JPH072834B2 - 導電性高分子 - Google Patents
導電性高分子Info
- Publication number
- JPH072834B2 JPH072834B2 JP23224492A JP23224492A JPH072834B2 JP H072834 B2 JPH072834 B2 JP H072834B2 JP 23224492 A JP23224492 A JP 23224492A JP 23224492 A JP23224492 A JP 23224492A JP H072834 B2 JPH072834 B2 JP H072834B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- polymer
- conductive polymer
- electrode
- doping
- reaction
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
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- Polymers With Sulfur, Phosphorus Or Metals In The Main Chain (AREA)
- Polyoxymethylene Polymers And Polymers With Carbon-To-Carbon Bonds (AREA)
- Macromolecular Compounds Obtained By Forming Nitrogen-Containing Linkages In General (AREA)
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、特定の重合体を電子受
容体でドーピングして得られる導電性高分子に関する。
容体でドーピングして得られる導電性高分子に関する。
【0002】
【従来の技術】導電性高分子材料を形成するのに用いら
れる重合体として、ポリアセチレン、ポリパラフェニレ
ン、ポリチオフェン、ポリピロール等が知られている。
これ等の重合体は、ある種の化合物をドープすることに
より導電性高分子材料として使用可能となるが、空気中
で変質しやすく、電気的特性が変化する。また融解性、
溶解性等に乏しく加工性が極めて悪い等の問題点があ
り、実用上の大きな障害となっている。
れる重合体として、ポリアセチレン、ポリパラフェニレ
ン、ポリチオフェン、ポリピロール等が知られている。
これ等の重合体は、ある種の化合物をドープすることに
より導電性高分子材料として使用可能となるが、空気中
で変質しやすく、電気的特性が変化する。また融解性、
溶解性等に乏しく加工性が極めて悪い等の問題点があ
り、実用上の大きな障害となっている。
【0003】これらの問題を解決する方法として特開昭
59−102928号では、各種のヘテロジアゾール系
の電気活性ポリマーが提案されており、たとえば下記構
造式化2で表わされるポリオキサジアゾール系ポリマー
が有効であることが示されている。
59−102928号では、各種のヘテロジアゾール系
の電気活性ポリマーが提案されており、たとえば下記構
造式化2で表わされるポリオキサジアゾール系ポリマー
が有効であることが示されている。
【0004】
【化2】
【0005】しかしながら、上記のポリマーは合成法が
複雑であるうえ、生成したポリマーの吸湿性が大きく、
又化学的な安定性に乏しいなど問題点が多く、さらに、
これらのポリマーを電子受容体でドーピングしたのち、
電気活性ポリマーとして使用した時の性能も不満足であ
り、さらに改良が望まれている。
複雑であるうえ、生成したポリマーの吸湿性が大きく、
又化学的な安定性に乏しいなど問題点が多く、さらに、
これらのポリマーを電子受容体でドーピングしたのち、
電気活性ポリマーとして使用した時の性能も不満足であ
り、さらに改良が望まれている。
【0006】また、特開昭61−28524号では、各
種のトリフェニルアミン系の電気活性ポリマーが提案さ
れており、たとえば下記構造式化3で表わされるトリフ
ェニルアミン系ポリマーが有効であることが示されてい
る。
種のトリフェニルアミン系の電気活性ポリマーが提案さ
れており、たとえば下記構造式化3で表わされるトリフ
ェニルアミン系ポリマーが有効であることが示されてい
る。
【0007】
【化3】
【0008】しかし、上記トリフェニルアミン系ポリマ
ーを電池の電極材などに利用した場合には、ポリマーユ
ニット当たりの式量が大きいため、単位保持電気量当た
りにおいて、電池は重くなり、かつ大きくなるという欠
点もある。
ーを電池の電極材などに利用した場合には、ポリマーユ
ニット当たりの式量が大きいため、単位保持電気量当た
りにおいて、電池は重くなり、かつ大きくなるという欠
点もある。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】従って本発明の目的
は、高い導電性を発現することができ、しかもドーピン
グが可逆的である導電性高分子を提供することにある。
は、高い導電性を発現することができ、しかもドーピン
グが可逆的である導電性高分子を提供することにある。
【0010】
【課題を解決するための手段】すなわち、本発明によれ
ば、下記一般式化4で表わされる4,4′-ジフェニルア
ミン構造を繰り返し単位として有する重合体(以下重合
体1と称す)を電子受容体でドーピングして得られる導
電性高分子が提供される。
ば、下記一般式化4で表わされる4,4′-ジフェニルア
ミン構造を繰り返し単位として有する重合体(以下重合
体1と称す)を電子受容体でドーピングして得られる導
電性高分子が提供される。
【0011】
【化4】
【0012】以下本発明を更に詳細に説明する。
【0013】本発明の導電性高分子において用いる特定
の重合体は、前記化4で表わされる4,4′-ジフェニ
ルアミン構造を繰り返し単位として有する重合体1であ
る。
の重合体は、前記化4で表わされる4,4′-ジフェニ
ルアミン構造を繰り返し単位として有する重合体1であ
る。
【0014】前記重合体1を調製するには、下記反応式
化5で示される手順に従って、4,4′-ジハロジフェニ
ル(1)(式中、Rは炭素数1〜6のアルキル基を示
し、Xはハロゲンを示す。)に金属マグネシウムを作用
させ、化合物(2)を得、次いで化合物(3)を触媒に
より重合させる方法又は下記反応式化6で表わされる方
法等により得ることができ、得られる重合体1は実質的
に線状である。
化5で示される手順に従って、4,4′-ジハロジフェニ
ル(1)(式中、Rは炭素数1〜6のアルキル基を示
し、Xはハロゲンを示す。)に金属マグネシウムを作用
させ、化合物(2)を得、次いで化合物(3)を触媒に
より重合させる方法又は下記反応式化6で表わされる方
法等により得ることができ、得られる重合体1は実質的
に線状である。
【0015】
【化5】
【0016】
【化6】
【0017】前記反応は、非反応性溶媒中で行うのが望
ましい。また反応温度は、−20℃〜200℃、好まし
くは、0〜150℃の範囲で選ぶことができる。
ましい。また反応温度は、−20℃〜200℃、好まし
くは、0〜150℃の範囲で選ぶことができる。
【0018】上記反応に用いられる非反応性溶媒として
は、ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジブチル
エーテルなどがある。また、触媒としてはジクロロニッ
ケル、ジブロモニッケル、ジクロロ(2,2′-ビピリジ
ン)ニッケル、ジブロモビス(トリフェニルホスフィ
ン)ニッケル、1,5-シクロオクタジエンビス(トリフ
ェニルホスフィン)ニッケルのようなニッケル化合物が
用いられる。
は、ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジブチル
エーテルなどがある。また、触媒としてはジクロロニッ
ケル、ジブロモニッケル、ジクロロ(2,2′-ビピリジ
ン)ニッケル、ジブロモビス(トリフェニルホスフィ
ン)ニッケル、1,5-シクロオクタジエンビス(トリフ
ェニルホスフィン)ニッケルのようなニッケル化合物が
用いられる。
【0019】なお、前記重合体1を合成する方法とし
て、酸化重合法、電解重合法も好ましく用いることがで
きる。
て、酸化重合法、電解重合法も好ましく用いることがで
きる。
【0020】前記重合体1は、従来の導電性ポリマーが
溶解性、融解性等に乏しいため、加工性が著しく悪いと
いう欠点を一挙に解決し得るものである。
溶解性、融解性等に乏しいため、加工性が著しく悪いと
いう欠点を一挙に解決し得るものである。
【0021】本発明の導電性高分子においては、前記重
合体1に電子受容体をドーパントとしてドーピングする
ことにより、高い導電性を発現することができ、しか
も、ドーピングを可逆的にすることができる。
合体1に電子受容体をドーパントとしてドーピングする
ことにより、高い導電性を発現することができ、しか
も、ドーピングを可逆的にすることができる。
【0022】本発明の導電性高分子を、例えば電池の電
極材料とした場合には、可逆的な充放電が可能であり、
また、ポリマーユニット当たりの式量も小さいため、単
位重量当たりのエネルギー密度を高くすることができ
る。
極材料とした場合には、可逆的な充放電が可能であり、
また、ポリマーユニット当たりの式量も小さいため、単
位重量当たりのエネルギー密度を高くすることができ
る。
【0023】この時のドーパントとしては、ヨウ素、臭
素、ヨウ化臭素等のハロゲン化合物、五フッ化ヒ素、五
塩化リん、五フッ化リン、五フッ化アンチモン、四フッ
化ケイ素、塩化アルミニウム、臭化アルミニウム、フッ
化アルミニウム、塩化第2鉄等の金属ハロゲン化合物、
硫酸、硝酸、フルオロ硫酸の如きプロトン酸、三酸化イ
オウ、二酸化窒素、ジフルオロスルホニルパーオキシド
等の酸化剤、テトラシアノキノジメタン、テトラシアノ
エチレン等の有機物などを挙げることができる。
素、ヨウ化臭素等のハロゲン化合物、五フッ化ヒ素、五
塩化リん、五フッ化リン、五フッ化アンチモン、四フッ
化ケイ素、塩化アルミニウム、臭化アルミニウム、フッ
化アルミニウム、塩化第2鉄等の金属ハロゲン化合物、
硫酸、硝酸、フルオロ硫酸の如きプロトン酸、三酸化イ
オウ、二酸化窒素、ジフルオロスルホニルパーオキシド
等の酸化剤、テトラシアノキノジメタン、テトラシアノ
エチレン等の有機物などを挙げることができる。
【0024】また、電気化学的にドーピングするドーパ
ントとしてはPF6〜、SbF6〜、AsF6〜等のVa
族の元素のハロゲン化物アニオン、BF4〜等のIIIa族
の元素のハロゲン化物アニオン、I〜(I8〜)、Br〜、
Cl〜等のハロゲンアニオン、ClO4〜等の過塩素酸
アニオンなどの陰イオンが挙げられる。
ントとしてはPF6〜、SbF6〜、AsF6〜等のVa
族の元素のハロゲン化物アニオン、BF4〜等のIIIa族
の元素のハロゲン化物アニオン、I〜(I8〜)、Br〜、
Cl〜等のハロゲンアニオン、ClO4〜等の過塩素酸
アニオンなどの陰イオンが挙げられる。
【0025】更に、本発明に用いる重合体1は、陰イオ
ンをドープした際に、高分子中の窒素原子が正電荷を帯
び安定な状態となる性質を有するので、酸化還元のくり
返しに対し安定で且つ加工性が良いという特性を利用し
て電極を構成するのに用いられる。即ち重合体1を溶媒
に溶解したものを用いて成形するか、重合体1を主成分
として加圧成形したり、結着剤を用いて任意の形に成形
したものを、電極とすることができる。結着剤としては
ポリ四フッ化エチレン、ポリフッ化ビニリデン、ポリエ
チレンなどをあげることができるが、必ずしもこれ等に
限定されるものではない。
ンをドープした際に、高分子中の窒素原子が正電荷を帯
び安定な状態となる性質を有するので、酸化還元のくり
返しに対し安定で且つ加工性が良いという特性を利用し
て電極を構成するのに用いられる。即ち重合体1を溶媒
に溶解したものを用いて成形するか、重合体1を主成分
として加圧成形したり、結着剤を用いて任意の形に成形
したものを、電極とすることができる。結着剤としては
ポリ四フッ化エチレン、ポリフッ化ビニリデン、ポリエ
チレンなどをあげることができるが、必ずしもこれ等に
限定されるものではない。
【0026】
【発明の効果】本発明の導電性高分子は、特定の重合体
を電子受容体でドーピングするので、高い導電性を発現
することができ、しかもドーピングが可逆的である。
を電子受容体でドーピングするので、高い導電性を発現
することができ、しかもドーピングが可逆的である。
【0027】
【実施例】以下、本発明を実施例および製造例により具
体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるもので
はない。
体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるもので
はない。
【0028】
【製造例1】金属カリウム 4.613g (0.1180グラム原子
量)、ヨウ化カリウム(KI)9.79g(0.0590モル)、塩
化マグネシウム(無水)5.62g (0.0590モル)および乾
燥テトラヒドロフラン(THF)100mlを300ml
のフラスコ中、窒素雰囲気下でかきまぜながら加熱還流
し、反応させた。約1時間後、黒色の粉末を生じ、金属
マグネシウムが生成したことを認めた。ついで、4,
4′-ジブロモ-N-メチルジフェニルアミン 10.06g(0.
0295モル)を乾燥THF50mlに溶解し、滴下漏斗から
添加した。添加終了後、1時間かきまぜながら、加熱還
流した。更に、4,4′-ジブロモ-N-メチルジフェニル
アミン 10.06g(0.0295モル)とNiBr2(Pph3)2(p
h:フェニル)約0.03gを乾燥THF50mlに溶解し、
滴下漏斗で添加した。撹拌下加熱還流を1日行った後、
生成物を塩酸酸性エタノール中に注ぎ、1時間かきまぜ
た後、濾別した。フィルター上で十分にエタノールで洗
浄した後、ソックスレー抽出器を用い、エタノールで1
晩抽出し、不純物を除去した。生成した重合体の乾燥後
の収量は8.55gであった。
量)、ヨウ化カリウム(KI)9.79g(0.0590モル)、塩
化マグネシウム(無水)5.62g (0.0590モル)および乾
燥テトラヒドロフラン(THF)100mlを300ml
のフラスコ中、窒素雰囲気下でかきまぜながら加熱還流
し、反応させた。約1時間後、黒色の粉末を生じ、金属
マグネシウムが生成したことを認めた。ついで、4,
4′-ジブロモ-N-メチルジフェニルアミン 10.06g(0.
0295モル)を乾燥THF50mlに溶解し、滴下漏斗から
添加した。添加終了後、1時間かきまぜながら、加熱還
流した。更に、4,4′-ジブロモ-N-メチルジフェニル
アミン 10.06g(0.0295モル)とNiBr2(Pph3)2(p
h:フェニル)約0.03gを乾燥THF50mlに溶解し、
滴下漏斗で添加した。撹拌下加熱還流を1日行った後、
生成物を塩酸酸性エタノール中に注ぎ、1時間かきまぜ
た後、濾別した。フィルター上で十分にエタノールで洗
浄した後、ソックスレー抽出器を用い、エタノールで1
晩抽出し、不純物を除去した。生成した重合体の乾燥後
の収量は8.55gであった。
【0029】かようにして得た重合体は薄緑色の粉末
で、空気中で3ヶ月間放置しても何の変化もみられず、
きわめて安定であった。また、この重合体の熱重量分析
を窒素雰囲気中で行った。その結果を図1に示す。この
図から重合体は350℃まで減量することなく安定であ
り、700℃の高温でも約70%の残存重量を示してい
ることがわかる。
で、空気中で3ヶ月間放置しても何の変化もみられず、
きわめて安定であった。また、この重合体の熱重量分析
を窒素雰囲気中で行った。その結果を図1に示す。この
図から重合体は350℃まで減量することなく安定であ
り、700℃の高温でも約70%の残存重量を示してい
ることがわかる。
【0030】また、元素分析をしたところ次の結果が得
られた。
られた。
【0031】重合体の元素分析値:炭素(C)84.17% 水
素(H)5.86% 窒素(N) 7.67% 原子比はC:H:N=12.8:10.7:1で理論値(C13H
11N)に近い値であった。
素(H)5.86% 窒素(N) 7.67% 原子比はC:H:N=12.8:10.7:1で理論値(C13H
11N)に近い値であった。
【0032】次に重合体の赤外スペクトル分析を行い、
測定した赤外スペクトルを図2に示す。図中1590cm
〜1、1490cm〜1および1320cm〜1付近の吸収は
ジフェニルアミン構造によるものであり、800cm〜1
付近の吸収はパラ置換ベンゼン構造によるものである。
測定した赤外スペクトルを図2に示す。図中1590cm
〜1、1490cm〜1および1320cm〜1付近の吸収は
ジフェニルアミン構造によるものであり、800cm〜1
付近の吸収はパラ置換ベンゼン構造によるものである。
【0033】これ等の結果より生成重合体がポリ(4,
4′-N-メチル-ジフェニルアミン)であることが確認
できた。
4′-N-メチル-ジフェニルアミン)であることが確認
できた。
【0034】
【実施例1】製造例1で得た重合体を白金板に圧着し、
測定用電極を作製した。次に溶媒をアセトニトリル、溶
質として過塩素酸テトラブチルアンモニウムを用いて、
1モル/lの電解液をつくり、白金板を対極とし、Ag
/AgNO3電極を参照電極として、N2中で上述の電極
の酸化還元電位を測定した。得られた結果を図3に示
す。またポリ(4,4′-N-メチルジフェニルアミン)
の酸化還元電位は約0.37Vであった。
測定用電極を作製した。次に溶媒をアセトニトリル、溶
質として過塩素酸テトラブチルアンモニウムを用いて、
1モル/lの電解液をつくり、白金板を対極とし、Ag
/AgNO3電極を参照電極として、N2中で上述の電極
の酸化還元電位を測定した。得られた結果を図3に示
す。またポリ(4,4′-N-メチルジフェニルアミン)
の酸化還元電位は約0.37Vであった。
【0035】
【製造例2】金属カリウム 4.613g (0.1180グラム原子
量)、塩化マグネシウム(無水)5.62g (0.0590モル)
およびテトラヒドロフラン(THF)100mlを30
0mlのフラスコ中、窒素雰囲気下でかきまぜながら加
熱還流し、反応させた。約1時間後、黒色の粉末を生
じ、金属マグネシウムが生成したことを認めた。つい
で、4,4′-ジブロモ-N-メチルジフェニルアミン 20.
12g(0.0590モル)をTHF100mlに溶解し、滴下漏
斗で添加し、かきまぜながら加熱還流し反応させた。約
1時間後、金属マグネシウムが消費しつくされたことが
認められた。次いで、この反応生成物に触媒としてNi
(dip)2Cl2(dip:2,2′-ビピリジン)約0.10
gを加え、かきまぜながら加熱還流すると、重合反応が
円滑に始まった。反応を2時間行ない、反応後、生成物
を塩酸酸性エタノール中にあけ、1時間かきまぜた後濾
別した。フィルター上で十分にエタノールで洗浄した
後、ソックスレー抽出器によりエタノールで5時間抽出
し、不純物を除去した。生成した重合体の乾燥後の収量
は7.12gであった。
量)、塩化マグネシウム(無水)5.62g (0.0590モル)
およびテトラヒドロフラン(THF)100mlを30
0mlのフラスコ中、窒素雰囲気下でかきまぜながら加
熱還流し、反応させた。約1時間後、黒色の粉末を生
じ、金属マグネシウムが生成したことを認めた。つい
で、4,4′-ジブロモ-N-メチルジフェニルアミン 20.
12g(0.0590モル)をTHF100mlに溶解し、滴下漏
斗で添加し、かきまぜながら加熱還流し反応させた。約
1時間後、金属マグネシウムが消費しつくされたことが
認められた。次いで、この反応生成物に触媒としてNi
(dip)2Cl2(dip:2,2′-ビピリジン)約0.10
gを加え、かきまぜながら加熱還流すると、重合反応が
円滑に始まった。反応を2時間行ない、反応後、生成物
を塩酸酸性エタノール中にあけ、1時間かきまぜた後濾
別した。フィルター上で十分にエタノールで洗浄した
後、ソックスレー抽出器によりエタノールで5時間抽出
し、不純物を除去した。生成した重合体の乾燥後の収量
は7.12gであった。
【0036】この重合体の赤外スペクトルを測定したと
ころ、製造例1のものと同じであった。
ころ、製造例1のものと同じであった。
【0037】
【実施例2】製造例2で調製した重合体を、実施例1と
同様に、過塩素酸テトラブチルアンモニウム/アセトニ
トリル電解液中で、白金板に圧着した重合体を作用極、
白金板を対極、Ag/AgNO3電極を参照電極とし
て、N2中で上述の電極の酸化還元電位を測定した。得
られた結果を図4に示す。酸化還元電位は約0.4Vで
あった。
同様に、過塩素酸テトラブチルアンモニウム/アセトニ
トリル電解液中で、白金板に圧着した重合体を作用極、
白金板を対極、Ag/AgNO3電極を参照電極とし
て、N2中で上述の電極の酸化還元電位を測定した。得
られた結果を図4に示す。酸化還元電位は約0.4Vで
あった。
【図1】図1は、製造例1で得られた重合体の熱重量分
析結果である。
析結果である。
【図2】図2は、製造例1で得られた重合体の赤外線吸
収スペクトルを示すグラフである。
収スペクトルを示すグラフである。
【図3】図3は、実施例1におけるサイクリックボルタ
モグラムを示す図である。
モグラムを示す図である。
【図4】図4は、実施例2におけるサイクリックボルタ
モグラムを示す図である。
モグラムを示す図である。
Claims (1)
- 【請求項1】 下記一般式化1で表わされる4,4′-ジ
フェニルアミン構造を繰り返し単位として有する重合体
を電子受容体でドーピングして得られる導電性高分子。 【化1】
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23224492A JPH072834B2 (ja) | 1992-08-31 | 1992-08-31 | 導電性高分子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23224492A JPH072834B2 (ja) | 1992-08-31 | 1992-08-31 | 導電性高分子 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20972986A Division JPS6366224A (ja) | 1986-09-08 | 1986-09-08 | ジフェニルアミン構造単位を有する重合体の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05255485A JPH05255485A (ja) | 1993-10-05 |
| JPH072834B2 true JPH072834B2 (ja) | 1995-01-18 |
Family
ID=16936236
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23224492A Expired - Fee Related JPH072834B2 (ja) | 1992-08-31 | 1992-08-31 | 導電性高分子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH072834B2 (ja) |
-
1992
- 1992-08-31 JP JP23224492A patent/JPH072834B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05255485A (ja) | 1993-10-05 |
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