルオ
ロメトキシ−１−［トランス−４−（トランス−４−プ
ロピルシクロヘキシル）シクロヘキシル］ベンゼン０．
８ｇを得た。この混合物の相転移温度は第３表にまとめ
て示した。
【０１９８】（実施例３５） ｄ4−４−プロピル−１
−［トランス−４−（トランス−４−プロピルシクロヘ
キシル）シクロヘキシル］ベンゼン（第３表中Ｎｏ．２
５の混合物）の合成
−［トランス−４−（トランス−４−プロピルシクロヘ
キシル）シクロヘキシル］ベンゼン（第３表中Ｎｏ．２
５の混合物）の合成
【０１９９】
【化５９】
【０２００】実施例４で得られたｄ4−４−［トランス
−４−（４−プロピルフェニル）シクロヘキシル］シク
ロヘキサノンを用いた以外は実施例１３と同様にして、
ｄ4−４−プロピル−１−［トランス−４−（トランス
−４−プロピルシクロヘキシル）シクロヘキシル］ベン
ゼンを得た。この混合物の相転移温度は第３表にまとめ
て示した。
−４−（４−プロピルフェニル）シクロヘキシル］シク
ロヘキサノンを用いた以外は実施例１３と同様にして、
ｄ4−４−プロピル−１−［トランス−４−（トランス
−４−プロピルシクロヘキシル）シクロヘキシル］ベン
ゼンを得た。この混合物の相転移温度は第３表にまとめ
て示した。
【０２０１】（実施例３６） ｄ4−４−シアノ−１−
［トランス−４−（トランス−４−プロピルシクロヘキ
シル）シクロヘキシル］ベンゼン（第３表中Ｎｏ．２６
の混合物）の合成
［トランス−４−（トランス−４−プロピルシクロヘキ
シル）シクロヘキシル］ベンゼン（第３表中Ｎｏ．２６
の混合物）の合成
【０２０２】
【化６０】
【０２０３】実施例４で得られたｄ4−４−［トランス
−４−（４−シアノフェニル）シクロヘキシル］シクロ
ヘキサノンを用いた以外は実施例１３と同様にして、ｄ
4−４−シアノ−１−［トランス−４−（トランス−４
−プロピルシクロヘキシル）シクロヘキシル］ベンゼン
を得た。この混合物の相転移温度は第３表にまとめて示
した。
−４−（４−シアノフェニル）シクロヘキシル］シクロ
ヘキサノンを用いた以外は実施例１３と同様にして、ｄ
4−４−シアノ−１−［トランス−４−（トランス−４
−プロピルシクロヘキシル）シクロヘキシル］ベンゼン
を得た。この混合物の相転移温度は第３表にまとめて示
した。
【０２０４】（実施例３７） ｄ4−３−フルオロ−４
−シアノ−１−［トランス−４−（トランス−４−プロ
ピルシクロヘキシル）シクロヘキシル］ベンゼン（第３
表中Ｎｏ．２７の混合物）の合成
−シアノ−１−［トランス−４−（トランス−４−プロ
ピルシクロヘキシル）シクロヘキシル］ベンゼン（第３
表中Ｎｏ．２７の混合物）の合成
【０２０５】
【化６１】
【０２０６】実施例４で得られたｄ4−４−［トランス
−４−（３−フルオロ−４−シアノフェニル）シクロヘ
キシル］シクロヘキサノンを用いた以外は実施例１３と
同様にして、ｄ4−３−フルオロ−４−シアノ−１−
［トランス−４−（トランス−４−プロピルシクロヘキ
シル）シクロヘキシル］ベンゼンを得た。この混合物の
相転移温度は第３表にまとめて示した。
−４−（３−フルオロ−４−シアノフェニル）シクロヘ
キシル］シクロヘキサノンを用いた以外は実施例１３と
同様にして、ｄ4−３−フルオロ−４−シアノ−１−
［トランス−４−（トランス−４−プロピルシクロヘキ
シル）シクロヘキシル］ベンゼンを得た。この混合物の
相転移温度は第３表にまとめて示した。
【０２０７】（実施例３８） 液晶組成物の調製（１）
【０２０８】
【化６２】
【０２０９】（式中、シクロヘキサン環はトランス配置
を表わす。）からなる母体液晶（Ａ）を調製したとこ
ろ、５４．５℃以下でネマチック（Ｎ）相を示した。こ
の母体液晶（Ａ）８５重量％及び実施例１３で得られた
（Ｎｏ．２）
を表わす。）からなる母体液晶（Ａ）を調製したとこ
ろ、５４．５℃以下でネマチック（Ｎ）相を示した。こ
の母体液晶（Ａ）８５重量％及び実施例１３で得られた
（Ｎｏ．２）
【０２１０】
【化６３】
【０２１１】の混合物１５重量％からなる混合液晶
（Ｂ）を調製した。この混合液晶（Ｂ）のＮ相の上限温
度は６２．１℃であった。また、この混合液晶（Ｂ）を
−２０℃で保存したところ、１カ月経過後も結晶の析出
は観察できなかった。
（Ｂ）を調製した。この混合液晶（Ｂ）のＮ相の上限温
度は６２．１℃であった。また、この混合液晶（Ｂ）を
−２０℃で保存したところ、１カ月経過後も結晶の析出
は観察できなかった。
【０２１２】（比較例１）母体液晶（Ａ）８５重量％及
び重水素置換されていない式（Ｒ−１）
び重水素置換されていない式（Ｒ−１）
【０２１３】
【化６４】
【０２１４】の化合物１５重量％からなる混合液晶
（Ｃ）を調製した。この混合液晶（Ｃ）のＮ相の上限温
度は６２．３℃であった。また、この混合液晶（Ｃ）を
−２０℃で保存したところ、５日後には結晶の析出が認
められた。
（Ｃ）を調製した。この混合液晶（Ｃ）のＮ相の上限温
度は６２．３℃であった。また、この混合液晶（Ｃ）を
−２０℃で保存したところ、５日後には結晶の析出が認
められた。
【０２１５】（実施例３９） 液晶組成物の調製（２） 実施例１１で得られた（Ｎｏ．４）の混合物５０重量％
及び実施例１４で得られた（Ｎｏ．５）の混合物５０重
量％からなる混合液晶（Ｄ）
及び実施例１４で得られた（Ｎｏ．５）の混合物５０重
量％からなる混合液晶（Ｄ）
【０２１６】
【化６５】
【０２１７】を調製した。この混合液晶を低温で結晶化
させた後、徐々に温度を上昇させて融点を測定したとこ
ろ、４℃と低く、ネマチック相の上限温度（ＴN-I）は
１１４℃であった。また、屈折率異方性（Δｎ）は０．
０９０、誘電率異方性（Δε）は＋４．８であった。
させた後、徐々に温度を上昇させて融点を測定したとこ
ろ、４℃と低く、ネマチック相の上限温度（ＴN-I）は
１１４℃であった。また、屈折率異方性（Δｎ）は０．
０９０、誘電率異方性（Δε）は＋４．８であった。
【０２１８】次に、この混合液晶を厚さ６．０μｍのＴ
Ｎセルに封入してそのしきい値電圧（Ｖth）を測定した
ところ、２．１４Ｖであった。この混合液晶（Ｄ）を１
０℃で保存したところ、１カ月経過後も結晶の析出は観
察されなかった。
Ｎセルに封入してそのしきい値電圧（Ｖth）を測定した
ところ、２．１４Ｖであった。この混合液晶（Ｄ）を１
０℃で保存したところ、１カ月経過後も結晶の析出は観
察されなかった。
【０２１９】（比較例２）ＴＦＴ液晶表示用材料として
好適な化合物からなる混合液晶（Ｅ）、
好適な化合物からなる混合液晶（Ｅ）、
【０２２０】
【化６６】
【０２２１】を調製し、そのネマチック相上限温度（Ｔ
N-I）を測定したところ、１１６℃と混合液晶（Ｄ）よ
りわずかに上昇した。しかしながら、その融点は１１℃
と非常に高かった。同様にしてこの混合液晶の諸特性を
測定したところ、屈折率異方性（Δｎ）は０．０９０、
誘電率異方性（Δε）は＋４．８、しきい値電圧
（Ｖth）は２．１４Ｖであった。
N-I）を測定したところ、１１６℃と混合液晶（Ｄ）よ
りわずかに上昇した。しかしながら、その融点は１１℃
と非常に高かった。同様にしてこの混合液晶の諸特性を
測定したところ、屈折率異方性（Δｎ）は０．０９０、
誘電率異方性（Δε）は＋４．８、しきい値電圧
（Ｖth）は２．１４Ｖであった。
【０２２２】この混合液晶（Ｅ）を１０℃で保存したと
ころ、３日後には結晶の析出が観察された。
ころ、３日後には結晶の析出が観察された。
【０２２３】
【発明の効果】本発明の一般式（Ｉ）で表わされる重水
素置換された化合物からなる混合物は、実施例にも示し
たように市販の入手容易な化合物から工業的にも容易に
製造することができ、他の液晶化合物との相溶性にも優
れている。従って、現在汎用されている液晶材料に添加
した場合、ＴN-I点を大きく低下させることなく、しか
も電気光学的特性を低減させることもなく、例えば、−
２０℃の低温領域においても結晶を析出させないという
優れた効果が得られる。従って、低温領域で使用される
液晶表示装置、特にＴＮ、ＳＴＮ、アクティブマトリク
ス表示装置の構成材料として極めて有用である。
素置換された化合物からなる混合物は、実施例にも示し
たように市販の入手容易な化合物から工業的にも容易に
製造することができ、他の液晶化合物との相溶性にも優
れている。従って、現在汎用されている液晶材料に添加
した場合、ＴN-I点を大きく低下させることなく、しか
も電気光学的特性を低減させることもなく、例えば、−
２０℃の低温領域においても結晶を析出させないという
優れた効果が得られる。従って、低温領域で使用される
液晶表示装置、特にＴＮ、ＳＴＮ、アクティブマトリク
ス表示装置の構成材料として極めて有用である。
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成７年２月１６日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正内容】
【００３４】以上述べたように、液晶組成物はその表示
方式や駆動方式に適応するように種々の液晶化合物を混
合することによって調製されるが、現在使用されている
液晶化合物だけでは特性の改善には限界がある。特に、
汎用の液晶組成物は電気光学的特性を満足することに主
眼が置かれて組成設計されている場合が多い。しかしな
がら、そのような汎用の液晶組成物の中でも、特にＴＦ
ＴやＭＩＭ等のアクティブマトリクス駆動方式用の液晶
組成物や、ＳＴＮ液晶表示装置用の液晶組成物において
は、（１）の液晶相の温度範囲が広いものであって、且
つ低温領域で結晶が析出しないことで、実用上高い信頼
性を得ている材料はほとんど存在しない。
方式や駆動方式に適応するように種々の液晶化合物を混
合することによって調製されるが、現在使用されている
液晶化合物だけでは特性の改善には限界がある。特に、
汎用の液晶組成物は電気光学的特性を満足することに主
眼が置かれて組成設計されている場合が多い。しかしな
がら、そのような汎用の液晶組成物の中でも、特にＴＦ
ＴやＭＩＭ等のアクティブマトリクス駆動方式用の液晶
組成物や、ＳＴＮ液晶表示装置用の液晶組成物において
は、（１）の液晶相の温度範囲が広いものであって、且
つ低温領域で結晶が析出しないことで、実用上高い信頼
性を得ている材料はほとんど存在しない。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５７
【補正方法】変更
【補正内容】
【００５７】（式中、ｍは０〜１０の整数を表わし、Ｙ
1、Ｙ2、Ｚ、Ｘ1、Ｘ2、Ｘ3及びＸ4は一般式（Ｉ）にお
けると同じ意味を表わす。）で表わされる重水素置換さ
れた４−（４−フェニルシクロヘキシル）シクロヘキサ
ンアルカナール誘導体のうち、ｍ＝０の化合物を得るこ
とができる。この一般式（ＩＩＩ）においてｍ＝０の化
合物と前述の式（ＩＶａ）の化合物との反応を更にｍ回
繰り返すことにより、一般式（ＩＩＩ）においてｍ≧１
の化合物を得ることができる。
1、Ｙ2、Ｚ、Ｘ1、Ｘ2、Ｘ3及びＸ4は一般式（Ｉ）にお
けると同じ意味を表わす。）で表わされる重水素置換さ
れた４−（４−フェニルシクロヘキシル）シクロヘキサ
ンアルカナール誘導体のうち、ｍ＝０の化合物を得るこ
とができる。この一般式（ＩＩＩ）においてｍ＝０の化
合物と前述の式（ＩＶａ）の化合物との反応を更にｍ回
繰り返すことにより、一般式（ＩＩＩ）においてｍ≧１
の化合物を得ることができる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６２
【補正方法】変更
【補正内容】
【００６２】
【化１５】Ｒ3ＣＨ＝ＰＰｈ3 （ＩＶｃ） （式中、Ｒ3は水素原子（Ｈ）又は炭素原子数１〜８の
アルキル基を表わし、Ｐｈはフェニル基を表わす。）の
ウィッティヒ反応剤とを反応させることにより、Ｒ1が
任意の位置に二重結合を有するアルケニル基である一般
式（Ｉｂ）の化合物を得ることができる。一般式（ＩＶ
ｃ）において、Ｒ3が水素原子（Ｈ）以外の場合にはア
ルケニル基の二重結合はシス体が主として得られるが、
これはベンゼンスルフィン酸等によりトランス体に異性
化させることが可能である。 （ロ）一般式（Ｉ）において、Ｒ1＝アルキル基である
混合物の場合 前述の（イ）で得られるＲ1がアルケニル基の化合物を
水素添加することにより、対応するＲ1がアルキル基で
ある一般式（Ｉａ）の化合物を得ることができる。
アルキル基を表わし、Ｐｈはフェニル基を表わす。）の
ウィッティヒ反応剤とを反応させることにより、Ｒ1が
任意の位置に二重結合を有するアルケニル基である一般
式（Ｉｂ）の化合物を得ることができる。一般式（ＩＶ
ｃ）において、Ｒ3が水素原子（Ｈ）以外の場合にはア
ルケニル基の二重結合はシス体が主として得られるが、
これはベンゼンスルフィン酸等によりトランス体に異性
化させることが可能である。 （ロ）一般式（Ｉ）において、Ｒ1＝アルキル基である
混合物の場合 前述の（イ）で得られるＲ1がアルケニル基の化合物を
水素添加することにより、対応するＲ1がアルキル基で
ある一般式（Ｉａ）の化合物を得ることができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７１
【補正方法】変更
【補正内容】
【００７１】
【化２０】Ｒ2−Ｗ （式中、Ｒ2は一般式（Ｉ）におけると同じ意味を表わ
し、Ｗは塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子、ｐ−トルエ
ンスルホニル基等の脱離基を表わす。）と塩基存在下に
反応させることにより得ることができる。 （ハ）一般式（Ｉ）において、Ｒ1＝アルコキシアルキ
ル基である混合物の場合 一般式（ＩＩＩ）の化合物を、水素化アルミニウムリチ
ウムあるいは水素化ホウ酸ナトリウム等により還元し
て、一般式（ＶＩ）
し、Ｗは塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子、ｐ−トルエ
ンスルホニル基等の脱離基を表わす。）と塩基存在下に
反応させることにより得ることができる。 （ハ）一般式（Ｉ）において、Ｒ1＝アルコキシアルキ
ル基である混合物の場合 一般式（ＩＩＩ）の化合物を、水素化アルミニウムリチ
ウムあるいは水素化ホウ酸ナトリウム等により還元し
て、一般式（ＶＩ）
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８８
【補正方法】変更
【補正内容】
【００８８】なお、各混合物における化合物の構造は、
重水素化されていない既知の化合物と、キャピラリーガ
スクロマトグラフ及び薄層クロマトグラフを比較し、同
一の保持時間（あるいはＲｆ値）を示すこと、及び核磁
気共鳴スペクトル（ＮＭＲ）、質量スペクトル（Ｍ
Ｓ）、赤外吸収スペクトル（ＩＲ）により確認した。ま
た、混合物全体としてのＤ化率はＮＭＲにより測定した
が、その測定に用いたＮＭＲは日本電子（株）製ＪＮＭ
−ＧＳＸ４００（４００ＭＨZ 1Ｈ）である。なお、Ｄ化
率は一般式（ＩＩ）の混合物について測定し、一般式
（Ｉ）及び一般式（ＩＩＩ）の混合物のＤ化率は原料と
して用いた一般式（ＩＩ）の混合物のＤ化率をそのまま
用いた。
重水素化されていない既知の化合物と、キャピラリーガ
スクロマトグラフ及び薄層クロマトグラフを比較し、同
一の保持時間（あるいはＲｆ値）を示すこと、及び核磁
気共鳴スペクトル（ＮＭＲ）、質量スペクトル（Ｍ
Ｓ）、赤外吸収スペクトル（ＩＲ）により確認した。ま
た、混合物全体としてのＤ化率はＮＭＲにより測定した
が、その測定に用いたＮＭＲは日本電子（株）製ＪＮＭ
−ＧＳＸ４００（４００ＭＨZ 1Ｈ）である。なお、Ｄ化
率は一般式（ＩＩ）の混合物について測定し、一般式
（Ｉ）及び一般式（ＩＩＩ）の混合物のＤ化率は原料と
して用いた一般式（ＩＩ）の混合物のＤ化率をそのまま
用いた。
フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｃ０７Ｃ 255/54 Ｃ０９Ｋ 19/54 Ｚ 9279−4Ｈ
Claims (7)
- 【請求項１】 一般式（Ｉ） 【化１】 （式中、Ｒ1は炭素原子数１〜１２のアルキル基、アル
ケニル基又はアルコキシアルキル基を表わし、Ｘ1、
Ｘ2、Ｘ3及びＸ4はそれぞれ独立的に、水素原子（Ｈ）
又は重水素原子（Ｄ）を表わすが、このうち少なくとも
１個は重水素原子（Ｄ）を表わし、Ｙ1及びＹ2はそれぞ
れ独立的に水素原子又はフッ素原子を表わし、Ｚはフッ
素原子、塩素原子、シアノ基、−Ｒ2、−ＯＲ2、−ＣＦ
3、−ＯＣＦ3、−ＯＣＦ2Ｈ又は−ＯＣＨ2ＣＦ3を表わ
し、Ｒ2は炭素原子数１〜１２のアルキル基又は炭素原
子数２〜１２のアルケニル基を表わし、シクロヘキサン
環はトランス配置である。）で表わされる２種以上の化
合物が、（１）互いにＸ1〜Ｘ4における重水素原子
（Ｄ）の数及び／又は置換位置が異なり、且つ（２）互
いにＲ1、Ｙ1、Ｙ2及びＺが同一であることを特徴とす
る、前記一般式（Ｉ）で表わされる化合物の２種以上か
らなる混合物。 - 【請求項２】 Ｒ1が炭素原子数１〜７の直鎖状アルキ
ル基又はアルケニル基を表わし、Ｚがフッ素原子、塩素
原子、シアノ基、炭素原子数１〜７の直鎖状アルキル基
又はアルコキシル基、−ＯＣＦ3又は−ＯＣＨ2ＣＦ3で
あることを特徴とする請求項１記載の混合物。 - 【請求項３】 一般式（Ｉ）で表わされる２種以上の化
合物におけるＸ1、Ｘ2、Ｘ3及びＸ4の総数に対して、重
水素原子（Ｄ）の数の割合が３０〜９５％の範囲にある
ことを特徴とする請求項１記載の混合物。 - 【請求項４】 一般式（ＩＩ） 【化２】 （式中、Ｘ1、Ｘ2、Ｘ3及びＸ4はそれぞれ独立的に水素
原子（Ｈ）又は重水素原子（Ｄ）を表わすが、このうち
少なくとも１個は重水素原子（Ｄ）を表わし、Ｙ1及び
Ｙ2はそれぞれ独立的に水素原子又はフッ素原子を表わ
し、Ｚはフッ素原子、塩素原子、シアノ基、−Ｒ2、−
ＯＲ2、−ＣＦ3、−ＯＣＦ3、−ＯＣＦ2Ｈ又は−ＯＣＨ
2ＣＦ3を表わし、Ｒ2は炭素原子数１〜１２のアルキル
基又は炭素原子数２〜１２のアルケニル基を表わし、シ
クロヘキサン環はトランス配置である。）で表わされる
化合物。 - 【請求項５】 請求項４記載の一般式（ＩＩ）で表わさ
れる２種以上の化合物が、（１）互いにＸ1〜Ｘ4におけ
る重水素原子（Ｄ）の数及び／又は置換位置が異なり、
且つ（２）互いにＹ1、Ｙ2及びＺが同一であることを特
徴とする、請求項４記載の一般式（ＩＩ）で表わされる
化合物の２種以上からなる混合物。 - 【請求項６】 一般式（ＩＩＩ） 【化３】 （式中、ｍは０〜１０の整数を表わし、Ｘ1、Ｘ2、Ｘ3
及びＸ4はそれぞれ独立的に水素原子（Ｈ）又は重水素
原子（Ｄ）を表わすが、このうち少なくとも１個は重水
素原子（Ｄ）を表わし、Ｙ1及びＹ2はそれぞれ独立的に
水素原子又はフッ素原子を表わし、Ｚはフッ素原子、塩
素原子、シアノ基、−Ｒ2、−ＯＲ2、−ＣＦ 3、−ＯＣ
Ｆ3、−ＯＣＦ2Ｈ又は−ＯＣＨ2ＣＦ3を表わし、Ｒ2は
炭素原子数１〜１２のアルキル基又は炭素原子数２〜１
２のアルケニル基を表わし、シクロヘキサン環はトラン
ス配置である。）で表わされる化合物。 - 【請求項７】 請求項６記載の一般式（ＩＩＩ）で表わ
される２種以上の化合物が、（１）互いにＸ1〜Ｘ4にお
ける重水素原子（Ｄ）の数及び／又は置換位置が異な
り、且つ（２）互いにｍ、Ｙ1、Ｙ2及びＺが同一である
ことを特徴とする、請求項６記載の一般式（ＩＩＩ）で
表わされる化合物の２種以上からなる混合物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5290853A JPH07138567A (ja) | 1993-11-19 | 1993-11-19 | フェニルビシクロヘキサン誘導体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5290853A JPH07138567A (ja) | 1993-11-19 | 1993-11-19 | フェニルビシクロヘキサン誘導体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07138567A true JPH07138567A (ja) | 1995-05-30 |
Family
ID=17761341
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5290853A Pending JPH07138567A (ja) | 1993-11-19 | 1993-11-19 | フェニルビシクロヘキサン誘導体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07138567A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001042793A (ja) * | 1999-07-27 | 2001-02-16 | Dainippon Ink & Chem Inc | ネマチック液晶組成物及びこれを用いた液晶表示装置 |
| JP2002220356A (ja) * | 2001-01-26 | 2002-08-09 | Dainippon Ink & Chem Inc | メチレンシクロヘキサン誘導体 |
-
1993
- 1993-11-19 JP JP5290853A patent/JPH07138567A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001042793A (ja) * | 1999-07-27 | 2001-02-16 | Dainippon Ink & Chem Inc | ネマチック液晶組成物及びこれを用いた液晶表示装置 |
| JP2002220356A (ja) * | 2001-01-26 | 2002-08-09 | Dainippon Ink & Chem Inc | メチレンシクロヘキサン誘導体 |
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