JPH03276406A - Mig方式磁気ヘッドおよびその製造方法 - Google Patents
Mig方式磁気ヘッドおよびその製造方法Info
- Publication number
- JPH03276406A JPH03276406A JP7571490A JP7571490A JPH03276406A JP H03276406 A JPH03276406 A JP H03276406A JP 7571490 A JP7571490 A JP 7571490A JP 7571490 A JP7571490 A JP 7571490A JP H03276406 A JPH03276406 A JP H03276406A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- iron
- magnetic head
- ferrite core
- gap
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 69
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims abstract description 37
- 229910000859 α-Fe Inorganic materials 0.000 claims abstract description 35
- 229910000676 Si alloy Inorganic materials 0.000 claims abstract description 26
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 24
- 229910000702 sendust Inorganic materials 0.000 claims abstract description 16
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims abstract description 13
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 12
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 9
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 claims abstract description 6
- XWHPIFXRKKHEKR-UHFFFAOYSA-N iron silicon Chemical compound [Si].[Fe] XWHPIFXRKKHEKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 24
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000006104 solid solution Substances 0.000 claims description 2
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 12
- 239000011521 glass Substances 0.000 abstract description 8
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 abstract description 5
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 abstract description 4
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 abstract description 4
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 abstract description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- 229910000640 Fe alloy Inorganic materials 0.000 abstract 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 abstract 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 abstract 1
- 239000011162 core material Substances 0.000 description 34
- 238000000034 method Methods 0.000 description 20
- 239000010408 film Substances 0.000 description 8
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 6
- 230000008569 process Effects 0.000 description 6
- 206010040844 Skin exfoliation Diseases 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 2
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 2
- JIYIUPFAJUGHNL-UHFFFAOYSA-N [O--].[O--].[O--].[O--].[O--].[O--].[O--].[O--].[O--].[O--].[O--].[O--].[O--].[O--].[O--].[O--].[O--].[O--].[O--].[O--].[Mn++].[Mn++].[Mn++].[Fe+3].[Fe+3].[Fe+3].[Fe+3].[Fe+3].[Fe+3].[Fe+3].[Fe+3].[Fe+3].[Fe+3].[Zn++].[Zn++] Chemical group [O--].[O--].[O--].[O--].[O--].[O--].[O--].[O--].[O--].[O--].[O--].[O--].[O--].[O--].[O--].[O--].[O--].[O--].[O--].[O--].[Mn++].[Mn++].[Mn++].[Fe+3].[Fe+3].[Fe+3].[Fe+3].[Fe+3].[Fe+3].[Fe+3].[Fe+3].[Fe+3].[Fe+3].[Zn++].[Zn++] JIYIUPFAJUGHNL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 229910000889 permalloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000006748 scratching Methods 0.000 description 1
- 230000002393 scratching effect Effects 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、M I G (Metal In Gap)
方式磁気ヘッドに係わり、特に高記録密度に適したMI
G方式磁気ヘッドの作動ギャップ部の特性の向上に関す
る。
方式磁気ヘッドに係わり、特に高記録密度に適したMI
G方式磁気ヘッドの作動ギャップ部の特性の向上に関す
る。
近年の磁気記憶装置の大容量化の進展で、磁気ヘッドの
作動ギャップ部は高記録密度化に適した狭ギャップ長、
狭トラツク幅であることが望まれ例えばギャップ長で0
.5μm以下へと狭小化する傾向にあり、更に使用され
る磁気記録媒体の抗磁力も高くなっている。
作動ギャップ部は高記録密度化に適した狭ギャップ長、
狭トラツク幅であることが望まれ例えばギャップ長で0
.5μm以下へと狭小化する傾向にあり、更に使用され
る磁気記録媒体の抗磁力も高くなっている。
このような状況に対応すべく、フェライトコアのギャッ
プ形成面に、パーマロイ、センダストなどの高飽和磁束
密度の得られる金属製薄膜を設けた磁気ヘッドが提案さ
れ(実公昭29−11642号公報、特開昭55−15
121号公報など)、MIG方式磁気ヘッドと呼ばれて
いる。
プ形成面に、パーマロイ、センダストなどの高飽和磁束
密度の得られる金属製薄膜を設けた磁気ヘッドが提案さ
れ(実公昭29−11642号公報、特開昭55−15
121号公報など)、MIG方式磁気ヘッドと呼ばれて
いる。
中でも、フェライトコアと、それらの金属磁性薄膜の間
に中間層な設置したMIG方式磁気ヘッドは、MIG方
式磁気ヘッド特有の欠点である疑似ギャップの発生を防
止できるため有望視されている。高飽和磁束密度を有す
る金属磁性膜にセンダストを用い、中間層としては鉄珪
素合金バリヤー薄膜が提案されている。
に中間層な設置したMIG方式磁気ヘッドは、MIG方
式磁気ヘッド特有の欠点である疑似ギャップの発生を防
止できるため有望視されている。高飽和磁束密度を有す
る金属磁性膜にセンダストを用い、中間層としては鉄珪
素合金バリヤー薄膜が提案されている。
この中間層を有するMIG方式磁気ヘッドの作動ギャッ
プ部は、第5図の従来のMIG方式磁気ヘッドの作動ギ
ャップ部の断面図に示される様に、フェライトコア50
1,504のギャップ形成面に鉄珪素合金からなるバリ
ヤー薄膜502、センダスト薄膜503を積層して設け
、非磁性ギャップ材505を挾持させて、フェライトコ
ア504を接合ガラス506によって前記フェライトコ
ア501に接合された構造をもつ。前記センダスト薄膜
506や、バリヤー薄膜502はスノ(ツタリング法に
よって形成される。このバリヤー薄膜502をフェライ
トコア501のギャップ形成面に中間層として、スパッ
タリング法で形成する際に、アルゴンが雰囲気ガスとし
て用いられている。
プ部は、第5図の従来のMIG方式磁気ヘッドの作動ギ
ャップ部の断面図に示される様に、フェライトコア50
1,504のギャップ形成面に鉄珪素合金からなるバリ
ヤー薄膜502、センダスト薄膜503を積層して設け
、非磁性ギャップ材505を挾持させて、フェライトコ
ア504を接合ガラス506によって前記フェライトコ
ア501に接合された構造をもつ。前記センダスト薄膜
506や、バリヤー薄膜502はスノ(ツタリング法に
よって形成される。このバリヤー薄膜502をフェライ
トコア501のギャップ形成面に中間層として、スパッ
タリング法で形成する際に、アルゴンが雰囲気ガスとし
て用いられている。
−〔発明が解決しようとする課題〕
しかしながら、従来のMIG方式磁気ヘッドにおいては
、ギャップ部に形成するバリヤー薄膜502とフェライ
トコア501との境界の密着力が十分でなく、加工中に
この境界面で剥離が生じたり、剥離が生じないまでも、
ギャップとして満足な強度を持ったものが得られないと
いう課題があった。更に、バリヤー薄膜502とフェラ
イトコア501との境界の密着力が十分でない場合、ギ
ャップとしての磁気特性を十分に発揮できないという問
題も生じた。この課題は主として以下の原因によるもの
と考えられる。
、ギャップ部に形成するバリヤー薄膜502とフェライ
トコア501との境界の密着力が十分でなく、加工中に
この境界面で剥離が生じたり、剥離が生じないまでも、
ギャップとして満足な強度を持ったものが得られないと
いう課題があった。更に、バリヤー薄膜502とフェラ
イトコア501との境界の密着力が十分でない場合、ギ
ャップとしての磁気特性を十分に発揮できないという問
題も生じた。この課題は主として以下の原因によるもの
と考えられる。
即ち、酸化物であるフェライトコア501と、鉄珪素合
金からなるバリヤー薄膜502はもともと化学的な結合
が生じにくいからである。
金からなるバリヤー薄膜502はもともと化学的な結合
が生じにくいからである。
本発明は、上記の原因に着目し、新たな中間層形成法で
鉄珪素合金からなるバリヤー薄膜とフェライトコアとの
密着性を著しく向」ニさせうるMIG方式磁気ヘッドの
形成方法の提供を目的としている。
鉄珪素合金からなるバリヤー薄膜とフェライトコアとの
密着性を著しく向」ニさせうるMIG方式磁気ヘッドの
形成方法の提供を目的としている。
本発明は、一対となった夫々のフェライトコアの少なく
とも一方のギャップ形成面に、鉄珪素合金からなるバリ
ヤー薄膜、センダスト薄膜を積層して設け、非磁性ギャ
ップ材を挾持させて、前記一対のフェライトコアを接合
ガラスによって接合させた構造をもつ従来のMIG方式
磁気ヘッドにおいて、前記バリヤー薄膜を形成する際に
、空気をアルゴンに添加して雰囲気ガスとする新たな中
間層形成法を用いることによって前記課題を解決し、フ
ェライトコアと鉄珪素合金からなるバリヤー薄膜との境
界の密着力を強化したMIG方式磁気ヘッドの提供を可
能ならしめたものである。
とも一方のギャップ形成面に、鉄珪素合金からなるバリ
ヤー薄膜、センダスト薄膜を積層して設け、非磁性ギャ
ップ材を挾持させて、前記一対のフェライトコアを接合
ガラスによって接合させた構造をもつ従来のMIG方式
磁気ヘッドにおいて、前記バリヤー薄膜を形成する際に
、空気をアルゴンに添加して雰囲気ガスとする新たな中
間層形成法を用いることによって前記課題を解決し、フ
ェライトコアと鉄珪素合金からなるバリヤー薄膜との境
界の密着力を強化したMIG方式磁気ヘッドの提供を可
能ならしめたものである。
ここで、前記中間層形成法においては0.1%から2%
の空気、または0.1%から1%の酸素ガスをアルゴン
に添加して雰囲気ガスとして用いることを特徴とする。
の空気、または0.1%から1%の酸素ガスをアルゴン
に添加して雰囲気ガスとして用いることを特徴とする。
本発明において、中間層として鉄珪素合金からなるバリ
ヤー薄膜を形成する際に用いた雰囲気ガスは、アルゴン
に空気を添加したものであり、この空気中に含まれる酸
素が前記バリヤー薄膜中に取り込まれ、バリヤー薄膜は
鉄珪素合金に酸素原子が固溶した構造になる。酸素原子
が固溶した鉄珪素合金からなるバリヤー薄膜は、酸化物
であるフェライトコアとの構造差が緩和される。
ヤー薄膜を形成する際に用いた雰囲気ガスは、アルゴン
に空気を添加したものであり、この空気中に含まれる酸
素が前記バリヤー薄膜中に取り込まれ、バリヤー薄膜は
鉄珪素合金に酸素原子が固溶した構造になる。酸素原子
が固溶した鉄珪素合金からなるバリヤー薄膜は、酸化物
であるフェライトコアとの構造差が緩和される。
上記作用の結果、バリヤー薄膜とフェライトコアとの境
界の密着性の良好なM I G方式磁気ヘッドが得られ
る。
界の密着性の良好なM I G方式磁気ヘッドが得られ
る。
以下、図に基づいて本発明による実施例を詳細に説明す
る。
る。
(実施例1)
第1図は本発明によるMIG方式磁気ヘッドの作動ギャ
ップ部の断面図であり、第2図は本発明によるMIG方
式磁気ヘッドの形成工程の例を概略的に示した工程図で
ある。
ップ部の断面図であり、第2図は本発明によるMIG方
式磁気ヘッドの形成工程の例を概略的に示した工程図で
ある。
本発明によるMIG方式磁気ヘッドのギャップ部は、第
1図に示すように、フェライトコア101のギャップ形
成面に、酸素原子が固溶した鉄珪素合金からなるバリヤ
ー薄膜102を形成し、該バリヤー薄膜102上にセン
ダスト薄膜106を積層して設け、非磁性ギャップ材1
05を挾持させて、フェライトコア104を接合ガラス
106によって前記フェライトコア101に接合させた
構造からなり、その代表的な形成方法を以下の例で示す
。第2図(a)に示すように、一対となるマンガン亜鉛
フェライト製コア材のうち第一のフェライトコア材20
1のギャップ形成面に18%硅素、82%鉄よりなるタ
ーゲットを用いて、1%の空気を添加したアルゴンガス
雰囲気中でスパッタリング法によりバリヤー薄膜として
鉄珪素合金薄膜202を膜厚0.1μmで形成する。引
続キ雰囲気ガスをアルゴンのみにして上記鉄珪素合金薄
膜202上に、11%硅素、7%アルミニウム、82%
鉄からなるターゲットを用いたスノくツタリング法によ
りセンダスト薄膜203を2.8μm形成する。鉄珪素
合金薄膜202とセンダスト薄膜203とは、同一装置
内で連続的に形成するのが望ましい。
1図に示すように、フェライトコア101のギャップ形
成面に、酸素原子が固溶した鉄珪素合金からなるバリヤ
ー薄膜102を形成し、該バリヤー薄膜102上にセン
ダスト薄膜106を積層して設け、非磁性ギャップ材1
05を挾持させて、フェライトコア104を接合ガラス
106によって前記フェライトコア101に接合させた
構造からなり、その代表的な形成方法を以下の例で示す
。第2図(a)に示すように、一対となるマンガン亜鉛
フェライト製コア材のうち第一のフェライトコア材20
1のギャップ形成面に18%硅素、82%鉄よりなるタ
ーゲットを用いて、1%の空気を添加したアルゴンガス
雰囲気中でスパッタリング法によりバリヤー薄膜として
鉄珪素合金薄膜202を膜厚0.1μmで形成する。引
続キ雰囲気ガスをアルゴンのみにして上記鉄珪素合金薄
膜202上に、11%硅素、7%アルミニウム、82%
鉄からなるターゲットを用いたスノくツタリング法によ
りセンダスト薄膜203を2.8μm形成する。鉄珪素
合金薄膜202とセンダスト薄膜203とは、同一装置
内で連続的に形成するのが望ましい。
次に第2図(b)に示すように、第二のフェライトコア
材204のギャップ形成面には非磁性ギャップ材となる
二酸化硅素膜205を真空蒸着などのPVD法、あるい
はCVD法を用いて、所定のギャップ長と同等の膜厚で
形成する。
材204のギャップ形成面には非磁性ギャップ材となる
二酸化硅素膜205を真空蒸着などのPVD法、あるい
はCVD法を用いて、所定のギャップ長と同等の膜厚で
形成する。
更に、前記第一のフェライトコア材201と第二のフェ
ライトコア材204とをギャップ面で突き合わし、両者
を各々の接合温度に適した軟化温度を有するガラス20
6により600℃のガラス接合温度で接合しく第2図(
C))、この後、スライシング加工により、個々のへラ
ドコア209に切断し、最後にコイル210を巻き、本
発明によるMIG方式磁気ヘッドが完成する。(第2図
(d))以上の実施例により形成した場合、鉄珪素合金
薄膜とフェライトコア材との境界面における加工中の剥
離の発生率が従来の方法と比較して著しく減少した。
ライトコア材204とをギャップ面で突き合わし、両者
を各々の接合温度に適した軟化温度を有するガラス20
6により600℃のガラス接合温度で接合しく第2図(
C))、この後、スライシング加工により、個々のへラ
ドコア209に切断し、最後にコイル210を巻き、本
発明によるMIG方式磁気ヘッドが完成する。(第2図
(d))以上の実施例により形成した場合、鉄珪素合金
薄膜とフェライトコア材との境界面における加工中の剥
離の発生率が従来の方法と比較して著しく減少した。
(実施例2)
実施例1とほぼ同じ形成工程で、空気の添加量を0%か
ら2.5%の範囲で変化させて鉄珪素合金薄膜を形成し
該合金薄膜上にセンダスト薄膜を積層した。鉄珪素合金
薄膜とフェライトコア材との境界の密着性は、前記フェ
ライトコア材と同じ材質の基板上に、本実施例の形成方
法で、鉄珪素合金薄膜とセンダスト薄膜を積層したもの
を、前記ガラス接合温度と同じ600℃で熱処理後、引
っかき法を用いて評価した。針に荷重をかけ膜表面を引
っかき、膜に亀裂が入った荷重で比較した。
ら2.5%の範囲で変化させて鉄珪素合金薄膜を形成し
該合金薄膜上にセンダスト薄膜を積層した。鉄珪素合金
薄膜とフェライトコア材との境界の密着性は、前記フェ
ライトコア材と同じ材質の基板上に、本実施例の形成方
法で、鉄珪素合金薄膜とセンダスト薄膜を積層したもの
を、前記ガラス接合温度と同じ600℃で熱処理後、引
っかき法を用いて評価した。針に荷重をかけ膜表面を引
っかき、膜に亀裂が入った荷重で比較した。
第3図(a)にその結果を示す。図中実線は本実施例の
形成方法で成膜された積層膜の結果を示している。本実
施例の形成方法により成膜された積層膜が、−0,1%
から2%の範囲で、従来の、即ち空気の添加量が0%の
ものより剥がれにくいことがわかる。また、このバリヤ
ー薄膜の抗磁力Hcを測定したところ、第3図(b)に
示すように空気の添加量が0.1%から2%の範囲では
Hcは小さくなっていた。これは酸素原子がバリヤー薄
膜の粒成長を抑制し、結晶が微細化されたものと考えら
れる。
形成方法で成膜された積層膜の結果を示している。本実
施例の形成方法により成膜された積層膜が、−0,1%
から2%の範囲で、従来の、即ち空気の添加量が0%の
ものより剥がれにくいことがわかる。また、このバリヤ
ー薄膜の抗磁力Hcを測定したところ、第3図(b)に
示すように空気の添加量が0.1%から2%の範囲では
Hcは小さくなっていた。これは酸素原子がバリヤー薄
膜の粒成長を抑制し、結晶が微細化されたものと考えら
れる。
(実施例3)
実施例1とほぼ同じ形成工程で、空気に替えて酸素ガス
をアルゴンガスに0%から1,5%添加して鉄珪素合金
薄膜を形成した。実施例2と同様センダスト膜を積層し
、熱処理を施した後引っかき法で鉄珪素合金薄膜とフェ
ライトコア材との境界の密着性を評価した。第4図(a
)に結果を示す。酸素ガスの添加量が0.1%から1%
の範囲で密着性の向上がみられた。バリヤー薄膜のHe
に関しても、該範囲で減少した(第4図(b)参照)。
をアルゴンガスに0%から1,5%添加して鉄珪素合金
薄膜を形成した。実施例2と同様センダスト膜を積層し
、熱処理を施した後引っかき法で鉄珪素合金薄膜とフェ
ライトコア材との境界の密着性を評価した。第4図(a
)に結果を示す。酸素ガスの添加量が0.1%から1%
の範囲で密着性の向上がみられた。バリヤー薄膜のHe
に関しても、該範囲で減少した(第4図(b)参照)。
以上の説明の様に本発明は、従来のMIG方式磁気ヘッ
ドの作動ギャップ部に用いられていた鉄珪素合金薄膜に
なるバリヤー薄膜を形成する際に、空気または酸素ガス
をアルゴンガスに添加して雰囲気ガスとして使用するこ
とで、鉄珪素合金薄膜とフェライトコアとの境界の密着
性が良く、従来の方式でおきていた加工中の剥離も著し
く減少する。
ドの作動ギャップ部に用いられていた鉄珪素合金薄膜に
なるバリヤー薄膜を形成する際に、空気または酸素ガス
をアルゴンガスに添加して雰囲気ガスとして使用するこ
とで、鉄珪素合金薄膜とフェライトコアとの境界の密着
性が良く、従来の方式でおきていた加工中の剥離も著し
く減少する。
さらに鉄珪素合金膜の)(eも小さくする効果は犬で、
今後、MIG方式磁気ヘッドの普及が画期的に促進され
るものである。
今後、MIG方式磁気ヘッドの普及が画期的に促進され
るものである。
なお、以上の本実施例では、いわゆる[片MIG方式」
の構造について説明したが、一対のフェライトコアのそ
れぞれのギャップ形成面にバリヤー薄膜およびセンダス
ト薄膜を積層した「両MIG方式」の構造に対しても適
用可能である。
の構造について説明したが、一対のフェライトコアのそ
れぞれのギャップ形成面にバリヤー薄膜およびセンダス
ト薄膜を積層した「両MIG方式」の構造に対しても適
用可能である。
第1図は本発明によるMIG方式磁気ヘッドの作動ギャ
ップ部の一実施例を示す要部断面図、第2図(a)〜(
d)は本発明によるMIG方式磁気ヘッドを形成するた
めの工程例を示す工程図、第3図(a)、(b)はそれ
ぞれ雰囲気ガスに空気を添加してバリヤー薄膜を形成し
たときの空気の添加量によるバリヤー薄膜とフェライト
コア材の境界の密着性の変化、バリヤー薄膜のHcの変
化を示したグラフ、第4図(a)、 (b)はそれぞれ
バリヤー薄膜を形成する際の雰囲気ガスに酸素を添加し
たときの酸素の添加量カバリヤー薄膜とフェライトコア
材の境界の密着性、バリヤー薄膜の)(cに及ぼす影響
を示したグラフ、第5図は従来のMIG方式磁気ヘッド
の作動ギャップ部の要部断面図である。 101.104.501.504・・・・・・フェライ
02. 03. 05. 06、 トコア、 502・・・・・・バリヤー薄膜、 503・・・・・・センダスト薄膜、 505・・・・・・ギャップ材、 506・・・・・・接合ガラス。 第1図 106、将合力゛ラス 第2図 (c) (d) ←11じ玉募榛電≧1叢 峰−)H 第4図 ((1) Ar1ス(−ブ丁する促υ1〃スの添ヵロjL−(’/
、)第4図 (b) 第5図
ップ部の一実施例を示す要部断面図、第2図(a)〜(
d)は本発明によるMIG方式磁気ヘッドを形成するた
めの工程例を示す工程図、第3図(a)、(b)はそれ
ぞれ雰囲気ガスに空気を添加してバリヤー薄膜を形成し
たときの空気の添加量によるバリヤー薄膜とフェライト
コア材の境界の密着性の変化、バリヤー薄膜のHcの変
化を示したグラフ、第4図(a)、 (b)はそれぞれ
バリヤー薄膜を形成する際の雰囲気ガスに酸素を添加し
たときの酸素の添加量カバリヤー薄膜とフェライトコア
材の境界の密着性、バリヤー薄膜の)(cに及ぼす影響
を示したグラフ、第5図は従来のMIG方式磁気ヘッド
の作動ギャップ部の要部断面図である。 101.104.501.504・・・・・・フェライ
02. 03. 05. 06、 トコア、 502・・・・・・バリヤー薄膜、 503・・・・・・センダスト薄膜、 505・・・・・・ギャップ材、 506・・・・・・接合ガラス。 第1図 106、将合力゛ラス 第2図 (c) (d) ←11じ玉募榛電≧1叢 峰−)H 第4図 ((1) Ar1ス(−ブ丁する促υ1〃スの添ヵロjL−(’/
、)第4図 (b) 第5図
Claims (2)
- (1)一対のフェライトコアのギャップ形成面に、鉄硅
素合金薄膜からなるバリヤー薄膜とセンダスト薄膜と非
磁性ギャップ材とを挾持させた構造のMIG方式磁気ヘ
ッドにおいて、前記バリヤー薄膜には、酸素原子が固溶
していることを特徴とするMIG方式磁気ヘッド。 - (2)一対のフェライトコアのギャップ形成面に、鉄硅
素合金薄膜からなるバリヤー薄膜とセンダスト薄膜と非
磁性ギャップ材とを挾持させた構造のMIG方式磁気ヘ
ッドにおいて、 前記バリヤー薄膜を形成する際に、0.1%から2%の
空気、または0.1%から1%の酸素ガスをアルゴンに
添加したものを雰囲気ガスとして用いることを特徴とす
るMIG方式磁気ヘッドの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7571490A JPH03276406A (ja) | 1990-03-27 | 1990-03-27 | Mig方式磁気ヘッドおよびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7571490A JPH03276406A (ja) | 1990-03-27 | 1990-03-27 | Mig方式磁気ヘッドおよびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03276406A true JPH03276406A (ja) | 1991-12-06 |
Family
ID=13584194
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7571490A Pending JPH03276406A (ja) | 1990-03-27 | 1990-03-27 | Mig方式磁気ヘッドおよびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03276406A (ja) |
-
1990
- 1990-03-27 JP JP7571490A patent/JPH03276406A/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH0542726B2 (ja) | ||
| JP2780588B2 (ja) | 積層型磁気ヘッドコア | |
| JPH03276406A (ja) | Mig方式磁気ヘッドおよびその製造方法 | |
| JPH09293207A (ja) | 磁気ヘッド | |
| JPS58100412A (ja) | 軟質磁性材料の製法 | |
| JPH02257404A (ja) | Mig方式磁気ヘッド | |
| KR100324730B1 (ko) | 자기헤드의제조방법 | |
| JPS6015807A (ja) | 磁気ヘツド | |
| JP3147434B2 (ja) | 磁気ヘッド | |
| KR950011127B1 (ko) | 자기헤드 | |
| JP2882927B2 (ja) | 磁気ヘッド及び磁気ヘッドの製造方法 | |
| JPS63311611A (ja) | 複合型磁気ヘッド | |
| JPH05282619A (ja) | 磁気ヘッド | |
| JPH01143312A (ja) | 非晶質軟磁性積層膜 | |
| JPH04362160A (ja) | 強磁性材料 | |
| JPH04285153A (ja) | 多層磁性体膜およびその形成方法 | |
| JPH09330503A (ja) | 磁気ヘッド | |
| JPH0765316A (ja) | 磁気ヘッド | |
| JPH113506A (ja) | 磁気ヘッド | |
| JPH0485713A (ja) | 磁気ヘッド | |
| JPH04274006A (ja) | 磁気ヘッドの製造方法 | |
| JPH1012437A (ja) | 磁気ヘッド用基板付き合金磁性膜、その製造方法および磁気ヘッド | |
| JPH0536016A (ja) | 磁気ヘツド | |
| JPH08167110A (ja) | 磁気ヘッド及び磁気ヘッドの製造方法 | |
| JPH01276607A (ja) | 強磁性薄膜およびその製造方法 |