JPH071775B2 - ヒ−トパイプ式均熱台 - Google Patents
ヒ−トパイプ式均熱台Info
- Publication number
- JPH071775B2 JPH071775B2 JP10416387A JP10416387A JPH071775B2 JP H071775 B2 JPH071775 B2 JP H071775B2 JP 10416387 A JP10416387 A JP 10416387A JP 10416387 A JP10416387 A JP 10416387A JP H071775 B2 JPH071775 B2 JP H071775B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- container
- heat pipe
- pipe type
- heat
- type heat
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Landscapes
- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はガリウム−ヒ素半導体ウェハーの検査評価工程
等に用いるヒートパイプ式均熱台に関するものである。
等に用いるヒートパイプ式均熱台に関するものである。
物質の加熱においては、加熱面の温度の均一性が問題と
なることが多い。即ちある一定の面積を有する加熱面の
温度に局所的なバラツキがあった場合、それを用いて製
造される製品の品質のむらに直結することは明白であ
る。
なることが多い。即ちある一定の面積を有する加熱面の
温度に局所的なバラツキがあった場合、それを用いて製
造される製品の品質のむらに直結することは明白であ
る。
一般的には従来から台状金属を直接ヒータ等で加熱する
方式がとられていた。この場合表面温度がある程度ばら
つくことはいうまでもないが、従来の技術分野ではさほ
ど高精度の均一性は要求されなかった。ところが近年急
速に開発が進みつつあるガリウム−ヒ素半導体ウェハー
の検査評価工程等においては、加熱表面温度を±１℃以
内におさえる必要があり、高精度の均熱台に対する要請
が極めて大きくなった。
方式がとられていた。この場合表面温度がある程度ばら
つくことはいうまでもないが、従来の技術分野ではさほ
ど高精度の均一性は要求されなかった。ところが近年急
速に開発が進みつつあるガリウム−ヒ素半導体ウェハー
の検査評価工程等においては、加熱表面温度を±１℃以
内におさえる必要があり、高精度の均熱台に対する要請
が極めて大きくなった。
このような中で均熱台と加熱源とをヒートパイプで結ぶ
方式や均熱台自体をヒートパイプ化する方式が開発され
ているが、前者の場合にはヒートパイプをいかに高密度
に配置しても表面の温度を±１℃におさえることは不可
能である。また後者の場合、ヒートパイプ凝縮面の凝縮
液が滴下する以前に凝縮面上で不均一に偏在する液膜を
形成するため、温度分布にある程度のバラツキが生じる
欠点があった。
方式や均熱台自体をヒートパイプ化する方式が開発され
ているが、前者の場合にはヒートパイプをいかに高密度
に配置しても表面の温度を±１℃におさえることは不可
能である。また後者の場合、ヒートパイプ凝縮面の凝縮
液が滴下する以前に凝縮面上で不均一に偏在する液膜を
形成するため、温度分布にある程度のバラツキが生じる
欠点があった。
本発明はこれに鑑み種々検討の結果、先端技術分野が要
請する高精度の温度均一性を有するヒートパイプ式均熱
台を開発したもので、台状容器内を真空引きして作動液
を封入することにより、ヒートパイプ化し、該容器の両
底面の何れか一方を作動液凝縮面として均熱を行なわせ
る台において、凝縮面の容器内側に角錐又は円錐状の突
起を面全体に稠密に設けたことを特徴とするものであ
る。
請する高精度の温度均一性を有するヒートパイプ式均熱
台を開発したもので、台状容器内を真空引きして作動液
を封入することにより、ヒートパイプ化し、該容器の両
底面の何れか一方を作動液凝縮面として均熱を行なわせ
る台において、凝縮面の容器内側に角錐又は円錐状の突
起を面全体に稠密に設けたことを特徴とするものであ
る。
台状容器の均熱を行なわせる面の容器内側を作動液凝縮
面とし、その面に角錐又は円錐状の突起を面全体に稠密
に設けることにより、凝縮液は面の全体に均一に分布す
るようになる。その結果加熱面の温度分布を均一に保持
し、温度のバラツキを±１℃以内におさえることができ
る。
面とし、その面に角錐又は円錐状の突起を面全体に稠密
に設けることにより、凝縮液は面の全体に均一に分布す
るようになる。その結果加熱面の温度分布を均一に保持
し、温度のバラツキを±１℃以内におさえることができ
る。
台状容器としては台状のものであればよいが、その使用
上から角錐台又は円錐台とすることが望ましく、その両
底面の何れか一方を加熱面とし、その容器内側を作動液
凝縮面として角錐又は円錐状突起を設ける。このような
突起としては加工上四角錐又は三角錐とすることが望ま
しく、その底面の一辺の長さを２〜20mm、高さを２〜20
mmとする。これは突起の底面の長さと高さがそれぞれ2m
m未満では凝縮液が突起間を充填して凝縮面上に液膜を
形成するようになるためであり、また突起の底面の長さ
と高さがそれぞれ20mmを越える凝縮液の分布がマクロ的
な次元となって意味がなくなるためである。
上から角錐台又は円錐台とすることが望ましく、その両
底面の何れか一方を加熱面とし、その容器内側を作動液
凝縮面として角錐又は円錐状突起を設ける。このような
突起としては加工上四角錐又は三角錐とすることが望ま
しく、その底面の一辺の長さを２〜20mm、高さを２〜20
mmとする。これは突起の底面の長さと高さがそれぞれ2m
m未満では凝縮液が突起間を充填して凝縮面上に液膜を
形成するようになるためであり、また突起の底面の長さ
と高さがそれぞれ20mmを越える凝縮液の分布がマクロ的
な次元となって意味がなくなるためである。
凝縮面の大きさとしては20〜600cm2とすることが望まし
く、20cm2未満では均熱台としてのやくわりを果せず、6
00cm2を越えると高精度の均一化が困難となるためであ
る。作動液としては使用目的に応じて選択使用すればよ
いが、ガリウム−ヒ素半導体ウェハーの検査評価用とし
てはナフタレンを用い、容器の材質としてはステンレス
鋼を用いる。また内圧上昇により均熱を行なわせる均熱
面の歪を防止するために、容器の両底面間に支柱を設け
るとよい。
く、20cm2未満では均熱台としてのやくわりを果せず、6
00cm2を越えると高精度の均一化が困難となるためであ
る。作動液としては使用目的に応じて選択使用すればよ
いが、ガリウム−ヒ素半導体ウェハーの検査評価用とし
てはナフタレンを用い、容器の材質としてはステンレス
鋼を用いる。また内圧上昇により均熱を行なわせる均熱
面の歪を防止するために、容器の両底面間に支柱を設け
るとよい。
第１図及び第２図は本発明均熱台の一実施例を示すもの
で、図において（１）はステンレス鋼からなる高さ34m
m、一方の底面の直径130mm、他方の底面の直径82mmの円
錐台状中空容器を示し、該容器（１）の一方の直径130m
m底面を均熱面（２）、他方の直径82mmの底面を加熱源
取付面（３）とする。均熱面（２）の容器（１）の内側
には作動液凝縮及び下方への滴下をうながすために底面
の一辺が18mm、高さが5mmの四角錐状突起（４）を稠密
に設け、これにより凝縮液が面の局所にかたよったり、
あるいは外周部に液だまりを形成するのを防止する。
で、図において（１）はステンレス鋼からなる高さ34m
m、一方の底面の直径130mm、他方の底面の直径82mmの円
錐台状中空容器を示し、該容器（１）の一方の直径130m
m底面を均熱面（２）、他方の直径82mmの底面を加熱源
取付面（３）とする。均熱面（２）の容器（１）の内側
には作動液凝縮及び下方への滴下をうながすために底面
の一辺が18mm、高さが5mmの四角錐状突起（４）を稠密
に設け、これにより凝縮液が面の局所にかたよったり、
あるいは外周部に液だまりを形成するのを防止する。
均熱面（２）と加熱源取付面（３）、即ち容器の両底面
間に、均熱面（２）の内圧上昇による歪を防止する支柱
（５）を設け、加熱源取付面（３）にはヒータ取付けの
ためのボルト（６）を設ける。また中空容器（１）には
作動液注入及び真空封じ切り用管（７）を取付け、内部
を真空引きしてナフタレンを封入し、加熱源取付面
（３）にヒータを取付け、ガリウム−ヒ素半導体ウェハ
ーの均熱台を作成した。
間に、均熱面（２）の内圧上昇による歪を防止する支柱
（５）を設け、加熱源取付面（３）にはヒータ取付けの
ためのボルト（６）を設ける。また中空容器（１）には
作動液注入及び真空封じ切り用管（７）を取付け、内部
を真空引きしてナフタレンを封入し、加熱源取付面
（３）にヒータを取付け、ガリウム−ヒ素半導体ウェハ
ーの均熱台を作成した。
これについて均熱台の温度を200℃以上に設定し、均熱
面の温度分布を調べた。その結果均熱面の温度分布は±
１℃以内におさえることができた。尚比較のため均熱面
の容器内側に突起を形成しない同一大きさの均熱台を作
成し、同様にして均熱面の温度分布を調べた。その結果
均熱面の容器内側に突起を形成しない均熱台の温度分布
は±10℃であった。
面の温度分布を調べた。その結果均熱面の温度分布は±
１℃以内におさえることができた。尚比較のため均熱面
の容器内側に突起を形成しない同一大きさの均熱台を作
成し、同様にして均熱面の温度分布を調べた。その結果
均熱面の容器内側に突起を形成しない均熱台の温度分布
は±10℃であった。
このように本発明均熱台によれば、ガリウム−ヒ素半導
体ウェハーの検査評価工程等において被検査体を±１℃
という高精度の均熱が可能となり、ガリウム−ヒ素半導
体ウェハーの品質向上に大きく寄与することができる等
工業上顕著な効果を奏するものである。
体ウェハーの検査評価工程等において被検査体を±１℃
という高精度の均熱が可能となり、ガリウム−ヒ素半導
体ウェハーの品質向上に大きく寄与することができる等
工業上顕著な効果を奏するものである。
第１図は本発明均熱台の一実施例を示す側断面図、第２
図は第１図のＡ−Ａ′線における断面図である。 （１）台状容器、（２）均熱面 （３）加熱源取付面、（４）四角錐状突起 （５）支柱、（６）ボルト （７）真空封じ切り管
図は第１図のＡ−Ａ′線における断面図である。 （１）台状容器、（２）均熱面 （３）加熱源取付面、（４）四角錐状突起 （５）支柱、（６）ボルト （７）真空封じ切り管
Claims (6)
- 【請求項１】台状容器内を真空引きして作動液を封入す
ることによりヒートパイプ化し、該容器の両底面の何れ
か一方を作動液凝縮面として均熱を行なわせる台におい
て、凝縮面の容器内側に角錐又は円錐状の突起を面全体
に稠密に設けたことを特徴とするヒートパイプ式均熱
台。 - 【請求項２】台状容器として角錐台又は円錐台状の容器
を用いる特許請求の範囲第１項記載のヒートパイプ式均
熱台。 - 【請求項３】凝縮面の突起の形状を四角錐又は三角錐と
し、その底面の一辺の長さを２〜20mm、高さを２〜20mm
とする特許請求の範囲第１項又は第２項記載のヒートパ
イプ式均熱台。 - 【請求項４】作動液凝縮面の面積を20〜600cm2とする特
許請求の範囲第１項，第２項又は第３項記載のヒートパ
イプ式均熱台。 - 【請求項５】作動液にナフタレンを用いる特許請求の範
囲第１項，第２項，第３項又は第４項記載のヒートパイ
プ式均熱台。 - 【請求項６】容器内の凝縮面と他方の底面との間に、熱
歪による凝縮面の変形を防止する支持柱を設ける特許請
求の範囲第１項，第２項，第３項，第４項又は第５項記
載のヒートパイプ式均熱台。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10416387A JPH071775B2 (ja) | 1987-04-27 | 1987-04-27 | ヒ−トパイプ式均熱台 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10416387A JPH071775B2 (ja) | 1987-04-27 | 1987-04-27 | ヒ−トパイプ式均熱台 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63269543A JPS63269543A (ja) | 1988-11-07 |
| JPH071775B2 true JPH071775B2 (ja) | 1995-01-11 |
Family
ID=14373386
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10416387A Expired - Lifetime JPH071775B2 (ja) | 1987-04-27 | 1987-04-27 | ヒ−トパイプ式均熱台 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH071775B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0550372U (ja) * | 1991-12-05 | 1993-07-02 | 株式会社アドバンテスト | 恒温槽、恒温槽温度管理システムおよび熱伝達用プレート |
| JPH09210582A (ja) * | 1995-12-01 | 1997-08-12 | Fujikura Ltd | ヒートパイプ |
| CN116124298B (zh) * | 2021-11-12 | 2026-04-14 | 北京振兴计量测试研究所 | 一种冷却结构和设计方法 |
-
1987
- 1987-04-27 JP JP10416387A patent/JPH071775B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63269543A (ja) | 1988-11-07 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| DE69625545T2 (de) | Mehrschichtige Susceptor für schnelle thermische Behandlungsreaktoren | |
| JP3317781B2 (ja) | 半導体ウエハの熱処理用サセプタの製造方法 | |
| US4311743A (en) | Semiconductor-glass composite material and method for producing it | |
| DE19622322C2 (de) | Vorrichtung zum Züchten aus der Dampfphase | |
| JPS63269543A (ja) | ヒ−トパイプ式均熱台 | |
| US4989433A (en) | Method and means for metal sizing employing thermal expansion and contraction | |
| TW315490B (ja) | ||
| JPS6222526B2 (ja) | ||
| CN111057832B (zh) | 一种螺旋锥齿轮的热处理变形控制方法 | |
| US3348297A (en) | Method of manufacturing a mount for a semi-conductor device | |
| JPS6130732B2 (ja) | ||
| CN211542361U (zh) | 钢衬四氟管翻边工作架 | |
| EP2993258B1 (de) | Verfahren zum abstützen eines wachsenden einkristalls während des kristallisierens des einkristalls gemäss dem fz-verfahren | |
| JPS5942122A (ja) | ２層クラツド鋼板の反り矯正方法 | |
| DE69314465T2 (de) | Vorrichtung und verfahren zur behandlung eines wafers aus halbleiter-werkstoff | |
| CN217831314U (zh) | 一种提高靶材绑定平面度的装置 | |
| SU405732A1 (ru) | Способ изготовления изделий из фторопласта-4 | |
| JPS58217492A (ja) | 結晶成長装置 | |
| JPH0516400B2 (ja) | ||
| JPS55141313A (en) | Manufacture of laminated metallic rod | |
| DE2952602C2 (ja) | ||
| TW417209B (en) | Process and device for the heat treatment of semiconductor wafers | |
| DE4140387A1 (de) | Vorrichtung und verfahren zur verformungsfreien bearbeitung von halbleitermaterialscheiben in schnellen thermischen prozessen | |
| JPS6372111A (ja) | 半導体基板の温度調整方法 | |
| JPS5820878Y2 (ja) | 真空熱処理炉における長尺材料の支持装入装置 |