JPH07202671A - 半導体集積回路 - Google Patents

半導体集積回路

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JPH07202671A
JPH07202671A JP5333985A JP33398593A JPH07202671A JP H07202671 A JPH07202671 A JP H07202671A JP 5333985 A JP5333985 A JP 5333985A JP 33398593 A JP33398593 A JP 33398593A JP H07202671 A JPH07202671 A JP H07202671A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
output
mos transistors
channel mos
buffer circuit
gate
Prior art date
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Pending
Application number
JP5333985A
Other languages
English (en)
Inventor
Akio Harasawa
昭夫 原澤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
Priority to JP5333985A priority Critical patent/JPH07202671A/ja
Publication of JPH07202671A publication Critical patent/JPH07202671A/ja
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Abstract

(57)【要約】 【目的】外部負荷容量値に依存する出力波形の立ち上が
り時間および立ち下がり時間の特性を、最適な状態に維
持・制御するのに好適な構造を有する出力バッファ回路
を提供する。 【構成】立ち上がり時および立ち下がり時の出力インピ
ーダンスを変更する制御が可能な出力バッファ回路1の
出力を外部出力端子2および内部バッファゲート3の入
力に供給する。制御回路5は、バッファゲート3の出力
信号と入力信号4の位相を比較しこの位相差情報を基に
出力バッファ回路の制御情報を発生し、バッファ回路1
に供給する。外部出力端子2に接続された容量値が不確
定な外部負荷容量の値によって端子2に現れる波形の立
ち上がり時間および立ち下がり時間は変化するこの波形
の変化はバッファゲート3の有する入力しきい値によっ
て位相の変化として出力される。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は半導体集積回路に関し、
特に外部負荷容量値に依存する出力波形の立ち上がり時
間および立ち下がり時間の特性を、最適な状態に維持・
制御するのに好適な構造を有する出力バッファ回路に関
する。
【0002】
【従来の技術】従来この種の立ち上がりおよび立ち下が
り特性を維持・制御可能な出力バッファ回路としては、
特開平4−258014号公報に示すように、出力信号
を演算増幅回路にフィードバックし、基準波形信号との
レベル比較を行い、これにより出力段のMOSトランジ
スタの出力インピーダンスを制御する構成,および特開
平4−154314号公報に示すように、出力信号の立
ち上がり波形・立ち下がり波形それぞれについて、先ず
微分し、次に微分パルスのピーク値を保持し、さらにピ
ーク値によって過大負荷/適正負荷/過小負荷を判定し
出力段の出力インピーダンスを制御する構成が知られて
いる。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、これら
従来の立ち上がりおよび立ち下がり特性を維持・制御可
能な出力バッファ回路は、いずれの例においても、立ち
上がり波形および立ち下がり波形の状態の検出や、出力
インピーダンスの制御をアナログ回路を用いて行ってい
るため、設計や製造の難易度が比較的高いこと、素子定
数の変動の影響を受け易いため、安定した特性を確保す
ることが困難であること、ディジタル回路のみが搭載可
能な集積回路上には搭載不可能であること、といった課
題を有している。
【0004】本発明の目的は、上述の欠点を除去した出
力バッファ回路を提供することにある。
【0005】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の出力バッファ回路は、出力バッファの出力
波形をバッファゲートを介し位相差検出手段の入力に与
え、この位相差検出手段のもう一方の入力に出力バッフ
ァ回路に入力する信号を与え、ここから得られる位相差
情報を基に出力バッファ回路の出力インピーダンスを制
御する信号を発生させている。
【0006】特に、本発明では位相差検出の手段、制御
信号発生手段、出力インピーダンスの可変手段の各手段
をアナログ回路によらずディジタル回路により実現して
いる。
【0007】
【実施例】次に本発明について図面を参照して説明す
る。
【0008】図1は本発明の一実施例の出力バッファ回
路を示すブロック図である。立ち上がり時および立ち下
がり時の出力インピーダンスが変更可能な出力バッファ
回路1の出力は外部出力端子2および内部バッファゲー
ト3の入力接続されている。制御回路5は、バッファゲ
ート3の出力信号と入力信号4の位相を比較し、この位
相差情報を基に出力バッファ回路の制御情報を発生し、
この制御出力をバッファ回路1の制御入力に供給する。
端子2に接続された容量値が不確定な外部負荷容量の値
によって、端子2に現れる波形の立ち上がり時間および
立ち下がり時間は変化する。この波形の変化はバッファ
ゲート3の有する入力しきい値によってバッファゲート
3の出力には位相の変化となって現れる。制御回路5で
は入力信号4とゲート3の出力の位相差をディジタル回
路により検出し、かつディジタル回路でバッファ回路1
の制御信号を発生し、これにより、バッファ回路1はデ
ィジタル的に出力インピーダンスを変更する。
【0009】図2は図1の出力バッファ回路の具体的回
路図である。
【0010】図において、PチャンネルMOSトランジ
スタ6および11〜1N、NチャンネルMOSトランジ
スタ7および21〜2Nのすべてのドレインは共通の外
部出力端子2に接続され、これら全てのMOSトランジ
スタのゲートはインバータゲート8の出力に接続されて
いる。MOSトランジスタ6のソースは電源に接続され
MOSトランジスタ11〜1NのソースはPチャンネル
MOSトランジスタ31〜3Nのドレイン−ソースを介
して電源に接続されている。また、MOSトランジスタ
31〜3Nのゲートはそれぞれ独立した内部入力端子5
1〜5Nに接続され、MOSトランジスタ7のソースは
接地され、MOSトランジスタ21〜2NのソースはN
チャンネルMOSトランジスタ41〜4Nのドレイン−
ソースを介して接地されている。一方、MOSトランジ
スタ41〜4Nのゲートはそれぞれ独立した内部入力端
子61〜6Nに接続され、インバータゲート8の入力は
内部入力端子10に接続されている。端子2に接続され
た容量値が不確定な外部負荷容量の値によって端子2に
現れる波形の立ち上がり時間および立ち下がり時間は変
化する。この波形の変化はインバータゲート3の有する
入力しきい値によって端子9には位相の変化となって現
れる。制御回路5では端子4に与えられる信号と端子9
の位相差をディジタル回路により検出し、かつディジタ
ル回路でバッファ回路1の制御信号を発生する。この制
御信号によりMOSトランジスタ31〜3Nおよび41
〜4Nを開閉し出力インピーダンスを立ち上がり時およ
び立ち下がり時それぞれ独立にかつ段階的に変更する。
【0011】図3は位相差を検出し、これを基に出力バ
ッファの制御情報を発生する回路5の一例を示す回路図
である。立ち上がり用・立ち下がり用それぞれ独立に設
けられたバイナリカウンタ5A1,5A2に、端子4お
よび5に接続された入力信号の位相差の期間にのみ十分
に高速なクロック源からクロックパルスが供給され、結
果として位相差が二進数値として得られる。これを予め
定義された論理テーブルを有するデコーダ5C1,5C
2でデコードし、ここで得られる論理値によりバッファ
回路1の制御を行う。
【0012】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、外部出力
波形を内部バッファゲートによりフィードバックするこ
とにより立ち上がり時間および立ち下がり時間を内部バ
ッファゲートの出力において位相情報に変換することに
より、以降、ディジタル的な手法により、位相差の検
出、制御情報の発生、出力インピーダンスの変更を可能
とする効果を有する。これにより、前述した従来手法の
様にアナログ回路を一切使用することなく容易に出力波
形の特性を最適な状態に維持・制御可能な出力バッファ
回路を実現出来る。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例を示すブロック図。
【図2】本発明の一実施例の具体的な回路図。
【図3】制御回路の一例を示す回路図。
【符号の説明】
1 出力インピーダンスが変更可能な出力バッファ回
路 2 外部出力端子 3 内部バッファゲート 4 入力信号 5 制御情報を発生する回路 6,11〜1N,31〜3N PチャンネルMOSト
ランジスタ 7,21〜2N,41〜4N NチャンネルMOSト
ランジスタ 8 インバータゲート 9 内部出力端子 10 内部入力端子 51〜5N,61〜6N 内部制御情報入力端子

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 立ち上がり時および立ち下がり時の出力
    インピーダンスの変更可能な出力バッファ回路の出力を
    外部出力端子および内部バッファゲートの入力に供給
    し、この内部バッファゲートの出力信号と前記出力バッ
    ファに与える入力信号の位相を比較し、この位相差情報
    を基に前記出力バッファ回路の制御情報を発生し、この
    制御情報により前記出力バッファ回路を制御することを
    特徴とした半導体集積回路。
  2. 【請求項2】 2個以上のPチャンネルMOSトランジ
    スタと、2個以上のNチャンネルMOSトランジスタが
    存在し、これら全てのMOSトランジスタのドレインが
    共通の外部出力端子に接続され、これら全てのトランジ
    スタのゲートをインバータゲートの出力に接続し、前記
    PチャンネルMOSトランジスタのうち少なくとも1個
    のソースは電源に直接接続し、残るPチャンネルMOS
    トランジスタのソースはそれぞれ別に設けられたPチャ
    ンネルMOSトランジスタのドレイン−ソースを介して
    電源に接続し、これらの別に設けられたPチャンネルM
    OSトランジスタのゲートはそれぞれ独立した内部入力
    端子に接続し、前記NチャンネルMOSトランジスタの
    うち少なくとも1個のソースは接地に直接接続し、残る
    NチャンネルMOSトランジスタのソースはそれぞれ別
    に設けられたNチャンネルMOSトランジスタのドレイ
    ン−ソースを介して接地に接続し、これらの別に設けら
    れたNチャンネルMOSトランジスタのゲートはそれぞ
    れ独立した内部入力端子に接続し、前記インバータゲー
    トの入力を内部入力端子に接続しバッファゲートの入力
    を外部出力端子に接続し、バッファゲートの出力を内部
    出力端子に接続した構成を有するCMOS出力バッファ
    回路を前記出力バッファ回路として使用することを特徴
    とする請求項1記載の半導体集積回路。
JP5333985A 1993-12-28 1993-12-28 半導体集積回路 Pending JPH07202671A (ja)

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JP5333985A JPH07202671A (ja) 1993-12-28 1993-12-28 半導体集積回路

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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09130224A (ja) * 1995-10-27 1997-05-16 Nec Commun Syst Ltd 集積回路出力回路
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JP2015015725A (ja) * 2007-09-21 2015-01-22 クゥアルコム・インコーポレイテッドQualcomm Incorporated 調整可能位相を有する信号生成器
WO2023190922A1 (ja) * 2022-03-31 2023-10-05 株式会社村田製作所 インピーダンス検出回路、インピーダンス制御回路及びドハティ増幅回路

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Legal Events

Date Code Title Description
A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 19970610