JPS6135548B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

本発明は電子写真感光体に関し、更に詳しくは
ビスアゾ化合物を含有する新規な電子写真感光体
に関する。更に詳しくは高感度にして、かつ繰り
返し使用するに適した高耐久性電子写真感光体に
関する。 〓〓〓〓〓
従来、電子写真感光体においては、セレン、酸
化亜鉛、酸化カドミウム等の無機光導電体を主成
分とする感光層を有するものが広く用いられてい
た、しかし、これらは感度、耐熱性、耐湿性、あ
るいは耐刷性等において、必らずしも十分満足し
得るものではなく、また特にセレンおよび硫化カ
ドミウムは毒性のために製造上、取り扱い上にも
制約があつた。 一方、有機光導電性化合物を主成分とする感光
層を有する電子写真感光体は、製造が比較的容易
であること、製造コストが多いこと、円筒ドラム
状、シート状、いずれの形体も可能であること、
取り扱いが容易であること、また一般にセレン感
光体が耐熱性に劣り高温条件下で結晶化してしま
うのに対し耐熱性に優れていることなど多くの利
点を有し、近年多くの注目を集めている。 このような有機光導電性化合物としては、ポリ
−Ｎ−ビニルカルバゾールが知られており、これ
と２・４・７−トリニトロ−９−フルオレノン等
のルイス酸とから形成される電荷移動錯体を主成
分とする感光層を有する電子写真感光体がすでに
実用化されている。しかし、この感光体は感度お
よび耐刷性においても必らずしも満足できるもの
ではない。 一方、光導電性機能のキヤリア発生機能とキヤ
リア輸送機能とをそれぞれ別個の物質に分担され
るようにした積層型あるいは分散型の機能分離型
電子写真感光体が知られている。このような機能
分離型電子写真感光体は各々の物質の選択範囲が
広く帯電特性、感度、残留電位および耐刷性等の
電子写真特性において高性能化が比較的達成しや
すく、また任意の特性を有する電子写真感光体を
作成しやすいという利点を持つている。電子写真
感光体の光導電性機能のうち、キヤリア発生を主
として分担するキヤリア発生物質としては、従来
より種々のものが提案されている。たとえば無機
物質として無定形セレンから形成されるキヤリア
発生層がよく知られているが、これは高温条件下
で結晶化し性能が劣化するという欠点を持つてい
る。 また、光導電性有機染料・顔料のうち、特にキ
ヤリア発性能の優れたものをキヤリア発生物質と
して用いることが種々提案されており、例えば米
国特許第3871882号明細書記載のペリレン系顔料
あるいは特公昭48−30513号公報、特開昭53−
95033号公報、特開昭54−12742号公報、特開昭56
−116040号公報、特開昭54−20737号公報、米国
特許第4052210号明細書記載等のアゾ化合物がす
でに公知である。しかし、これらのアゾ化合物は
感度、残留電位あるいは繰返し使用した場合の安
定性等の特性において必らずしも満足し得るもの
ではなく、また、キヤリア輸送物質の選択範囲も
限定されるなど、電子写真プロセスの幅広い要求
を充分に満足ささせるものは未だ得られていない
のが実状である。 本発明の目的は、熱および光に対して安定で、
かつキヤリア発生能に優れたビスアゾ化合物を含
有する電子写真感光体を提供することにある。 本発明の他の目的は、高感度として残留電位が
小さく、かつ繰り返し使用してもそれらの特性が
変化しない耐久性のすぐれた電子写真感光体を提
供することにある。 本発明者らは、以上の目的を達成すべく鋭意研
究の結果、下記一般式〔〕で示されるビスアゾ
化合物が感光体を有効成分として働き得ることを
見い出し、本発明を完成したものである。 一般式〔〕 Ａ−Ｎ＝Ｎ−Ar₁−CX₁＝CX₂−CX₃ ＝CX₄−Ar₂−Ｎ＝Ｎ−Ａ 式中、Ar₁、Ar₂は、それぞれ置換・未置換の
芳香族炭素環基を表わし、好ましくは置換・未置
換のフエニル基、ナフチル基を表わし、更に好ま
しくは置換・未置換のフエニル基を表わす。これ
らの基の置換基としては、例えば置換・未置換の
アルキル基、置換・未置換のアルコキシ基、ハロ
ゲン原子、シアノ基、カルボキシ基、そのエステ
ル基、スルホ基、アシルアミノ基、カルバモイル
基、アシル基、アシルオキシ基、スルホンアミド
基、スルフアモイル基、スルホン基等が挙げられ
るが好ましくは置換・未置換のアルキル基、置
換・未置換のアルコキシ基、シアノ基、ハロゲン
原子である。 X₁、X₂、X₃、X₄は、それぞれ水素原子または
電子吸引基を表わすが、好ましくは水素原子、シ
アノ基、ハロゲン原子、カルボキシ基、ニトロ基
を表わす。 Ａは、 〓〓〓〓〓

【式】

【式】

【式】または

【式】 であつて、Ｙは水素原子、ヒドロキシ基、カルボ
キシ基、そのエステル基、スルホ基、置換・未置
換のカルバモイル基、または置換・未置換のスル
フアモイル基、好ましくは置換・未置換のカルバ
モイル基

【式】置換・未置換のス ルフアモイル基

【式】であつて R₄は水素原子、炭素数１〜４の置換・未置換の
低級アルキル基および置換・未置換のフエニル
基、R₅は水素原子、炭素数１〜４の置換・未置
換の低級アルキル基、置換・未置換の芳香族炭素
環基（例えば、置換・未置換のフエニル基、置
換・未置換のナフチル基、置換・未置換のアンス
リル基等）、または置換・未置換の芳香族複素環
基（例えば置換・未置換のカルバゾリル基、置
換・未置換のジベンゾフリル基等）を表わす。こ
れらの基の置換基としては、例えば炭素数１〜４
のアルキル基、塩素原子・臭素原子等のハロゲン
原子、炭素数１〜４の低級アルコキシ基、ヒドロ
キシ基、フエノキシ基・ナフトキシ基等のアリー
ルオキシ基、アシルオキシ基、カルボキシ基、そ
のエステル基、カルバモイル基、アシル基、スル
ホ基、スルフアモイル基、アミノ基、アシルアミ
ノ基、スルホンアミド基、シアノ基、ニトロ基等
が挙げられるが、好ましくは、炭素数１〜４のア
ルキル基、塩素原子・臭素原子等のハロゲン原
子、炭素数１〜４の低級アルコキシ基、シアノ
基、ニトロ基である。 Ｚは置換・未置換の芳香族炭素環、または置
換・未置換の芳香族複素環を形成するに必要な原
子群であつて具体的には例えば置換・未置換のベ
ンゼン環、置換・未置換のナフタレン環、置換・
未置換のインドール環、置換・未置換のカルバゾ
ール環等を形成する原子群を表わす。 これらの環を形成する原子群の置換基として
は、例えばR₄、R₅の置換基として挙げたような
一連の置換基が列挙されるが好ましくはハロゲン
原子、スルホ基、スルフアモイル基である。 R₁は水素原子、置換・未置換のアルキル基、
置換・未置換のアミノ基、カルボキシ基、そのエ
ステル基、置換・未置換のカルバモイル基、シア
ノ基であり好ましくは水素原子、炭素数１〜４の
アルキル基、シアノ基である。 R₂は置換・未置換のアリール基であり好まし
くは置換・未置換のフエニル基である。 これらの基の置換基としては、例えばR₄、R₅
の置換基として挙げたような一連の置換基が列挙
されるが、好ましくはハロゲン原子、炭素数１〜
４のアルキル基、炭素数１〜４の低糾アルコキシ
基である。 R₃は置換・未置換のアルキル基、置換・未置
換のアラルキル基、または置換・未置換のアリー
ル基であり好ましくは炭素数１〜４のアルキル
基、フエニル基を表わす。 すなわち、本発明においては前記一般式〔〕
で示されるビスアゾ化合物を電子写真感光体の感
光層を構成する光導電性物質として用いることに
よりまたは本発明のビスアゾ化合物の優れたキヤ
リア発生能のみを利用し、これをキヤリアの発生
と輸送とをそれぞれ別個の物質で行なう機能分離
型電子写真感光体のキヤリア発生物質として用い
ることにより被膜物性に優れ、電荷保持力、感
度、残留電位等の電子写真特性に優れ、かつ繰り
返し使用した時にも被労劣化が少ない上、熱、光
等において堅牢で安定した特性を発揮し得る電子
写真感光体を作成することができる。 前記一般式〔〕で示される本発明に有用なビ
スアゾ化合物としては、例えば次の構造式を有す
るのが挙げられる、これによつて本発明のビスア
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ゾ化合物が限定されるものではない。 〓〓〓〓〓
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以上のごときビスアゾ化合物は、公知の方法に
より容易に合成することができる。例えば、 合成例 １ （例示化合物Ｋ−１の合成） Makromol Chem.、84、64〜79（1965）記載の
方法により合成した１・４−ビス−〔ｐ−ニトロ
フエニル〕−１・３−ブタジエンをアルコール存
在下、スズと塩酸で還元し、１・４−ビス−〔ｐ
−アミノフエニル〕−１・３−ブタジエンを得
た。 こうして得た１・４−ビス−〔ｐ−アミノフエ
ニル〕−１・３−ブタジエン 2.36ｇ（0.01モ
ル）を10mlの濃塩酸と10mlの水の混合液に分散
し、1.52ｇ（0.022モル）の亜硫酸ナトリウムを
水５mlに溶かした溶液を氷冷下に内温を０℃〜５
℃に保ちながら滴下し、同温度で１時間撹拌させ
た。 反応後、少量の残渣を別し、液に42％ホウ
弗化水素20mlを加え、析出した沈澱を取し、水
洗した後充分乾燥した。得られたテトラゾニウム
塩をＮ・Ｎ−ジメチルホルムアミド50mlに溶解
し、次の反応に使用するテトラゾニウム塩溶液と
した。 次に２−ヒドロキシ−３−ナフトエ酸アニリド
（ナフトールAS）5.27ｇ（0.02モル）、トリエタ
ノールアミン2.4ｇを400mlのＮ・Ｎ−ジメチルホ
ルムアミドに溶解し、氷冷下内温を10〜13℃に保
ちつつ、上記により調整したテトラゾニウム塩溶
液を滴下し、更に同温度で２時間撹拌し、更に室
温下２時間撹拌反応させた。その後、析出した沈
澱を取し、Ｎ・Ｎ−ジメチルホルムアミド次に
アセトンで洗浄し乾燥することにより、目的のビ
スアゾ化合物4.5ｇを得た。 融点300℃以上 赤外線吸収スペクトルでν＝1680cm^-1（アミド
吸収）およびFD−MASS スペクトルにｍ／ｅ
＝784の分子イオンピークが現われたことから目
的の物質が合成されたことを確認した。 合成例 ２ （例示化合物Ｋ−25の合成） Organic Reaction Vol 15、204 記載の方法
に従いｐ−ニトロケイ皮アルデヒドとｐ−ニトロ
ベンジルシアナイトからアルコール中ピペリジン
存在下縮合することによつて得られた１・４−ビ
ス−（ｐ−ニトロフエニル）−１−シアノ−１・３
−ブタジエンをアルコール存在下スズと塩酸で還
元し、１・４−ビス−（ｐ−アミノフエニル）−１
−シアノ−１・３−ブタジエンを得た。 このようにして得られた１・４−ビス−（ｐ−
アミノフエニル）−１−シアノ−１・３−ブタジ
エン2.61ｇ（0.01モル）を10mlの濃塩酸と10mlの
水の混合液に加え分散させ1.52ｇ（0.022モル）
の亜硫酸ナトリウムを水５mlに溶かした溶液を氷
冷下内温を０〜５℃に保ちながら滴下し、同温度
で１時間撹拌反応させた。 反応後、少量の残渣を過し液に42％ホウ弗
化水素水溶液20mlを加え、析出した沈澱を取
し、水洗した後充分乾燥した。得られたテトラゾ
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ニウム塩をＮ・Ｎ−ジメチルホルムアミド50mlに
溶解し、次の反応に使用するテトラゾニウム塩溶
液とした。 次に２−ヒドロキシ−３−ナフトエ酸アニリド
（ナフトールAS）5.27ｇ（0.02モル）、トリエタ
ノールアミン5.4ｇを400mlのＮ・Ｎ−ジメチルホ
ルムアミドに溶解し、氷冷下、内温を０〜５℃に
保ちながら上記により調整したテトラゾニウム塩
溶液を滴下し、同温度で更に２時間撹拌し、更に
室温で２時間撹拌反応させた。その後、析出した
沈澱を取し、Ｎ・Ｎ−ジメチルホルムアミド、
次にアセトンで洗浄し乾燥することにより目的の
ビスアゾ化合物4.0を得た。 融点300℃以上 赤外線吸収スペクトルで、ν＝2200cm^-1（CN
吸収）、ν＝1680cm^-1（アミド吸収）およびFD−
マススペクトルにｍ／ｅ＝809の分子イオンピー
が現われたことから目的の物質が合成されたこと
を確認した。 合成例 ３ （例示化合物Ｋ−30の合成） ２−ヒドロキシ−３−ナフトエ酸−2′・4′−ジ
メチルアニリド（ナフトールAS−MX）5.83ｇ
（0.02モル）Ｎ・Ｎ−ジメチルホルムアミド700ml
に溶解し、酢酸ナトリウム20ｇを添加し、氷冷下
内温を10〜13℃に保ちながら、合成例２で調整し
たテトラゾニウム塩（0.01モル）のＮ・Ｎ−ジメ
チルホルムアミド溶液50mlを除々に加えた。更に
同温度で２時間撹拌し、更に室温下２時間撹拌反
応させた。反応後、析出した沈澱を取し、Ｎ・
Ｎ−ジメチルホルムアミド、次に水、更にアセト
ンで洗浄し乾燥することにより目的のビスアゾ化
合物4.5ｇを得た。 融点300℃以上 赤外線吸収スペクトルで、ν＝2200cm^-1（CN
吸収）、ν＝1680cm^-1（アミド吸収）およびFD−
MASS スペクトルにｍ／ｅ＝866の分子イオン
＋１のピークが表われたことから目的の物質が合
成されたことを確認した。 合成例 ４ （例示化合物Ｋ−73の合成） Organie Reaction Vol 15、204記載の方法に
従い、ｍ−ニトロ−α−ブロモケイ皮アルデヒド
とｐ−ニトロベンジルシアナイドを、アルコール
中ピペリジン存在下縮合することによつて得られ
た３−ブロモ−１−シアノ−１−（ｐ−ニトロフ
エニル）−４−（ｍ−ニトロフエニル）−１・３−
ブタジエンを、アルコール存在下スズと塩酸で還
元し、３−ブロモ−１−シアノ−１−（ｐ−アミ
ノフエニル）−４−（ｍ−アミノフエニル）−１・
３−ブタジエンを得た。 このようにして得られた３−ブロモ−１−シア
ノ−１−（ｐ−アミノフエニル）−４−（ｍ−アミ
ノフエニル）−１・３−ブタジエン4.0ｇ（0.01モ
ル）を15mlの塩酸と15mlの水の混合液に分散し、
1.52ｇ（0.022モル）の亜硝酸ソーダを水５mlに
溶かした水溶液を、氷冷下内温を０〜５℃に保ち
ながら滴下し、更に同温度で１時間撹拌反応させ
た。 反応後、少量の残渣を別し、液に42％ホウ
弗化水素水溶液30mlを加え析出した沈澱を取
し、水洗した後充分乾燥した。得られたテトラゾ
ニウム塩をＮ・Ｎ−ジメチルホルムアミド50mlに
溶解し、次の反応に使用するテトラゾニウム塩溶
液とした。 次に２−ヒドロキシ−３−ナフトエ酸−3′−ニ
トロアニリド（ナフトールAS−BS）6.16ｇ
（0.02モル）、トリエタノールアミン5.4ｇを400ml
のＮ・Ｎ−ジメチルホルムアミドに溶解し氷冷下
内温10〜13℃に保ちながら、上記により調整した
テトラゾニウム塩溶液を滴下し、更に同温度で２
時間撹拌反応させた。 その後、析出した沈澱を取し、Ｎ・Ｎ−ジメ
チルホルムアミド、次にアセトンで洗滌し乾燥す
ることにより目的のビスアゾ化合物6.2ｇを得
た。 融点300℃以上 赤外線吸収スペクトルでν＝2200cm^-1（CN吸
収）、ν＝1680cm^-1（アミド吸収）およびFD−
MASSスペクトルに分子イオンM⁺＝879に起因す
る同位体ピーク群が現われたことから目的の物質
が合成されたことを確認した。 本発明のビスアゾ化合物は優れた光導電性を有
し、これを用いて電子写真感光体を製造する場合
導電性支持体上に本発明のビスアゾ化合物を結着
剤中に分散した感光層を設けることにより製造す
ることができる。また、他の方法として、本発明
のビスアゾ化合物の持つ光導電性のうち、特に優
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れたキヤリア発生能を利用するキヤリア発生物質
として用い、これと組み合わせて有効に作用し得
るキヤリア発生物質と共に用いることにより、積
層型あるいは分散型のいわゆる機能分離型電子写
真感光体とすることも可能である。 電子写真感光体の機能的構成は種々の形態が知
られているが、本発明の電子写真感光体は、それ
らのいずれの形態をもとり得る。通常は、第１図
〜第６図の形態である。第１図および第３図では
導電性支持体１上に前述のビスアゾ化合物を主成
分とするキヤリア発生層２と、キヤリア輸送物質
を主成分として含有するキヤリア輸送３との積層
体より成る感光層４を設ける。第２図および第４
図に示すように、この感光層４は導電性支持体上
に設けた中間層５を介して設けてもよい。このよ
うに感光層４を二層構成としたときに最も優れた
電子写真特性を有する電子写真感光体が得られ
る。また、本発明においては第５図および第６図
に示すように、前記キヤリア発生物質７をキヤリ
ア輸送物質を主成分とする層６中に分散せしめて
成る感光層４を導電性支持体１上に直接あるいは
中間層５を介して設けてもよい。 本発明のビスアゾ化合物をキヤリア発生物質と
して用いた場合、これと組み合せて用いられるキ
ヤリア輸送物質としては、トリニトロフルオレノ
ンあるいはテトラニトロフルオレノンなどの電子
を輸送しやすい電子受容性物質のほか、ポリーＮ
−ビニルカルバゾールに代表されるような複素環
化合物を側鎖に有する重合体、あるいはトリアゾ
ール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾ
ール誘導体、ピラゾリン誘導体、ポリアリールア
ルカン誘導体、フエニレンジアミン誘導体、ヒド
ラゾン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、トリ
アリールアミン誘導体、カルバゾール誘導体、ス
チルベン誘導体等の正孔を輸送しやすい電子供与
性物質が挙げられるが、本発明に用いられるキヤ
リア輸送物質は、これらに限定されるものではな
い。 二層構成の感光層４を構成するキヤリア発生層
２は、導電性支持体１もしくはキヤリア輸送層３
上に直接あるいは必要に応じて接着層もしくはバ
リヤー層などの中間層を介して、次の方法によつ
て形成することができる。 Ｍ−１ ビスアゾ化合物を適当な溶媒に溶解した
溶液を、あるいは必要に応じて結着剤を加え混
合溶解した溶液を塗布する方法。 Ｍ−２ ビスアゾ化合物をボールミル、ホモミキ
サー等によつて分散媒中で微細粒子とし、必要
に応じて結着剤を加え混合分散した分散液を塗
布する方法。 キヤリア発生層の形成に使用される溶媒あるい
は分散剤としては、例えばｎ−ブチルアミン、ジ
エチルアミン、エチレンジアミン、イソプロパノ
ールアミン、トリエタノールアミン、トリエチレ
ンジアミン、Ｎ・Ｎ−ジメチルホルムアミド、ア
セトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノ
ン、ベンゼン、トルエン、キシレン、クロロホル
ム、ジクロロエタン、ジクロロメタン、テトラヒ
ドロフラン、ジオキサン、メタノール、エタノー
ル、イソプロパノール、酢酸エチル、酢酸ブチ
ル、ジメチルスルホキシド等が挙げられる。 キヤリア発生層あるいはキヤリア輸送層に結着
剤を用いる場合は任意のものを用いることができ
るが、疎水性で、かつ誘導率が高く、電気絶縁性
のフイルム形成性高分子重合体を用いるのが好ま
しい。 このような高分子重合体としては、例えば次の
ものを挙げることができるが、もちろん、これら
に限定されるものではない。 Ｐ−１ ポリカーボネート Ｐ−２ ポリエステル Ｐ−３ メタクリル樹脂 Ｐ−４ アクリル樹脂 Ｐ−５ ポリ塩化ビニル Ｐ−６ ポリ塩化ビニルデン Ｐ−７ ポリスチレン Ｐ−８ ポリビニルアセテート Ｐ−９ スチレ−ブタジエン共重合体 Ｐ−10 塩化ビニリデン−アクリロニトリル共重
合体 Ｐ−11 塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体 Ｐ−12 塩化ビニル−酢酸ビニル−無水マレイン
酸共重合体 Ｐ−13 シリコン樹脂 Ｐ−14 シリコン−アルキツド樹脂 Ｐ−15 フエノール−ホルムアルデヒド樹脂 Ｐ−16 スチレン−アルキツド樹脂 Ｐ−17 ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール 〓〓〓〓〓
これらの結着剤は、単独であるいは２種以上の
混合物として用いることができる。 このようにして形成されるキヤリア発生層２の
厚さは、0.01μｍ〜20μｍであることが好ましい
が、更に好ましくは0.05μｍ〜５μｍである。ま
た、キヤリア発生層あるいは感光層が分散系の場
合、ビスアゾ化合物の粒径は５μｍ以下であるこ
とが好ましく、更に好ましくは１μｍ以下であ
る。 本発明の電子写真感光体に用いられる導電性支
持体としては、金属板または導電性ポリマー、酸
化インジウム等の導電性化合物もしくはアルミニ
ウム、パラジウム、金等の金属薄層を塗布、蒸着
あるいはラミネートして導電性化を達成した紙、
プラスチツクフイルム等が挙げられる。 接着層あるいはバリヤー層などの中間層として
は、前記結着剤として用いられる高分子重合体の
ほかゼラチン、カゼイン、澱粉、ポリビニルアル
コール、エチルセルロース、カルボキシメチルセ
ルロースなどの有機高分子物質または酸化アルミ
ニウムなどが用いられる。 本発明の電子写真感光体は、以上のような構成
であつて、後述する実施例からも明らかなように
帯電特性、感度特性、画像形成特性に優れており
特に繰り返し使用したとき疲労劣化が少なく耐久
性が優れたものである。 以下、本発明の実施例を具体的に説明するが、
これにより本発明の実施態様が限定されるもので
はない。 実施例 １ ポリエステルのフイルム上にアルミニウム箔を
ラミネートして成る導電性支持体上に塩化ビニル
−酢酸ビニル−無水マレイン酸共重合体「エスレ
ツクMF−10」（積水化学社製）より成る厚さ0.05
μｍの中間層を設け、その上に例示化合物Ｋ−１
２重部を１・２−ジクロルエタン140重量部に
分散混合した液を乾燥後の膜厚が0.5μｍになる
ように塗布し、キヤリア発生層を形成した。 次いで、１−フエニル−３−（ｐ−ジエチルア
ミノスチリル）−５−（ｐ−ジエチルアミノフエニ
ル）−ピラゾリン６重量部と、ポリエステル「バ
イロン200」（東洋紡績社製）10重部とを１・２−
ジクロロエタン90重量部中に溶解し、この溶液を
乾燥後の膜厚が10μｍになるように塗布してキヤ
リア輸送層を形成し、本発明の電子写真感光体を
作成した。 この電子写真感光体について、静電複写紙試験
装置「SP−428型」（川口電気製作所製）を用い
てダイナミツク方式で電子写真特性を測定した。 前記感光体の感光層表面を帯電圧−6.0KVで５
秒間帯電せしめた時の表面電位VA、次いでタン
グステンランプの光を感光体表面における照度が
35luxになるようにして照射し、表面電VAを半分
に減衰させるのに要する露光量（半減露光量）Ｅ
1/2（lux・sec）並びに30 lux・secの露光量で露
光した後の表面電位（残留電位）VRをそれぞれ
求めた。 また、同様の測定を100回繰り返して行なつ
た。結果は第１表に示す通りである。

【表】 比較例 １ キヤリア発生物質として下記ビスアゾ化合物を
用いた他は、実施例１と同様にして比較用感光体
を作成した。 〓〓〓〓〓
この比較用電子写真感光体について実施例１と
同様にして測定を行なつたところ、第２表に示す
ような結果を得た。

【表】 以上の結果から明らかなように、本発明の電子
写真感光体は、比較用電子写真感光体に比べ、感
度、残留電位および繰り返しの安定性において極
めて優れたものである。 実施例 ２ キヤリア発生物質として例示化合物Ｋ−２を用
いたほかは実施例１と同様にして本発明の電子写
真感光体を作成した。 この電子写真感光体について実施例１と同様に
して測定を行なつたところ、第３表に示す結果を
得た。

【表】 実施例 ３ ポリエステルフイルムにアルミニウムを蒸着し
た上に実施例１で用いた中間層を設け、更にその
上に例示化合物Ｋ−３ ２重量部を１・２−ジク
ロロエタン140重量部に分散混合した液を乾燥後
の膜厚が0.5μｍになるように塗布し、キヤリア
発生層を形成した。 次いで、ｐ−（Ｎ・Ｎ−ジエチルアミノ）ベン
ズアルデヒド−１・１−ジフエニルヒドラゾン６
重量部と、ポリカーボネート「パンライトＬ−
1250」（帝人化成社製）10重量部とを、１・２−
ジクロロエタン90重量部に溶解した液を乾燥後の
膜厚が12μｍになるように塗布してキヤリア輸送
層を形成し、本発明の電子写真感光体を作成し
た。 この電子写真感光体について実施例１と同様に
して測定を行なつたところ、VA＝−1050V、Ｅ
1/2＝2.7 lux・sec、VR＝0Vであつた。 比較例 ２ キヤリア発生物質として、下記ビスアゾ化合物
を用いたほかは実施例３と同様にして比較用電子
写真感光体を作成した。 この比較用電子写真感光体について実施例１と
同様の測定を行なつたところ、VA＝−1020V、
Ｅ1/2＝7.5 lux・sec、VR＝−80Vであつた。 以上の結果から明らかなように本発明の電子写
真感光体は、比較用電子写真感光体に比べ、その
初期特性において著しく優れたものである。 実施例 ４ 実施例３による本発明の電子写真感光体と比較
例２による比較用電子写真感光体の各々を、電子
写真複写機「Ｕ−Bix200R」（小西六写真工業社
製）に装置して、帯電・露光・クリーニンの操作
を2000回繰り返して耐久試験を行なつた後、直ち
に再び実施例１におけると同様の測定を行なつ
た。結果は４表に示す通りである。 〓〓〓〓〓

【表】 この結果から明らかなように比較例２の電子写
真感光体の特性の劣化が著しく大きいのに比べ、
実施例３の本発明の電子写真感光体は、2000回の
帯電・露光の繰り返しにおいても、その特性が初
期とほとんど変らず安定していることがわかる。 実施例 ５ 実施例１で用いた導電性支持体上に例示化合物
Ｋ−６ ２重量部と、ポリカーボネート「パンラ
イトＬ−1250」（帝人化成社製）２重量部を、
１・２−ジクロロエタン140重量部に分散混合し
た液を乾燥後の膜厚が１μｍになるように塗布し
てキヤリア発生層を形成した。 次いで、３−（ｐ−メトキシスチリル）−９−
（ｐ−メトキシフエニル）カルバゾール６重量部
と、メタクリル樹脂「アクリペツト」（三菱レイ
ヨン社製）10重量部とを１・２−ジクロロエタン
90重量部に溶解した液を乾燥後の膜厚が10μｍに
なるように塗布してキヤリア輸送層を形成し、本
発明の電子写真感光体を作成した。 この電子写真感光体について実施例１と同様に
測定したところ、Ｅ1/2＝31 lux・sec、VR＝0V
であつた。 実施例 ６ 実施例１で用いた中間層を設けた導電性支持体
上に例示化合物Ｋ−25の２％エチレンジアミン溶
液を乾燥後の膜厚が0.3μｍになるように塗布し
キヤリア発生層を形成した。 さらに、その上にｐ−（Ｎ・Ｎ−ジエチルアミ
ノ）ベンズアルデヒド−１・１−ジフエニルヒド
ラゾン６重量部と、ポリカーボネート「ユーピロ
ンＳ−1000」（三菱ガス化学社製）10重量部とを
１・２−ジクロロエタン90重量部に溶解し、乾燥
後の膜厚が14μｍになるように塗布してキヤリア
輸送層を形成し、本発明の電子写真感光体を作成
した。 この電子写真感光体について、実施例１と同様
にして測定したところ、Ｅ1/2＝2.3 lux・sec、
VR＝0Vであつた。 また、この電子写真感光体を電子写真複写機
「Ｕ−Bix2000R」（小西六写真工業社製）に装置
し、画像の複写を行なつたところ、原画に忠実で
コントラストが高く、階調性の優れた鮮明な複写
画像を得た。これは連続10000回繰り返しても初
期と同様の複写画像が得られた。 比較例 ３ キヤリア発生物質として、下記ビスアゾ化合物
を用いたほかは実施例６と同様にして比較用電子
写真感光体を作成した。 この比較用電子写真感光体について、実施例６
と同様にして画像の複写を行なつたところ、初期
の画像は良好であつたが、繰り返し複写を行なう
に従い次第にカブリが増加し、1000回の繰り返し
で、もはやカブリの大きい、コントラストの低い
不鮮明な画像しか得られなかつた。 実施例 ７ ポリエステルフイルムにアルミニウムを蒸着し
た上に塩化ビニル−酢酸ビニル−無水マレイン酸
共重合体「エスレツクMF−10」（積水化学社
製）から成る厚さ0.05μｍの中間層を設け、その
上に例示化合物Ｋ−42 ３重量部と、１・１−ビ
ス（４−Ｎ・Ｎ−ジエチルアミノ−２−メチルフ
エニル）−１−フエニルメタン６重量部と、ポリ
カーボネート「パンライトＬ−1250」（帝人化成
社製）10重量部とを１・２−ジクロロエタン100
〓〓〓〓〓
重量部中に加え、ボールミルでよく分散混合した
液を乾燥後の膜厚が10μｍになるように塗布して
本発明の電子写真感光体を作成した。 この電子写真感光体について静電複写紙試験装
置「SP−428型」（川口電機製作所製）を用いダ
イナミツク方式で電子写真特性を測定した。 感光層表面を＋6KVで５秒間帯電し、次いでタ
ングステンランプの光を感光層表面における照度
が35 luxになるようにして半減露光量（Ｅ1/2）
を求めたところ、Ｅ1/2＝3.3 lux・secであり、
さらに30 lux・secの露光量を与えたときの表面
電位（残留電位）はVR＝＋4Vであつた。 比較例 ４ キヤリア発生物質として、下記ビスアゾ化合物
を用いたほかは実施例７と同様にして比較用電子
写真感光体を作成した。 この比較用電子写真感光体について、実施例７
と同様にして測定したところ、Ｅ1/2＝12.4
lux・sec、VR＝84Vであり、実施例７の本発明
の電子写真感光体に比べ、感度、残留電位とも著
しく劣つたものであつた。 実施例 ８ 実施例１で用いた中間層を設けた導電性支持体
上に例示化合物Ｋ−76 ２重量部と、１・２−ジ
クロロエタン100重量部とをよく分散混合し、乾
燥後の膜厚が0.3μｍになるように塗布してキヤ
リア発生層を形成した。 次いで、その上にキヤリア輸送物質として下記
ヒドラゾン誘導体６重量部と、ポリエステル「バ
イロン200」（東洋紡績社製）10重量部に溶解し た液を乾燥後の膜厚が12μｍとなるように塗布し
てキヤリア輸送層を形成し、本発明の電子写真感
光体を作成した。 この電子写真感光体について、実施例１と同様
に測定したことろ、第５表の結果であつた。

【表】 比較例 ５ キヤリア発生物質として、下記ビスアゾ化合物
を用いたほかは実施例８と同様にして比較用電子
写真感光体を作成した。 〓〓〓〓〓
この比較用電子写真感光体について、実施例１
と同様にして測定を行なつたところ、第６表に示
すような結果を得た。

【表】 以上の結果から明らかなように本発明の電子写
真感光体は、比較用電子写真感光体に比べ、感
度、残留電位および繰り返しの安定性において優
れたものである。 実施例 ９ 実施例１で用いた中間層を設けた導電性支持体
上に例示化合物Ｋ−45 ２重量部と、１・２−ジ
クロロエタン100重量部とをよく分散混合し、乾
燥後の膜厚が0.3μｍになるように塗布してキヤ
リア発生層を作成した。 次いで、その上にキヤリア輸送物質として、３
−（ｐ−メトキシスチリル）−９−（ｐ−メトキシ
フエニル）カルバゾール６重量部と、ポリカーボ
ネート「パンライトＬ−1250」（帝人化成社製）
10重量部とを１・２−ジクロロエタン90重量部に
溶解した液を乾燥後の膜厚が10μｍになるように
塗布してキヤリア輸送層を形成し、本発明の電子
写真感光体を作成した。 この電子写真感光体について、実施例１と同様
に測定したところ、Ｅ1/2＝2.4 lux・sec、VR＝
0Vであつた。 実施例 10〜14 キヤリア発生物質として、例示化合物Ｋ−３、
Ｋ−26、Ｋ−39、Ｋ−42、Ｋ−69を用たほかは実
施例９と同様にして本発明の電子写真感光体を作
成し、同様の測定を行なつたところ、第７表に示
すような結果を得た。

【表】 実施例 15 キヤリア発生物質として、例示化合物Ｋ−71を
用いたほかは実施例３と同様にして本発明の電子
写真感光体を作成した。 この感光体について実施例１と同様にして測定
したところ、Ｅ1/2＝2.4 lux・sec、VR＝−2Vで
あつた。 比較例 ６ キヤリア発生物質として、下記ビスアゾ化合物
を用いたほかは実施例10と同様にして比較用電子
写真感光体を作成した。この比較用感光体につい
て実施例１と同様にして測定したことろ、Ｅ1/2
＝8.8 lux・sec、VR−85Vであつた。 〓〓〓〓〓
以上の結果から明らかなように本発明の電子写
真感光体は、比較用電子写真感光体に比べ、感
度、残留電位等の特性において著しく優れたもの
である。

【図面の簡単な説明】

第１図〜第６図は、それぞれ本発明の電子写真
感光体の機械的構成例について示す断面図であ
る。 １……導電性支持体、２……キヤリア発生層、
３……キヤリア輸送層、４……感光層、５……中
間層、６……キヤリア輸送物質を含有する層、７
……キヤリア発生物質。 〓〓〓〓〓

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ 導電性支持体上に下記一般式〔〕で示され
   るビスアゾ化合物を含有する感光層を有すること
   を特徴とする電子写真感光体。 一般式〔〕 Ａ−Ｎ＝Ｎ−Ar₁−CX₁＝CX₂−CX₃ ＝CX₄−Ar₂−Ｎ＝Ｎ−Ａ 〔式中、Ar₁、Ar₂はそれぞれ置換・未置換の芳香
   族炭素環基を表わし、X₁、X₂、X₃、X₄はそれぞ
   れ水素原子または電子吸引基を表わし、Ａは、 【式】【式】 【式】または【式】 であつて、 Ｙ：水素原子、ヒドロキシ基、カルボキシ基、そ
   のエステル基、スルホ基、置換・未置換のカル
   バモイル基または置換・未置換のスルフアモイ
   ル基、 Ｚ：置換・未置換の芳香族炭素環または置換・未
   置換の芳香族複素環を構成するに必要な原子
   群、 R₁：水素原子、置換・未置換のアルキル基、置
   換・未置換のアミノ基、カルボキシ基、そのエ
   ステル基、置換・未置換のカルバモイル基、シ
   アノ基、 R₂：置換・未置換のアリール基、 R₃：置換・未置換のアルキル基、置換・未置換
   のアラルキル基または置換・未置換のアリール
   基 を表わす。〕 ２ 前記感光層がキヤリア発生物質とキヤリア輸
   送物質を含有し、当該キヤリア発生物質が前記一
   般式〔〕で表わされるビスアゾ化合物である特
   許請求の範囲第１項記載の電子写真感光体。