JPH0732083B2 - 正特性サ−ミスタの電極形成方法 - Google Patents
正特性サ−ミスタの電極形成方法Info
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- JPH0732083B2 JPH0732083B2 JP57158589A JP15858982A JPH0732083B2 JP H0732083 B2 JPH0732083 B2 JP H0732083B2 JP 57158589 A JP57158589 A JP 57158589A JP 15858982 A JP15858982 A JP 15858982A JP H0732083 B2 JPH0732083 B2 JP H0732083B2
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Description
【発明の詳細な説明】 本発面はオーミツク性金属ペーストと非オーミツク性金
属ペーストとを使用した正特性サーミスタの電極形成方
法に関する。
属ペーストとを使用した正特性サーミスタの電極形成方
法に関する。
正特性サーミスタの電極形成方法としては、従来より、
正特性サーミスタ素体にオーミツク性の得られ易いニツ
ケル（Ni）等の無電解メツキを施した後に熱処理を行う
か、あるいは、この無電解メツキ膜の上に銀（Ag）等の
金属ペーストを塗布してこの金属ペーストを上記無電解
メツキ膜に焼き付ける等の方法が一般に知られている。
正特性サーミスタ素体にオーミツク性の得られ易いニツ
ケル（Ni）等の無電解メツキを施した後に熱処理を行う
か、あるいは、この無電解メツキ膜の上に銀（Ag）等の
金属ペーストを塗布してこの金属ペーストを上記無電解
メツキ膜に焼き付ける等の方法が一般に知られている。
ところで、上記の電極形成方法は、無電解メツキ法によ
る湿式処理を必要とするため、無電解メツキによる残渣
がしばしば正特性サーミスタ素体の特性劣化を招くこと
があつた。
る湿式処理を必要とするため、無電解メツキによる残渣
がしばしば正特性サーミスタ素体の特性劣化を招くこと
があつた。
また正特性サーミスタの電極形成には、オーミツク性金
属ペーストと非オーミツク性金属ペーストとを使用し、
先にオーミツク性金属ペーストを正特性サーミスタ素体
の電極形成面に塗布して焼き付けた後、非オーミツク性
金属ペーストを上記正特性サーミスタ素体の電極引出部
に塗布して焼き付ける乾式電極形成法が一般に採用され
ている。
属ペーストと非オーミツク性金属ペーストとを使用し、
先にオーミツク性金属ペーストを正特性サーミスタ素体
の電極形成面に塗布して焼き付けた後、非オーミツク性
金属ペーストを上記正特性サーミスタ素体の電極引出部
に塗布して焼き付ける乾式電極形成法が一般に採用され
ている。
上記非オーミツク性金属ペーストは、銀（Ag）等の主成
分金属、ガラスフリツトを樹脂成分と溶剤で混練したも
のであり、また、上記オーミツク性金属ペーストは非オ
ーミツク性金属ペーストにオーミツク性を高めるため
に、亜鉛（Zn）、アンチモン（Sb）等の卑金属成分を混
入したものである。
分金属、ガラスフリツトを樹脂成分と溶剤で混練したも
のであり、また、上記オーミツク性金属ペーストは非オ
ーミツク性金属ペーストにオーミツク性を高めるため
に、亜鉛（Zn）、アンチモン（Sb）等の卑金属成分を混
入したものである。
上記非オーミツク性金属ペーストは、主成分金属の最適
焼成温度に合つた融点のガラスフリツトを用いて最適焼
成温度で焼成を行うのに対して、上記オーミツク性金属
ペーストは卑金属成分が酸化されない温度にガラスフリ
ツトの融点を合致させ、主成分金属の最適焼成温度より
も低い温度で焼成を行つている。
焼成温度に合つた融点のガラスフリツトを用いて最適焼
成温度で焼成を行うのに対して、上記オーミツク性金属
ペーストは卑金属成分が酸化されない温度にガラスフリ
ツトの融点を合致させ、主成分金属の最適焼成温度より
も低い温度で焼成を行つている。
このため、正特性サーミスタ素体の電極形成部にオーム
性金属ペーストを塗布して焼成を行つた後、非オーム性
金属ペーストを電極引出部に塗布して焼成を行うと、オ
ーム性金属ペーストの焼成部分が高温にさらされ、その
中の卑金属成分が酸化されてオーム性が低下する。ま
た、このオーム性の低下を防止するため、非オーム性金
属ペーストの焼成温度を低くすると、非オーム性電極の
正特性サーミスタ素体への密着力が弱くなる。
性金属ペーストを塗布して焼成を行つた後、非オーム性
金属ペーストを電極引出部に塗布して焼成を行うと、オ
ーム性金属ペーストの焼成部分が高温にさらされ、その
中の卑金属成分が酸化されてオーム性が低下する。ま
た、このオーム性の低下を防止するため、非オーム性金
属ペーストの焼成温度を低くすると、非オーム性電極の
正特性サーミスタ素体への密着力が弱くなる。
本発明は従来の正特性サーミスタの電極形成方法におけ
る上記事情に鑑みてなされたものであつて、正特性サー
ミスタ素体に非オーミツク性電極を形成した後にオーミ
ツク性電極を形成することにより、両電極をいずれも最
適焼成温度で焼成し、主電極のオーミツク性を良好なも
のとするとともに、引出用電極の密着強度の向上を図る
ことを目的としている。
る上記事情に鑑みてなされたものであつて、正特性サー
ミスタ素体に非オーミツク性電極を形成した後にオーミ
ツク性電極を形成することにより、両電極をいずれも最
適焼成温度で焼成し、主電極のオーミツク性を良好なも
のとするとともに、引出用電極の密着強度の向上を図る
ことを目的としている。
本発明は、オーミツク性を有するオーミツク性金属ペー
ストとオーミツク性を有しない非オーミツク性金属ペー
ストとを使用した正特性サーミスタの電極形成方法であ
つて、上記非オーミツク性金属ペーストを正特性サーミ
スタ素体の電極引出部に塗布してこの非オーミツク性金
属ペーストを焼き付けて非オーミツク性電極を形成した
後、上記焼き付けた非オーミツク性電極の一部に重ねて
オーミツク性金属ペーストを上記正特性サーミスタ素体
の電極形成部に塗布し、上記オーミツク性金属ペースト
を上記電極形成部に焼き付けてオーミツク性電極を形成
することを特徴としている。
ストとオーミツク性を有しない非オーミツク性金属ペー
ストとを使用した正特性サーミスタの電極形成方法であ
つて、上記非オーミツク性金属ペーストを正特性サーミ
スタ素体の電極引出部に塗布してこの非オーミツク性金
属ペーストを焼き付けて非オーミツク性電極を形成した
後、上記焼き付けた非オーミツク性電極の一部に重ねて
オーミツク性金属ペーストを上記正特性サーミスタ素体
の電極形成部に塗布し、上記オーミツク性金属ペースト
を上記電極形成部に焼き付けてオーミツク性電極を形成
することを特徴としている。
以下、添付図面を参照して本発明の実施例を説明する。
先ず、第１図（ａ）に示すように、チタン酸バリウム
（BaTiO3）等の正特性サーミスタ材料を四角形の板状に
成形して焼成した正特性サーミスタ素体11を用意する。
（BaTiO3）等の正特性サーミスタ材料を四角形の板状に
成形して焼成した正特性サーミスタ素体11を用意する。
上記正特性サーミスタ素体11の相対向する両主面12,12
の予め定められた電極引出部に、第１図（ｂ）に示すよ
うに、非オーミツク性金属ペースト13,13をほゞ一定巾
に塗布した後、全体を750℃ないし800℃に加熱して、上
記の非オーミツク性金属ペイント13,13を焼成する。
の予め定められた電極引出部に、第１図（ｂ）に示すよ
うに、非オーミツク性金属ペースト13,13をほゞ一定巾
に塗布した後、全体を750℃ないし800℃に加熱して、上
記の非オーミツク性金属ペイント13,13を焼成する。
このとき、銀（Ag）等の主成分金属、ガラスフリツト、
樹脂成分および溶剤からなる非オーミツク性金属ペース
ト13,13中の上記樹脂成分および溶剤は除去される。
樹脂成分および溶剤からなる非オーミツク性金属ペース
ト13,13中の上記樹脂成分および溶剤は除去される。
次に、第１図（ｃ）に示すように、上記正特性サーミス
タ素体11の両主面12,12の主電極形成部にオーミツク性
金属ペースト14,14を、上記非オーミツク性金属ペース
ト13,13の焼成物である引出電極13′,13′の上に一部重
ねて塗布する。
タ素体11の両主面12,12の主電極形成部にオーミツク性
金属ペースト14,14を、上記非オーミツク性金属ペース
ト13,13の焼成物である引出電極13′,13′の上に一部重
ねて塗布する。
その後、全体を例えば500℃に加熱して上記オーミツク
性金属ペースト14,14を焼成するとともに樹脂成分およ
び溶剤を除去し、第１図（ｄ）に示すように、正特性サ
ーミスタ素体11にオーミツク性を有する主電極14′,1
4′を形成する。
性金属ペースト14,14を焼成するとともに樹脂成分およ
び溶剤を除去し、第１図（ｄ）に示すように、正特性サ
ーミスタ素体11にオーミツク性を有する主電極14′,1
4′を形成する。
上記のように、オーミツク性金属ペースト14,14の焼成
前に非オーミツク性の引出電極13′、13′を形成してお
けば、上記非オーミツク性金属ペースト13,13およびオ
ーミツク性金属ペースト14,14はいずれも最適焼成温度
で焼成することができ、引出電極13′,13′の密着強度
および主電極14′,14′のオーミツク性をともに良好な
ものとすることができる。
前に非オーミツク性の引出電極13′、13′を形成してお
けば、上記非オーミツク性金属ペースト13,13およびオ
ーミツク性金属ペースト14,14はいずれも最適焼成温度
で焼成することができ、引出電極13′,13′の密着強度
および主電極14′,14′のオーミツク性をともに良好な
ものとすることができる。
上記実施例において、主電極14′,14′と引出電極13′,
13′との重なり部分に生じる段差S,Sを吸収するため、
第２図に示すように、正特性サーミスタ素体11の両主面
12,12に段差12a,12aを設けるか、あるいは第３図に示す
ように、正特性サーミスタ素体11の両主面12,12に溝12
b,12bを設けるようにしておくことが好ましい。
13′との重なり部分に生じる段差S,Sを吸収するため、
第２図に示すように、正特性サーミスタ素体11の両主面
12,12に段差12a,12aを設けるか、あるいは第３図に示す
ように、正特性サーミスタ素体11の両主面12,12に溝12
b,12bを設けるようにしておくことが好ましい。
また、本発明は、第４図に示すように、正特性サーミス
タ素体11の一つの主面12にオーミツク性の櫛歯状主電極
15,15を形成した正特性サーミスタにも適用することが
できる。
タ素体11の一つの主面12にオーミツク性の櫛歯状主電極
15,15を形成した正特性サーミスタにも適用することが
できる。
第４図の正特性サーミスタの場合は、正特性サーミスタ
素体11の相対向する側面16,16から櫛歯状主電極15,15を
形成する上記主面12に対向するいま一つの主面12にかけ
て、非オーミツク性の引出電極13′,13′を形成した
後、オーミツク性の上記櫛歯状電極15,15を形成すれば
よい。
素体11の相対向する側面16,16から櫛歯状主電極15,15を
形成する上記主面12に対向するいま一つの主面12にかけ
て、非オーミツク性の引出電極13′,13′を形成した
後、オーミツク性の上記櫛歯状電極15,15を形成すれば
よい。
以上、詳述したことからも明らかなように、本発明は、
オーミツク性金属ペーストと非オーミツク性金属ペース
トとを使用する乾式電極形成法による正特性サーミスタ
の電極形成法において、高い最適焼成温度を必要とする
非オーミツク性の引出電極を最初に形成するようにした
から、オーミツク性の主電極および非オーミツク性の引
出電極とも最適温度で焼成することができ、主電極のオ
ーミツク性が良好で引出電極の正特性サーミスタ素体へ
の密着強度の強い正特性サーミスタを得ることができ
る。
オーミツク性金属ペーストと非オーミツク性金属ペース
トとを使用する乾式電極形成法による正特性サーミスタ
の電極形成法において、高い最適焼成温度を必要とする
非オーミツク性の引出電極を最初に形成するようにした
から、オーミツク性の主電極および非オーミツク性の引
出電極とも最適温度で焼成することができ、主電極のオ
ーミツク性が良好で引出電極の正特性サーミスタ素体へ
の密着強度の強い正特性サーミスタを得ることができ
る。
また、本発明によれば、ニツケル等の無電解メツキを使
用する場合のような残渣の影響がなく、正特性サーミス
タ素体の特性劣化を生じない、信頼性の高い電極を構成
することができる。
用する場合のような残渣の影響がなく、正特性サーミス
タ素体の特性劣化を生じない、信頼性の高い電極を構成
することができる。
第１図（ａ）、第１図（ｂ）、第１図（ｃ）および第１
図（ｄ）は夫々本発明に係る正特性サーミスタの電極形
成方法の一実施例の工程説明図、第２図、第３図および
第４図は夫々本発明の他の適用例の説明図である。 11…正特性サーミスタ素体、12…主面、13…非オーミツ
ク性電極ペースト（13′…引出電極）、14…オーミツク
性電極ペースト（14′…主電極）、15…櫛歯状主電極。
図（ｄ）は夫々本発明に係る正特性サーミスタの電極形
成方法の一実施例の工程説明図、第２図、第３図および
第４図は夫々本発明の他の適用例の説明図である。 11…正特性サーミスタ素体、12…主面、13…非オーミツ
ク性電極ペースト（13′…引出電極）、14…オーミツク
性電極ペースト（14′…主電極）、15…櫛歯状主電極。
Claims (1)
- 【請求項１】オーミック性を有するオーミック性金属ペ
ーストとオーミック性を有しない非オーミック性金属ペ
ーストとを使用した正特性サーミスタの電極形成方法で
あって、上記非オーミック性金属ペーストを正特性サー
ミスタ素体の電極引出部に塗布してこの非オーミック性
金属ペーストを焼き付けて非オーミック性電極を形成し
た後、上記焼き付けた非オーミック性電極の一部に重ね
てオーミック性金属ペーストを上記正特性サーミスタ素
体の電極形成部に塗布し、上記オーミック性金属ペース
トを上記電極形成部に焼き付けてオーミック性電極を形
成することを特長とする正特性サーミスタの電極形成方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57158589A JPH0732083B2 (ja) | 1982-09-10 | 1982-09-10 | 正特性サ−ミスタの電極形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57158589A JPH0732083B2 (ja) | 1982-09-10 | 1982-09-10 | 正特性サ−ミスタの電極形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5947705A JPS5947705A (ja) | 1984-03-17 |
| JPH0732083B2 true JPH0732083B2 (ja) | 1995-04-10 |
Family
ID=15674986
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57158589A Expired - Lifetime JPH0732083B2 (ja) | 1982-09-10 | 1982-09-10 | 正特性サ−ミスタの電極形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0732083B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000012301A (ja) * | 1998-06-24 | 2000-01-14 | Murata Mfg Co Ltd | 電子部品の実装方法 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5723402B2 (ja) * | 1974-05-16 | 1982-05-18 | ||
| JPS5636101A (en) * | 1979-09-03 | 1981-04-09 | Hitachi Ltd | Method of forming electrode for barium titanate porcelain semiconductor |
-
1982
- 1982-09-10 JP JP57158589A patent/JPH0732083B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5947705A (ja) | 1984-03-17 |
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