JPH07202584A - 低電圧誤動作防止機能付過熱保護回路 - Google Patents

低電圧誤動作防止機能付過熱保護回路

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JPH07202584A
JPH07202584A JP5337167A JP33716793A JPH07202584A JP H07202584 A JPH07202584 A JP H07202584A JP 5337167 A JP5337167 A JP 5337167A JP 33716793 A JP33716793 A JP 33716793A JP H07202584 A JPH07202584 A JP H07202584A
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JP
Japan
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circuit
voltage
output
output signal
power supply
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JP5337167A
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English (en)
Inventor
Manabu Nakago
学 中郷
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NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
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Publication date
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    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/08Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage
    • H03K17/082Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage by feedback from the output to the control circuit
    • H03K17/0822Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage by feedback from the output to the control circuit in field-effect transistor switches
    • HELECTRICITY
    • H02GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02HEMERGENCY PROTECTIVE CIRCUIT ARRANGEMENTS
    • H02H5/00Emergency protective circuit arrangements for automatic disconnection directly responsive to an undesired change from normal non-electric working conditions with or without subsequent reconnection
    • H02H5/04Emergency protective circuit arrangements for automatic disconnection directly responsive to an undesired change from normal non-electric working conditions with or without subsequent reconnection responsive to abnormal temperature
    • H02H5/044Emergency protective circuit arrangements for automatic disconnection directly responsive to an undesired change from normal non-electric working conditions with or without subsequent reconnection responsive to abnormal temperature using a semiconductor device to sense the temperature
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
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    • H03K17/08Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage
    • H03K2017/0806Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage against excessive temperature

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Abstract

(57)【要約】 【目的】電源電圧の変動が激しい場合でも、低い温度で
の過熱保護回路の誤動作を起さない過熱保護回路を提供
する事を目的とする。 【構成】基準電圧発生回路と温度検出回路の出力信号を
電源電圧モニター制御回路によって電源電圧が低電圧の
時のみ、制御し出力する。この電源電圧モニター制御回
路出力信号を比較回路に入力し、比較回路で比較したの
ち過熱状態である時のみ、比較回路の出力信号が出力さ
れる。比較回路の出力信号によって出力保護回路が動作
し、過熱保護回路動作が完結する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、パワーMOS ICに
関し、特に電源電圧の使用範囲が広い場合に関する。
(低電圧での使用が応用上、考えられる場合に関す
る。)
【従来の技術】従来の過熱検出回路は、図6に示すよう
に、温度検出回路の出力信号(OT)と基準電圧発生回
路の出力信号(BGR1)との電圧を比較するOT用コ
ンパレータと出力MOSを駆動するチャージポンプと出
力MOSのゲート電圧をシャントするN MOS FE
T(過熱保護回路)を有している。
【0002】なお、図6の回路は、ハイサイドスイッチ
の例であり、前記温度検出回路及び基準電圧発生回路
は、基準電圧発生回路2(BGR2)の出力電圧内で動
作している。
【0003】次に動作について説明する。説明は、Vc
cを基準として記載する。BGR1の電圧は、温度に依
らず一定の電圧を出力している。又OTの電圧は高温に
なればVccに近くなりBGR1<OTとなった時点で
OT用コンパレータの出力がLO→Hiとなり、シャン
トMOSを駆動する。このMOSの動作により出力MO
Sを駆動していたチャージポンプのゲート電圧出力はカ
ットされ、出力MOSもオフとなり過熱保護が作動する
事となる。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】この従来の過熱保護回
路では、電源電圧(Vcc)の立上がり時にロジック内
基準電圧(BGR1,BGR2)や温度検出電圧(O
T)も一定の電圧になるまでの間に立上がり特性を有す
る。
【0005】この電圧立上り特性をVcc基準にして示
したグラフを図7に示す。図7においてA部の部分にお
いてOT>BGR1となり、過熱保護回路が動作する事
となる。OT>BGR1となる理由は、温度検出回路内
のトランジスタ(Bip Tn)とダイオード(Di)
の電圧立上がり特性によるものである。
【0006】Vccがある程度一定に保たれる場合は、
問題とならないが、電源、負荷などの影響でVccが低
下もしくは、低い場合は、低い温度で過熱保護回路が動
作し、出力MOSがオフしてしまうという問題点があっ
た。出力がオフしてしまうと、負荷の動作が停止し、セ
ットとしての機能はなくなってしまうという問題が発生
する。
【0007】
【課題を解決するための手段】本発明の低電圧誤動作防
止機能付過熱保護回路は、基準電圧発生回路と、温度検
出回路との出力信号を電源電圧によって制御する電源電
圧モニター制御回路と同制御回路出力信号を比較する比
較回路と比較回路の出力信号によって動作する出力保護
回路とを備えている。
【0008】
【実施例】次に本発明について図面を参照して説明す
る。
【0009】図1は、本発明の実施例の過熱保護回路の
ブロック図である。基準電圧発生回路と温度検出回路の
出力信号を電源電圧モニター制御回路において制御した
のちに比較回路で比較しその出力信号によって出力保護
回路を作動させる構成となっている。
【0010】図2は、図1のブロック図を実際の回路と
して実施した本発明の第1の実施例である。
【0011】電源電圧(Vcc)と基準電圧発生回路2
(BGR2)の間で温度検出回路(OT)と基準電圧発
生回路1(BGR1)とを動作させ、各々の出力信号を
OT用コンパレータの入力とする。OT用コンパレータ
の出力信号は、チャージポンプの出力によって駆動され
る出力MOSのゲート・ソース間に挿入されたシャント
用MOSのゲートに接続し、出力MOSを強制的にオフ
させる事ができる。
【0012】BGR1の出力信号は、抵抗1,抵抗2,
PchMOSによって構成される電源電圧モニター制御
回路によって、Vccが低電圧時のみPchMOSがオ
ンするので、BGR1の電圧はVccヘプルアップされ
る。
【0013】次に動作について説明する。Vccの電圧
立上り時の各部の電圧波形を示した図を図3に示す。電
源電圧Vccが立上がる従ってBGR2が所定の電圧に
立上って行く。続いてOT,BGR1電圧も同様に所定
の電圧に立上がって行く。この時電源電圧モニター制御
回路内のPchMOS動作により、BGR1の出力信号
は、Vccが低電圧時は、VccヘプルアップされOT
より遅れて立上がる事となる。
【0014】次に本発明の第2の実施例を図4に示す。
基本動作は、図2と同様であるが、電源電圧モニター制
御回路がBGR1側でなくOT側へ付加され、抵抗4,
抵抗5,NchMOSによって構成されている。
【0015】図4の回路における電圧立上り特性を図5
に示す。OT出力電圧は、Vccが低電圧の場合、低電
流源によってBGR2ヘプルダウンされるためVcc低
電圧時のOT電圧は、BGR2に追従した動作となる。
【0016】なお、上記説明では、ハイサイドスイッチ
の例で示したが、ローサイドスイッチの場合も同様にで
きる事は明白であり、特に記述しない。
【0017】
【発明の効果】以上説明したように本発明の過熱保護回
路では、BGR1(又はOT)の出力電圧が電源電圧モ
ニター制御回路によって制御されるためVccが低電圧
(電源立上り)時にBGR1<OTとなる事がない。
【0018】従って電源,負荷の影響で電源電圧が低下
もしくは、低い場合でも誤動作(過熱保護=出力MOS
のオフ)を起さないという効果を有する。
【0019】実際の評価結果からは、図7のA領域(誤
動作領域)は、4〜6V程度で発生する。(BGR1=
−2.4V,OT(at130℃)=−2.5V,BG
R2=−6Vの場合)又は、低電圧での誤動作がなくな
るので、負荷動作の中断がなくなり、セットとしての利
便性が向上するという効果がある。
【0020】第2の実施例(図4)は、第1の実施例に
比べ、従来回路に追加する部品(素子)が少なくてすむ
という利点がある。(第1の実施例では、抵抗1,2,
3,PchMOSが必要だが、第2の実施例では、抵抗
4,5,NchMOSで構成できる。)
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の回路ブロック図。
【図2】本発明の第一実施例の回路図。
【図3】本発明の第1の実施例の各部の電圧立上り特性
図。
【図4】本発明の第2の実施例の回路図。
【図5】本発明の第2の実施例の各部の電圧立上り特性
図。
【図6】従来の過熱保護回路図。
【図7】従来の過熱保護回路の各部の電圧立上り特性
図。
【符号の説明】
Vcc 電源電圧 OT 温度検出回路の出力信号 OUT 出力 BGR1 基準電圧発生回路1の出力信号 BGR2 基準電圧発生回路2の出力信号

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 基板電圧発生回路と温度検出回路との出
    力信号を、電源電圧によって制御する電源電圧モニター
    制御回路と同制御回路出力信号を比較する比較回路と比
    較回路の出力信号によって動作する出力保護回路とを備
    えることを特徴とする低電圧誤動作防止機能付過熱保護
    回路。
JP5337167A 1993-12-28 1993-12-28 低電圧誤動作防止機能付過熱保護回路 Pending JPH07202584A (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP5337167A JPH07202584A (ja) 1993-12-28 1993-12-28 低電圧誤動作防止機能付過熱保護回路
US08/363,832 US5543996A (en) 1993-12-28 1994-12-27 Protective circuit for protecting transistor from thermal destruction

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11201830A (ja) * 1997-11-17 1999-07-30 Fuji Electric Co Ltd 温度検出機能内蔵ドライバic
CN109658871A (zh) * 2017-10-11 2019-04-19 茂达电子股份有限公司 适应式的背光装置、背光系统及其控制方法

Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5784232A (en) * 1997-06-03 1998-07-21 Tecumseh Products Company Multiple winding sensing control and protection circuit for electric motors
JPH11235025A (ja) * 1998-02-18 1999-08-27 Seiko Instruments Inc Pwm方式のスイッチング・レギュレータ制御回路及びスイッチング・レギュレータ
US6055149A (en) * 1998-12-02 2000-04-25 Intersil Corporation Current limited, thermally protected, power device
US6577480B1 (en) 1999-08-06 2003-06-10 Sarnoff Corporation Adjustable trigger voltage circuit for sub-micrometer silicon IC ESD protection
US6531911B1 (en) * 2000-07-07 2003-03-11 Ibm Corporation Low-power band-gap reference and temperature sensor circuit
IT1318952B1 (it) * 2000-10-02 2003-09-19 St Microelectronics Srl Circuito di protezione alle alte correnti in convertitori perilluminazione
JP4807074B2 (ja) * 2005-12-28 2011-11-02 Tdk株式会社 温度検出回路及び温度検出方法
CN102244375B (zh) * 2010-05-14 2014-11-05 中兴通讯股份有限公司 一种通信电子系统的低温保护装置
US9142952B2 (en) * 2011-02-15 2015-09-22 System General Corporation Multi-function terminal of power supply controller for feedback signal input and over-temperature protection
CN102623956A (zh) * 2012-04-26 2012-08-01 德中利德(天津)生物技术有限公司 60度热断路器
CN104967305A (zh) * 2015-06-05 2015-10-07 惠而浦(中国)股份有限公司 断电自动放电控制电路及自动放电方法
US10009021B1 (en) * 2017-07-20 2018-06-26 Maxim Integrated Products, Inc. Discharge circuits for discharging inductors with temperature protection
JP2023161926A (ja) * 2022-04-26 2023-11-08 富士電機株式会社 半導体装置
JP7845094B2 (ja) * 2022-07-15 2026-04-14 富士電機株式会社 集積回路、電源回路

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0297279A (ja) * 1988-09-30 1990-04-09 Toshiba Lighting & Technol Corp 点灯装置
JPH04285424A (ja) * 1991-03-13 1992-10-09 Hitachi Ltd 熱遮断回路の熱遮断動作試験方法

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4698655A (en) * 1983-09-23 1987-10-06 Motorola, Inc. Overvoltage and overtemperature protection circuit

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0297279A (ja) * 1988-09-30 1990-04-09 Toshiba Lighting & Technol Corp 点灯装置
JPH04285424A (ja) * 1991-03-13 1992-10-09 Hitachi Ltd 熱遮断回路の熱遮断動作試験方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11201830A (ja) * 1997-11-17 1999-07-30 Fuji Electric Co Ltd 温度検出機能内蔵ドライバic
CN109658871A (zh) * 2017-10-11 2019-04-19 茂达电子股份有限公司 适应式的背光装置、背光系统及其控制方法

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US5543996A (en) 1996-08-06

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Effective date: 19971111