JPH07235457A - 電解コンデンサ電極用アルミニウム箔及びそのエッチング方法 - Google Patents
電解コンデンサ電極用アルミニウム箔及びそのエッチング方法Info
- Publication number
- JPH07235457A JPH07235457A JP6100161A JP10016194A JPH07235457A JP H07235457 A JPH07235457 A JP H07235457A JP 6100161 A JP6100161 A JP 6100161A JP 10016194 A JP10016194 A JP 10016194A JP H07235457 A JPH07235457 A JP H07235457A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- etching
- aluminum foil
- foil
- electrolytic capacitor
- aluminum
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
- H01G9/004—Details
- H01G9/04—Electrodes or formation of dielectric layers thereon
- H01G9/042—Electrodes or formation of dielectric layers thereon characterised by the material
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25F—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC REMOVAL OF MATERIALS FROM OBJECTS; APPARATUS THEREFOR
- C25F3/00—Electrolytic etching or polishing
- C25F3/02—Etching
- C25F3/04—Etching of light metals
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
- H01G9/004—Details
- H01G9/04—Electrodes or formation of dielectric layers thereon
- H01G9/048—Electrodes or formation of dielectric layers thereon characterised by their structure
- H01G9/055—Etched foil electrodes
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/12—All metal or with adjacent metals
- Y10T428/12431—Foil or filament smaller than 6 mils
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/12—All metal or with adjacent metals
- Y10T428/12993—Surface feature [e.g., rough, mirror]
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Electrochemistry (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Metal Rolling (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】静電容量を増大し得る電解コンデンサ電極用ア
ルミニウム箔及び該箔のエッチング方法を提供する。 【構成】電解コンデンサ電極用アルミニウム箔は、アル
ミニウム純度９９．９％以上で、Ｍｇ量５０〜５００ｐ
ｐｍを含有する。エッチング方法は、該箔をＨＣｌ：３
〜１０％、Ｈ2 ＳＯ4 ：１０〜４０％を含む水溶液中
で、液温：７０〜９０℃、電流密度：１０〜４０Ａ／ｄ
ｍ2 の条件にて一次の電解エッチングを実施する。その
後、ＨＣｌ：３〜１０％あるいはさらにＨ2 Ｃ2 Ｏ4 ：
１％以下を含む水溶液中で、液温：７０〜９５℃、電流
密度：０〜１０Ａ／ｄｍ2 の条件にて、二次の電解エッ
チングまたは化学エッチングを実施する。
ルミニウム箔及び該箔のエッチング方法を提供する。 【構成】電解コンデンサ電極用アルミニウム箔は、アル
ミニウム純度９９．９％以上で、Ｍｇ量５０〜５００ｐ
ｐｍを含有する。エッチング方法は、該箔をＨＣｌ：３
〜１０％、Ｈ2 ＳＯ4 ：１０〜４０％を含む水溶液中
で、液温：７０〜９０℃、電流密度：１０〜４０Ａ／ｄ
ｍ2 の条件にて一次の電解エッチングを実施する。その
後、ＨＣｌ：３〜１０％あるいはさらにＨ2 Ｃ2 Ｏ4 ：
１％以下を含む水溶液中で、液温：７０〜９５℃、電流
密度：０〜１０Ａ／ｄｍ2 の条件にて、二次の電解エッ
チングまたは化学エッチングを実施する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、電解コンデンサ電極
用アルミニウム箔及びそのエッチング方法に関する。
用アルミニウム箔及びそのエッチング方法に関する。
【０００２】
【従来の技術及び解決しようとする課題】アルミニウム
電解コンデンサ用電極材として一般に用いられるＡｌ箔
には、その実効面積を拡大して単位面積当たりの静電容
量を増大するため、通常、電気化学的あるいは化学的エ
ッチング処理が施される。
電解コンデンサ用電極材として一般に用いられるＡｌ箔
には、その実効面積を拡大して単位面積当たりの静電容
量を増大するため、通常、電気化学的あるいは化学的エ
ッチング処理が施される。
【０００３】しかし、箔を単にエッチング処理するのみ
では十分な静電容量が得られない。このため、一般的に
は箔圧延後の最終焼鈍工程において、立方体方位を多く
有する集合組織にして箔のエッチング特性を向上させる
べく、４５０℃程度以上の高温加熱処理が施されている
が、昨今の電解コンデンサの高静電容量化の要求に対し
て十分な満足を得るものではなかった。
では十分な静電容量が得られない。このため、一般的に
は箔圧延後の最終焼鈍工程において、立方体方位を多く
有する集合組織にして箔のエッチング特性を向上させる
べく、４５０℃程度以上の高温加熱処理が施されている
が、昨今の電解コンデンサの高静電容量化の要求に対し
て十分な満足を得るものではなかった。
【０００４】この発明は、かかる技術的背景に鑑みてな
されたものであって、静電容量を増大し得る電解コンデ
ンサ電極用アルミニウム箔及び該箔のエッチング方法の
提供を目的とする。
されたものであって、静電容量を増大し得る電解コンデ
ンサ電極用アルミニウム箔及び該箔のエッチング方法の
提供を目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、発明者は鋭意研究の結果、Ｍｇを微量添加すること
で、立方体方位を低下させずにエッチピット密度を上
げ、高静電容量箔が得られることを見出した。
に、発明者は鋭意研究の結果、Ｍｇを微量添加すること
で、立方体方位を低下させずにエッチピット密度を上
げ、高静電容量箔が得られることを見出した。
【０００６】この発明は、かかる知見に基いてなされた
ものであって、その１つは、アルミニウム純度９９．９
％以上で、Ｍｇ量５０〜５００ｐｐｍを含有する電解コ
ンデンサ電極用アルミニウム箔を要旨とする。また、他
の１つは上記アルミニウム箔を、ＨＣｌ（塩酸）：３〜
１０％、Ｈ2 ＳＯ4 （硫酸）：１０〜４０％を含む水溶
液中で、液温：７０〜９０℃、電流密度：１０〜４０Ａ
／ｄｍ2 の条件にて一次の電解エッチングを実施した
後、ＨＣｌ：３〜１０％あるいはさらにＨ2 Ｃ2Ｏ
4 （しゅう酸）：１％以下を含む水溶液中で、液温：７
０〜９５℃、電流密度：０〜１０Ａ／ｄｍ2 の条件に
て、二次の電解エッチングまたは化学エッチングを実施
することを特徴とする電解コンデンサ電極用アルミニウ
ム箔のエッチング方法を要旨とする。
ものであって、その１つは、アルミニウム純度９９．９
％以上で、Ｍｇ量５０〜５００ｐｐｍを含有する電解コ
ンデンサ電極用アルミニウム箔を要旨とする。また、他
の１つは上記アルミニウム箔を、ＨＣｌ（塩酸）：３〜
１０％、Ｈ2 ＳＯ4 （硫酸）：１０〜４０％を含む水溶
液中で、液温：７０〜９０℃、電流密度：１０〜４０Ａ
／ｄｍ2 の条件にて一次の電解エッチングを実施した
後、ＨＣｌ：３〜１０％あるいはさらにＨ2 Ｃ2Ｏ
4 （しゅう酸）：１％以下を含む水溶液中で、液温：７
０〜９５℃、電流密度：０〜１０Ａ／ｄｍ2 の条件に
て、二次の電解エッチングまたは化学エッチングを実施
することを特徴とする電解コンデンサ電極用アルミニウ
ム箔のエッチング方法を要旨とする。
【０００７】この発明に係るアルミニウム箔のアルミニ
ウム純度に９９．９％以上を必要とするのは、９９．９
％未満の純度では、エッチング時にエッチングピットの
成長が多くの不純物の存在によって阻害され、本発明範
囲のＭｇの含有によってもなお均一な深いトンネル状の
エッチングピットを形成できず、従って静電容量の高い
アルミニウム箔を得ることができないからである。好ま
しくはアルミニウム純度を９９．９８％以上とするのが
良い。
ウム純度に９９．９％以上を必要とするのは、９９．９
％未満の純度では、エッチング時にエッチングピットの
成長が多くの不純物の存在によって阻害され、本発明範
囲のＭｇの含有によってもなお均一な深いトンネル状の
エッチングピットを形成できず、従って静電容量の高い
アルミニウム箔を得ることができないからである。好ま
しくはアルミニウム純度を９９．９８％以上とするのが
良い。
【０００８】アルミニウム箔中のＭｇは、エッチング時
に均一に分散したピットを得るために必要な元素であ
る。即ち、一般にエッチング初期には箔表面に存在する
表面の凹凸や油、ロールコーティングなどの付着物、あ
るいはそれらが変質したものから発生する不均一な局部
溶解ピットが発生し、エッチングピット密度の不均一性
（疎・密）を生じ、著しい場合には表面がクレーター状
に溶解する。この不均一性はエッチング終了後も残り、
静電容量低下の原因となっている。そこで、このような
不具合点を防止するために、これら表面に存在するエッ
チングピットの不均一要因を制御する試みが行われてい
るが、発明者は、この点について鋭意研究の結果、Ｍｇ
の添加とその表面偏析量がエッチングピットの局部性を
なくす効果を有することを知見した。従来より、Ｍｇは
高温加熱するとＡｌ表面に偏析しやすい元素として良く
知られているが、Ｍｇが表面に偏析するとエッチング初
期に圧延面内において圧延方向及び圧延方向と直角な方
向に（１００）方向に沿った浅い溝が生じ表面溶解をお
こす。次に、この溝の凹みの一部から圧延面に垂直にエ
ッチングピットが成長する。エッチング初期にこのよう
な溝状の表面溶解が生じることにより、箔表面に存在す
る表面の凹凸や油、ロールコーティングなどの付着物、
あるいはそれらが変質したものが除去され、エッチング
初期から均一に分散したエッチングピットが発生するの
である。このような効果を得るために、Ｍｇ量は５０ｐ
ｐｍ以上必要であるが、５００ｐｐｍを越えると通常の
最終焼鈍でＭｇの表面偏析量が多すぎて、著しい表面溶
解が起こり、箔の総厚が減少するため高静電容量箔を得
ることができない。そこで、Ｍｇ量の含有範囲は５０〜
５００ｐｐｍとする必要がある。特に好ましくは５０〜
１００ｐｐｍとするのが良い。
に均一に分散したピットを得るために必要な元素であ
る。即ち、一般にエッチング初期には箔表面に存在する
表面の凹凸や油、ロールコーティングなどの付着物、あ
るいはそれらが変質したものから発生する不均一な局部
溶解ピットが発生し、エッチングピット密度の不均一性
（疎・密）を生じ、著しい場合には表面がクレーター状
に溶解する。この不均一性はエッチング終了後も残り、
静電容量低下の原因となっている。そこで、このような
不具合点を防止するために、これら表面に存在するエッ
チングピットの不均一要因を制御する試みが行われてい
るが、発明者は、この点について鋭意研究の結果、Ｍｇ
の添加とその表面偏析量がエッチングピットの局部性を
なくす効果を有することを知見した。従来より、Ｍｇは
高温加熱するとＡｌ表面に偏析しやすい元素として良く
知られているが、Ｍｇが表面に偏析するとエッチング初
期に圧延面内において圧延方向及び圧延方向と直角な方
向に（１００）方向に沿った浅い溝が生じ表面溶解をお
こす。次に、この溝の凹みの一部から圧延面に垂直にエ
ッチングピットが成長する。エッチング初期にこのよう
な溝状の表面溶解が生じることにより、箔表面に存在す
る表面の凹凸や油、ロールコーティングなどの付着物、
あるいはそれらが変質したものが除去され、エッチング
初期から均一に分散したエッチングピットが発生するの
である。このような効果を得るために、Ｍｇ量は５０ｐ
ｐｍ以上必要であるが、５００ｐｐｍを越えると通常の
最終焼鈍でＭｇの表面偏析量が多すぎて、著しい表面溶
解が起こり、箔の総厚が減少するため高静電容量箔を得
ることができない。そこで、Ｍｇ量の含有範囲は５０〜
５００ｐｐｍとする必要がある。特に好ましくは５０〜
１００ｐｐｍとするのが良い。
【０００９】かかるアルミニウム箔の製造は、常法に従
って行えば良い。即ち、アルミニウム地金を溶解する段
階で所要量のＭｇを添加し、鋳造後、常法に従って熱間
圧延、冷間圧延、箔圧延、要すればその間に更に中間焼
鈍を行って製箔し、その後要すれば高温最終焼鈍を行え
ば良い。
って行えば良い。即ち、アルミニウム地金を溶解する段
階で所要量のＭｇを添加し、鋳造後、常法に従って熱間
圧延、冷間圧延、箔圧延、要すればその間に更に中間焼
鈍を行って製箔し、その後要すれば高温最終焼鈍を行え
ば良い。
【００１０】上記アルミニウム箔は、これをエッチング
処理して電解コンデンサ電極材とする。エッチングの条
件は特に限定されることはないが、好ましくは本発明に
従うエッチング方法を適用するのが良い。
処理して電解コンデンサ電極材とする。エッチングの条
件は特に限定されることはないが、好ましくは本発明に
従うエッチング方法を適用するのが良い。
【００１１】このエッチング方法は２段の処理からな
り、一次エッチングはＨＣｌ＋Ｈ2 ＳＯ4 系の電解液を
用いて実施するものであるが、発明者は、一次エッチン
グ時のＨ2 ＳＯ4 濃度を適当な範囲に設定することで表
面溶解量を適度に抑制し、エッチングピット分布の均一
分散性のみを高められることを見出した。即ち、ＨＣｌ
＋Ｈ2 ＳＯ4 系の液組成において、Ｈ2 ＳＯ4 濃度が１
０％未満ではＭｇ添加による表面溶解量が大きいため十
分な高静電容量箔が得られず、またＨ2 ＳＯ4 濃度が４
０％を越えるとエッチングピット密度が高くなり過ぎ部
分的なエッチングピットの結合が生じて静電容量は低下
する。従って、一次エッチング処理において、Ｈ2 ＳＯ
4 濃度は１０〜４０％とする。特に望ましくは２０〜３
５％である。この時、他の一次エッチング条件は化成処
理後に十分な表面積が得られるだけのエッチングピット
密度、径、ピット長さを確保するためにＨＣｌ濃度：３
〜１０％、液温：７０〜９０℃、直流電流密度：１０〜
４０Ａ／ｄｍ2 の範囲とする。
り、一次エッチングはＨＣｌ＋Ｈ2 ＳＯ4 系の電解液を
用いて実施するものであるが、発明者は、一次エッチン
グ時のＨ2 ＳＯ4 濃度を適当な範囲に設定することで表
面溶解量を適度に抑制し、エッチングピット分布の均一
分散性のみを高められることを見出した。即ち、ＨＣｌ
＋Ｈ2 ＳＯ4 系の液組成において、Ｈ2 ＳＯ4 濃度が１
０％未満ではＭｇ添加による表面溶解量が大きいため十
分な高静電容量箔が得られず、またＨ2 ＳＯ4 濃度が４
０％を越えるとエッチングピット密度が高くなり過ぎ部
分的なエッチングピットの結合が生じて静電容量は低下
する。従って、一次エッチング処理において、Ｈ2 ＳＯ
4 濃度は１０〜４０％とする。特に望ましくは２０〜３
５％である。この時、他の一次エッチング条件は化成処
理後に十分な表面積が得られるだけのエッチングピット
密度、径、ピット長さを確保するためにＨＣｌ濃度：３
〜１０％、液温：７０〜９０℃、直流電流密度：１０〜
４０Ａ／ｄｍ2 の範囲とする。
【００１２】一次エッチングに引き続いて、エッチング
ピット径を拡げる目的で、二次エッチングを行う。処理
液は、ＨＣｌ濃度：３〜１０％の塩酸水溶液を基本とす
るが、濃度１％以下のＨ2 Ｃ2 Ｏ4 を混合しても良い。
また、液温は７０〜９５℃とし、電流の通電を伴わない
化学エッチングでもよいし、直流電流密度１０Ａ／ｄｍ
2 以下の電解エッチングでも良い。二次電解処理におけ
る上記処理条件を逸脱する場合は、いずれもエッチング
ピット径の拡大効果に不十分となる。
ピット径を拡げる目的で、二次エッチングを行う。処理
液は、ＨＣｌ濃度：３〜１０％の塩酸水溶液を基本とす
るが、濃度１％以下のＨ2 Ｃ2 Ｏ4 を混合しても良い。
また、液温は７０〜９５℃とし、電流の通電を伴わない
化学エッチングでもよいし、直流電流密度１０Ａ／ｄｍ
2 以下の電解エッチングでも良い。二次電解処理におけ
る上記処理条件を逸脱する場合は、いずれもエッチング
ピット径の拡大効果に不十分となる。
【００１３】このような一次エッチング及び二次エッチ
ングにより、従来法よりも静電容量の高いＡｌ箔を得る
ことが可能となる。
ングにより、従来法よりも静電容量の高いＡｌ箔を得る
ことが可能となる。
【００１４】
【作用】箔中のＭｇが、エッチングの際に箔表面のエッ
チングピットの均一な生成を促す。
チングピットの均一な生成を促す。
【００１５】また、一次エッチング処理によりエッチン
グピットが適度に分散され、二次エッチングにより孔径
が拡大し、拡面率が増大する。
グピットが適度に分散され、二次エッチングにより孔径
が拡大し、拡面率が増大する。
【００１６】
（実施例１）表１に示す各種組成のアルミニウム鋳塊
に、面削、熱間圧延、冷間圧延（中間焼鈍を含む）、最
終焼鈍を順次的に実施してアルミニウム箔を製作した。
なお、試料Ａ〜Ｃの箔については、中間焼鈍を２５０℃
×６時間、最終焼鈍を５００℃×１０時間の条件で行っ
た。また、試料Ｄ〜Ｊの箔については、中間焼鈍を３０
０℃×６時間、最終焼鈍を５５０℃×１０時間の条件で
行った。
に、面削、熱間圧延、冷間圧延（中間焼鈍を含む）、最
終焼鈍を順次的に実施してアルミニウム箔を製作した。
なお、試料Ａ〜Ｃの箔については、中間焼鈍を２５０℃
×６時間、最終焼鈍を５００℃×１０時間の条件で行っ
た。また、試料Ｄ〜Ｊの箔については、中間焼鈍を３０
０℃×６時間、最終焼鈍を５５０℃×１０時間の条件で
行った。
【００１７】そして、得られた各アルミニウム箔の立方
体方位の占有率を調べた。その結果を表１に示す。
体方位の占有率を調べた。その結果を表１に示す。
【００１８】次に、以下の条件でエッチングを実施した
のち、得られたアルミニウム箔を５％ホウ酸液中で２５
０Ｖに化成した時の静電容量を測定した。その結果を、
Ｍｇを添加しない試料Ｃの静電容量を１００％としたと
きの相対比較にて、表１に示す。
のち、得られたアルミニウム箔を５％ホウ酸液中で２５
０Ｖに化成した時の静電容量を測定した。その結果を、
Ｍｇを添加しない試料Ｃの静電容量を１００％としたと
きの相対比較にて、表１に示す。
【００１９】［エッチング条件］ 前処理：なし 一次エッチング 液組成：５％ＨＣｌ＋１０％Ｈ2 ＳＯ
4 、液温：８０℃、電流密度：直流２０Ａ／ｄｍ2 、時
間：８０秒 二次エッチング 液組成：５％ＨＣｌ、液温：８０℃、
電流密度：直流２０Ａ／ｄｍ2 、時間：１０分
4 、液温：８０℃、電流密度：直流２０Ａ／ｄｍ2 、時
間：８０秒 二次エッチング 液組成：５％ＨＣｌ、液温：８０℃、
電流密度：直流２０Ａ／ｄｍ2 、時間：１０分
【表１】 上記表１の結果からわかるように、Ｍｇを本発明範囲に
含有する本発明実施品は、範囲を逸脱する比較品に較べ
て静電容量を増大し得ることを確認し得た。
含有する本発明実施品は、範囲を逸脱する比較品に較べ
て静電容量を増大し得ることを確認し得た。
【００２０】（実施例２）前記表１の試料Ａ及びＥに示
したアルミニウム箔に対して、一次エッチング及び二次
エッチングの条件を表２のように設定してエッチングを
実施したのち、得られたアルミニウム箔の静電容量を測
定した。その結果を、実施例１と同じく表１の試料Ｃの
静電容量を１００％としたときの相対比較にて示す。
したアルミニウム箔に対して、一次エッチング及び二次
エッチングの条件を表２のように設定してエッチングを
実施したのち、得られたアルミニウム箔の静電容量を測
定した。その結果を、実施例１と同じく表１の試料Ｃの
静電容量を１００％としたときの相対比較にて示す。
【００２１】
【表２】 上記表２の結果からわかるように、本発明に係るエッチ
ング方法の条件を満足する実施品は、条件を逸脱する比
較品に較べて静電容量を増大し得ることを確認し得た。
ング方法の条件を満足する実施品は、条件を逸脱する比
較品に較べて静電容量を増大し得ることを確認し得た。
【００２２】
【発明の効果】この発明に係る電解コンデンサ電極用ア
ルミニウム箔は、アルミニウム純度９９．９％以上で、
Ｍｇ量５０〜５００ｐｐｍを含有するものであるから、
エッチング性に優れ、エッチング処理により極めて大き
な拡面率を得ることができる。従って、大きな静電容量
を有し電気的特性に優れた電解コンデンサ電極用アルミ
ニウム箔となしうる。
ルミニウム箔は、アルミニウム純度９９．９％以上で、
Ｍｇ量５０〜５００ｐｐｍを含有するものであるから、
エッチング性に優れ、エッチング処理により極めて大き
な拡面率を得ることができる。従って、大きな静電容量
を有し電気的特性に優れた電解コンデンサ電極用アルミ
ニウム箔となしうる。
【００２３】また、この発明に係るエッチング方法によ
れば、上記のアルミニウム箔に、ＨＣｌ：３〜１０％、
Ｈ2 ＳＯ4 ：１０〜４０％を含む水溶液中で、液温：７
０〜９０℃、電流密度：１０〜４０Ａ／ｄｍ2 の条件に
て一次の電解エッチングを実施した後、ＨＣｌ：３〜１
０wt％あるいはさらにＨ2 Ｃ2 Ｏ4 ：１wt％以下を含む
水溶液中で、液温：７０〜９５℃、電流密度：０〜１０
Ａ／ｄｍ2 の条件にて、二次の電解エッチングまたは化
学エッチングを実施するから、エッチングピットを適度
に分散させることができるとともに、孔径を拡大でき、
益々拡面率が大きく静電容量の大きい電解コンデンサ電
極箔を提供できる。
れば、上記のアルミニウム箔に、ＨＣｌ：３〜１０％、
Ｈ2 ＳＯ4 ：１０〜４０％を含む水溶液中で、液温：７
０〜９０℃、電流密度：１０〜４０Ａ／ｄｍ2 の条件に
て一次の電解エッチングを実施した後、ＨＣｌ：３〜１
０wt％あるいはさらにＨ2 Ｃ2 Ｏ4 ：１wt％以下を含む
水溶液中で、液温：７０〜９５℃、電流密度：０〜１０
Ａ／ｄｍ2 の条件にて、二次の電解エッチングまたは化
学エッチングを実施するから、エッチングピットを適度
に分散させることができるとともに、孔径を拡大でき、
益々拡面率が大きく静電容量の大きい電解コンデンサ電
極箔を提供できる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 礒山 永三 堺市海山町６丁224番地 昭和アルミニウ ム株式会社内 (72)発明者 遠藤 茂 堺市海山町６丁224番地 昭和アルミニウ ム株式会社内
Claims (2)
- 【請求項１】 アルミニウム純度９９．９％以上で、Ｍ
ｇ量５０〜５００ｐｐｍを含有する電解コンデンサ電極
用アルミニウム箔。 - 【請求項２】 アルミニウム純度９９．９％以上で、Ｍ
ｇ量５０〜５００ｐｐｍを含有する電解コンデンサ電極
用アルミニウム箔を、ＨＣｌ：３〜１０％、Ｈ2 Ｓ
Ｏ4 ：１０〜４０％を含む水溶液中で、液温：７０〜９
０℃、電流密度：１０〜４０Ａ／ｄｍ2 の条件にて一次
の電解エッチングを実施した後、ＨＣｌ：３〜１０％あ
るいはさらにＨ2 Ｃ2 Ｏ4 ：１％以下を含む水溶液中
で、液温：７０〜９５℃、電流密度：０〜１０Ａ／ｄｍ
2 の条件にて、二次の電解エッチングまたは化学エッチ
ングを実施することを特徴とする電解コンデンサ電極用
アルミニウム箔のエッチング方法。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6100161A JP2907718B2 (ja) | 1993-12-29 | 1994-05-13 | 電解コンデンサ電極用アルミニウム箔のエッチング方法 |
| US08/365,453 US5714271A (en) | 1993-12-29 | 1994-12-28 | Electrolytic condenser electrode and aluminum foil therefor |
| KR1019940038116A KR100350210B1 (ko) | 1993-12-29 | 1994-12-28 | 전해콘덴서전극용알루미늄박의에칭방법 |
| EP94309903A EP0662700B1 (en) | 1993-12-29 | 1994-12-29 | Aluminium foil used as an electrolytic capacitor electrode, and method of etching same |
| CN94120755A CN1039560C (zh) | 1993-12-29 | 1994-12-29 | 电解电容的电极材料、该电极用的铝箔及其腐蚀方法 |
| DE69405971T DE69405971T2 (de) | 1993-12-29 | 1994-12-29 | Aluminiumfolie zur Verwendung als Elektrode für einen Elektrolytkondensator und Verfahren zum Ätzen |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5-355010 | 1993-12-29 | ||
| JP35501093 | 1993-12-29 | ||
| JP6100161A JP2907718B2 (ja) | 1993-12-29 | 1994-05-13 | 電解コンデンサ電極用アルミニウム箔のエッチング方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07235457A true JPH07235457A (ja) | 1995-09-05 |
| JP2907718B2 JP2907718B2 (ja) | 1999-06-21 |
Family
ID=26441247
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6100161A Expired - Fee Related JP2907718B2 (ja) | 1993-12-29 | 1994-05-13 | 電解コンデンサ電極用アルミニウム箔のエッチング方法 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5714271A (ja) |
| EP (1) | EP0662700B1 (ja) |
| JP (1) | JP2907718B2 (ja) |
| KR (1) | KR100350210B1 (ja) |
| CN (1) | CN1039560C (ja) |
| DE (1) | DE69405971T2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105140039A (zh) * | 2015-09-07 | 2015-12-09 | 江苏国瑞科技股份有限公司 | 一种铝箔腐蚀的前处理工艺 |
| CN105788866A (zh) * | 2016-04-10 | 2016-07-20 | 江苏荣生电子有限公司 | 一种电化学腐蚀与化学腐蚀相结合的中高压电极箔制造方法 |
| CN106098378A (zh) * | 2016-06-27 | 2016-11-09 | 江苏荣生电子有限公司 | 一种制造大孔径高压高比容储能箔的装置 |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3318652B2 (ja) * | 1996-12-17 | 2002-08-26 | 三菱電機株式会社 | 液晶表示装置およびこれに用いられるｔｆｔアレイ基板の製造方法 |
| JP2004165209A (ja) * | 2002-11-08 | 2004-06-10 | Nippon Chemicon Corp | 電解コンデンサ |
| US7791860B2 (en) | 2003-07-09 | 2010-09-07 | Maxwell Technologies, Inc. | Particle based electrodes and methods of making same |
| US7352558B2 (en) | 2003-07-09 | 2008-04-01 | Maxwell Technologies, Inc. | Dry particle based capacitor and methods of making same |
| US7920371B2 (en) | 2003-09-12 | 2011-04-05 | Maxwell Technologies, Inc. | Electrical energy storage devices with separator between electrodes and methods for fabricating the devices |
| US7090946B2 (en) | 2004-02-19 | 2006-08-15 | Maxwell Technologies, Inc. | Composite electrode and method for fabricating same |
| US7440258B2 (en) | 2005-03-14 | 2008-10-21 | Maxwell Technologies, Inc. | Thermal interconnects for coupling energy storage devices |
| WO2008106533A1 (en) * | 2007-02-27 | 2008-09-04 | Maxwell Technologies, Inc. | Ultracapacitor collector and/or package with controlled magnesium content |
| KR100889488B1 (ko) * | 2007-11-12 | 2009-03-19 | 한국제이씨씨(주) | 알루미늄 전해 커패시터 음극 박 에칭용 전해액 및 이의제조방법. |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03130340A (ja) * | 1989-10-16 | 1991-06-04 | Nippon Foil Mfg Co Ltd | 電解コンデンサ陰極用アルミニウム合金箔及びその製造方法 |
| JPH0462821A (ja) * | 1990-06-25 | 1992-02-27 | Showa Alum Corp | 電解コンデンサ電極用アルミニウム箔 |
| JPH0521288A (ja) * | 1991-07-09 | 1993-01-29 | Showa Alum Corp | 電解コンデンサ陰極箔用アルミニウム合金 |
| JPH0582397A (ja) * | 1991-09-21 | 1993-04-02 | Nippon Foil Mfg Co Ltd | 電解コンデンサ陰極用アルミニウム合金箔及びその製造方法 |
| JPH0641665A (ja) * | 1992-07-22 | 1994-02-15 | Nippon Foil Mfg Co Ltd | 電解コンデンサ陽極用アルミニウム合金箔 |
| JPH07211593A (ja) * | 1994-01-21 | 1995-08-11 | Showa Alum Corp | 電解コンデンサ電極用アルミニウム箔及びそのエッチング方法 |
Family Cites Families (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CA458241A (en) * | 1949-07-19 | Societe Anonyme Pour L'industrie De L'aluminium | Aluminum alloy | |
| CA529287A (en) * | 1956-08-21 | A. Anderson William | Aluminum base alloy article | |
| GB596067A (en) * | 1944-07-31 | 1947-12-29 | Ind De L Aluminium Sa | Improvements relating to aluminium alloys |
| US3498765A (en) * | 1966-09-06 | 1970-03-03 | Aluminum Co Of America | Capacitor foil composed of alloys of aluminum and cadmium or indium |
| US3578570A (en) * | 1967-09-25 | 1971-05-11 | Kaiser Aluminium Chem Corp | Aluminum capacitor foil |
| US4068148A (en) * | 1975-10-14 | 1978-01-10 | Hitachi, Ltd. | Constant current driving circuit |
| US4166755A (en) * | 1977-11-02 | 1979-09-04 | Swiss Aluminium Ltd. | Aluminum alloy capacitor foil and method of making |
| US4164434A (en) * | 1977-11-02 | 1979-08-14 | Swiss Aluminium Ltd. | Aluminum alloy capacitor foil and method of making |
| US4214041A (en) * | 1978-12-01 | 1980-07-22 | Swiss Aluminium Ltd. | Composite aluminum capacitor foil |
| JPS5956560A (ja) * | 1982-09-24 | 1984-04-02 | Showa Alum Corp | 電解コンデンサ電極用アルミニウム合金箔 |
| US4845543A (en) * | 1983-09-28 | 1989-07-04 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor device and method of manufacturing the same |
| US4518471A (en) * | 1984-08-29 | 1985-05-21 | North American Philips Corporation | Two step electrochemical etch process for high volt aluminum anode foil |
| IN167995B (ja) * | 1985-07-26 | 1991-01-19 | Alcan Int Ltd | |
| JP2692108B2 (ja) * | 1988-02-19 | 1997-12-17 | 松下電器産業株式会社 | アルミ電解コンデンサ用電極箔の製造方法 |
| US4942100A (en) * | 1988-08-09 | 1990-07-17 | Alcan International Limited | Aluminium batteries |
| US5316632A (en) * | 1991-07-24 | 1994-05-31 | Dieter Remppel | Method for improving efficiency of electro-chemical cells |
| JPH0543972A (ja) * | 1991-08-07 | 1993-02-23 | Nippon Foil Mfg Co Ltd | 電解コンデンサ陰極用アルミニウム合金箔及びその製造方法 |
| JP4062821B2 (ja) * | 1999-06-29 | 2008-03-19 | 株式会社デンソー | 電磁負荷の駆動装置 |
-
1994
- 1994-05-13 JP JP6100161A patent/JP2907718B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1994-12-28 US US08/365,453 patent/US5714271A/en not_active Expired - Fee Related
- 1994-12-28 KR KR1019940038116A patent/KR100350210B1/ko not_active Expired - Fee Related
- 1994-12-29 EP EP94309903A patent/EP0662700B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1994-12-29 CN CN94120755A patent/CN1039560C/zh not_active Expired - Fee Related
- 1994-12-29 DE DE69405971T patent/DE69405971T2/de not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03130340A (ja) * | 1989-10-16 | 1991-06-04 | Nippon Foil Mfg Co Ltd | 電解コンデンサ陰極用アルミニウム合金箔及びその製造方法 |
| JPH0462821A (ja) * | 1990-06-25 | 1992-02-27 | Showa Alum Corp | 電解コンデンサ電極用アルミニウム箔 |
| JPH0521288A (ja) * | 1991-07-09 | 1993-01-29 | Showa Alum Corp | 電解コンデンサ陰極箔用アルミニウム合金 |
| JPH0582397A (ja) * | 1991-09-21 | 1993-04-02 | Nippon Foil Mfg Co Ltd | 電解コンデンサ陰極用アルミニウム合金箔及びその製造方法 |
| JPH0641665A (ja) * | 1992-07-22 | 1994-02-15 | Nippon Foil Mfg Co Ltd | 電解コンデンサ陽極用アルミニウム合金箔 |
| JPH07211593A (ja) * | 1994-01-21 | 1995-08-11 | Showa Alum Corp | 電解コンデンサ電極用アルミニウム箔及びそのエッチング方法 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105140039A (zh) * | 2015-09-07 | 2015-12-09 | 江苏国瑞科技股份有限公司 | 一种铝箔腐蚀的前处理工艺 |
| CN105788866A (zh) * | 2016-04-10 | 2016-07-20 | 江苏荣生电子有限公司 | 一种电化学腐蚀与化学腐蚀相结合的中高压电极箔制造方法 |
| CN106098378A (zh) * | 2016-06-27 | 2016-11-09 | 江苏荣生电子有限公司 | 一种制造大孔径高压高比容储能箔的装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN1112721A (zh) | 1995-11-29 |
| KR100350210B1 (ko) | 2003-01-14 |
| DE69405971T2 (de) | 1998-01-22 |
| EP0662700A1 (en) | 1995-07-12 |
| DE69405971D1 (de) | 1997-11-06 |
| KR950020801A (ko) | 1995-07-24 |
| EP0662700B1 (en) | 1997-10-01 |
| CN1039560C (zh) | 1998-08-19 |
| JP2907718B2 (ja) | 1999-06-21 |
| US5714271A (en) | 1998-02-03 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2907718B2 (ja) | 電解コンデンサ電極用アルミニウム箔のエッチング方法 | |
| JP3478918B2 (ja) | 電解コンデンサ電極用アルミニウム箔 | |
| JP2756861B2 (ja) | 電解コンデンサ陽極用アルミニウム箔の製造方法 | |
| JP2002173748A (ja) | 高純度アルミニウム箔の製造方法 | |
| JP2000228333A (ja) | 電解コンデンサ電極用アルミニウム箔の製造方法 | |
| JP4125521B2 (ja) | 電解コンデンサ用アルミニウム箔 | |
| JP3218176B2 (ja) | 電解コンデンサ電極用アルミニウム箔 | |
| JP4916605B2 (ja) | 電解コンデンサ電極用アルミニウム材およびアルミニウム箔、ならびにアルミニウム箔の製造方法 | |
| JPH08273988A (ja) | 電解コンデンサ電極用アルミニウム箔のエッチング方法 | |
| JP2809988B2 (ja) | 電解コンデンサ電極用アルミニウム箔及びそのエッチング方法 | |
| JP2578521B2 (ja) | 電解コンデンサ電極用アルミニウム箔 | |
| JPH07211593A (ja) | 電解コンデンサ電極用アルミニウム箔及びそのエッチング方法 | |
| JP2003193260A (ja) | エッチング特性に優れた電解コンデンサ電極用アルミニウム箔およびその製造方法、ならびに電解コンデンサ電極用アルミニウムエッチド箔のの製造方法 | |
| JP2001006985A (ja) | 電解コンデンサ電極用アルミニウム箔の製造方法 | |
| JPH09213586A (ja) | 電解コンデンサ電極用アルミニウム箔 | |
| JP4539911B2 (ja) | 電極コンデンサ陽極用アルミニウム箔およびその製造方法 | |
| JPH0372703B2 (ja) | ||
| JP2572479B2 (ja) | 電解コンデンサ電極用アルミニウム箔 | |
| JP2878487B2 (ja) | 電解コンデンサ陰極箔用アルミニウム合金 | |
| JP3167594B2 (ja) | 電解コンデンサ電極用アルミニウム箔のエッチング方法 | |
| JPH09180968A (ja) | 電解コンデンサ電極用アルミニウム箔 | |
| JP3899479B2 (ja) | 電解コンデンサ電極用アルミニウム箔 | |
| JPH0581164B2 (ja) | ||
| JP2960116B2 (ja) | 電解コンデンサ電極用アルミニウム箔 | |
| JPH10265879A (ja) | 電解コンデンサ用アルミニウム箔 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |