JPH0731406B2

JPH0731406B2 - 電子写真用感光体

Info

Publication number: JPH0731406B2
Application number: JP13932586A
Authority: JP
Inventors: 充橋本
Original assignee: Ricoh Co Ltd
Current assignee: Ricoh Co Ltd
Priority date: 1986-06-17
Filing date: 1986-06-17
Publication date: 1995-04-10
Anticipated expiration: 2010-04-10
Also published as: JPS62296147A

Description

【発明の詳細な説明】技術分野本発明は電子写真用の感光体に関し、さらに詳しくは、
光を照射したとき電荷担体を発生する物質（以下「電荷
発生物質」という）としてビスアゾ顔料を含有する感光
層を設けた電子写真用感光体に関する。

従来技術電子写真用の感光体として、無機物系のものではセレン
及びその合金を用いたもの、あるいは色素増感した酸化
亜鉛を結着樹脂中に分散した感光体などが、また有機物
系のものでは2,4,7-トリニトロ‐9-フルオレノン（以下
「TNF」という）とポリ‐N-ビニルカルバゾール（以下
「PVK」という）との電荷移動錯体を用いたものなどが
代表的なものとして知られている。

しかし、これらの感光体は多くの長所を持つていると同
時に、さまざまな欠点を持つている。例えば、現在広く
用いられているセレン感光体は製造する条件がむずかし
く、製造コストが高かつたり、可撓性がないためにベル
ト状に加工することがむずかしく、また熱や機械的な衝
撃に鋭敏なため取扱いに注意を要する。酸化亜鉛感光体
は安価な酸化亜鉛を用いて支持体への塗布で製造するこ
とが出来るためコストは低いが、一般に感度が低かつた
り、表面の平滑性、硬度、引つ張り強度、耐摩擦性など
の機械的な欠点があり、通常反復して使用する普通紙複
写機用の感光体としては耐久性などに問題が多い。ま
た、TNFとPVKとの電荷移動錯体を用いた感光体は感度が
低く、高速複写機用の感光体としては不適当である。

近年、これらの感光体の欠点を排除するために広範な研
究が進められ、特に有機物系のさまざまな感光体が提案
されている。中でも、有機顔料の薄膜を導電性支持体上
に形成し（電荷発生層）、この上に電荷搬送物質を主体
とする層（電荷搬送層）を形成した積層型の感光体が従
来の有機物系の感光体に比べ、一般に感度が高く帯電性
が安定していることなどの点から普通紙複写機用の感光
体として注目されており、一部実用に供されているもの
がある。

この種の従来の積層型の感光体として、（１）電荷発生層としてペリレン誘導体を真空蒸着した
薄層を用い、電荷搬送層にオキサジアゾール誘導体を用
いたもの（usp 3871882参照）（２）電荷発生層としてクロルダイアンブルーの有機ア
ミン溶液を塗布して形成した薄層を用い、電荷搬送層に
ヒドラゾン化合物を用いたもの（特公昭55-42380号公報
参照）などが知られている。

しかしながら、この種の積層型の感光体においても従来
のものは多くの長所を持つていると同時にさまざまな欠
点を持つていることも事実である。即ち、次のごとき欠
点である。

（１）で示したペリレン誘導体とオキサジアゾール誘導
体とを用いた感光体は、その電荷発生層を真空蒸着によ
り形成するため製造コストが高くなる。

（２）で示したクロルダイアンブルーとヒドラゾン化合
物とを用いた感光体は、電荷発生層を形成するための塗
布溶剤として、一般に取り扱いにくい有機アミン（例え
ばエチレンジアミン）を用いる必要があり、感光体作成
上の欠点が多い。

目的本発明の目的は加工及び製造が容易で、熱的及び機械的
強度に優れ、しかも高感度で安価な電子写真用感光体を
提供することである。

構成本発明の電子写真用感光体は、導電性支持体上に、電荷
発生物質として下記一般式（Ｉ）で示されるビスアゾ顔
料を含有する感光層を設けたことを特徴とするものであ
る。

（但しＡはカツプラー残基を表わし、Ｒは同一でも異な
つてもよく、水素原子、ハロゲン原子、置換又は無置換
のアルキル基、置換又は無置換のアルコキシ基、置換又
は無置換のアリール基、ベンゾイル基、シアノ基、置換
アミノ基、ニトロ基、アセチル基、又はカルボキシル基
又はそのエステルを表わし、ｎは１〜４の整数を表わ
す。）一般式（Ｉ）におけるカツプラー残基Ａとしては、フエ
ノール類、ナフトール類、アミノナフトール類当の水酸
基及び／又はアミノ基を有する芳香族炭化水素化合物；
水酸基及び／又はアミノ基を有する複素環式化合物；脂
肪族又は芳香族のエノール性ケトン基を有する化合物、
即ち活性メチレン基を有する化合物等の残基が挙げられ
るが、具体的には下記一般式（II）〜（XII）で示され
るものが挙げられる。

｛上記式（II）、（III）、（IV）および（Ｖ）中、X,Y
₁,Z,mおよびｎはそれぞれ以下のものを表わす。

x:-OH, または-NHSO₂-R₃ （R₁およびR₂は水素または置換もしくは無置換のアルキ
ルを表わし、R₃は置換もしくは無置換のアルキル基また
は置換もしくは無置換のアリール基を表わす。） Y₁：水素、ハロゲン、置換もしくは無置換のアルキル
基、置換もしくは無置換のアルコキシ基、カルボキシ
基、スルホ基、置換もしくは無置換のスルフアモイル基
または〔R₄は水素、アルキル基またはその置換体、フエニル基
またはその置換体を表わし、Y₂は炭化水素環基またはそ
の置換体、複素環基またはその置換体、あるいは（但し、R₅は炭化水素環基またはその置換体、複素環基
またはその置換体あるいはスチリル基またはその置換
体、R₆は水素、アルキル基、フエニル基またはその置換
体を表わすか、あるいはR₅およびR₆はそれらに結合する
炭素原子と共に環を形成してもよい。）を示す。〕 z:炭化水素環またはその置換体あるいは複素環またはそ
の置換体 n:1または２の整数 m:1または２の整数｝（式（VI）および（VII）中、R₇は置換もしくは無置換
の炭化水素基を表わし、Ｘは前記に同じである。）（式中、R₅はアルキル基、カルバモイル基、カルボキシ
ル基またはそのエステルを表わし、Ar₁は炭化水素環基
またはその置換体を表わし、Ｘは前記と同じである。）（上記式（IX）および（Ｘ）中、R₉は水素または置換も
しくは無置換の炭化水素基を表わし、Ar₂は炭化水素環
基またはその置換体を表わす。）前記一般式（II）、（III）、（IV）または（Ｖ）のＺ
の炭化水素環としてはベンゼン環、ナフタレン環などが
例示でき、また複素環としてはインドール環、カルバゾ
ール環、ベンゾフラン環などが例示できる。Ｚの環にお
ける置換基としては塩素原子、臭素原子などのハロゲン
原子及びアルコキシ基が例示できる。

Y₂またはR₅における炭化水素環基としては、フエニル
基、ナフチル基、アントリル基、ピレニル基などが、ま
た、複素環基としてはピリジル基、チエニル基、フリル
基、インドリル基、ベンゾフラニル基、カルバゾリル
基、ジベンゾフラニル基などが例示でき、さらに、R₅お
よびR₆が結合して形成する環としては、フルオレン環な
どが例示できる。

Y₂またはR₅の炭化水素環基または複素環基あるいはR₅お
よびR₆によつて形成される環における置換基としては、
メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基などのアル
キル基、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブト
キシ基などのアルコキシ基、塩素原子、臭素原子などの
ハロゲン原子、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基な
どのジアルキルアミノ基、ジベンジルアミノ基などのジ
アラルキルアミノ基、トリフルオロメチル基などのハロ
メチル基、ニトロ基、シアノ基、カルボキシル基または
そのエステル、水酸基、-SO₃Naなどのスルホン酸塩基な
どが挙げられる。

R₄のフエニル基の置換体としては塩素原子または臭素原
子などのハロゲン原子が例示できる。

R₇またはR₉における炭化水素基の代表例としては、メチ
ル基、エチル基、プロピル基、ブチル基などのアルキル
基、ベンジル基などのアラルキル基、フエニル基などの
アリール基またはこれらの置換体が例示できる。

R₇またはR₉の炭化水素基における置換基としては、メチ
ル基、エチル基、プロピル基、ブチル基などのアルキル
基、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ
基などのアルコキシ基、塩素原子、臭素原子などのハロ
ゲン原子、水酸基、ニトロ基などが例示できる。

Ar₁またはAr₂における炭化水素環基としては、フエニル
基、ナフチル基などがその代表例であり、また、これら
の基における置換基としては、メチル基、エチル基、プ
ロピル基、ブチル基などのアルキル基、メトキシ基、エ
トキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基などのアルコキシ
基、ニトロ基、塩素原子、臭素原子などのハロゲン原
子、シアノ基、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基な
どのジアルキルアミノ基などが例示できる。

また、Ｘの中では特に水酸基が適当である。

上記カツプラー残基の中でも好ましいのは上記一般式
（III）、（VI）、（VII）、（VIII）、（IX）および
（Ｘ）で示されるものであり、この中でも一般式におけ
るＸが水酸基のものが好ましい。また、この中でも一般
式（XI）（Y₁およびＺは前記に同じ。）で表わされるカツプラー残基が好ましく、さらに好まし
くは一般式（VII）（Z,Y₂およびR₂は前記に同じ。）で示されるカツプラー残基である。

さらにまた、上記好ましいカツプラー残基の中でも一般
式（VIII）または（XIV）（Z,R₂，R₅およびR₆は前記に同じであり、またR₁₀とし
ては上記のY₂の置換基が例示できる。）で表わされるものが適当である。

以上のような本発明に用いるビスアゾ顔料の具体例を構
造式で示すと次の通りである。

本発明で用いられる前記一般式（Ｉ）のビスアゾ顔料は
下記反応式に示すように、まず式（XV）の2,7-ジニトロ
‐9,10-フエナントレンキノンと式（XVI）のオルトフエ
ニレンジアミン誘導体（式中Ｒは一般式（Ｉ）のＲに同
じ）とを脱水縮合して一般式（XVII）で示されるフエナ
ジンのジニトロ誘導体とし、このジニトロ体を還元して
一般式（XVIII）で示されるジアミノ体とし、ついでこ
れをジアゾ化して一般式（XIX）で示されるジアゾニウ
ム塩化合物（式中Ｙはアニオン官能基）とし、更にこれ
をN,N−ジメチルホルムアミド（DMF）のような有機溶媒
中、式AH（Ａは一般式（Ｉ）のＡに同じ）で示されるカ
ツプラーとカツプリング反応させることにより容易に製
造することができる。その例として以下に前記No.1のビ
スアゾ顔料の製造例を示すが、他のビスアゾ顔料もカツ
プラーを変える他はこの製造例に従つて容易に製造する
ことができる。

製造例 2,7-ジニトロ‐9,10-フエナントレンキノン3.60g（0.01
21モル）及びオルトフエニレンジアミン1.96g（0.0181
モル）にピペリジン１滴及びオルトジクロルベンゼン20
0mlを加え、10分間加熱還流した。放冷後、析出した結
晶を取し、メタノール100mlで洗浄乾燥して4.36gの黄
色結晶を得た。これを約400mlのオルトジクロルベンゼ
ンで再結晶して3.44g（収率76.8％）の精製品（黄色針
状結晶）を得た。このものの融点は300℃以上で、また
元素分析値は下記の通りであつた。これらのデータから
この結晶が一般式（XVII）においてR₁＝H,n＝１のジニ
トロ化合物であることが確認された。

元素分析値：計算値実測値Ｃ％ 64.86 65.00 Ｈ％ 2.72 2.74 Ｎ％ 15.13 15.04 次にこのジニトロ化合物2.65g（7.16×10^-3モル）を35
％塩酸水溶液70mlに分散し、SnCl₂・2H₂O12.2g（0.5029
モル）を添加した後、約80℃で１時間攪拌し、反応させ
た。放冷後、得られた沈澱を取し、この沈澱物に水約
250mlを加え、更に水酸化ナトリウムを強アルカリ性に
なるまで加え、充分攪拌した後、沈澱物を再び取し、
水洗した後、乾燥して2.22gの黒紫色結晶を得た。これ
を更にオルトジクロルベンゼン約100ml及びニトロベン
ゼン約100mlからなる混合溶媒で再結晶し、1.90gの精製
品（黒紫色針状結晶）を得た。このものは融点300℃以
上で、また元素分析値は下記の通りであつた。これらの
データからこの結晶が一般式（XVIII）においてR₁＝H,n
＝１のジアミノ化合物であることが確認された。

元素分析値：計算値実測値Ｃ％ 77.40 76.95 Ｈ％ 4.55 4.48 Ｎ％ 18.05 17.74 次にこのジアミノ化合物1.58g（5.09×10^-3モル）に水1
00ml及び20％塩酸水溶液100mlを加え、室温で30分間攪
拌溶解した後、この溶液を２〜３℃に冷却しながら、こ
の中に、亜硝酸ナトリウム（純度97％）0.74gを水5mlに
溶解した溶液を２分間に亘つて滴下、反応させた。その
後、前記温度で30分間攪拌した後、反応液を過し、
液に42％硼弗化水素酸水溶液12mlを加え、析出した結晶
を取し、メタノールで洗浄した後、乾燥して2.38gの
黄色結晶を得た。このものは赤外線吸収スペクトル（KB
r錠剤法）において2300cm^-1にジアゾニウム基に基づく
吸収が認められたので、一般式（XIX）においてR₁＝H,n
＝1,Y＝BF₄のジアゾニウム塩化合物であることが確認さ
れた。

次にこのジアゾニウム塩化合物1.27g（0.0025モル）及
びカツプラーとして2-ヒドロキシ‐3-ナフトエ酸アニリ
ド1.32g（0.005モル）を、冷却したDMF250mlに溶解し、
これに10.5％酢酸ナトリウム水溶液8mlを５〜10℃の温
度で５分間に亘つて滴下し、ついで室温で２時間攪拌し
カツプリング反応を行なつた。生成した沈澱を取し、
80℃に加熱したDMF200mlで３回洗浄し、更に水200mlで
２回洗浄した後、120℃の温度で減圧乾燥して縁紫色粉
1.28g（収率59.6％）を得た。このものの融点は300℃以
上で、元素分析値は下記の通りであつた。

元素分析値：計算値実測値Ｃ％ 75.51 75.22 Ｈ％ 3.99 3.76 Ｎ％ 13.05 12.73 これらのデータ及び別途に測定した赤外線吸収スペクト
ル（KBr法）からこの粉末は化合物No.1のビスアゾ化合
物であることが確認された。

本発明の電子写真用感光体ではビスアゾ顔料は感光層に
おける電荷発生物質として用いられ、この感光体の代表
的な構成を第１図および第２図に示した。

第１図の感光体は、導電性支持体11上に、ビスアゾ顔料
13を主体とする電荷発生層15と電荷搬送物質を主体とす
る電荷搬送層17とからなる積層型の感光層191を設けた
ものである。

第１図の感光体では、像露光された光は電荷搬送層を透
過し、電荷発生層15に到達し、その部分のビスアゾ顔料
13で電荷の生成が起こり、一方、電荷搬送層17は電荷の
注入を受けその搬送を行なうもので、光減衰に必要な電
荷の生成はビスアゾ顔料13で行なわれ、また電荷の搬送
は電荷搬送層17でというメカニズムである。

第２図の感光体は導電性支持体11上に主としてビスアゾ
顔料13、電荷搬送物質および絶縁性結合剤からなる感光
層192を設けたものである。ここでもビスアゾ顔料13は
電荷発生物質である。

その他の感光体として第１図の電荷発生層と電荷搬送層
を逆にすることも可能である。

感光層の厚さは、第１図のもので電荷発生層15の厚みは
好ましくは0.01〜５μさらに好ましくは0.05〜２μであ
る。この厚さが0.01μ以下であると電荷の発生は十分で
はなく、また５μ以上であると残留電位が高く実用に耐
えない。電荷搬送層17の厚さは好ましくは３〜50μ、さ
らに好ましくは５〜20μである。この厚さが３μ以下で
あると帯電量が不十分であり、50μ以上であると残留電
位が高く実用的ではない。

電荷発生層15は前記の一般式で示されるビスアゾ顔料を
主体とし、さらに結合剤、可塑剤などを含有することが
できる。また、電荷発生層中のビスアゾ顔料の割合は好
ましくは30重量％以上、さらに好ましくは50重量％以上
である。

電荷搬送層17は電荷搬送物質と結合剤を主体とし、さら
に可塑剤などを含有することができる。電荷搬送層中の
電荷搬送物質の割合は10〜95重量％、好ましくは30〜90
重量％である。電荷搬送物質の占める割合が10重量％未
満であると、電荷の搬送はほとんど行なわれず、また95
重量％以上であると感光体皮膜の機械的強度が極めて悪
く実用に供しえない。

第２図に示した感光体の場合は、感光層192の厚さは好
ましくは３〜50μ、さらに好ましくは５〜20μである。
また、感光層192中のビスアゾ顔料の割合は好ましくは5
0重量％以下、さらに好ましくは20重量％以下であり、
また電荷搬送物質の割合は好ましくは10〜95重量％、さ
らに好ましくは30〜90重量％である。

本発明は、電子写真用感光体における電荷発生物質とし
て、前記一般式（Ｉ）で表わされる特定のビスアゾ顔料
を用いることを特徴とするものであり、導電性支持体、
電荷搬送物質など他の構成要素としては従来知られてい
たもののいずれもが使用できるが、それらについて以下
に具体的に説明する。

本発明の感光体において使用される導電性支持体として
は、アルミニウム、銅、亜鉛等の金属板、ポリエステル
等のプラスチツクシートまたはプラスチツクフイルムに
アルミニウム、SnO₂等の導電材料を蒸着したもの、ある
いは導電処理した紙等が使用される。

結合剤としては、ポリアミド、ポリウレタン、ポリエス
テル、エポキシ樹脂、ポリケトン、ポリカーボネートな
どの縮合系樹脂やポリビニルケトン、ポリスチレン、ポ
リ‐N-ビニルカルバゾール、ポリアクリルアミドなどの
ビニル重合体などが挙げられるが、絶縁性で且つ接着性
のある樹脂は全て使用できる。

可塑剤としては、ハロゲン化パラフイン、ポリ塩化ビフ
エニル、ジメチルナフタレン、ジブチルフタレートなど
が挙げられる。その他感光体の表面性をよくするために
シリコンオイル等を加えてもよい。

電荷搬送物質には正孔搬送物質と電子搬送物質がある。
正孔搬送物質としては、たとえば以下の一般式（１）〜
（11）に示されるような化合物が例示できる。

〔式中、R₁₁₅はメチル基、エチル基、2-ヒドロキシエチ
ル基又は2-クロルエチル基を表わし、R₁₂₅はメチル基、
エチル基、ベンジル基又はフエニル基を表わし、R₁₃₅は
水素、塩素、臭素、炭素数１〜４のアルキル基、炭素数
１〜４のアルコキシル基、ジアルキルアミノ基又はニト
ロ基を表わす。〕〔式中、Ar₃はナフタレン環、アントラセン環、スチリ
ル基及びそれらの置換体あるいはピリジン環、フラン
環、チオフエン環を表わし、R₁₄₅はアルキル基又はベン
ジル基を表わす。〕〔式中、R₁₅₅はアルキル基、ベンジル基、フエニル基、
ナフチル基を表わし、R₁₆₅は水素、炭素数１〜３のアル
キル基、炭素数１〜３のアルコキシ基、ジアルキルアミ
ノ基、ジアラルキルアミノ基またはジアリールアミノ基
を表わし、ｎは１〜４の整数を表わし、ｎが２以上のと
きはR₁₆₅は同じでも異なつていてもよい。R₁₇₅は水素ま
たはメトキシ基を表わす。〕〔式中、R₁₈₅は炭素数１〜11のアルキル基、置換もしく
は無置換のフエニル基又は複素環基を表わし、R₁₉₅,R
₂₀₅はそれぞれ同一でも異なつていてもよく、水素、炭
素数１〜４のアルキル基、ヒドロキシアルキル基、クロ
ルアルキル基、置換又は無置換のアラルキル基を表わす
か、またはR₁₉₅とR₂₀₅は互いに結合し窒素を含む複素環
を形成していてもよい。R₂₁₅は同一でも異なつていても
よく、水素、炭素数１〜４のアルキル基、アルコキシ基
又はハロゲンを表わす。〕〔式中、R₂₂₅は水素またはハロゲン原子を表わし、Ar₄
は置換または無置換のフエニル基、ナフチル基、アント
リル基あるいはカルバゾリル基を表わす。〕〔式中、R₂₃₅は水素、ハロゲン、シアノ基、炭素数１〜
４のアルコキシ基または炭素数１〜４のアルキル基を表
わし、Ar₅はを表わし、R₂₄₅は炭素数１〜４のアルキル基を表わし、
R₂₅₅は水素、ハロゲン、炭素数１〜４のアルキル基、炭
素数１〜４のアルコキシ基またはジアルキルアミノ基を
表わし、ｎは１または２であつて、ｎが２のときはR₂₅₅
は同一でも異なつてもよく、R₂₆₅およびR₂₇₅は水素、炭
素数１〜４の置換または無置換のアルキル基あるいは置
換または無置換のベンジル基を表わす。〕〔式中、R₂₈₅及びR₂₉₅はカルバゾリル基、ピリジル基、
チエニル基、インドリル基、フリル基或いはそれぞれ置
換もしくは非置換のフエニル基、スチリル基、ナフチル
基またはアントリル基であつて、これらの置換基がジア
ルキルアミノ基、アルキル基、アルコキシ基、カルボキ
シ基またはそのエステル、ハロゲン原子、シアノ基、ア
ラルキルアミノ基、N-アルキル‐Ｎアラルキルアミノ
基、アミノ基、ニトロ基およびアセチルアミノ基からな
る群から選ばれた基を表わす。〕〔式中、R₃₀₅は低級アルキル基またはベンジル基を表わ
し、R₃₁₅は水素原子、低級アルキル基、低級アルコキシ
基、ハロゲン原子、ニトロ基、アミノ基あるいは低級ア
ルキル基またはベンジル基で置換されたアミノ基を表わ
し、ｎは１または２の整数を表わす。〕〔式中、R₃₂₅は水素原子、アルキル基、アルコキシ基ま
たはハロゲン原子を表わし、R₃₃₅およびR₃₄₅はアルキル
基、置換または無置換のアラルキル基あるいは置換また
は無置換のアリール基を表わし、R₃₅₅は水素原子または
置換もしくは無置換のフエニル基を表わし、また、Ar₆
はフエニル基またはナフチル基を表わす。〕〔式中、ｎは０または１の整数、R₃₆₅は水素原子、アル
キル基または置換もしくは無置換のフエニル基を示し、
A₁は 9-アントリル基または置換もしくは無置換のN-アルキル
カルバゾリル基を表わし、ここでR₃₇₅は水素原子、アル
キル基、アルコキシ基、ハロゲン原子または（但し、R₃₈₅およびR₃₉₅はアルキル基、置換または無置
換のアラルキル基、置換または無置換のアリール基を示
し、R₃₈₅およびR₃₉₅は環を形成してもよい）を表わし、
ｍは0,1,2または３の整数であつて、ｍが２以上のとき
はR₃₇₅は同一でも異なつてもよい。〕〔式中、R₄₀₅，R₄₁₅およびR₄₂₅は水素、低級アルキル
基、低級アルコキシ基、ジアルキルアミノ基またはハロ
ゲン原子を表わし、ｎは０または１を表わす。〕一般式（１）で表わされる化合物には、たとえば9-エチ
ルカルバゾール‐3-アルデヒド、1-メチル‐1-フエニル
ヒドラゾン、9-エチルカルバゾール‐3-アルデヒド1-ベ
ンジル‐1-フエニルヒドラゾン、9-エチルカルバゾール
‐3-アルデヒド1,1-ジフエニルヒドラゾンなどがある。

一般式（２）で表わされる化合物には、たとえば4-ジエ
チルアミノスチレン‐β‐アルデヒド1-メチル‐1-フェ
ニルヒドラゾン、4-メトキシナフタレン‐1-アルデヒド
1-ベンジル‐1-フエニルヒドラゾンなどがある。

一般式（３）で表わされる化合物にはたとえば、4-メト
キシベンズアルデヒド1-メチル‐1-フエニルヒドラゾ
ン、2,4-ジメトキシベンズアルデヒド1-ベンジル‐1-フ
エニルヒドラゾン、4-ジエチルアミノベンズアルデヒド
1,1-ジフエニルヒドラゾン、4-メトキシベンズアルデヒ
ド1-ベンジル‐1-（4-メトキシ）フエニルヒドラゾン、
4-ジフエニルアミノベンズアルデヒド1-ベンジル‐1-フ
エニルヒドラゾン、4-ジベンジルアミノベンズアルデヒ
ド‐1,1-ジフエニルヒドラゾンなどがある。

一般式（４）で表わされる化合物には、たとえば1,1-ビ
ス（4-ジベンジルアミノフエニル）プロパン，トリス
（4-ジエチルアミノフエニル）メタン、1,1-ビス（4-ジ
ベンジルアミノフエニル）プロパン、2,2′‐ジメチル
‐4,4′‐ビス（ジエチルアミノ）‐トリフエニルメタ
ンなどがある。

一般式（５）で表わされる化合物には、たとえば9-（4-
ジエチルアミノスチリル）アントラセン、9-ブロム‐10
-（4-ジエチルアミノスチリル）アントラセンなどがあ
る。

一般式（６）で表わされる化合物には、たとえば9-（4-
ジメチルアミノベンジリデン）フルオレン、3-（9-フル
オレニリデン）‐9-エチルカルバゾールなどがある。

一般式（７）で表わされる化合物には、たとえば1,2-ビ
ス（4-ジエチルアミノスチリル）ベンゼン、1,2-ビス
（2,4-ジメトキシスチリル）ベンゼンがある。

一般式（８）で表わされる化合物には、たとえば3-スチ
リル‐9-エチルカルバゾール、3-（4-メトキシスチリ
ル）‐9-エチルカルバゾールなどがある。

一般式（９）で表わされる化合物には、たとえば4-ジフ
エニルアミノスチルベン、4-ジベンジルアミノスチルベ
ン、4-ジトリルアミノスチルベン、1-（4-ジフエニルア
ミノスチリル）ナフタレン、1-（4-ジエチルアミノスチ
リル）ナフタレンなどがある。

一般式（10）で表わされる化合物には、たとえば４′‐
ジフエニルアミノ‐α‐フエニルスチルベン、４′‐メ
チルフエニルアミノ‐α‐フエニルスチルベンなどがあ
る。

一般式（11）で表わされる化合物には、たとえば1-フエ
ニル‐3-（4-ジエチルアミノスチリル）‐5-（4-ジエチ
ルアミノフエニル）ピラゾリン、1-フエニル‐3-（4-ジ
メチルアミノスチリル）‐5-（4-ジメチルアミノフエニ
ル）ピラゾリンなどがある。

この他の正孔搬送物質としては、たとえば2,5-ビス（4-
ジエチルアミノフエニル）‐1,3,4-オキサジアゾール、
2,5-ビス〔4-（4-ジエチルアミノスチリル）フエニル〕
‐1,3,4-オキサジアゾール、2-（9-エチルカルバゾリル
‐3-）‐5-（4-ジエチルアミノフエニル）‐1,3,4-オキ
サジアゾールなどのオキサジアゾール化合物、2-ビニル
‐4-（2-クロルフエニル）‐5-（4-ジエチルアミノフエ
ニル）オキサゾール、2-（4-ジエチルアミノフエニル）
‐4-フエニルオキサゾールなどのオキサゾール化合物な
どの低分子化合物がある。また、ポリ‐N-ビニルカルバ
ゾール、ハロゲン化ポリ‐N-ビニルカルバゾール、ポリ
ビニルピレン、ポリビニルアントラセン、ピレンホルム
アルデヒド樹脂、エチルカルバゾールホルムアルデヒド
樹脂などの高分子化合物も使用できる。

電荷搬送物質としては、たとえば、クロルアニル、ブロ
ムアニル、テトラシアノエチレン、テトラシアノキノン
ジメタン、2,4,7-トリニトロ‐9-フルオレノン、2,4,5,
7-テトラニトロ‐9-フルオレノン、2,4,5,7-テトラニト
ロキサントン、2,4,8-トリニトロチオキサントン、2,6,
8-トリニトロ‐4H-インデノ〔1,2-b〕チオフエン‐4-オ
ン、1,3,7-トリニトロジベンゾチオフエン‐5,5-ジオキ
サイドなどがある。

これらの電荷搬送物質は単独又は２種以上混合して用い
られる。

なお、以上のようにして得られる感光体には、いずれも
導電性支持体と感光層の間に必要に応じて接着層又はバ
リヤ層を設けることができる。これらの層に用いられる
材料としてはポリアミド、ニトロセルロース、酸化アル
ミニウムなどが適当で、また膜厚は１μ以下が好まし
い。

第１図の感光体を作成するには、導電性支持体上にビス
アゾ顔料をUSP3,973,959、USP3,996,049等に記載されて
いる真空蒸着方法で真空蒸着するか、あるいは、ビスア
ゾ顔料の微粒子を必要とあれば結合剤を溶解した適当な
溶剤中に分散し、これを導電性支持体上に塗布乾燥し、
更に必要とあれば、例えば特開昭51-90827号公報に示さ
れているようなバフ研摩等の方法により表面仕上をする
か、膜厚を調整した後、電荷搬送物質及び結合剤を含む
溶液を塗布乾燥して得られる。

第２図の感光体を作成するにはビスアゾ顔料の微粉末を
電荷搬送物質及び結合剤を溶解した溶液中に分散せし
め、これを導電性支持体上に塗布乾燥すればよい。

いずれの場合も本発明に使用されるビスアゾ顔料はボー
ルミル等により粒径５μ以下、好ましくは２μ以下に粉
砕して用いられる。塗布方法は通常の手段、例えばドク
タープレード、デイツピング、ワイヤーバーなどで行な
う。

本発明の感光体を用いて複写を行なうには、感光層面に
帯電、露光を施した後、現像を行ない、必要によつて、
紙などへ転写を行うことにより達成される。

次に本発明を実施例により具体的に説明するが、これに
より本発明の実施の態様が限定されるものではない。

実施例１ビスアゾ顔料No.121を76重量部、ポリエステル樹脂（東
洋紡績社製バイロン200）のテトララヒドロフラン溶液
（固形分濃度２％）1260重量部、およびテトラヒドロフ
ラン3700重量部をボールミル中で粉砕混合し、得られた
分散液をアルミニウム蒸着したポリエステルベース（導
電性支持体）のアルミ面上にドクターブレードを用いて
塗布し、自然乾燥して、厚さ約１μｍの電荷発生層を形
成した。

この電荷発生層上に、電荷搬送物質として9-エチルカル
バゾール‐3-アルデヒド1-メチル‐1-フエニルヒドラゾ
ン２重量部、ポリカーボネート樹脂（帝人社製パンライ
トK-1300）２重量部およびテトラヒドロフラン16重量部
を混合溶解した溶液をドクターブレードを用いて塗布
し、80℃で２分間、ついで105℃で５分間乾燥して厚さ
約20μｍの電荷搬送層を形成して、第１図に示した積層
型の感光体No.1を作成した。

実施例２〜８実施例１で用いたビスアゾ顔料No.121の代りに後記表−
１に示すビスアゾ顔料を用いた以外は実施例１と同様に
して感光体No.2〜８を作成した。

実施例９〜24 電荷搬送物質として1-フエニル‐3-（4-ジエチルアミノ
スチリル）‐5-（4-ジエチルアミノフエニル）ピラゾリ
ンを用い、後記表−２に示すビスアゾ顔料を用いた以外
は実施例１と同様にして感光体No.9〜24を作成した。

実施例25〜34 電荷搬送物質としてα‐フエニル‐４′‐N,N-ジフエニ
ルアミノスチルベンを用い、後記表−３に示すビスアゾ
顔料を用いた以外は実施例１と同様にして感光体No.25
〜34を作成した。

実施例35〜40 電荷搬送物質として1,1-ビス（4-ジベンジルアミノフエ
ニル）プロパンを用い、後記表−４に示すビスアゾ顔料
を用いた以外は、実施例１と同様にして感光体No.35〜4
0を作成した。

これらの感光体No.1〜40について、静電複写紙試験装置
（（株）川口電機製作所製、SP428型）を用いて、−6KV
のコロナ放電を20秒間行なつて負に帯電せしめた後、20
秒間暗所に放置し、その時の表面電位Vpo（Ｖ）を測定
し、次いで、タングステンランプによつてその表面が照
度4.5ルツクスになるようにして光を照射し、その表面
電位がVpoの^１／_２になるまでの時間（秒）を求め、露
光量Ｅ^１／_２（ルツクス・秒）を算出した。その結果を
表−１〜表−４に示した。

効果前記表−１〜４の結果からも明らかなように本発明の感
光体は前記一般式（Ｉ）のビスアゾ顔料を電荷発生物質
として用いたので、高感度となつた。

さらに、本発明の感光体No.5およびNo.26をリコー社製
複写機リコピーＰ−500型に装着して画像出しを10,000
回繰り返したが、その結果、いずれの感光体も複写プロ
セスの繰返しにより変化することなく、鮮明な画像が得
られた。これにより、本発明の感光体が耐久性において
も優れたものであることが理解できるであろう。

【図面の簡単な説明】

第１図および第２図は本発明の感光体の構成例を示す拡
大断面図である。 11……導電性支持体、13……ビスアゾ顔料 15……電荷発生層、17……電荷搬送層 191,192……感光層

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】導電性支持体上に一般式（Ｉ）（但しＡはカツプラー残基を表わし、Ｒは同一でも異な
つてもよく、水素原子、ハロゲン原子、置換又は無置換
のアルキル基、置換又は無置換のアルコキシ基、置換又
は無置換のアリール基、ベンゾイル基、シアノ基、置換
アミノ基、ニトロ基、アセチル基、又はカルボキシル基
又はそのエステルを表わし、ｎは１〜４の整数を表わ
す。）で示されるビスアゾ顔料を含有する層を形成せしめたこ
とを特徴とする電子写真用感光体。