JPH0721860B2 - 磁気記録媒体の製造方法 - Google Patents
磁気記録媒体の製造方法Info
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- JPH0721860B2 JPH0721860B2 JP1312589A JP31258989A JPH0721860B2 JP H0721860 B2 JPH0721860 B2 JP H0721860B2 JP 1312589 A JP1312589 A JP 1312589A JP 31258989 A JP31258989 A JP 31258989A JP H0721860 B2 JPH0721860 B2 JP H0721860B2
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Landscapes
- Thin Magnetic Films (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Magnetic Record Carriers (AREA)
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、Co系合金薄膜を磁性薄膜とする磁気記録媒体
の製造方法に関する。
の製造方法に関する。
（従来の技術） 近年、種々のCo系合金薄膜を磁性薄膜とする磁気記録媒
体が検討されている。
体が検討されている。
例えば特開昭57−167615号にはＰ含有量６重量パーセン
ト以下のCoPまたはCoNiP合金をスパッタリングにより形
成して磁性薄膜とする磁気記録媒体の製造方法が記載さ
れている。
ト以下のCoPまたはCoNiP合金をスパッタリングにより形
成して磁性薄膜とする磁気記録媒体の製造方法が記載さ
れている。
また、CoNi合金を窒素を含むガス中でスパッタしてCoNi
合金の窒化膜を形成し、このCoNi合金の窒化膜を真空中
で340℃で熱処理したものを磁気記録媒体の磁性薄膜と
することも検討されている（IEEE Trans.on.Magn.MAG−
23、No.5（1987）3414）。
合金の窒化膜を形成し、このCoNi合金の窒化膜を真空中
で340℃で熱処理したものを磁気記録媒体の磁性薄膜と
することも検討されている（IEEE Trans.on.Magn.MAG−
23、No.5（1987）3414）。
（発明が解決しようとする課題） しかしながら、上記特開昭57−167615号に記載された磁
気記録媒体のようにAr等の不活性ガス雰囲気下での通常
のスパッタリングによりCo系合金磁性薄膜を形成した磁
気記録媒体は、その保磁力Hcが1100エールステッド以下
で、高密度記録を行なう上で望ましい1200エールステッ
ドには到達していない。
気記録媒体のようにAr等の不活性ガス雰囲気下での通常
のスパッタリングによりCo系合金磁性薄膜を形成した磁
気記録媒体は、その保磁力Hcが1100エールステッド以下
で、高密度記録を行なう上で望ましい1200エールステッ
ドには到達していない。
これに対し、後者のようにCoNi合金の窒化膜を真空熱処
理したものを磁性薄膜とする磁気記録媒体の中にはその
保磁力Hcが1200エールステッドに達するものもあるもの
の、このような磁気記録媒体は磁気記録再生時のS/N比
が悪いという欠点がある。
理したものを磁性薄膜とする磁気記録媒体の中にはその
保磁力Hcが1200エールステッドに達するものもあるもの
の、このような磁気記録媒体は磁気記録再生時のS/N比
が悪いという欠点がある。
他方、磁性薄膜を形成するCo合金にPtを添加したり、非
磁性基板とCo合金磁性薄膜との間に例えばCr下地層を設
けることにより磁気記録媒体の保磁力Hcを高め、保磁力
Hc及び磁気記録再生時のS/N比が共に優れた磁気記録媒
体を得ることができるが、このように高価なPtを添加す
ると磁気記録媒体がコスト高になり、また、下地層を設
けると磁気記録媒体の製造工程が複雑になるという問題
がある。
磁性基板とCo合金磁性薄膜との間に例えばCr下地層を設
けることにより磁気記録媒体の保磁力Hcを高め、保磁力
Hc及び磁気記録再生時のS/N比が共に優れた磁気記録媒
体を得ることができるが、このように高価なPtを添加す
ると磁気記録媒体がコスト高になり、また、下地層を設
けると磁気記録媒体の製造工程が複雑になるという問題
がある。
（課題を解決するための手段） 本発明は上記課題を解決するため、非磁性基板上に直接
または下地層を介してCoP合金に対してＰ成分を５〜９
原子パーセント（at％）、CoPN合金全体に対してＮ成分
を10〜50at％含有するCoPN合金薄膜を形成し、次いでこ
のCoPN合金薄膜を330℃以上に真空加熱してCoPN合金全
体に対して3at％以下の割合でＮ成分を含有するCoPN合
金薄膜を形成して磁性薄膜としたものである。
または下地層を介してCoP合金に対してＰ成分を５〜９
原子パーセント（at％）、CoPN合金全体に対してＮ成分
を10〜50at％含有するCoPN合金薄膜を形成し、次いでこ
のCoPN合金薄膜を330℃以上に真空加熱してCoPN合金全
体に対して3at％以下の割合でＮ成分を含有するCoPN合
金薄膜を形成して磁性薄膜としたものである。
（作用） 上記本発明の方法によれば、CoPN合金薄膜を330℃以上
の温度で真空加熱することによりCoPN合金薄膜中に10〜
50at％含有していたＮ成分が気体となって放出されて3a
t％以下に減少し、このＮ成分の放出過程でCoPN合金の
結晶粒子が孤立化する。ここで真空加熱前のCoPN合金全
体に対するＮ成分の上記割合は10at％未満だと前記CoPN
合金の結晶粒子の孤立化が充分なされず、50at％を越え
ると安定したCoPN合金が得られない。
の温度で真空加熱することによりCoPN合金薄膜中に10〜
50at％含有していたＮ成分が気体となって放出されて3a
t％以下に減少し、このＮ成分の放出過程でCoPN合金の
結晶粒子が孤立化する。ここで真空加熱前のCoPN合金全
体に対するＮ成分の上記割合は10at％未満だと前記CoPN
合金の結晶粒子の孤立化が充分なされず、50at％を越え
ると安定したCoPN合金が得られない。
そしてこの結晶粒子の孤立化により磁気記録再生時のS/
N比が高まり、また、この結晶粒子の孤立化とCoP合金に
対してＰ成分を５〜9at％としたCoPN合金薄膜組成とに
より保磁力HCは1200エールステッド以上となる。
N比が高まり、また、この結晶粒子の孤立化とCoP合金に
対してＰ成分を５〜9at％としたCoPN合金薄膜組成とに
より保磁力HCは1200エールステッド以上となる。
以下に実施例を示し、本発明を更に詳しく説明する。
（実施例） 非磁性基板としてガラス板を使用し、このガラス板上
に、Co板とこの上にCoPのペレットを配置したものをタ
ーゲットとしてDCマグネトロンスパッタ法により１×10
-6Torr以下にチャンバ内を排気した後、N2を５〜15％含
むArとN2の混合ガスを導入してチャンバ内の圧力を１〜
２×10-2Torr、基板温度を室温として、DC300〜400Wの
スパッタ電力でスパッタを行ない、Ｎ成分を10〜50at％
含有する種々の組成のCoPN合金薄膜を得た。
に、Co板とこの上にCoPのペレットを配置したものをタ
ーゲットとしてDCマグネトロンスパッタ法により１×10
-6Torr以下にチャンバ内を排気した後、N2を５〜15％含
むArとN2の混合ガスを導入してチャンバ内の圧力を１〜
２×10-2Torr、基板温度を室温として、DC300〜400Wの
スパッタ電力でスパッタを行ない、Ｎ成分を10〜50at％
含有する種々の組成のCoPN合金薄膜を得た。
次いでこれ等のCoPN合金薄膜を１×10-5Torr以下の真空
中で270〜370℃の温度で２時間熱処理を行なったとこ
ろ、CoPN合金薄膜中のＮ成分は3at％以下となった。
中で270〜370℃の温度で２時間熱処理を行なったとこ
ろ、CoPN合金薄膜中のＮ成分は3at％以下となった。
得られた種々のCoP合金に対してＰの組成の異なるCoPN
合金薄膜を有する磁気記録媒体の保磁力HCを測定したと
ころ、第１図に示す結果を得た。
合金薄膜を有する磁気記録媒体の保磁力HCを測定したと
ころ、第１図に示す結果を得た。
第１図の結果からＰを全く含まない場合の磁気記録媒体
の保磁力HCは1000エールステッド程度であるのに対し、
CoP合金に対してＰ成分が５〜9at％の場合のHCは1200エ
ールステッド以上となり、特にＰ成分が7.5at％の場合
にはHCが1500エールステッドにも達する磁気記録媒体が
得られた。
の保磁力HCは1000エールステッド程度であるのに対し、
CoP合金に対してＰ成分が５〜9at％の場合のHCは1200エ
ールステッド以上となり、特にＰ成分が7.5at％の場合
にはHCが1500エールステッドにも達する磁気記録媒体が
得られた。
第２図にCoPN合金薄膜の前記真空加熱処理温度と得られ
た磁気記録媒体の飽和磁化MSとの関係を示す。
た磁気記録媒体の飽和磁化MSとの関係を示す。
第２図の結果から270℃の熱処理温度ではMSがほとんど
ゼロに等しく、300℃付近で立ち上がりはじめ、330℃で
ほぼ一定の700emu/ccのMSが得られる。
ゼロに等しく、300℃付近で立ち上がりはじめ、330℃で
ほぼ一定の700emu/ccのMSが得られる。
従ってＮ成分が放出されるCoPN合金薄膜の真空加熱処理
温度は330℃以上であることが必要である。
温度は330℃以上であることが必要である。
次いで以上の実施例の磁気記録媒体の内、保磁力Hcが12
00エールステッドのものにつき、トラック幅14μｍ、ギ
ャップ長0.4μｍのウインチェスタ型磁気ヘッドを用い
て、線速度6.5m/secで40KFCIの信号のS/N比を測定した
ところ、このS/N比は35〜37dBであった。
00エールステッドのものにつき、トラック幅14μｍ、ギ
ャップ長0.4μｍのウインチェスタ型磁気ヘッドを用い
て、線速度6.5m/secで40KFCIの信号のS/N比を測定した
ところ、このS/N比は35〜37dBであった。
（比較例１） スパッタガスAr100％（N2なし）とした以外は上記実施
例と同様にして比較例１の磁気記録媒体を製造し、この
磁気記録媒体の保磁力Hcを測定したところ、第１図の破
線で示される結果を得た。
例と同様にして比較例１の磁気記録媒体を製造し、この
磁気記録媒体の保磁力Hcを測定したところ、第１図の破
線で示される結果を得た。
この結果から比較例１の磁気記録媒体の保磁力Hcは最も
高いものでも500エールステッドであることが分かる。
高いものでも500エールステッドであることが分かる。
（比較例２） ターゲットにConi合金ターゲットを用いた以外は上記実
施例と同様にしてCoNi系合金薄膜を磁性薄膜とする比較
例２の磁気記録媒体を製造し、この磁気記録媒体の保磁
力Hc及びS/N比を上記実施例と同様にして測定したとこ
ろ、保磁力HCは最大で1200エールステッドであり、S/N
比は32dBであり、保磁力HCが1200エールステッドである
上記実施例の磁気記録媒体に比較してS/N比は３〜5dB低
い値であった。
施例と同様にしてCoNi系合金薄膜を磁性薄膜とする比較
例２の磁気記録媒体を製造し、この磁気記録媒体の保磁
力Hc及びS/N比を上記実施例と同様にして測定したとこ
ろ、保磁力HCは最大で1200エールステッドであり、S/N
比は32dBであり、保磁力HCが1200エールステッドである
上記実施例の磁気記録媒体に比較してS/N比は３〜5dB低
い値であった。
尚、上記実施例においてCoPN合金磁性薄膜の接着性等の
改善のために非磁性基板とCoPN合金磁性薄膜との間に下
地層を設けたりすることができるのは勿論である。
改善のために非磁性基板とCoPN合金磁性薄膜との間に下
地層を設けたりすることができるのは勿論である。
（発明の効果） 以上の実施例から明らかなように、本発明は非磁性基板
上に直接または下地層上を介してＮ成分を10〜50at％含
有しているCoPN合金薄膜を形成し、次いでこのCoPN合金
薄膜を330℃以上に真空加熱してＮ成分を3at％以下に減
少してCoPN合金の結晶粒子を孤立化することにより磁気
記録再生時のS/N比を高め、且つこのCoPN合金の結晶粒
子の孤立化とCoPN合金中のCoP合金に対するＰ成分組成
を５〜9at％とすることにより相乗的に磁気記録媒体の
保磁力を高めたものである。
上に直接または下地層上を介してＮ成分を10〜50at％含
有しているCoPN合金薄膜を形成し、次いでこのCoPN合金
薄膜を330℃以上に真空加熱してＮ成分を3at％以下に減
少してCoPN合金の結晶粒子を孤立化することにより磁気
記録再生時のS/N比を高め、且つこのCoPN合金の結晶粒
子の孤立化とCoPN合金中のCoP合金に対するＰ成分組成
を５〜9at％とすることにより相乗的に磁気記録媒体の
保磁力を高めたものである。
このため本発明方法によれば、従来のように保磁力を高
めるためにCo合金にPtを添加したり、非磁性基板とCo合
金磁性薄膜との間に、例えばCr下地層を設けなくても、
安価な材料で、かつ単純な工程で高保磁力でありながら
磁気記録再生時のS/N比の高い磁気記録媒体を提供する
ことができる。
めるためにCo合金にPtを添加したり、非磁性基板とCo合
金磁性薄膜との間に、例えばCr下地層を設けなくても、
安価な材料で、かつ単純な工程で高保磁力でありながら
磁気記録再生時のS/N比の高い磁気記録媒体を提供する
ことができる。
【図面の簡単な説明】 第１図は実施例及び比較例の磁気記録媒体のCoP系合金
磁性薄膜中のＰ含有量と保磁力HCの関係を表わしたグラ
フ、第２図は本発明に係るＮ成分を10〜50at％含有して
いるCoPN合金薄膜を真空加熱処理した際の熱処理温度と
得られた磁気記録媒体の飽和磁化MSとの関係を表わした
グラフである。
磁性薄膜中のＰ含有量と保磁力HCの関係を表わしたグラ
フ、第２図は本発明に係るＮ成分を10〜50at％含有して
いるCoPN合金薄膜を真空加熱処理した際の熱処理温度と
得られた磁気記録媒体の飽和磁化MSとの関係を表わした
グラフである。
Claims (1)
- 【請求項１】非磁性基板上に直接または下地層を介して
CoP合金に対してＰ成分を５〜９原子パーセント（at
％）、CoPN合金全体に対してＮ成分を10〜50at％含有す
るCoPN合金薄膜を形成し、次いでこのCoPN合金薄膜を33
0℃以上に真空加熱してCoPN合金全体に対してＮ成分を3
at％以下含有するCoPN合金薄膜を磁性薄膜として形成す
ることを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1312589A JPH0721860B2 (ja) | 1989-11-30 | 1989-11-30 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1312589A JPH0721860B2 (ja) | 1989-11-30 | 1989-11-30 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03173915A JPH03173915A (ja) | 1991-07-29 |
| JPH0721860B2 true JPH0721860B2 (ja) | 1995-03-08 |
Family
ID=18031021
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1312589A Expired - Lifetime JPH0721860B2 (ja) | 1989-11-30 | 1989-11-30 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0721860B2 (ja) |
-
1989
- 1989-11-30 JP JP1312589A patent/JPH0721860B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH03173915A (ja) | 1991-07-29 |
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Legal Events
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