JPH07302932A - 超伝導素子のボンディング用パッドおよびその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 ボンディングパッドにおけるボンディングワ
イヤーの付着力の向上、熱サイクルの向上、信頼性の向
上を達成する。 【構成】 Ｎｂ系超伝導膜５ｆ上に、ＩＶ族元素膜５ｇ
１と白金族元素膜５ｇ２をこの順に積層形成し、ＩＶ族
元素膜５ｇ１の膜厚と白金族元素膜５ｇ２の膜厚との和
を近接効果の範囲内の厚みに設定する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】この発明は超伝導素子のボンディ
ング用パッドおよびその製造方法に関し、さらに詳細に
いえば、超伝導量子干渉素子（Ｓｕｐｅｒｃｏｎｄｕｃ
ｔｉｎｇ ＱＵａｎｔｕｍ Ｉｎｔｅｒｆｅｒｅｎｃｅ
Ｄｅｖｉｃｅ、以下、ＳＱＵＩＤと略称する）に代表
される超伝導素子を超伝導素子と電気的に接続するため
のボンディング用パッドおよびその製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来からＳＱＵＩＤに代表される超伝導
素子が注目を浴び、実用化のための研究が行なわれてい
る。また、超伝導素子を動作させるためには、超伝導素
子と外部素子とを超伝導ボンディングワイヤー等で接続
することが必要になる。例えば、ＳＱＵＩＤにおいて
は、インプットコイルと外部のピックアップコイルとの
間を超伝導配線で接続しなければならなない。

【０００３】そして、このように、超伝導素子と外部素
子との間の電気的接続を達成するために、超伝導ボンデ
ィングワイヤーとしてＰｂＩｎＡｕ（鉛合金の一種）か
らなるものを採用するとともに、超伝導素子側のボンデ
ィング用パッドとしてＮｂ膜上にＰｂＩｎＡｕを蒸着し
てなるものを採用することが提案されている。また、鉛
を用いることなく、Ｎｂ膜上にＡｕを蒸着してボンディ
ング用パッドを得ることが提案されている（「ピックア
ップコイルとＳＱＵＩＤの超伝導接続」、塚田啓二、山
崎周一、水谷直樹、上原弦、賀戸久、第７回日本生体磁
気学会大会論文集、Ｖｏｌ．５，Ｎｏ．１，１９９２．
６参照）。ここで、Ａｕは超伝導材料ではないが、蒸着
したＡｕ膜が十分に薄ければ、Ｎｂの近接効果により超
伝導状態での電気的接続を達成することができる。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】超伝導素子側のボンデ
ィング用パッドとしてＮｂ膜上にＰｂＩｎＡｕを蒸着し
てなるものを採用した場合には、常温と超伝導状態を出
現させるための極低温との間の熱サイクルに弱く、１０
回以下の熱サイクルで割れが発生するという不都合があ
る。超伝導素子は、稼働時に極低温にまで冷却され、非
稼働時には冷却動作を停止することにより常温にまで昇
温するのであるから、上記の不都合は超伝導素子を含む
システムの寿命を著しく短くすることになる。さらに、
ＰｂＩｎＡｕは酸化し易いので、ボンディング用パッド
を製造してから超伝導ボンディングワイヤーの端部をボ
ンディングするまでの間にボンディング用パッドの表面
に酸化層が生じ、ボンディング用パッドと超伝導ボンデ
ィングワイヤーとの間の付着力が小さくなってしまう。
そして、付着力が小さくなれば、ボンディング用パッド
とボンディングワイヤーとの接続の信頼性が低下してし
まう。

【０００５】超伝導素子側のボンディング用パッドとし
てＮｂ膜上にＡｕを蒸着してなるものを採用した場合に
は、鉛を用いていないので、熱サイクルによりボンディ
ング用パッドに割れが生じ易いという不都合を防止する
ことができる。しかし、ＡｕのＮｂに対する付着力が弱
いのであるから、比較的少ない回数の熱サイクルにより
Ａｕ膜がＮｂ膜から剥離してしまう可能性が高い。そし
て、Ａｕ膜がＮｂ膜から剥離すれば、超伝導素子と外部
素子とを超伝導状態で接続することができなくなってし
まう。

【０００６】即ち、何れの構成のボンディング用パッド
を採用した場合にも、超伝導素子と外部素子との電気的
接続の信頼性を余り高めることができず、信頼性をより
高めることができるボンディング用パッドが切望されて
いたのである。尚、以上にはワイヤーボンディングのみ
について説明したが、フリップチップボンディングに適
用した場合にも同様の不都合が生じる。

【０００７】

【発明の目的】この発明は上記の問題点に鑑みてなされ
たものであり、常温、極低温間の熱サイクルに強く、信
頼性を高めることができる、超伝導素子のボンディング
用パッドおよびその製造方法を提供することを目的とし
ている。

【０００８】

【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めの、請求項１の超伝導素子のボンディング用パッド
は、Ｎｂ系超伝導体膜上に、ＩＶ族元素からなる膜およ
び白金族元素、または白金族元素を含む合金からなる膜
がこの順に積層形成されてあるとともに、ＩＶ族元素か
らなる膜の厚みおよび白金族元素、または白金族元素を
含む合金からなる膜の厚みの和が近接効果の範囲内の厚
みに設定されてある。

【０００９】請求項２の超伝導素子のボンディング用パ
ッドは、ＩＶ族元素として、Ｔｉ、Ｓｉ、Ｚｒ、Ｈｆか
ら選択された少なくとも１種の元素を採用するととも
に、白金族元素として、Ｐｄ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｐ
ｔ、Ｏｓから選択された少なくとも１種の元素を採用し
たものである。請求項３の超伝導素子のボンディング用
パッドの製造方法は、超伝導素子の一部を構成する抵抗
としてＩＶ族元素からなる膜および白金族元素、または
白金族元素を含む合金からなる膜をこの順に形成した積
層構造を採用し、超伝導素子の抵抗の製造時に、同時
に、Ｎｂ系超伝導体膜上に、ＩＶ族元素からなる膜の厚
みおよび白金族元素、または白金族元素を含む合金から
なる膜の厚みの和が近接効果の範囲内の厚みに設定され
てある超伝導素子のボンディング用パッドを、ＩＶ族元
素からなる膜および白金族元素、または白金族元素を含
む合金からなる膜をこの順に形成して積層構造を製造す
る方法である。

【００１０】

【作用】請求項１の超伝導素子のボンディング用パッド
であれば、Ｎｂ系超伝導体膜上に、ＩＶ族元素からなる
膜および白金族元素、または白金族元素を含む合金から
なる膜がこの順に積層形成されてあるとともに、ＩＶ族
元素からなる膜の厚みおよび白金族元素、または白金族
元素を含む合金からなる膜の厚みの和が近接効果の範囲
内の厚みに設定されてあるので、各膜間の付着力が強い
ことに起因して、常温、極低温間の熱サイクルに強く、
割れ、剥離の何れをも大幅に低減することができ、ひい
ては超伝導素子と外部素子との電気的接続の信頼性を高
めることができる。

【００１１】請求項２の超伝導素子のボンディング用パ
ッドであれば、ＩＶ族元素として、Ｔｉ、Ｓｉ、Ｚｒ、
Ｈｆから選択された少なくとも１種の元素を採用すると
ともに、白金族元素として、Ｐｄ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｉｒ、
Ｐｔ、Ｏｓから選択された少なくとも１種の元素を採用
するのであるから、請求項１と同様の作用を達成するこ
とができる。

【００１２】請求項３の超伝導素子のボンディング用パ
ッドの製造方法であれば、超伝導素子の一部を構成する
抵抗としてＩＶ族元素からなる膜および白金族元素、ま
たは白金族元素を含む合金からなる膜をこの順に形成し
た積層構造を採用し、超伝導素子の抵抗の製造時に、同
時に、Ｎｂ系超伝導体膜上に、ＩＶ族元素からなる膜の
厚みおよび白金族元素、または白金族元素を含む合金か
らなる膜の厚みの和が近接効果の範囲内の厚みに設定さ
れてある超伝導素子のボンディング用パッドを、ＩＶ族
元素からなる膜および白金族元素、または白金族元素を
含む合金からなる膜をこの順に形成して積層構造を製造
するのであるから、ボンディング用パッドを製造するた
めに特別の工程を必要とせず、ボンディング用パッドを
含む超伝導素子全体の製造工程を簡素化することができ
る。

【００１３】

【実施例】以下、実施例を示す添付図面によってこの発
明を詳細に説明する。図１はこの発明の超伝導素子のボ
ンディング用パッドが適用されたＳＱＵＩＤの構成の一
例を示す概略平面図である。図１において、１対のジョ
セフソン接合１を有する超伝導ループ１ａにバイアスを
与えるとともに、超伝導ループ１ａのバイアス供給点間
における信号を取出すためのボンディング用パッド４ａ
が設けられてある。そして、外部磁束を超伝導ループ１
ａに導入するためのインプットコイル２を外部磁束検出
用のピックアップコイル（図示せず）と接続するための
ボンディング用パッド４ｂが設けられてある。また、イ
ンプットコイル２により超伝導ループ１ａに導入される
磁束が変化した場合に、磁束の変化分を相殺すべく超伝
導ループ１ａに補償用の磁束を導入するフィードバック
コイル３を常温の電子回路（図示せず）と接続するため
のボンディング用パッド４ｃが設けられてある。尚、ジ
ョセフソン接合１と並列にシャント抵抗１ｂを接続し、
ヒステリシスを抑制して、なめらかな電圧−電流特性を
持たせるようにしている。

【００１４】図２は上記ＳＱＵＩＤの縦断面図であり、
Ｓｉからなる基板５の上面に、超伝導配線パターンを構
成するＮｂ膜５ａ、インプットコイル２を構成するＮｂ
膜５ｂおよびフィードバックコイル３を構成するＮｂ膜
５ｃが形成され、これらＮｂ膜５ａ，５ｂ，５ｃの上面
所定範囲およびＮｂ膜の間隙を覆うべくＳｉＯからなる
絶縁膜５ｄ１，５ｄ２が形成されている。尚、上記Ｎｂ
膜５ａ，５ｂ，５ｃの上面全範囲にはＡｌ−ＡｌＯ_x膜
５ｅが形成されている。そして、絶縁膜５ｄに覆われて
いない範囲において、Ａｌ−ＡｌＯ_x膜５ｅの上面にＮ
ｂ膜５ｆが形成されている。したがって、Ｎｂ膜５ｆの
面積が狭い領域は、Ｎｂ／Ａｌ−ＡｌＯ _x／Ｎｂの３層
構造からなるジョセフソン接合として機能する。但し、
Ｎｂ膜５ｆの面積が広ければ、ジョセフソン接合として
の特性を示さず、単なる超伝導接続部分として機能す
る。また、ボンディング用パッドを形成すべき領域およ
びシャント抵抗１ｂを形成すべき領域に対応させて、Ｎ
ｂ膜５ｆの上面、絶縁膜５ｄの上面にＰｄ／Ｔｉの２層
構造からなるＰｄ／Ｔｉ膜５ｇ，５ｈが形成されてい
る。さらに、ジョセフソン接合１、シャント抵抗１ｂ等
を接続するための、超伝導配線パターンおよび超伝導ル
ープ１ａを構成するＮｂ膜５ｉが絶縁膜５ｄの上面に形
成され、ボンディング用パッド部分を除く全範囲の上面
を覆う、ＳｉＯからなる絶縁膜５ｊが形成されている。

【００１５】尚、図２において、Ｐｄ／Ｔｉ膜５ｇが形
成された領域が図１における下側のボンディング用パッ
ド４ａを示し、Ｎｂ膜５ｆの面積が広いＮｂ／Ａｌ−Ａ
ｌＯ _x／Ｎｂの３層構造領域のうち、Ｐｄ／Ｔｉ膜５ｇ
に近い領域がジョセフソン接合１とシャント抵抗１ｂと
の接続部を示し、Ｎｂ膜５ｆの面積が広いＮｂ／Ａｌ−
ＡｌＯ_x／Ｎｂの３層構造領域のうち、Ｐｄ／Ｔｉ膜５
ｇから離れた領域が超伝導ループ１ａと図１における下
側のボンディング用パッド４ａとの接続部を示してい
る。

【００１６】図３はＳＱＵＩＤの製造工程を説明する図
である。先ず、Ｓｉ基板５の上面に、Ｎｂ膜５ａ，５
ｂ，５ｃおよびＡｌ膜をこの順に形成する。ここで、Ｎ
ｂ膜５ａ，５ｂ，５ｃは、例えば、Ａｒガス圧１Ｐａの
直流スパッタリングにより、成膜速度１００ｎｍ／ｍｉ
ｎ．で形成され、膜厚が２００ｎｍに設定される。Ａｌ
膜は、例えば、Ａｒガス圧１Ｐａの直流スパッタリング
により、成膜速度０．２ｎｍ／ｓｅｃ．で形成され、膜
厚が８ｎｍに設定される。次いで、例えば、酸素ガス圧
１．３ｋＰａで１５分間Ａｌ膜を酸化させることによ
り、Ａｌ−ＡｌＯ_x膜５ｅを形成する。引き続き、同一
真空中でＮｂ膜５ｆを形成する。Ｎｂ膜５ｆは、例え
ば、Ａｒガス圧１Ｐａの直流スパッタリングにより、成
膜速度１００ｎｍ／ｍｉｎ．で形成され、膜厚が１００
ｎｍに設定される。

【００１７】そして、Ｎｂ膜５ｆ上にフォトレジスト膜
を形成してエッチング処理を行なうことにより、超伝導
配線パターン、インプットコイル２およびフィードバッ
クコイル３を形成する。エッチングは、先ずＮｂ膜５
ｆ、次に、Ａｌ−ＡｌＯ_x膜５ｅ、そしてＮｂ膜５ａ，
５ｂ，５ｃの順で行なう。ここで、Ｎｂ膜５ｆ，５ａ，
５ｂ，５ｃのエッチングは、例えば、ＣＦ４ガス圧２７
Ｐａ、ＲＦパワー１００Ｗで行なわれ、Ａｌ−ＡｌＯ_x
膜５ｅのエッチングは、例えば、ＣＦ４ガス圧２．７Ｐ
ａ、ＲＦパワー１００Ｗで行なわれる。そして、Ｎｂ膜
５ｆ上にフォトレジスト膜を形成してＡｌ−ＡｌＯ_x膜
をエッチングストッパとするエッチング処理を行なう
（例えば、ＣＦ４ガス圧２７Ｐａ、ＲＦパワー１００Ｗ
でエッチングを行なう）ことにより、上記超伝導配線パ
ターン上の所望領域（この実施例においては、ボンディ
ング用パッドを形成すべき領域、超伝導接続部分として
機能させるべき領域およびジョセフソン接合として機能
させるべき領域）以外の領域におけるＮｂ膜５ｆを除去
し、Ｎｂ膜５ｆが除去された全領域にＳｉＯを蒸着して
ＳｉＯ膜５ｄ１を形成し、膜厚を１５０ｎｍに設定する
（図３中Ａ参照）。

【００１８】次いで、リフトオフによりフォトレジスト
膜を除去した後、図３中Ａにおけるフォトレジストより
もやや広いフォトレジスト膜を形成してＳｉＯを蒸着し
てＳｉＯ膜５ｄ２を形成し、膜厚を３００ｎｍに設定す
る（図３中Ｂ参照）。その後、リフトオフによりフォト
レジストを除去し、ボンディング用パッド形成領域およ
びシャント抵抗形成領域を除く全領域にフォトレジスト
膜を形成して、ＴｉおよびＰｄをこの順に蒸着してＰｄ
／Ｔｉ膜５ｇ，５ｈを形成する（図３中Ｃ参照）。した
がって、Ｐｄ／Ｔｉ膜からなるボンディング用パッドお
よびシャント抵抗が形成される。ここで、Ｔｉ膜５ｇ
１，５ｈ１の膜厚は、例えば２ｎｍに、Ｐｄ膜５ｇ２，
５ｈ２の膜厚は、例えば５０ｎｍに、それぞれ設定され
る。そして、リフトオフによりフォトレジスト膜を除去
した後、ボンディング用パッドよりもやや広い領域およ
び超伝導配線パターン、超伝導ループを形成するための
不要領域を覆うフォトレジスト膜を形成してＮｂ膜５ｉ
を形成し、リフトオフによりフォトレジスト膜を除去す
る（図３中Ｄ参照）。即ち、この処理により超伝導配線
パターンおよび超伝導ループが形成される。ここで、Ｎ
ｂ膜５ｉは、例えば、Ａｒガス圧１Ｐａの直流スパッタ
リングにより、成膜速度１００ｎｍ／ｍｉｎ．で形成さ
れ、膜厚が３００ｎｍに設定される。

【００１９】そして、最後に、図３中Ｄにおけるフォト
レジスト膜よりもやや狭いフォトレジスト膜を形成して
ＳｉＯを蒸着してＳｉＯ膜５ｊを形成し、膜厚を５００
ｎｍに設定し、リフトオフによりフォトレジスト膜を除
去する（図３中Ｅ参照）。以上の説明から明らかなよう
に、シャント抵抗１ｂを形成するためのプロセスにおい
て同時にボンディング用パッドを形成することができる
ので、ボンディング用パッドを形成するための特別のプ
ロセスを導入する必要がなく、全体として製造プロセス
を簡素化することができる。

【００２０】また、図１、図２には特には示していない
が、以上のようにして製造されたＳＱＵＩＤチップは、
例えば、ガラスエポキシ樹脂等からなる基板（図示せ
ず）上に接着剤を介して搭載され、基板上の、ＳＱＵＩ
Ｄチップから離れた所定位置に銅と半田の積層構造から
なるボンディング用パッド、または、Ｐｄ／Ｔｉ／Ｎｂ
からなるボンディング用パッドが形成されている。

【００２１】以上のようにしてＳＱＵＩＤと同時に形成
されたボンディング用パッドとＳＱＵＩＤチップ外の所
定位置との間に、ＰｂＩｎＡｕからなる線径４７μｍの
ボンディングワイヤーをウェッジボンディング法（超音
波圧着法とも呼ばれ、ボンディングワイヤーの端部をボ
ンディング用パッド上に位置決めしておき、この状態で
超音波により圧着力を与える方法）により０．１秒間ボ
ンディング処理を行なった。そして、この状態でボンデ
ィングワイヤーにフック状の針を引掛けてボンディング
ワイヤーが剥がれるまで引張り、ボンディングワイヤー
が剥がれる時の引張り力を計測したところ、図４中Ａ
（黒丸印参照）で示す引張り強度特性が得られた。尚、
図４の横軸はボンディング処理の超音波パワー（ｍＷ）
である。また、比較例として、ＰｂＩｎからなるボンデ
ィング用パッド、Ａｕ／Ｎｂからなるボンディング用パ
ッドについても同様の計測を行ない、図４中にそれぞれ
Ｂ，Ｃ（それぞれ、白丸印、白四角印参照）で示してあ
る。

【００２２】図４から明らかなように、超音波パワーが
約４５０ｍＷ以下の領域において、この実施例のボンデ
ィング用パッドが十分に大きい引張り強度を示してい
る。また、ＰｂＩｎからなるボンディング用パッドは酸
化し易く、酸化するとボンディングしにくくなる。Ａｕ
／Ｎｂからなるボンディング用パッドは超音波パワーが
約３５０ｍＷ以下の領域において高い引張り強度を示し
ているが、この領域においてはボンディングしにくかっ
た。上記３５０ｍＷ以下の領域における高い引張り強度
は、たまたまボンディングが成功した場合に、ボンディ
ングワイヤーのくびれ部が太いことに起因していると思
われる。しかし、Ａｕ／Ｎｂからなるボンディング用パ
ッドを用いた場合にはボンディング作業中の不良率が著
しく高いので、実用上は到底採用することができない。
これらに対して、この実施例のボンディング用パッド
は、全範囲にわたってボンディングしにくいという不都
合は見られなかった。また、常温と超伝導状態を出現さ
せるための極低温との間の熱サイクルを反復したとこ
ろ、ＰｂＩｎからなるボンディング用パッドでは１０回
以下の反復回数で割れが生じ、Ａｕ／Ｎｂからなるボン
ディング用パッドでは数回の反復回数で剥離が生じたの
に対し、この実施例のボンディング用パッドでは、１０
０回以上の反復回数でも割れ、剥離が生じなかった。し
たがって、この実施例により、引張り強度が高く、しか
も熱サイクルに強いボンディング用パッドを得られたこ
とが分る。

【００２３】以上には、ウェッジボンディング法により
ワイヤーをボンディングした場合について引張り強度の
計測を行なったが、ボールボンディング法（熱圧着法）
を採用した場合にも同様の計測結果が得られると思われ
る。尚、この発明は上記の実施例に限定されるものでは
なく、例えば、パラジウム（Ｐｄ）に代えて、ルテニウ
ム（Ｒｕ）、ロジウム（Ｒｈ）、イリジウム（Ｉｒ）、
白金（Ｐｔ）、オスミウム（Ｏｓ）の少なくとも一種、
またはそれらの合金、例えば、ＰｄＡｕ合金を採用する
こと、チタン（Ｔｉ）に代えて、シリコン（Ｓｉ）、ジ
ルコニウム（Ｚｒ）、ハフニウム（Ｈｆ）の少なくとも
一種を採用すること、ニオブ（Ｎｂ）に代えてＮｂ系超
伝導体を採用することが可能であるほか、上記ボンディ
ング用パッドをフリップチップボンディング用（例え
ば、ＳＱＵＩＤチップのボンディング用パッドとＳＱＵ
ＩＤチップが接続されるべき他の基板のパッドとの間に
鉛合金を介在させ、鉛合金を溶融させた状態でＳＱＵＩ
Ｄチップに他の基板に対する押圧力を与えることによる
ボンディング）とすることが可能であり、その他、この
発明の要旨を変更しない範囲内において種々の設計変更
を施すことが可能である。

【００２４】

【発明の効果】以上のように、請求項１の発明は、各膜
間の付着力が強いことに起因して、常温、極低温間の熱
サイクルに強く、割れ、剥離の何れをも大幅に低減する
ことができ、ひいては超伝導素子と外部素子との電気的
接続の信頼性を高めることができるという特有の効果を
奏する。

【００２５】請求項２の発明は、請求項１と同様の効果
を奏する。請求項３の発明は、ボンディング用パッドを
製造するために特別の工程を必要とせず、ボンディング
用パッドを含む超伝導素子全体の製造工程を簡素化する
ことができるという特有の効果を奏する。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明の超伝導素子のボンディング用パッド
が適用されたＳＱＵＩＤの構成の一例を示す概略平面図
である。

【図２】図１のＳＱＵＩＤの縦断面図である。

【図３】ＳＱＵＩＤの製造工程を説明する図である。

【図４】ボンディング用パッドの引張り強度−超音波パ
ワー特性を示す図である。

【符号の説明】

１ｂ シャント抵抗 ５ｄ１ ＳｉＯ膜 ５ｆ Ｎｂ膜 ５ｇ１，５ｈ１ Ｔｉ膜 ５ｇ２，５ｈ２ Ｐｄ膜

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 Ｎｂ系超伝導体層（５ｆ）上に、ＩＶ族
   元素からなる膜（５ｇ１）および白金族元素、または白
   金族元素を含む合金からなる膜（５ｇ２）がこの順に積
   層形成されてなるとともに、ＩＶ族元素からなる膜（５
   ｇ１）の厚みおよび白金族元素、または白金族元素を含
   む合金からなる膜（５ｇ２）の厚みの和が近接効果の範
   囲内の厚みに設定されてあることを特徴とする超伝導素
   子のボンディング用パッド。
2. 【請求項２】 ＩＶ族元素として、Ｔｉ、Ｓｉ、Ｚｒ、
   Ｈｆから選択された少なくとも１種の元素を採用すると
   ともに、白金族元素として、Ｐｄ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｉｒ、
   Ｐｔ、Ｏｓから選択された少なくとも１種の元素を採用
   する請求項１に記載の超伝導素子のボンディング用パッ
   ド。
3. 【請求項３】 超伝導素子の一部を構成する抵抗（１
   ｂ）としてＩＶ族元素からなる膜（５ｈ１）および白金
   族元素、または白金族元素を含む合金からなる膜（５ｈ
   ２）をこの順に形成した積層構造を採用し、超伝導素子
   の抵抗（１ｂ）の製造時に、同時に、Ｎｂ系超伝導体膜
   （５ｆ）上に、ＩＶ族元素からなる膜（５ｇ１）の厚み
   および白金族元素、または白金族元素を含む合金からな
   る膜の厚み（５ｇ２）の和が近接効果の範囲内の厚みに
   設定されてある超伝導素子のボンディング用パッドを、
   ＩＶ族元素からなる膜（５ｇ１）、および白金族元素、
   または白金族元素を含む合金からなる膜（５ｇ２）の順
   に形成して積層構造を製造することを特徴とする超伝導
   素子のボンディング用パッドの製造方法。