JPH0717628B2 - 液晶性化合物およびその用途 - Google Patents
液晶性化合物およびその用途Info
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Description
【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は表示素子、あるいは電気光学素子に用いること
のできる新規な液晶性化合物及びこれを含む液晶組成物
に関する。
のできる新規な液晶性化合物及びこれを含む液晶組成物
に関する。
(従来の技術) 液晶は表示材料として広く用いられるようになってきた
が、現在のところ表示方式としてTN(Twisted Nemati
c)型を一般的に採用している。このTN型表示方式は消
費電力が少なくてすみ、また受光型で目が疲れないなど
の長所がある一方、駆動が基本的に比誘電率の異方性に
基いているためその力が弱く応答速度が遅いという欠点
があって高速応答が必要とされる分野には応用上の制限
を受けていた。
が、現在のところ表示方式としてTN(Twisted Nemati
c)型を一般的に採用している。このTN型表示方式は消
費電力が少なくてすみ、また受光型で目が疲れないなど
の長所がある一方、駆動が基本的に比誘電率の異方性に
基いているためその力が弱く応答速度が遅いという欠点
があって高速応答が必要とされる分野には応用上の制限
を受けていた。
強誘電性液晶は、1975年にR.B.Meyerらによって初めて
見出されたものであるが(J.Physique,36,L−69(197
5))、このものは自発分極に由来する比較的大きな力
が駆動力となるため応答速度が極めて速く、かつメモリ
ー性を持つという優れた性能があり、新しい表示素子と
して注目されている。
見出されたものであるが(J.Physique,36,L−69(197
5))、このものは自発分極に由来する比較的大きな力
が駆動力となるため応答速度が極めて速く、かつメモリ
ー性を持つという優れた性能があり、新しい表示素子と
して注目されている。
液晶が強誘電性を示す条件としてはカイラルスメクティ
ックC相(SmC*相)を示すことが必要であり、このため
分子中に不斉炭素を含まなければならない。また分子の
長軸に対して垂直方向に双極子モーメントを持つことが
必要である。
ックC相(SmC*相)を示すことが必要であり、このため
分子中に不斉炭素を含まなければならない。また分子の
長軸に対して垂直方向に双極子モーメントを持つことが
必要である。
Meyer等の合成した強誘電性液晶DOBAMBCは次のような構
造をしており 上記の条件を満足しているが、シッフ塩基を含むため化
学的に不安定であり、自発分極も3×10-9C/cm2と小さ
かった。その後多くの強誘電性液晶化合物が合成された
が十分に高速応答するものはまだ見付かっておらず、し
たがって実用化には至っていない。
造をしており 上記の条件を満足しているが、シッフ塩基を含むため化
学的に不安定であり、自発分極も3×10-9C/cm2と小さ
かった。その後多くの強誘電性液晶化合物が合成された
が十分に高速応答するものはまだ見付かっておらず、し
たがって実用化には至っていない。
これら従来の強誘電性液晶化合物を比較してみると、例
えばDOBAMBCの不斉炭素原子の位置がひとつカルボニル
基に近づいたDOBA−1−MBC では自発分極が5×10-8C/cm2であり、DOBAMBCよりも大
きくなっている。これは、強誘電性の出現に重要な要素
である不斉炭素と双極子の位置が近づいたために、分子
の双極子部分の自由回転が抑えられ、双極子の配向性が
向上したものと考えられる。すなわち、不斉部分は分子
の自由回転を束縛する働きをしており、従来の強誘電性
液晶化合物のほとんどは不斉部分が直鎖上にあるため、
分子の自由回転を完全には抑えることができず、双極子
部分を固定できないために満足な自発分極および高速応
答が得られなかったと考えられる。
えばDOBAMBCの不斉炭素原子の位置がひとつカルボニル
基に近づいたDOBA−1−MBC では自発分極が5×10-8C/cm2であり、DOBAMBCよりも大
きくなっている。これは、強誘電性の出現に重要な要素
である不斉炭素と双極子の位置が近づいたために、分子
の双極子部分の自由回転が抑えられ、双極子の配向性が
向上したものと考えられる。すなわち、不斉部分は分子
の自由回転を束縛する働きをしており、従来の強誘電性
液晶化合物のほとんどは不斉部分が直鎖上にあるため、
分子の自由回転を完全には抑えることができず、双極子
部分を固定できないために満足な自発分極および高速応
答が得られなかったと考えられる。
(発明が解決しようとする課題) 本発明者らは、上記問題点のない強誘電性液晶化合物を
得るべく鋭意研究の結果、従来の強誘電性液晶化合物の
双極子部分の自由回転を抑えるための手段として、不斉
部分を5員環ラクトンに直結させた構造とすることによ
り、自由回転を束縛し、しかも化学的に安定な光学活性
γ−ラクトン環を有する新規な強誘電性液晶化合物を見
出したものであり、本発明はこの化合物、この化合物を
一成分として含む液晶組成物を提供するものである。
得るべく鋭意研究の結果、従来の強誘電性液晶化合物の
双極子部分の自由回転を抑えるための手段として、不斉
部分を5員環ラクトンに直結させた構造とすることによ
り、自由回転を束縛し、しかも化学的に安定な光学活性
γ−ラクトン環を有する新規な強誘電性液晶化合物を見
出したものであり、本発明はこの化合物、この化合物を
一成分として含む液晶組成物を提供するものである。
(課題を解決するための手段) 本発明は、下記一般式(A)、 (式(A)中R1は から選ばれた基、n又はeはそれぞれ独立して0又は
1、R3は炭素数1〜15のアルキル基又は炭素数2〜15の
アルケニル基であって、それぞれ不斉炭素原子を含んで
いてもよい基、X又はYは水素原子,ハロゲン原子及び
シアノ基から選ばれた原子又は基、R2は炭素数1〜15の
アルキル基又は炭素数2〜15のアルケニル基であって、
それぞれ不斉炭素原子を含んでいてもよい基を表わし、
*の符号は不斉炭素原子を表わす。但し、R2がメチル基
のとき、この2位の炭素原子は不斉炭素原子ではない) で表わされる光学活性γ−ラクトン環を有する化合物、
この化合物の少なくとも1種を含有する液晶組成物であ
る。
1、R3は炭素数1〜15のアルキル基又は炭素数2〜15の
アルケニル基であって、それぞれ不斉炭素原子を含んで
いてもよい基、X又はYは水素原子,ハロゲン原子及び
シアノ基から選ばれた原子又は基、R2は炭素数1〜15の
アルキル基又は炭素数2〜15のアルケニル基であって、
それぞれ不斉炭素原子を含んでいてもよい基を表わし、
*の符号は不斉炭素原子を表わす。但し、R2がメチル基
のとき、この2位の炭素原子は不斉炭素原子ではない) で表わされる光学活性γ−ラクトン環を有する化合物、
この化合物の少なくとも1種を含有する液晶組成物であ
る。
上記一般式(A)において、R2及びR3のアルキル基とし
ては、例えばメチル,エチル,n−プロピル,n−ブチル,n
−ペンチル,n−ヘキシル,n−ヘプチル,n−オクチル,n−
ノニル,n−デシル,n−ウンデシル,n−ドデシル,n−トリ
デシル,n−テトラデシル,n−ペンタデシル,イソプロピ
ル,t−ブチル,2−メチルプロピル,1−メチルプロピル,3
−メチルブチル,2−メチルブチル,1−メチルブチル,4−
メチルペンチル,3−メチルペンチル,2−メチルペンチ
ル,1−メチルペンチル,5−メチルヘキシル,4−メチルヘ
キシル,3−メチルヘキシル,2−メチルヘキシル,1−メチ
ルヘキシル,6−メチルヘプチル,5−メチルヘプチル,4−
メチルヘプチル,3−メチルヘプチル,2−メチルヘプチ
ル,1−メチルヘプチル,7−メチルオクチル,6−メチルオ
クチル,5−メチルオクチル,4−メチルオクチル,3−メチ
ルオクチル,2−メチルオクチル,1−メチルオクチル,8−
メチルノニル,7−メチルノニル,6−メチルノニル,5−メ
チルノニル,4−メチルノニル,3−メチルノニル,2−メチ
ルノニル,1−メチルノニル,3,7−ジメチルオクチル,3,
7,11−トリメチルドデシルなどの基が挙げられる。また
アルケニル基の例としては、例えばビニル,プロペニ
ル,ブテニル,ペンテニル,ヘキセニル,ヘプテニル,
オクテニル,ノネニル,デセニル,ウンデセニル,ドデ
セニル,トリデセニル,テトラデセニル,ペンタデセニ
ル,などの直鎖状のもの、1−メチルプロペニル,2−メ
チルプロペニル,3−メチルブテニル,4−メチルペンテニ
ルなどの分岐を有するアルケニル基が挙げられる。
ては、例えばメチル,エチル,n−プロピル,n−ブチル,n
−ペンチル,n−ヘキシル,n−ヘプチル,n−オクチル,n−
ノニル,n−デシル,n−ウンデシル,n−ドデシル,n−トリ
デシル,n−テトラデシル,n−ペンタデシル,イソプロピ
ル,t−ブチル,2−メチルプロピル,1−メチルプロピル,3
−メチルブチル,2−メチルブチル,1−メチルブチル,4−
メチルペンチル,3−メチルペンチル,2−メチルペンチ
ル,1−メチルペンチル,5−メチルヘキシル,4−メチルヘ
キシル,3−メチルヘキシル,2−メチルヘキシル,1−メチ
ルヘキシル,6−メチルヘプチル,5−メチルヘプチル,4−
メチルヘプチル,3−メチルヘプチル,2−メチルヘプチ
ル,1−メチルヘプチル,7−メチルオクチル,6−メチルオ
クチル,5−メチルオクチル,4−メチルオクチル,3−メチ
ルオクチル,2−メチルオクチル,1−メチルオクチル,8−
メチルノニル,7−メチルノニル,6−メチルノニル,5−メ
チルノニル,4−メチルノニル,3−メチルノニル,2−メチ
ルノニル,1−メチルノニル,3,7−ジメチルオクチル,3,
7,11−トリメチルドデシルなどの基が挙げられる。また
アルケニル基の例としては、例えばビニル,プロペニ
ル,ブテニル,ペンテニル,ヘキセニル,ヘプテニル,
オクテニル,ノネニル,デセニル,ウンデセニル,ドデ
セニル,トリデセニル,テトラデセニル,ペンタデセニ
ル,などの直鎖状のもの、1−メチルプロペニル,2−メ
チルプロペニル,3−メチルブテニル,4−メチルペンテニ
ルなどの分岐を有するアルケニル基が挙げられる。
本発明に係る上記の新規化合物は強誘電性を発生させる
ための双極子モーメントを持つ部分としてのカルボニル
基を5員環の内部に位置させ、さらに環上の1つ又は2
つの不斉炭素を持たせることにより、この部分の自由回
転を不可能にし、全体として双極子部分を一方向に向わ
せることができ、自発分極を大きくし、延いては高速応
答を実現できるものである。また、式(A)のR1のベン
ゼン環にハロゲン原子又はシアノ基を置換することによ
り化合物の融点を下げ、カイラルスメクティックC(Sm
C*)相の温度範囲を低温側に拡げ、またチルト角を大き
くし、自発分極を増加することができる。さらに強誘電
性液晶を駆動させるためには負の誘電異方性が必要であ
り、シアノ基の導入は大きな負の誘電異方性をもつ化合
物を与えるという点において有用である。また上記一般
式(A)の化合物においてR2がメチル基である場合は1
種類であるが、R2がメチル基以外の化合物はγ−ラクト
ン環に不斉炭素を2個含んでいるため、2種類のジアス
テレオマーが存在する。これらは全て双極子部分の自由
回転を抑えるという目的に合致した構造をしているの
で、それぞれを単独で用いてもあるいはそれぞれの混合
物として用いても液晶性化合物として有用である。
ための双極子モーメントを持つ部分としてのカルボニル
基を5員環の内部に位置させ、さらに環上の1つ又は2
つの不斉炭素を持たせることにより、この部分の自由回
転を不可能にし、全体として双極子部分を一方向に向わ
せることができ、自発分極を大きくし、延いては高速応
答を実現できるものである。また、式(A)のR1のベン
ゼン環にハロゲン原子又はシアノ基を置換することによ
り化合物の融点を下げ、カイラルスメクティックC(Sm
C*)相の温度範囲を低温側に拡げ、またチルト角を大き
くし、自発分極を増加することができる。さらに強誘電
性液晶を駆動させるためには負の誘電異方性が必要であ
り、シアノ基の導入は大きな負の誘電異方性をもつ化合
物を与えるという点において有用である。また上記一般
式(A)の化合物においてR2がメチル基である場合は1
種類であるが、R2がメチル基以外の化合物はγ−ラクト
ン環に不斉炭素を2個含んでいるため、2種類のジアス
テレオマーが存在する。これらは全て双極子部分の自由
回転を抑えるという目的に合致した構造をしているの
で、それぞれを単独で用いてもあるいはそれぞれの混合
物として用いても液晶性化合物として有用である。
また本発明において、上記液晶性化合物とは単独で液晶
状態が観察できる物質のみでなく、それ自身が液晶相を
示さなくても液晶組成物の構成成分として有用な化合物
をも含んでいる。
状態が観察できる物質のみでなく、それ自身が液晶相を
示さなくても液晶組成物の構成成分として有用な化合物
をも含んでいる。
本発明に係る一般式(A)で表わされる化合物は次に示
すような方法によって製造することができる。
すような方法によって製造することができる。
すなわち、一般式(B)、 (式(B)中R1,R2及び*の符号は、式(A)中のR1,R2
及び*の符号と同様の意味を表わす) で表わされる光学活性γ−ラクトン化合物を塩基性条件
下CH3Iと反応させることにより製造することができ
る。すなわち、式(B)化合物とこの化合物に対して1
〜1.5当量の塩基を反応させて得られる式(B)化合物
のエノラートアニオンに1〜5当量のCH3Iを反応させ
ることにより達成される。
及び*の符号と同様の意味を表わす) で表わされる光学活性γ−ラクトン化合物を塩基性条件
下CH3Iと反応させることにより製造することができ
る。すなわち、式(B)化合物とこの化合物に対して1
〜1.5当量の塩基を反応させて得られる式(B)化合物
のエノラートアニオンに1〜5当量のCH3Iを反応させ
ることにより達成される。
上記塩基としては、リチウムジイソプロピルアミド,ナ
トリウムジイソプロピルアミド,カリウムジイソプロピ
ルアミド,リチウム1,1,1,3,3,3−ヘキサメチルジシラ
ジド,ナトリウム1,1,1,3,3,3−ヘキサメチルジシラジ
ド,カリウム1,1,1,3,3,3−ヘキサメチルジシラジド,
リチウム1,1,1,3,3,3−ヘキサエチルジシラジド,ナト
リウム1,1,1,3,3,3−ヘキサエチルジシラジド,カリウ
ム1,1,1,3,3,3−ヘキサエチルジシラジド,カリウムt
−ブトキシド等が好ましい。また上記反応は有機溶媒中
で行われるが、塩基としてカリウムt−ブトキシドを用
いる場合、有機溶媒はt−ブチルアルコールが好まし
く、上記塩基以外の場合の有機溶媒としては、通常テト
ラヒドロフラン,エチルエーテル,ジメトキシエタン,
ジエチレングリコールジメチルエーテル,ジオキサン等
のエーテル類、ジメチルホルムアミド,ジメチルスルホ
キシド,ジメチルアセトアミド,ヘキサメチルホスホリ
ックトリアミド等の非プロトン性溶媒又はこれらの混合
溶媒が用いられる。
トリウムジイソプロピルアミド,カリウムジイソプロピ
ルアミド,リチウム1,1,1,3,3,3−ヘキサメチルジシラ
ジド,ナトリウム1,1,1,3,3,3−ヘキサメチルジシラジ
ド,カリウム1,1,1,3,3,3−ヘキサメチルジシラジド,
リチウム1,1,1,3,3,3−ヘキサエチルジシラジド,ナト
リウム1,1,1,3,3,3−ヘキサエチルジシラジド,カリウ
ム1,1,1,3,3,3−ヘキサエチルジシラジド,カリウムt
−ブトキシド等が好ましい。また上記反応は有機溶媒中
で行われるが、塩基としてカリウムt−ブトキシドを用
いる場合、有機溶媒はt−ブチルアルコールが好まし
く、上記塩基以外の場合の有機溶媒としては、通常テト
ラヒドロフラン,エチルエーテル,ジメトキシエタン,
ジエチレングリコールジメチルエーテル,ジオキサン等
のエーテル類、ジメチルホルムアミド,ジメチルスルホ
キシド,ジメチルアセトアミド,ヘキサメチルホスホリ
ックトリアミド等の非プロトン性溶媒又はこれらの混合
溶媒が用いられる。
上記反応において、塩基としてカリウムt−ブトキシド
を用いた場合は、反応温度30〜90℃、反応時間15分〜5
時間の範囲で行われ、上記塩基以外の場合は使用する塩
基によって若干反応温度が異なるが、通常−80〜30℃で
直ちに又は遅くとも2時間以内に反応が終了する。
を用いた場合は、反応温度30〜90℃、反応時間15分〜5
時間の範囲で行われ、上記塩基以外の場合は使用する塩
基によって若干反応温度が異なるが、通常−80〜30℃で
直ちに又は遅くとも2時間以内に反応が終了する。
上記原料である式(B)化合物は次に示すような方法に
よって製造することができる。
よって製造することができる。
すなわち、一般式(C)、 (式(C)中R1及び*の符号は式(A)中のR1及び*の
符号と同様の意味を示す)で表わされる光学活性グリシ
ジルエーテルと、一般式(D)、 (式(D)中R4は水素原子又は炭素数1〜15のアルキル
基、R5は低級アルキル基を示す)で表わされるマロン酸
エステル誘導体とを有機溶媒中塩基を加えて反応させる
ことにより製造することができる。
符号と同様の意味を示す)で表わされる光学活性グリシ
ジルエーテルと、一般式(D)、 (式(D)中R4は水素原子又は炭素数1〜15のアルキル
基、R5は低級アルキル基を示す)で表わされるマロン酸
エステル誘導体とを有機溶媒中塩基を加えて反応させる
ことにより製造することができる。
上記式(B)化合物の製造に際しては、式(C)化合物
と1〜5当量の式(D)化合物とを有機溶媒中で1〜5
当量の塩基と1.5〜24時間還流することにより達成され
る。この際用いられる塩基としてはナトリウムメトキシ
ド,ナトリウムエトキシド,カリウムt−ブトキシドあ
るいは水素化ナトリウム,水素化リチウムあるいはn−
ブチルリチウム等が好ましく、また有機溶媒としてはメ
タノール,エタノール,t−ブチルアルコール等のアルコ
ール類、テトラヒドロフラン,エチルエーテル,ジメト
キシエタン,ジエチレングリコールジメチルエーテル,
ジオキサン等のエーテル類、ジメチルホルムアミド,ジ
メチルスルホキシド,ヘキサメチルホスホリックトリア
ミド等の非プロトン性極性溶媒あるいはこれらの混合溶
媒等が好ましい。
と1〜5当量の式(D)化合物とを有機溶媒中で1〜5
当量の塩基と1.5〜24時間還流することにより達成され
る。この際用いられる塩基としてはナトリウムメトキシ
ド,ナトリウムエトキシド,カリウムt−ブトキシドあ
るいは水素化ナトリウム,水素化リチウムあるいはn−
ブチルリチウム等が好ましく、また有機溶媒としてはメ
タノール,エタノール,t−ブチルアルコール等のアルコ
ール類、テトラヒドロフラン,エチルエーテル,ジメト
キシエタン,ジエチレングリコールジメチルエーテル,
ジオキサン等のエーテル類、ジメチルホルムアミド,ジ
メチルスルホキシド,ヘキサメチルホスホリックトリア
ミド等の非プロトン性極性溶媒あるいはこれらの混合溶
媒等が好ましい。
上記原料化合物である式(C)の光学活性グリシジルエ
ーテルは以下の方法によって製造することができる。
ーテルは以下の方法によって製造することができる。
(式中R1及び*の符号は式(A)のR1及び*の符号と同
じ意味を表わす) 上記R1OHで示されるフェノール誘導体に塩基の存在下で
光学活性エピクロルヒドリンを反応させることによって
得られる。光学活性エピクロルヒドリンは原料フェノー
ル誘導体に対して1〜10当量が好ましく、また反応に用
いられる塩基は原料フェノール誘導体に対して1〜5当
量が好ましい。塩基としては水酸化ナトリウム,水酸化
カリウム,カリウムt−ブトキシドなどが挙げられる。
反応は触媒なしでも円滑に進行するが、第四級アンモニ
ウム塩、例えばベンジルトリエチルアンモニウムクロリ
ド,ベンジルトリエチルアンモニウムブロミド,ベンジ
ルトリメチルアンモニウムクロリド,ベンジルトリメチ
ルアンモニウムブロミドなどの触媒を原料フェノール誘
導体に対して0.01〜0.1当量加えることもできる。光学
活性エピクロルヒドリンを溶媒として反応させることが
できるが、必要な場合はジメチルホルムアミド,ジメチ
ルスルホキシド,ジメチルアセトアミド,アセトニトリ
ル,t−ブチルアルコール及び水などの極性溶媒を用いる
こともできる。反応は温度50〜80℃,時間0.5〜3時間
で終了する。
じ意味を表わす) 上記R1OHで示されるフェノール誘導体に塩基の存在下で
光学活性エピクロルヒドリンを反応させることによって
得られる。光学活性エピクロルヒドリンは原料フェノー
ル誘導体に対して1〜10当量が好ましく、また反応に用
いられる塩基は原料フェノール誘導体に対して1〜5当
量が好ましい。塩基としては水酸化ナトリウム,水酸化
カリウム,カリウムt−ブトキシドなどが挙げられる。
反応は触媒なしでも円滑に進行するが、第四級アンモニ
ウム塩、例えばベンジルトリエチルアンモニウムクロリ
ド,ベンジルトリエチルアンモニウムブロミド,ベンジ
ルトリメチルアンモニウムクロリド,ベンジルトリメチ
ルアンモニウムブロミドなどの触媒を原料フェノール誘
導体に対して0.01〜0.1当量加えることもできる。光学
活性エピクロルヒドリンを溶媒として反応させることが
できるが、必要な場合はジメチルホルムアミド,ジメチ
ルスルホキシド,ジメチルアセトアミド,アセトニトリ
ル,t−ブチルアルコール及び水などの極性溶媒を用いる
こともできる。反応は温度50〜80℃,時間0.5〜3時間
で終了する。
また上記方法とは別な方法として、原料フェノール誘導
体と光学活性エピクロルヒドリンとを塩基としてフェノ
ール誘導体に対して0.1〜0.5当量のアミン、例えばモル
ホリン,ピペリジン,ピリジンなどの存在下で反応させ
て光学活性クロルヒドリン体とし、これに1〜5当量の
塩基、例えば水酸化ナトリウム,水酸化カリウム,炭酸
カリウム,炭酸ナトリウム,カリウムt−ブトキシドな
どを反応させて閉環によるグリシジルエーテルを得る方
法がある。この方法は二段階反応であるが抽出操作が容
易という利点がある。この場合、反応は50〜80℃、3〜
24時間で終了する。
体と光学活性エピクロルヒドリンとを塩基としてフェノ
ール誘導体に対して0.1〜0.5当量のアミン、例えばモル
ホリン,ピペリジン,ピリジンなどの存在下で反応させ
て光学活性クロルヒドリン体とし、これに1〜5当量の
塩基、例えば水酸化ナトリウム,水酸化カリウム,炭酸
カリウム,炭酸ナトリウム,カリウムt−ブトキシドな
どを反応させて閉環によるグリシジルエーテルを得る方
法がある。この方法は二段階反応であるが抽出操作が容
易という利点がある。この場合、反応は50〜80℃、3〜
24時間で終了する。
上記エピクロルヒドリンとしてラセミ体のものを用いる
ことによりラセミ体のグリシジルエーテルを得ることが
できる。原料の光学活性エピクロルヒドリンは、高純度
のものとしては、R体は本出願人に係る特開昭61-13219
6号公報及び特開昭62-6697号公報記載の方法、S体は同
じく特願昭63-284881号明細書記載の方法によって得ら
れたものを用いることができる。
ことによりラセミ体のグリシジルエーテルを得ることが
できる。原料の光学活性エピクロルヒドリンは、高純度
のものとしては、R体は本出願人に係る特開昭61-13219
6号公報及び特開昭62-6697号公報記載の方法、S体は同
じく特願昭63-284881号明細書記載の方法によって得ら
れたものを用いることができる。
また上記式(C)化合物を製造する際に用いられる原料
のフェノール誘導体は次の様にして合成することができ
る。
のフェノール誘導体は次の様にして合成することができ
る。
但し、下記表1〜表11においてR3は前記式(A)のR3と
同じ基を表わし、R3′はR3より炭素数1少ないアルキル
基、Xはハロゲン原子を表わす。また表6においてPhは
フェニル基、R′は低級アルキル基を表わし、表10にお
いてTsはp−トルエンスルホニル基を表わす。
同じ基を表わし、R3′はR3より炭素数1少ないアルキル
基、Xはハロゲン原子を表わす。また表6においてPhは
フェニル基、R′は低級アルキル基を表わし、表10にお
いてTsはp−トルエンスルホニル基を表わす。
即ち、4−(4−トランス・アルキルシクロヘキシル)
フェノール,4−(4−アルキルオキシフェニル)フェノ
ール,4−(4−アルキルフェニル)フェノールは公知の
方法により、各々表1,2,3の合成経路に従って合成でき
る。
フェノール,4−(4−アルキルオキシフェニル)フェノ
ール,4−(4−アルキルフェニル)フェノールは公知の
方法により、各々表1,2,3の合成経路に従って合成でき
る。
また4−(5−アルキル−2−ピリミジニル)フェノー
ル,および4−(5−アルキルオキシ−2−ピリミジニ
ル)フェノールは特開昭61-189274号公報,DE-No144,409
記載の方法に従い、各々表4,5の合成経路で合成でき
る。
ル,および4−(5−アルキルオキシ−2−ピリミジニ
ル)フェノールは特開昭61-189274号公報,DE-No144,409
記載の方法に従い、各々表4,5の合成経路で合成でき
る。
更に4−[5−(4−アルキルオキシフェニル)−2−
ピリミジニル]フェノールおよび4−[5−(4−アル
キルフェニル)−2−ピリミジニル]フェノールは表6
の合成経路に従い、合成できる。
ピリミジニル]フェノールおよび4−[5−(4−アル
キルフェニル)−2−ピリミジニル]フェノールは表6
の合成経路に従い、合成できる。
表6の合成法を説明すると、p−ヒドロキシベンゾニト
リルの水酸基をベンジル化して保護しシアノ基を常法で
アミジン塩酸塩に変換した化合物(E)を合成する。一
方、p−ヒドロキシフェニル酢酸を低級アルコールでエ
ステル化したのち、フェノール性水酸基をハロゲン化ア
ルキル,アルキルp−トルエンスルホン酸エステル又は
アルキルメタンスルホン酸エステルなどのアルキル化剤
でアルキル化し、更に炭酸ジエチルと塩基存在下で反応
させ、マロン酸ジエチル誘導体(G)を合成する。
リルの水酸基をベンジル化して保護しシアノ基を常法で
アミジン塩酸塩に変換した化合物(E)を合成する。一
方、p−ヒドロキシフェニル酢酸を低級アルコールでエ
ステル化したのち、フェノール性水酸基をハロゲン化ア
ルキル,アルキルp−トルエンスルホン酸エステル又は
アルキルメタンスルホン酸エステルなどのアルキル化剤
でアルキル化し、更に炭酸ジエチルと塩基存在下で反応
させ、マロン酸ジエチル誘導体(G)を合成する。
アミジン塩酸塩(E)とマロン酸ジエチル誘導体(G)
とをナトリウムエトキシド,ナトリウムメトキシドなど
の塩基を用いて縮合したのち、N,N−ジエチルアニリ
ン,ピリジン、4−N,N−ジメチルアミノピリジン等の
塩基の存在下オキシ塩化リンと反応させてジクロルピリ
ミジン誘導体とし、これをPd−C触媒存在下,水素ガス
で還元することにより4−[5−(4−アルキルオキシ
フェニル)−2−ピリミジニル]フェノール(I)を合
成する。
とをナトリウムエトキシド,ナトリウムメトキシドなど
の塩基を用いて縮合したのち、N,N−ジエチルアニリ
ン,ピリジン、4−N,N−ジメチルアミノピリジン等の
塩基の存在下オキシ塩化リンと反応させてジクロルピリ
ミジン誘導体とし、これをPd−C触媒存在下,水素ガス
で還元することにより4−[5−(4−アルキルオキシ
フェニル)−2−ピリミジニル]フェノール(I)を合
成する。
上記(I)の合成の際のマロン酸ジエチル誘導体(G)
の代りにp−アルキルフェニルマロン酸ジエチル(F)
を用い、(E)と(G)とを原料とする(I)の合成反
応工程に従って、(E)と(F)を反応させると4−
[5−(4−アルキルフェニル)−2−ピリミジニル]
フェノール(H)を合成することができる。
の代りにp−アルキルフェニルマロン酸ジエチル(F)
を用い、(E)と(G)とを原料とする(I)の合成反
応工程に従って、(E)と(F)を反応させると4−
[5−(4−アルキルフェニル)−2−ピリミジニル]
フェノール(H)を合成することができる。
なおこの際用いるp−アルキルフェニルマロン酸ジエチ
ル(F)はp−アルキルアセトフェノンをビルゲロット
(Willgerodt)反応でフェニル酢酸誘導体としたのち、
低級アルコールでエステル化し、炭酸ジエチルと縮合さ
せることにより合成できる。
ル(F)はp−アルキルアセトフェノンをビルゲロット
(Willgerodt)反応でフェニル酢酸誘導体としたのち、
低級アルコールでエステル化し、炭酸ジエチルと縮合さ
せることにより合成できる。
またハロゲン原子,シアノ基でベンゼン環が置換された
原料フェノール誘導体は下記表7〜表11に示すような公
知の方法で合成する事ができる。
原料フェノール誘導体は下記表7〜表11に示すような公
知の方法で合成する事ができる。
本発明の液晶組成物は、上記の方法で得られる式(A)
化合物の少なくとも1種と他の強誘電性液晶又は非カイ
ラルな液晶、あるいはこれらの混合物とを混ぜ合わせる
ことにより形成することができる。
化合物の少なくとも1種と他の強誘電性液晶又は非カイ
ラルな液晶、あるいはこれらの混合物とを混ぜ合わせる
ことにより形成することができる。
上記他の強誘電性液晶としては、従来知られているもの
を含む総ての強誘電性液晶が適用でき、また非カイラル
な液晶としては、不斉炭素原子を持たない液晶であって
混合後スメクティックC相を示すものであれば何でもよ
い。
を含む総ての強誘電性液晶が適用でき、また非カイラル
な液晶としては、不斉炭素原子を持たない液晶であって
混合後スメクティックC相を示すものであれば何でもよ
い。
上記非カイラルな液晶の具体例としては下記式(J)で
表わされる化合物が挙げられる。
表わされる化合物が挙げられる。
(式(J)中E、F及びGはそれぞれ独立に から選ばれた六員環を表わしており、これら六員環中の
水素原子はハロゲン原子、シアノ基又はニトロ基で置換
されていてもよい。a、bは0、1又は2、cは1又は
2であり且つa+b+c=2〜4である。W、Mは単結
合であるか、又は −OCH2−から選ばれた基を表わす。a=0のときKは単
結合を表わし、b=0のときLは単結合を表わす。a又
はbが0でないときK、Lはそれぞれ独立に単結合であ
るか、又は −CH2O−,−OCH2−,−CH2CH2−,−CH=N−,−N=
CH−,−CH=CH−,−C≡C−, から選ばれた基を表わし、R3、R4は炭素数1〜15のアル
キル基を表わす) 本発明の液晶組成物に透明電極を付し、ポリエチレン,
ポリエステル,ナイロン,ポリビニルアルコール,ポリ
イミド等で表面配向処理した。2枚のガラス板に封入
し、偏光子を設けた複屈折モード及びホスト−ゲストモ
ードの液晶セルは表示素子又は電気光学素子として使用
することができる。
水素原子はハロゲン原子、シアノ基又はニトロ基で置換
されていてもよい。a、bは0、1又は2、cは1又は
2であり且つa+b+c=2〜4である。W、Mは単結
合であるか、又は −OCH2−から選ばれた基を表わす。a=0のときKは単
結合を表わし、b=0のときLは単結合を表わす。a又
はbが0でないときK、Lはそれぞれ独立に単結合であ
るか、又は −CH2O−,−OCH2−,−CH2CH2−,−CH=N−,−N=
CH−,−CH=CH−,−C≡C−, から選ばれた基を表わし、R3、R4は炭素数1〜15のアル
キル基を表わす) 本発明の液晶組成物に透明電極を付し、ポリエチレン,
ポリエステル,ナイロン,ポリビニルアルコール,ポリ
イミド等で表面配向処理した。2枚のガラス板に封入
し、偏光子を設けた複屈折モード及びホスト−ゲストモ
ードの液晶セルは表示素子又は電気光学素子として使用
することができる。
なお、本発明に用いられる一般式(A)で表わされる化
合物及びそのラセミ体は、他の光学活性液晶化合物に添
加してそのら旋ピッチの調整に使用できる。
合物及びそのラセミ体は、他の光学活性液晶化合物に添
加してそのら旋ピッチの調整に使用できる。
また、一般式(A)の化合物は熱や光に対する安定性が
良く、この化合物を含む液晶組成物は強誘電性液晶とし
て優れた性質をもっている。さらに、該化合物をネマチ
ック液晶に添加した液晶組成物は次のような用途に利用
できる。
良く、この化合物を含む液晶組成物は強誘電性液晶とし
て優れた性質をもっている。さらに、該化合物をネマチ
ック液晶に添加した液晶組成物は次のような用途に利用
できる。
(1)リバース・ドメインの発生を抑制するためにTN型
及びSTN型液晶に添加した液晶組成物。
及びSTN型液晶に添加した液晶組成物。
(2)コレステリック−ネマティック相転移効果を用い
る表示素子(J.J.Wysoki,A.Adams and W.Haas;Phys.Re
v.Lett.,20,1024(1968))。
る表示素子(J.J.Wysoki,A.Adams and W.Haas;Phys.Re
v.Lett.,20,1024(1968))。
(3)ホワイト・ティラー型ゲスト・ホスト効果を用い
る表示素子(D.L.White and G.N.Taylor;J.Appl.Phys.,
45,4718(1974))。
る表示素子(D.L.White and G.N.Taylor;J.Appl.Phys.,
45,4718(1974))。
(4)コレステリック相をマトリックス中に固定化し、
その選択散乱特性を用いるノッチフィルターやバンドパ
スフィルター(F.J.Kahn;Appl.Phys.Lett.,18,231(197
1))。
その選択散乱特性を用いるノッチフィルターやバンドパ
スフィルター(F.J.Kahn;Appl.Phys.Lett.,18,231(197
1))。
(5)コレステリック相の円偏光特性を利用した円偏光
ビームスプリッター(S.D.Jacob,SPIE.37,98(198
1))。
ビームスプリッター(S.D.Jacob,SPIE.37,98(198
1))。
(実施例) 以下の各例において、本発明に用いられる光学活性化合
物(A)のR、S表示は、下記の化学式の位置番号に基
いて行った。
物(A)のR、S表示は、下記の化学式の位置番号に基
いて行った。
また実施例中に記載した相転移温度はDSCおよび偏光顕
微鏡観察により決定した。また相転移温度の項に示した
記号は以下の相を表わす。
微鏡観察により決定した。また相転移温度の項に示した
記号は以下の相を表わす。
C;結晶相 SmA;スメクティックA相 SmC*;カイラルスメクティックC相 Sm1;SmA,SmC,SmC*以外の未同定の スメクティック相 N;ネマティック相 I;等方性液体相 カイラルスメクティックC相(SmC*)は更に比誘電率を
測定して確認した。
測定して確認した。
〈フェノール誘導体の合成〉 合成例1 4−[5−(4−n−オクチルオキシフェニル)−2−
ピリミジニル]フェノールの合成 i)4−ベンジルオキシフェニルアミジン塩酸塩の合成 4−シアノフェノール95.2g,ベンジルクロリド127g,炭
酸カリウム138gをアセトン160ml中5時間撹拌下に還流
した。生成物を濾別し、減圧濃縮し、ベンゼンを加え、
水洗し、ベンゼンを減圧留去して4−ベンジルオキシベ
ンゾニトリル141.38gを得た。次いで4−ベンジルオキ
シベンゾニトリル141gを、ベンゼン338mlに溶かし、エ
タノール270mlを加え、0℃に冷却し、生じたスラリー
溶液に撹拌下、塩化水素ガスを36l吹きこんだ後、液温
を25℃まであげ、2日間放置した。反応混合物を減圧
下、1/3まで濃縮し、濃縮液にエーテルを加え、析出し
た結晶を吸引濾過し、イミドエステル183gを得た。
ピリミジニル]フェノールの合成 i)4−ベンジルオキシフェニルアミジン塩酸塩の合成 4−シアノフェノール95.2g,ベンジルクロリド127g,炭
酸カリウム138gをアセトン160ml中5時間撹拌下に還流
した。生成物を濾別し、減圧濃縮し、ベンゼンを加え、
水洗し、ベンゼンを減圧留去して4−ベンジルオキシベ
ンゾニトリル141.38gを得た。次いで4−ベンジルオキ
シベンゾニトリル141gを、ベンゼン338mlに溶かし、エ
タノール270mlを加え、0℃に冷却し、生じたスラリー
溶液に撹拌下、塩化水素ガスを36l吹きこんだ後、液温
を25℃まであげ、2日間放置した。反応混合物を減圧
下、1/3まで濃縮し、濃縮液にエーテルを加え、析出し
た結晶を吸引濾過し、イミドエステル183gを得た。
上記イミドエステル183gをエタノール270mlでスラリー
溶液とし、アンモニアガス60.75gのエタノール405ml溶
液をこれに加え、室温で2日間放置した後、溶媒を減圧
留去し、4−ベンジルオキシフェニルアミジン塩酸塩16
4.5gを得た。
溶液とし、アンモニアガス60.75gのエタノール405ml溶
液をこれに加え、室温で2日間放置した後、溶媒を減圧
留去し、4−ベンジルオキシフェニルアミジン塩酸塩16
4.5gを得た。
NMR(DMSO-ds) δ:5.19 (2H,s) 7.17 (2H,d,J=9.0Hz) 7.35 (5H,S) 7.86 (2H,d) ii) 4−n−オクチルオキシフェニルマロン酸ジエチル
の合成 4−ヒドロキシフェニル酢酸50.0gをエタノール400mlに
とかし、濃硫酸0.5mlを加え、還流撹拌した後エタノー
ルを留去し、4−ヒドロキシフェニル酢酸エチル60gを
得た。
の合成 4−ヒドロキシフェニル酢酸50.0gをエタノール400mlに
とかし、濃硫酸0.5mlを加え、還流撹拌した後エタノー
ルを留去し、4−ヒドロキシフェニル酢酸エチル60gを
得た。
次に4−ヒドロキシフェニル酢酸エチル59g,ナトリウム
エトキシド22.4gをエタノール150mlにとかし、n−オク
チルブロミド63.5gを加え、3時間還流撹拌し、反応液
を減圧下に濃縮し、酢酸エチルを加えて油状物をとか
し、水洗し、無水硫酸マグネシウムで乾燥し、酢酸エチ
ルを減圧留去し、減圧蒸留して4−n−オクチルオキシ
フェニル酢酸エチル79.6gを得た。(bp179℃/0.1mmHg) こうして得た4−n−オクチルオキシフェニル酢酸エチ
ル79g、エタノール140ml、炭酸ジエチル300ml、ナトリ
ウムエトキシド19.3gを混合し、エタノールを留去しな
がら加熱撹拌した。反応混合物を氷水に移し、塩酸酸性
とした後、有機層を分液し、溶媒を留去して4−n−オ
クチルオキシフェニルマロン酸ジエチル91.6gを得た。
エトキシド22.4gをエタノール150mlにとかし、n−オク
チルブロミド63.5gを加え、3時間還流撹拌し、反応液
を減圧下に濃縮し、酢酸エチルを加えて油状物をとか
し、水洗し、無水硫酸マグネシウムで乾燥し、酢酸エチ
ルを減圧留去し、減圧蒸留して4−n−オクチルオキシ
フェニル酢酸エチル79.6gを得た。(bp179℃/0.1mmHg) こうして得た4−n−オクチルオキシフェニル酢酸エチ
ル79g、エタノール140ml、炭酸ジエチル300ml、ナトリ
ウムエトキシド19.3gを混合し、エタノールを留去しな
がら加熱撹拌した。反応混合物を氷水に移し、塩酸酸性
とした後、有機層を分液し、溶媒を留去して4−n−オ
クチルオキシフェニルマロン酸ジエチル91.6gを得た。
NMR(CDCl3) δ:0.5〜2.0 (21H,m) 3.90 (2H,t,J=6.0Hz) 4.16 (4H,q,J=7.2Hz) 4.52 (1H,s) 6.80 (2H,d,J=9.0Hz) 7.26 (2H,d,J=9.0Hz) iii) 4−[5−(4−n−オクチルオキシフェニル)
−2−ピリミジニル]フェノールの合成 4−ベンジルオキシフェニルアミジン塩酸塩65.6g,4−
n−オクチルオキシフェニルマロン酸ジエチル91.0gを
メタノール500mlにとかし、ナトリウムメトキシド44.8g
を加え、9時間還流撹拌した。冷却後反応混合物を硫酸
酸性とし、析出した結晶を吸引濾取し、黄色結晶77.7g
を得た。
−2−ピリミジニル]フェノールの合成 4−ベンジルオキシフェニルアミジン塩酸塩65.6g,4−
n−オクチルオキシフェニルマロン酸ジエチル91.0gを
メタノール500mlにとかし、ナトリウムメトキシド44.8g
を加え、9時間還流撹拌した。冷却後反応混合物を硫酸
酸性とし、析出した結晶を吸引濾取し、黄色結晶77.7g
を得た。
上記黄色結晶77gとオキシ塩化リン310ml,N,N−ジエチル
アニリン46.5mlとを26時間還流撹拌した。
アニリン46.5mlとを26時間還流撹拌した。
過剰のオキシ塩化リンを減圧留去したのち、残渣を氷水
に移し、エーテル抽出し、水洗し、エーテルを留去して
粗生成物70gを得た。これをエーテルで再結晶して下記
化学式で示す化合物210gを得た。
に移し、エーテル抽出し、水洗し、エーテルを留去して
粗生成物70gを得た。これをエーテルで再結晶して下記
化学式で示す化合物210gを得た。
NMR(CDCl3) δ:0.4〜2.1 (15H,m) 3.99 (2H,t,J=6.0Hz) 5.09 (2H,s) 6.7〜7.5 (11H,m) 8.38 (2H,d,J=9.0Hz) 上記無色結晶19.8g,エタノール757ml,酸化マグネシウム
11.4g,水57ml,10%Pd−C4gを、理論量の水素を吸収する
まで60℃で水素雰囲気下で加熱撹拌した。反応混合物を
吸引濾過し、濾液より目的の4−[5−(4−n−オク
チルオキシフェニル)−2−ピリミジニル]フェノール
7.7gを得た。
11.4g,水57ml,10%Pd−C4gを、理論量の水素を吸収する
まで60℃で水素雰囲気下で加熱撹拌した。反応混合物を
吸引濾過し、濾液より目的の4−[5−(4−n−オク
チルオキシフェニル)−2−ピリミジニル]フェノール
7.7gを得た。
mp 137℃ NMR(CDCl3) δ:0.5〜2.1 (15H,m) 4.00 (2H,t,J=6.0Hz) 6.92 (2H,d,J=9.0Hz) 7.01 (2H,d,J=9.0Hz) 7.50 (2H,d,J=9.0Hz) 8.30 (2H,d,J=9.0Hz) 8.94 (2H,s) 〈式(C)化合物の合成〉 合成例2 原料フェノール誘導体として下記化学式で示される化合
物2.50g、 R−(−)−エピクロルヒドリン(化学純度98.5%以
上、光学純度99%以上)、4.25g及びベンジルトリエチ
ルアンモニウムクロリド20mgをジメチルホルムアミド3m
lに溶解させ、60℃で24重量%水酸化ナトリウム水溶液
(1.2当量)を滴下した。同温度で40分間反応させた
後、反応液を室温に戻し、次いでエーテル抽出を行い、
減圧下で溶媒を留去した。残渣をシリカゲルカラムクロ
マトグラフィーにより精製し、下記化学式で示されるS
体のグリシジルエーテル1.62gを得た。
物2.50g、 R−(−)−エピクロルヒドリン(化学純度98.5%以
上、光学純度99%以上)、4.25g及びベンジルトリエチ
ルアンモニウムクロリド20mgをジメチルホルムアミド3m
lに溶解させ、60℃で24重量%水酸化ナトリウム水溶液
(1.2当量)を滴下した。同温度で40分間反応させた
後、反応液を室温に戻し、次いでエーテル抽出を行い、
減圧下で溶媒を留去した。残渣をシリカゲルカラムクロ
マトグラフィーにより精製し、下記化学式で示されるS
体のグリシジルエーテル1.62gを得た。
mp 90℃ ▲[α]25 D▼+4.44°(C=1.01,CH2Cl2) NMR(CDCl3) δ:0.50〜3.00 (19H,m) 3.10〜3.50 (1H,m) 3.80〜4.30 (2H,m) 6.75〜7.60 (8H,m) 合成例3 原料フェノール誘導体として下記化学式で示される化合
物5.28g、 (S)−(+)−エピクロルヒドリン(化学純度98.5%
以上、光学純度99%以上)11.55g、カリウムt−ブトキ
シド3.00g及びt−ブチルアルコール45mlを混合し、60
℃で3時間撹拌した。反応液より減圧下で溶媒を留去し
た後、クロロホルム抽出を行い、減圧下溶媒を留去し
た。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにより
精製し、下記化学式で示されるR体のグリシジルエーテ
ル5.82gを得た。
物5.28g、 (S)−(+)−エピクロルヒドリン(化学純度98.5%
以上、光学純度99%以上)11.55g、カリウムt−ブトキ
シド3.00g及びt−ブチルアルコール45mlを混合し、60
℃で3時間撹拌した。反応液より減圧下で溶媒を留去し
た後、クロロホルム抽出を行い、減圧下溶媒を留去し
た。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにより
精製し、下記化学式で示されるR体のグリシジルエーテ
ル5.82gを得た。
▲[α]31 D▼−5.71°(C=1.66,CH2Cl2) NMR(CDCl3) δ:0.60〜2.50 (17H,m) 2.60〜2.95 (2H,m) 3.15〜3.60 (1H,m) 3.80〜4.30 (2H,m) 6.76 (2H,d,J=8.4Hz) 7.07 (2H,d,J=8.4Hz) 合成例4 原料フェノール誘導体として下記化学式で示される化合
物10g、 合成例2と同じR−(−)−エピクロルヒドリン16.07
g、20重量%水酸化ナトリウム水溶液7.33g及びジメチル
ホルムアミド20mlの混合物を60〜70℃で1時間加熱撹拌
した。反応液を冷却後水を加え、ジクロロメタンで生成
物を抽出することにより粗生成物11.67gを得た。粗生成
物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製して下
記化学式で示されるS体のグリシジルエーテル9.07gを
得た。
物10g、 合成例2と同じR−(−)−エピクロルヒドリン16.07
g、20重量%水酸化ナトリウム水溶液7.33g及びジメチル
ホルムアミド20mlの混合物を60〜70℃で1時間加熱撹拌
した。反応液を冷却後水を加え、ジクロロメタンで生成
物を抽出することにより粗生成物11.67gを得た。粗生成
物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製して下
記化学式で示されるS体のグリシジルエーテル9.07gを
得た。
mp 74℃ ▲[α]24 D▼+1.66°(C=1.02,CH2Cl2) NMR(CDCl3) δ:0.5〜2.2 (15H,m) 2.6〜3.0 (2H,m) 3.1〜3.7 (1H,m) 3.8〜4.4 (4H,m) 6.95 (2H,d,J=9.0Hz) 8.26 (2H,d,J=9.0Hz) 8.36 (2H,s) 合成例5 原料フェノール誘導体として前記合成例1で得られた下
記化学式で示される化合物7.44g、 合成例2と同じR−(−)−エピクロルヒドリン9.16
g、50重量%水酸化ナトリウム水溶液1.74g及びジメチル
ホルムアミド77mlの混合物を60〜70℃で3時間加熱撹拌
した。反応液を冷却後水を加え、ジクロロメタンで生成
物を抽出し、抽出物をシリカゲルカラムクロマトグラフ
ィーで精製して下記化学式で示されるS体のグリシジル
エーテル6.90gを得た。
記化学式で示される化合物7.44g、 合成例2と同じR−(−)−エピクロルヒドリン9.16
g、50重量%水酸化ナトリウム水溶液1.74g及びジメチル
ホルムアミド77mlの混合物を60〜70℃で3時間加熱撹拌
した。反応液を冷却後水を加え、ジクロロメタンで生成
物を抽出し、抽出物をシリカゲルカラムクロマトグラフ
ィーで精製して下記化学式で示されるS体のグリシジル
エーテル6.90gを得た。
mp 198℃ ▲[α]25 D▼+0.95°(C=1.04,CH2Cl2) NMR(CDCl3) δ:0.6〜2.1 (15H,m) 2.6〜3.0 (2H,m) 3.2〜3.5 (1H,m) 3.8〜4.5 (2H,m) 6.99 (4H,d,J=9.0Hz) 7.50 (2H,d,J=9.0Hz) 8.40 (2H,d,J=9.0Hz) 8.90 (2H,s) 〈化合物(B)の合成〉 合成例6 合成例3で得られた光学活性グリシジルエーテル、即
ち、(R)−2,3−エポキシプロピル4−(トランス−
4−n−プロピルシクロヘキシル)フェニルエーテル40
6mgとカリウムt−ブトキシド181mg、n−ノニルマロン
酸ジメチル666mg及びt−ブチルアルコール3mlを混合
し、2時間還流撹拌した。反応液を室温に戻し、4N塩酸
をpH=1になるまで滴下した後、クロロホルム抽出を3
回行い、次いで飽和食塩水で1回洗浄して減圧下で溶媒
を留去した。残渣をシリカゲルクロマトグラフィーで分
離精製し、下記式で示されるγ−ラクトン誘導体の(2
R,4R)体79mg及び(2S,4R)体153mgを得た。
ち、(R)−2,3−エポキシプロピル4−(トランス−
4−n−プロピルシクロヘキシル)フェニルエーテル40
6mgとカリウムt−ブトキシド181mg、n−ノニルマロン
酸ジメチル666mg及びt−ブチルアルコール3mlを混合
し、2時間還流撹拌した。反応液を室温に戻し、4N塩酸
をpH=1になるまで滴下した後、クロロホルム抽出を3
回行い、次いで飽和食塩水で1回洗浄して減圧下で溶媒
を留去した。残渣をシリカゲルクロマトグラフィーで分
離精製し、下記式で示されるγ−ラクトン誘導体の(2
R,4R)体79mg及び(2S,4R)体153mgを得た。
(2R,4R)体 相転移温度 ▲[α]32 D▼−31.45°(C=1.43,CH2Cl2) NMR(CDCl3) δ:0.6〜3.0 (39H,m) 4.0〜4.2 (2H,m) 4.4〜4.95 (1H,m) 6.76 (2H,d,J=8.0Hz) 7.10 (2H,d,J=8.0Hz) IR(KBr) 1762cm-1 (2S,4R)体 相転移温度 ▲[α]28 D▼−23.48°(C=1.03,CH2Cl2) NMR(CDCl3) δ:0.65〜3.0 (39H,m) 4.0 〜4.2 (2H,m) 4.6 〜5.0 (1H,m) 6.76 (2H,d,J=8.0Hz) 7.10 (2H,d,J=8.0Hz) IR(KBr) 1762cm-1 合成例7 合成例2で得られたS体のグリシジルエーテル370mg、
n−プロピルマロン酸ジエチル442mg、カリウムt−ブ
トキシド134mg及びt−ブチルアルコール3mlを混合し10
時間還流撹拌した。反応液を室温に戻し4N塩酸を加えて
pH=1とした後、水とメタノールで洗浄し白色結晶を得
た。これをシカゲルクロマトグラフィーにより分離精製
して下記式で示されるγ−ラクトン誘導体の(2S,4S)
体240mgと(2R,4S)体140mgを得た。
n−プロピルマロン酸ジエチル442mg、カリウムt−ブ
トキシド134mg及びt−ブチルアルコール3mlを混合し10
時間還流撹拌した。反応液を室温に戻し4N塩酸を加えて
pH=1とした後、水とメタノールで洗浄し白色結晶を得
た。これをシカゲルクロマトグラフィーにより分離精製
して下記式で示されるγ−ラクトン誘導体の(2S,4S)
体240mgと(2R,4S)体140mgを得た。
(2S,4R)体 相転移温度 ▲[α]26 D▼+32.67°(C=1.081,CH2Cl2) NMR(CDCl3) δ:0.70〜3.00 (27H,m) 4.00〜4.25 (2H,m) 4.40〜4.85 (1H,m) 6.60〜7.60 (8H,m) IR(KBr) 1762cm-1(C=0) (2R,4S)体 相転移温度 ▲[α]26 D▼+22.50°(C=0.504,CH2Cl2) NMR(CDCl3) δ:0.70〜3.00 (27H,m) 4.00〜4.25 (2H,m) 4.50〜5.00 (1H,m) 6.60〜7.60 (8H,m) IR(KBr) 1762cm-1(C=0) 合成例8 合成例5で得られたS体のグリシジルエーテル518mg、
n−ペンチルマロン酸ジメチル940mg、カリウムt−ブ
トキシド269mgをジメチルホルムアミド5ml及びt−ブチ
ルアルコール5mlに溶かし90℃で5時間加熱撹拌した。
反応後の処理は合成例7と同様に行って下記式で示され
るγ−ラクトン誘導体690mgを得た。この化合物はジア
ステレオマーの混合物であり、さらにシリカゲルクロマ
トグラフィー処理によって(2S,4S)体及び(2R,4S)体
を得た。
n−ペンチルマロン酸ジメチル940mg、カリウムt−ブ
トキシド269mgをジメチルホルムアミド5ml及びt−ブチ
ルアルコール5mlに溶かし90℃で5時間加熱撹拌した。
反応後の処理は合成例7と同様に行って下記式で示され
るγ−ラクトン誘導体690mgを得た。この化合物はジア
ステレオマーの混合物であり、さらにシリカゲルクロマ
トグラフィー処理によって(2S,4S)体及び(2R,4S)体
を得た。
(2S,4S)体 相転移温度 NMR(CDCl3) δ:0.4 〜3.0 (29H,m) 3.7 〜4.3 (4H,m) 4.71 (1H,m) 7.00 (4H,d,J=9.0Hz) 7.50 (2H,d,J=9.0Hz) 8.39 (2H,d,J=9.0Hz) 8.89 (2H,s) IR(ヌジョール) 1778cm-1 (2R,4S)体 相転移温度 NMR(CDCl3) δ:0.4 〜3.0 (29H,m) 3.7 〜4.3 (4H,m) 4.82 (1H,m) 7.00 (4H,d,J=9.0Hz) 7.50 (2H,d,J=9.0Hz) 8.39 (2H,d,J=9.0Hz) 8.85 (2H,s) IR(ヌジョール) 1778cm-1 合成例9 合成例4で得られたS体のグリシジルエーテル1.0g、n
−ヘプチルマロン酸ジメチル1.267mg、カリウムt−ブ
トキシド63mgをジメチルホルムアミド10ml及びt−ブチ
ルアルコール10mlに溶かし90℃で2時間加熱撹拌した。
反応後の処理は合成例7と同様に行ってγ−ラクトン誘
導体705mgを得た。この化合物はジアステレオマーの混
合物であり、さらにシリカゲルクロマトグラフィー処理
によって(2S,4S)体及び(2R,4S)体を得た。
−ヘプチルマロン酸ジメチル1.267mg、カリウムt−ブ
トキシド63mgをジメチルホルムアミド10ml及びt−ブチ
ルアルコール10mlに溶かし90℃で2時間加熱撹拌した。
反応後の処理は合成例7と同様に行ってγ−ラクトン誘
導体705mgを得た。この化合物はジアステレオマーの混
合物であり、さらにシリカゲルクロマトグラフィー処理
によって(2S,4S)体及び(2R,4S)体を得た。
(2S,4S)体 相転移温度 NMR(CDCl3) δ:0.4 〜3.1 (33H,m) 3.9 〜4.3 (4H,m) 4.66 (1H,m) 6.92 (2H,d,J=9.0Hz) 8.25 (2H,d,J=9.0Hz) 8.35 (2H,s) IR(ヌジョール) 1776cm-1 (2R,4S)体 相転移温度 NMR(CDCl3) δ:0.4 〜3.1 (33H,m) 3.9 〜4.3 (4H,m) 4.77 (1H,m) 6.92 (2H,d,J=9.0Hz) 8.25 (2H,d,J=9.0Hz) 8.35 (2H,s) IR(ヌジョール) 1776cm-1 〈式(A)化合物の合成〉 実施例1 ジイソプロピルアミン95mg、n−ブチルリチウム(1.5m
ol/l in n−ヘキサン)0.52ml、テトラヒドロフラン2ml
から常法により調製したリチウムジイソプロピルアミド
溶液に、−78℃でヘキサメチルホスホリックトリアミド
138mgを加え、さらに合成例7で得られたγ−ラクトン
誘導体の(2S,4S)体と(2R,4S)体の混合物269mgのテ
トラヒドロフラン溶液(5ml)を滴下した。同温で40分
間撹拌した後、ヨウ化メチル185mgを滴下し、さらに2
時間撹拌した。反応溶液に飽和塩化アンモニウム水溶液
を加えて室温に戻し、エーテル抽出を2回行った後、無
水硫酸マグネシウムで乾燥させ溶媒を留去させた。残渣
をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで分離精製し、
下記で示されるγ−ラクトン誘導体の(2S,4S)体253m
g、(2R,4S)体37mgを得た。
ol/l in n−ヘキサン)0.52ml、テトラヒドロフラン2ml
から常法により調製したリチウムジイソプロピルアミド
溶液に、−78℃でヘキサメチルホスホリックトリアミド
138mgを加え、さらに合成例7で得られたγ−ラクトン
誘導体の(2S,4S)体と(2R,4S)体の混合物269mgのテ
トラヒドロフラン溶液(5ml)を滴下した。同温で40分
間撹拌した後、ヨウ化メチル185mgを滴下し、さらに2
時間撹拌した。反応溶液に飽和塩化アンモニウム水溶液
を加えて室温に戻し、エーテル抽出を2回行った後、無
水硫酸マグネシウムで乾燥させ溶媒を留去させた。残渣
をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで分離精製し、
下記で示されるγ−ラクトン誘導体の(2S,4S)体253m
g、(2R,4S)体37mgを得た。
(2S,4S)体 相転移温度 ▲[α]27 D▼+28.15°(C=1.058,CH2Cl2) NMR(CDCl3) δ:0.85〜0.98 (6H,m) 1.18〜1.73 (19H,m) 2.00〜2.21 (2H,m) 2.62 (2H,t,J=7.70Hz) 4.04〜4.17 (2H,m) 4.71〜4.80 (1H,m) 6.93 (2H,d,J=8.79Hz) 7.21 (2H,d,J=7.33Hz) 7.44 (2H,d,J=8.06Hz) 7.49 (2H,d,J=8.79Hz) (2R,4S)体 相転移温度 ▲[α]27 D▼+20.76°(C=1.247,CH2Cl2) NMR(CDCl3) δ:0.86〜0.98 (6H,m) 1.27〜1.64 (19H,m) 2.03 (1H,dd,J=8.8Hz, J=12.8Hz) 2.35 (1H,dd,J=7.5Hz, J=12.8Hz) 2.62 (2H,t,J=7.3Hz) 4.06〜4.18 (2H,m) 4.71〜4.80 (1H,m) 6.95 (2H,d,J=8.79Hz) 7.22 (2H,d,J=8.43Hz) 7.45 (2H,d,J=8.06Hz) 7.50 (2H,d,J=8.79Hz) 実施例2 ジイソプロピルアミン70mg、n−ブチルリチウム(1.5m
ol/l in n−ヘキサン)0.30ml、テトラヒドロフラン1m
l、ヘキサメチルホスホリックトリアミド100mg、ヨウ化
メチル130mg及び合成例6で得られたγ−ラクトン誘導
体の(2S,4R)体と(2S,4R)体の混合物163mgのテトラ
ヒドロフラン溶液(2ml)を用いた以外は実施例1と同
様の方法で操作を行い、下記で示されるγ−ラクトン誘
導体の(2R,4R)体130mg、(2S,4R)体22mgを得た。
ol/l in n−ヘキサン)0.30ml、テトラヒドロフラン1m
l、ヘキサメチルホスホリックトリアミド100mg、ヨウ化
メチル130mg及び合成例6で得られたγ−ラクトン誘導
体の(2S,4R)体と(2S,4R)体の混合物163mgのテトラ
ヒドロフラン溶液(2ml)を用いた以外は実施例1と同
様の方法で操作を行い、下記で示されるγ−ラクトン誘
導体の(2R,4R)体130mg、(2S,4R)体22mgを得た。
(2R,4R)体 相転移温度 ▲[α]25 D▼−25.95°(C=1.013,CH2Cl2) NMR(CDCl3) δ:0.87〜1.66 (34H,m) 1.85 (2H,s) 1.88 (2H,s) 2.05 (1H,dd,J=6.96Hz, J=12.45Hz) 2.17 (1H,dd,J=9.89Hz, J=12.82Hz) 2.42 (1H,t,J=12.09Hz) 4.04〜4.15 (2H,m) 4.71〜4.81 (1H,m) 6.83 (2H,d,J=8.43Hz) 7.13 (2H,d,J=8.8Hz) (2S,4R)体 相転移温度 ▲[α]25 D▼−17.15°(C=0.893,CH2Cl2) NMR(CDCl3) δ:0.86〜1.59 (34H,m) 1.83 (2H,s) 1.87 (2H,s) 2.01 (1H,dd,J=8.79Hz, J=13.79Hz) 2.34 (1H,dd,J=7.33Hz, J=12.82Hz) 2.41 (1H,t,J=12.09Hz) 4.02〜4.12 (2H,m) 4.69〜4.78 (1H,m) 6.82 (2H,d,J=8.80Hz) 7.12 (2H,d,J=8.79Hz) 実施例3 ジイソプロピルアミン80mg、n−ブチルリチウム(1.5m
ol/l in n−ヘキサン)0.41ml、テトラヒドロフラン2m
l、ヘキサメチルホスホリックトリアミド130mg、ヨウ化
メチル170mg及び合成例9で得られたγ−ラクトン誘導
体の(2S,4S)体と(2R,4S)体の混合物257mgのテトラ
ヒドロフラン溶液(5ml)を用いた以外は実施例1と同
様にして操作を行い、下記に示されるγ−ラクトン誘導
体の(2S,4S)体90mg、(2R,4S)体20gを得た。
ol/l in n−ヘキサン)0.41ml、テトラヒドロフラン2m
l、ヘキサメチルホスホリックトリアミド130mg、ヨウ化
メチル170mg及び合成例9で得られたγ−ラクトン誘導
体の(2S,4S)体と(2R,4S)体の混合物257mgのテトラ
ヒドロフラン溶液(5ml)を用いた以外は実施例1と同
様にして操作を行い、下記に示されるγ−ラクトン誘導
体の(2S,4S)体90mg、(2R,4S)体20gを得た。
(2S,4S)体 相転移温度 ▲[α]25 D▼+29.53°(C=0.993,CH2Cl2) NMR(CDCl3) δ:0.86〜0.91 (6H,m) 1.29〜1.67 (25H,m) 1.77〜1.86 (2H,m) 2.07 (1H,dd,J=6.96Hz, J=12.83Hz) 2.20 (1H,dd,J=9.89Hz, J=13.19Hz) 4.07 (2H,t,J=6.59Hz) 4.11〜4.23 (2H,m) 4.74〜4.84 (1H,m) 6.97 (2H,d,J=9.16Hz) 8.29 (2H,d,J=9.16Hz) 8.41 (2H,s) (2R,4S)体 相転移温度 ▲[α]25 D▼+25.99°(C=0.547,CH2Cl2) NMR(CDCl3) δ:0.86〜0.91 (6H,m) 1.15〜1.62 (25H,m) 1.78〜1.88 (2H,m) 2.05 (1H,dd,J=8.79Hz, J=13.19Hz) 2.36 (1H,dd,J=7.33Hz, J=13.19Hz) 4.08 (2H,t,J=6.60Hz) 4.10〜4.22 (2H,m) 4.68〜4.82 (1H,m) 6.98 (2H,d,J=8.79Hz) 8.29 (2H,d,J=9.16Hz) 8.42 (2H,s) 実施例4 ジイソプロピルアミン70mg、n−ブチルリチウム(1.5m
ol/l in n−ヘキサン)0.13ml、テトラヒドロフラン2m
l、ヘキサメチルホスホリックトリアミド54mg、ヨウ化
メチル250mg及び合成例8で得られたγ−ラクトン誘導
体の(2S,4S)体と(2R,4S)体の混合物80mgのテトラヒ
ドロフラン溶液(5ml)を用いた以外は実施例1と同様
にして操作を行い、下記に示されるγ−ラクトン誘導体
の(2S,4S)体26mg、(2R,4S)体11gを得た。
ol/l in n−ヘキサン)0.13ml、テトラヒドロフラン2m
l、ヘキサメチルホスホリックトリアミド54mg、ヨウ化
メチル250mg及び合成例8で得られたγ−ラクトン誘導
体の(2S,4S)体と(2R,4S)体の混合物80mgのテトラヒ
ドロフラン溶液(5ml)を用いた以外は実施例1と同様
にして操作を行い、下記に示されるγ−ラクトン誘導体
の(2S,4S)体26mg、(2R,4S)体11gを得た。
(2S,4S)体 相転移温度 ▲[α]29 D▼+15.12°(C=0.823,CH2Cl2) NMR(CDCl3) δ:0.87〜0.93 (6H,m) 1.26〜1.68 (21H,m) 1.77〜1.87 (2H,m) 2.09 (1H,dd,J=6.96Hz, J=12.82Hz) 2.22 (1H,dd,J=9.89Hz, J=12.82Hz) 4.01 (2H,t,J=6.60Hz) 4.15〜4.26 (2H,m) 4.78〜4.85 (1H,m) 7.01 (2H,d,J=8.79Hz) 7.03 (2H,d,J=8.79Hz) 7.54 (2H,d,J=8.79Hz) 8.43 (2H,d,J=9.16Hz) 9.93 (2H,s) (2R,4S)体 相転移温度 ▲[α]27 D▼+7.97°(C=0.483,CH2Cl2) NMR(CDCl3) δ:0.88〜0.92 (6H,m) 1.26〜1.70 (21H,m) 1.76〜1.87 (2H,m) 2.06 (1H,dd,J=8.79Hz, J=13.18Hz) 2.37 (1H,dd,J=7.32Hz, J=12.82Hz) 4.02 (2H,t,J=6.60Hz) 4.13〜4.24 (2H,m) 4.75〜4.83 (1H,m) 7.01 (2H,d,J=9.16Hz) 7.04 (2H,d,J=8.79Hz) 7.54 (2H,d,J=8.79Hz) 8.42 (2H,d,J=9.16Hz) 8.93 (2H,s) 〈液晶組成物及び電気光学素子〉 実施例5 実施例1で得られた下記式で示されるγ−ラクトン誘導
体の(2S,4S)体 と下記式(1)で示される化合物 とを1:21.1(重量)の比率で混合した組成物の相転移温
度は、DSC測定、偏光顕微鏡による観察の結果、以下の
ようであることがわかった。
体の(2S,4S)体 と下記式(1)で示される化合物 とを1:21.1(重量)の比率で混合した組成物の相転移温
度は、DSC測定、偏光顕微鏡による観察の結果、以下の
ようであることがわかった。
またこの組成物をITO膜を付してポリイミドを塗布しラ
ビングした2枚のガラス基板で構成した厚さ2μmのセ
ルに注入してVp-p=20Vを印加したときの透過光強度の
変化により求めた応答速度は30℃で27μsecであった。
ビングした2枚のガラス基板で構成した厚さ2μmのセ
ルに注入してVp-p=20Vを印加したときの透過光強度の
変化により求めた応答速度は30℃で27μsecであった。
実施例6 実施例1で得られた下記式で示されるγ−ラクトン誘導
体の(2R,4S)体 と実施例5の式(1)化合物とを1:21.2(重量)の比率
で混合した組成物の相転移温度と、応答速度は実施例5
と同様に測定した結果、以下のようであることがわかっ
た。
体の(2R,4S)体 と実施例5の式(1)化合物とを1:21.2(重量)の比率
で混合した組成物の相転移温度と、応答速度は実施例5
と同様に測定した結果、以下のようであることがわかっ
た。
実施例7 実施例2で得られた下記式で表わされるγ−ラクトン誘
導体の(2R,4R)体 と実施例5の式(1)化合物とを1:20.4(重量)の比率
で混合した組成物の相転移温度と、応答速度は実施例5
と同様の方法で測定した結果、以下のようであることが
わかった。
導体の(2R,4R)体 と実施例5の式(1)化合物とを1:20.4(重量)の比率
で混合した組成物の相転移温度と、応答速度は実施例5
と同様の方法で測定した結果、以下のようであることが
わかった。
実施例8 実施例3で得られた下記式で表わされるγ−ラクトン誘
導体の(2S,4S)体 と実施例5の式(1)化合物とを1:20.4(重量)で混合
した組成物の相転移温度と応答速度は実施例5と同様の
方法で測定した結果、以下のようであることがわかっ
た。
導体の(2S,4S)体 と実施例5の式(1)化合物とを1:20.4(重量)で混合
した組成物の相転移温度と応答速度は実施例5と同様の
方法で測定した結果、以下のようであることがわかっ
た。
実施例9 実施例4で得られた下記式で表わされるγ−ラクトン誘
導体の(2R,4S)体 と実施例5の式(1)化合物とを1:20.0(重量)で混合
した組成物の相転移温度と応答速度は実施例5と同様の
方法で測定した結果、以下のようであることがわかっ
た。
導体の(2R,4S)体 と実施例5の式(1)化合物とを1:20.0(重量)で混合
した組成物の相転移温度と応答速度は実施例5と同様の
方法で測定した結果、以下のようであることがわかっ
た。
(発明の効果) 本発明による新規液晶化合物は、従来の液晶材料と比較
して熱、光に対する安定性がよく、このものを含有する
液晶組成物は強誘電性液晶として優れた性質を有し、応
答速度の著しく速い液晶材料を与える。
して熱、光に対する安定性がよく、このものを含有する
液晶組成物は強誘電性液晶として優れた性質を有し、応
答速度の著しく速い液晶材料を与える。
Claims (3)
- 【請求項1】一般式(A) (式(A)中R1は から選ばれた基、n又はeはそれぞれ独立して0又は
1、R3は炭素数1〜15のアルキル基又は炭素数2〜15の
アルケニル基であって、それぞれ不斉炭素原子を含んで
いてもよい基、X又はYは水素原子,ハロゲン原子及び
シアノ基から選ばれた原子又は基、R2は炭素数1〜15の
アルキル基又は炭素数2〜15のアルケニル基であって、
それぞれ不斉炭素原子を含んでいてもよい基を表わし、
*の符号は不斉炭素原子を表わす。但し、R2がメチル基
のときこの2位の炭素原子は不斉炭素原子ではない) で表わされる光学活性γ−ラクトン環を有する化合物。 - 【請求項2】一般式(A)の化合物がラセミ体である請
求項1記載の化合物。 - 【請求項3】請求項1又は2記載の化合物の少なくとも
1種を含有することを特徴とする液晶組成物。
Priority Applications (6)
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| US07/557,777 US5338482A (en) | 1989-07-27 | 1990-07-26 | Liquid crystalline compounds, liquid crystal compositions containing the same and use thereof |
| EP90114358A EP0410447B1 (en) | 1989-07-27 | 1990-07-26 | Liquid crystalline compounds, liquid crystal compositions containing the same and use thereof |
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| US08/180,380 US5395553A (en) | 1989-07-27 | 1994-01-12 | Liquid crystalline compounds, liquid crystal compositions containing the same and use thereof |
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|---|---|
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Family
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Family Applications (1)
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| JP (1) | JPH0717628B2 (ja) |
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-
1989
- 1989-07-27 JP JP1195729A patent/JPH0717628B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1990
- 1990-07-26 EP EP90114358A patent/EP0410447B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1990-07-26 US US07/557,777 patent/US5338482A/en not_active Expired - Lifetime
- 1990-07-26 DE DE69014163T patent/DE69014163T2/de not_active Expired - Lifetime
- 1990-07-27 KR KR1019900011487A patent/KR0162650B1/ko not_active Expired - Lifetime
-
1994
- 1994-01-12 US US08/180,380 patent/US5395553A/en not_active Expired - Lifetime
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