JPH073706B2 - 光磁気記録媒体 - Google Patents
光磁気記録媒体Info
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- JPH073706B2 JPH073706B2 JP27947289A JP27947289A JPH073706B2 JP H073706 B2 JPH073706 B2 JP H073706B2 JP 27947289 A JP27947289 A JP 27947289A JP 27947289 A JP27947289 A JP 27947289A JP H073706 B2 JPH073706 B2 JP H073706B2
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- Japan
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- film
- magneto
- recording medium
- optical recording
- dielectric layer
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Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は光磁気記録媒体、特にはカー回転角が大きく、
光透過性がすぐれていてC/Nもよく、記録密度の向上を
はかることができる光磁気記録媒体に関するものであ
る。
光透過性がすぐれていてC/Nもよく、記録密度の向上を
はかることができる光磁気記録媒体に関するものであ
る。
［従来の技術］ 近年、情報化社会の進展に伴なって書換可能な光磁気メ
モリが注目を集めており、この光磁気メモリ用磁性膜と
してTbFeCoなどの希土類元素−遷移金属元素膜が用いら
れているが、このものは得られるカー回転角があまり大
きくないためにこれには再生信号のC/Nが十分でないと
いう欠点がある。
モリが注目を集めており、この光磁気メモリ用磁性膜と
してTbFeCoなどの希土類元素−遷移金属元素膜が用いら
れているが、このものは得られるカー回転角があまり大
きくないためにこれには再生信号のC/Nが十分でないと
いう欠点がある。
［発明が解決しようとする課題］ そのため、この種の光磁気記録媒体については従来公知
の非晶質磁性体膜の表面にSiO,SiN,AlNなどの誘電体層
（膜）を形成し、その膜厚をλ/4n（λはレーザー波
長、ｎは屈折率）とすることによって見かけのカー回転
角を増大させ、C/Nを大きくする（エンハンス効果）こ
とが行なわれているが、これによる特性向上はまだ不十
分であり、この誘電体層についてはさらに高屈折率で透
明性のよいものが求められている。
の非晶質磁性体膜の表面にSiO,SiN,AlNなどの誘電体層
（膜）を形成し、その膜厚をλ/4n（λはレーザー波
長、ｎは屈折率）とすることによって見かけのカー回転
角を増大させ、C/Nを大きくする（エンハンス効果）こ
とが行なわれているが、これによる特性向上はまだ不十
分であり、この誘電体層についてはさらに高屈折率で透
明性のよいものが求められている。
また、ここに使用されている非晶質磁性体膜は希土類金
属を含んでいるが、この希土類金属が極めて酸化され易
いものであるために、これには高温高湿下で簡単に磁気
特性が劣化するという難点があり、上記の誘電体層に保
護膜としての役割を負わせるという提案もあるが、SiO
などの酸化物では逆に希土類元素がSiO中のＯと酸化反
応を起こしてしまうためにその効果は十分なものではな
いし、SiN,AlNなどの窒化物には、このような反応性が
小さいので耐蝕性向上という目的には適しているもの
の、これには樹脂基板などに成膜するときにクラックが
生じ易く、機械的強度に問題がある。
属を含んでいるが、この希土類金属が極めて酸化され易
いものであるために、これには高温高湿下で簡単に磁気
特性が劣化するという難点があり、上記の誘電体層に保
護膜としての役割を負わせるという提案もあるが、SiO
などの酸化物では逆に希土類元素がSiO中のＯと酸化反
応を起こしてしまうためにその効果は十分なものではな
いし、SiN,AlNなどの窒化物には、このような反応性が
小さいので耐蝕性向上という目的には適しているもの
の、これには樹脂基板などに成膜するときにクラックが
生じ易く、機械的強度に問題がある。
なお、この誘電体膜についてはBNを使用することも提案
されており［M.Asana et al,IEEE Trans.Magn.MAG-23,2
620,（1987）参照］、これは屈折率が大きく、透明であ
り、誘電体膜としての特性もすぐれているが、これには
スパッタリング法で成膜しても完全なアモルファス状態
で形成することが難しく、組成が不均一で表面に凹凸が
生じてしまい、耐久性の点に問題がある。
されており［M.Asana et al,IEEE Trans.Magn.MAG-23,2
620,（1987）参照］、これは屈折率が大きく、透明であ
り、誘電体膜としての特性もすぐれているが、これには
スパッタリング法で成膜しても完全なアモルファス状態
で形成することが難しく、組成が不均一で表面に凹凸が
生じてしまい、耐久性の点に問題がある。
［課題を解決するための手段］ 本発明はこのような課題を解決することのできる光磁気
記録媒体に関するもので、これは光の入射側に置かれる
透明基板上に、誘電体層、磁性膜、反射膜を設けてなる
光磁気記録媒体において、誘電体層がＨを含むBNおよび
Siからなる非晶質材料で作られることを特徴とするもの
である。すなわち、本発明者らはカー回転角が大きく、
光透過性がすぐれていてC/Nもよく、記録密度も向上し
た光磁気記録媒体を開発すべく種々検討した結果、基体
上に設けられる誘電体層をＨを含むBNとSiとからなる非
晶質材料（以下アモルファスBN-Si:H膜材料と略記す
る）で作ると、１）この膜材料がＨを含んでいるので、
Ｈを含まないアモルファスBN膜にくらべてアモルファス
になり易く、組成が均一で表面の平滑な膜を得ることが
できる、２）膜材料がSiを含んでいるので従来の保護膜
にくらべて剥離し難く、この膜は機械的強度、耐久性に
すぐれている、３）従来用いられてきたSiO,SiN,AlNな
どが屈折率1.4〜1.8であるのに比べて、このアモルファ
スBN-Si:H膜は屈折率が1.75〜2.15であるために、大き
なエンハンス効果をもっており、これはまた光透過性が
よく、特に可視〜赤外領域で極めて高い透過性を有する
ので、C/Nの大きな光磁気記録媒体を与える、４）アモ
ルファスBN-Si:H膜は熱伝導性が小さいために照射する
レーザーの熱拡散が小さく、記録ビット径の広がりを抑
えることができるので、記録密度の向上をはかることが
できる、という効果の得られることを見出し、このアモ
ルファスBN-Si:H膜の形成方法などについての研究を行
なって本発明を完成させた。
記録媒体に関するもので、これは光の入射側に置かれる
透明基板上に、誘電体層、磁性膜、反射膜を設けてなる
光磁気記録媒体において、誘電体層がＨを含むBNおよび
Siからなる非晶質材料で作られることを特徴とするもの
である。すなわち、本発明者らはカー回転角が大きく、
光透過性がすぐれていてC/Nもよく、記録密度も向上し
た光磁気記録媒体を開発すべく種々検討した結果、基体
上に設けられる誘電体層をＨを含むBNとSiとからなる非
晶質材料（以下アモルファスBN-Si:H膜材料と略記す
る）で作ると、１）この膜材料がＨを含んでいるので、
Ｈを含まないアモルファスBN膜にくらべてアモルファス
になり易く、組成が均一で表面の平滑な膜を得ることが
できる、２）膜材料がSiを含んでいるので従来の保護膜
にくらべて剥離し難く、この膜は機械的強度、耐久性に
すぐれている、３）従来用いられてきたSiO,SiN,AlNな
どが屈折率1.4〜1.8であるのに比べて、このアモルファ
スBN-Si:H膜は屈折率が1.75〜2.15であるために、大き
なエンハンス効果をもっており、これはまた光透過性が
よく、特に可視〜赤外領域で極めて高い透過性を有する
ので、C/Nの大きな光磁気記録媒体を与える、４）アモ
ルファスBN-Si:H膜は熱伝導性が小さいために照射する
レーザーの熱拡散が小さく、記録ビット径の広がりを抑
えることができるので、記録密度の向上をはかることが
できる、という効果の得られることを見出し、このアモ
ルファスBN-Si:H膜の形成方法などについての研究を行
なって本発明を完成させた。
以下にこれをさらに詳述する。
［作 用］ 本発明の光磁気記録媒体は透明基板上に誘電体層、磁性
膜、反射膜を設けてなる光磁気記録媒体における誘電体
層をアモルファスBN-Si:H膜としたものである。
膜、反射膜を設けてなる光磁気記録媒体における誘電体
層をアモルファスBN-Si:H膜としたものである。
この光磁気記録媒体の構成は公知のものであり、これは
例えば第１図に示したように、トラッキング用ガイドグ
ループが形成されたガラス、石英ガラス、ポリカーボネ
ート樹脂、ポリメチルメタクリレート樹脂などからなる
透明基板１の上に誘電体膜２、磁性膜３、誘電体膜２と
同質の誘電体膜４および反射膜５を順次積層されたもの
であり、これは第２図に示したように透明基板７の上に
誘電体膜８、磁性膜９、誘電体膜10を順次積層した３層
構造のものであってもよく、これらにおいてはこの透明
基板1,7の光の入射側から光6,11が入射すると光６は反
射膜５で反射され、磁性膜の膜厚を厚くした第２図のも
のでは入射光11は磁性膜９で反射される。
例えば第１図に示したように、トラッキング用ガイドグ
ループが形成されたガラス、石英ガラス、ポリカーボネ
ート樹脂、ポリメチルメタクリレート樹脂などからなる
透明基板１の上に誘電体膜２、磁性膜３、誘電体膜２と
同質の誘電体膜４および反射膜５を順次積層されたもの
であり、これは第２図に示したように透明基板７の上に
誘電体膜８、磁性膜９、誘電体膜10を順次積層した３層
構造のものであってもよく、これらにおいてはこの透明
基板1,7の光の入射側から光6,11が入射すると光６は反
射膜５で反射され、磁性膜の膜厚を厚くした第２図のも
のでは入射光11は磁性膜９で反射される。
本発明の光磁気記録媒体ではこの誘電体膜2,8および／
または4,10が前記したアモルファスBN-Si:H膜で形成さ
れるのであるが、この誘電体膜の形成は三塩化ほう素
（BCl3）、三フッ化ほう素（BF3）のようなハロゲン化
ほう素やジボラン（B2H6）のような水素化ほう素からな
るほう素源とアンモニア（NH3）やアミン類などのよう
な含窒素ガスからなる窒素源、およびSiH4,Si2H6,CH3Si
H3,（CH3）2SiH2などのシラン類からなるけい素源を反
応装置中に導入し、化学気相蒸着法（以下CVD法と略記
する。）で行えばよいが、このCVD法については真空装
置内に反応ガスを導入し、プラズマ励起してこれを分解
させ、基板上に膜を形成させるプラズマCVD法とすれば4
00℃以下の低温下でも成膜が可能となるので、耐熱性で
問題となる樹脂基板の場合に有利性が与えられる。な
お、この場合上記したほう素源、窒素源、けい素源がい
ずれも水素原子を有しないものである場合にはH2ガスま
たは含水素ガスを第４成分として併用する必要がある
が、原料ガスの入手性および取扱いの容易さからこの原
料ガスはB2H6,NH3およびSiH4とすることが好ましい。
または4,10が前記したアモルファスBN-Si:H膜で形成さ
れるのであるが、この誘電体膜の形成は三塩化ほう素
（BCl3）、三フッ化ほう素（BF3）のようなハロゲン化
ほう素やジボラン（B2H6）のような水素化ほう素からな
るほう素源とアンモニア（NH3）やアミン類などのよう
な含窒素ガスからなる窒素源、およびSiH4,Si2H6,CH3Si
H3,（CH3）2SiH2などのシラン類からなるけい素源を反
応装置中に導入し、化学気相蒸着法（以下CVD法と略記
する。）で行えばよいが、このCVD法については真空装
置内に反応ガスを導入し、プラズマ励起してこれを分解
させ、基板上に膜を形成させるプラズマCVD法とすれば4
00℃以下の低温下でも成膜が可能となるので、耐熱性で
問題となる樹脂基板の場合に有利性が与えられる。な
お、この場合上記したほう素源、窒素源、けい素源がい
ずれも水素原子を有しないものである場合にはH2ガスま
たは含水素ガスを第４成分として併用する必要がある
が、原料ガスの入手性および取扱いの容易さからこの原
料ガスはB2H6,NH3およびSiH4とすることが好ましい。
また、この誘電体膜の形成はスパッタリング法で行なう
こともでき、この場合にはBNとSiNとの混合物またはＢ
とSiとの合金をターゲットとし、真空装置内をAr-H2ま
たはAr-H2-N2などの混合ガス雰囲気とし、これに高周波
を印加して反応スパッタリングによって基板に誘電体膜
を形成させればよい。
こともでき、この場合にはBNとSiNとの混合物またはＢ
とSiとの合金をターゲットとし、真空装置内をAr-H2ま
たはAr-H2-N2などの混合ガス雰囲気とし、これに高周波
を印加して反応スパッタリングによって基板に誘電体膜
を形成させればよい。
このようにして得た誘電体膜はアモルファスBN,Si,Hか
らなる厚さ500〜1,000Åのものとされるが、この各元素
の組成比に特に制限はない。しかし、このものは屈折率
が1.75未満では媒体表面での光の多重反射によるθＫの
見かけ上の増大（エンハンス効果）が期待できず、逆に
2.15より大きくしようとすると膜質が低下し、機械的強
度や耐久性に悪影響が及ぼされるので、屈折率（ｎ）が
1.75〜2.15のものとすることが望ましいが、この組成は
重量比でほう素元素100に対して窒素元素が10〜30、け
い素元素が0.2〜50、水素原子が５〜15の範囲のものと
することが好ましく、これは成膜条件によって各元素の
組成比を調節して成膜させればよい。
らなる厚さ500〜1,000Åのものとされるが、この各元素
の組成比に特に制限はない。しかし、このものは屈折率
が1.75未満では媒体表面での光の多重反射によるθＫの
見かけ上の増大（エンハンス効果）が期待できず、逆に
2.15より大きくしようとすると膜質が低下し、機械的強
度や耐久性に悪影響が及ぼされるので、屈折率（ｎ）が
1.75〜2.15のものとすることが望ましいが、この組成は
重量比でほう素元素100に対して窒素元素が10〜30、け
い素元素が0.2〜50、水素原子が５〜15の範囲のものと
することが好ましく、これは成膜条件によって各元素の
組成比を調節して成膜させればよい。
なお、本発明の光磁気記録媒体は基体上に成膜されたこ
の誘電体層の上に磁性膜と反射膜を形成するのである
が、これらはいずれも公知のものでよく、この磁性膜は
希土類元素−遷移金属元素膜からなるもの、したがって
Tb,Dy,Gd,Ndなどの希土類元素とFe,Co,Niなどの遷移金
属元素からなる、例えばTbFe,TbFeCo,GdTbFe,GdDyFeCo
などからなる非晶質金属膜を第１図の構造のものでは20
0〜500Å、第２図の構造のものでは800〜1,000Å程度の
厚さでスパッタリング法で形成すればよく、この反射層
はAl,Cu,Au,Agなどの金属膜を厚さ200〜1,000Å程度で
設ければよい。
の誘電体層の上に磁性膜と反射膜を形成するのである
が、これらはいずれも公知のものでよく、この磁性膜は
希土類元素−遷移金属元素膜からなるもの、したがって
Tb,Dy,Gd,Ndなどの希土類元素とFe,Co,Niなどの遷移金
属元素からなる、例えばTbFe,TbFeCo,GdTbFe,GdDyFeCo
などからなる非晶質金属膜を第１図の構造のものでは20
0〜500Å、第２図の構造のものでは800〜1,000Å程度の
厚さでスパッタリング法で形成すればよく、この反射層
はAl,Cu,Au,Agなどの金属膜を厚さ200〜1,000Å程度で
設ければよい。
［実施例］ つぎに本発明の実施例，比較例をあげる。
実施例１〜4,比較例１〜２ プラズマCVD装置にガラス基板をセットして100℃に加熱
し、装置内に第１表に示した元素の重量組成比となるよ
うにB2H6,NH3,SiH4のガスを導入し、装置内の圧力を2.5
トールに保持し200Wの高周波を印加してプラズマCVD法
で基板上にアモルファスBN-Si:H膜を成膜させ、この膜
のB,N,Siの組成比をESCA,AESで、またＨの分析をRBS,HF
Sで測定すると共に、この膜の屈折率、透過率を測定し
たところ第１表に示したとおりの結果が得られた（実施
例１〜３）。
し、装置内に第１表に示した元素の重量組成比となるよ
うにB2H6,NH3,SiH4のガスを導入し、装置内の圧力を2.5
トールに保持し200Wの高周波を印加してプラズマCVD法
で基板上にアモルファスBN-Si:H膜を成膜させ、この膜
のB,N,Siの組成比をESCA,AESで、またＨの分析をRBS,HF
Sで測定すると共に、この膜の屈折率、透過率を測定し
たところ第１表に示したとおりの結果が得られた（実施
例１〜３）。
また、このアモルファスBN-Si:H膜の形成についてはス
パッタリング法で行なうこととし、真空装置内にガラス
基板とターゲットとしてのBNとSiNとの混合物を入れ、
装置内をArガス80％、H2ガス５％、N2ガス15％からなる
混合ガス雰囲気とし、圧力を10×10-3トールとしてここ
に出力300Wの高周波を印加してスパッタリングによって
基板上にアモルファスBN-Si:H膜を形成させ、この膜の
組成、屈折率および透過率をしらべたところ、第１表に
併記したとおりの結果が得られた（実施例４）が、比較
のためにこのスパッタリング法におけるターゲットをBN
またはSiOとしたところ、得られた誘電膜の屈折率，透
過率は第１表に併記したように実施例４のものにくらべ
て劣るものであった。
パッタリング法で行なうこととし、真空装置内にガラス
基板とターゲットとしてのBNとSiNとの混合物を入れ、
装置内をArガス80％、H2ガス５％、N2ガス15％からなる
混合ガス雰囲気とし、圧力を10×10-3トールとしてここ
に出力300Wの高周波を印加してスパッタリングによって
基板上にアモルファスBN-Si:H膜を形成させ、この膜の
組成、屈折率および透過率をしらべたところ、第１表に
併記したとおりの結果が得られた（実施例４）が、比較
のためにこのスパッタリング法におけるターゲットをBN
またはSiOとしたところ、得られた誘電膜の屈折率，透
過率は第１表に併記したように実施例４のものにくらべ
て劣るものであった。
つぎにこの実施例１で得たアモルファスBN-Si:H膜の上
にArガス圧７×10-3トール、高周波出力300Wという条件
で厚さ200ÅのTbFe磁性膜を形成させ、この上に上記と
同じプラズマCVD法でアモルファスBN-Si:H膜を成膜さ
せ、さらにこの上に厚さ400Åのアルミニウム反射膜を
上記した磁性膜形成と同じ条件のスパッタリング法で形
成して光磁気記録媒体を作り、この誘電体膜の膜厚を変
化させたときの波長633nmのレーザーに対するカー回転
角の変化をしらべたところ、第３図に示したとおりの結
果が得られ、またこのものの耐久性をしらべるために85
℃,85％RHの条件下での保持時間と保磁力との関係をし
らべたところ、第４図に示したとおりの結果が得られ
た。
にArガス圧７×10-3トール、高周波出力300Wという条件
で厚さ200ÅのTbFe磁性膜を形成させ、この上に上記と
同じプラズマCVD法でアモルファスBN-Si:H膜を成膜さ
せ、さらにこの上に厚さ400Åのアルミニウム反射膜を
上記した磁性膜形成と同じ条件のスパッタリング法で形
成して光磁気記録媒体を作り、この誘電体膜の膜厚を変
化させたときの波長633nmのレーザーに対するカー回転
角の変化をしらべたところ、第３図に示したとおりの結
果が得られ、またこのものの耐久性をしらべるために85
℃,85％RHの条件下での保持時間と保磁力との関係をし
らべたところ、第４図に示したとおりの結果が得られ
た。
なお、この実験については比較のためにこの誘電体層を
BNまたはSiOで形成したものについても行なったとこ
ろ、第３図、第４図に併記したとおりの結果が得られ、
実施例１のものは膜厚ｄがｄ＝λ/4nである80nm付近で
θＫが最大値2.0となるので十分なエンハンス効果のあ
ることが示されているが、BN,SiOではこれに劣り、さら
に実施例１のものは500時間経過後も保磁力が殆んど低
下しないのに対し、BN,SiOではこれがかなり低下するこ
とが確認された。
BNまたはSiOで形成したものについても行なったとこ
ろ、第３図、第４図に併記したとおりの結果が得られ、
実施例１のものは膜厚ｄがｄ＝λ/4nである80nm付近で
θＫが最大値2.0となるので十分なエンハンス効果のあ
ることが示されているが、BN,SiOではこれに劣り、さら
に実施例１のものは500時間経過後も保磁力が殆んど低
下しないのに対し、BN,SiOではこれがかなり低下するこ
とが確認された。
［発明の効果］ 本発明は光磁気記録媒体に関するもので、これは前記し
たように基板に誘電体膜、磁性膜、反射膜を設けた光磁
気記録媒体において、この誘電体をＨを含むBNとSiとか
らなる非晶質材料とするというものであり、これによれ
ばこの誘電体膜が屈折率1.75〜2.15のものとなるので大
きなエンハンス効果をもつものとなり、カー回転角の増
大がはかれるし、これはまた光透過性がすぐれているの
でC/Nが増大されるほか、この非晶質膜はＨを含んでい
るので膜面が平滑なものとなり、これはまたSiを含んで
いるので機械的強度、耐久性がすぐれたものとなり、熱
伝導度が小さいのでレーザーの熱拡散が小さくなって記
録ビットの径の広がりが抑えられるので記録密度が向上
されるという有利性が与えられる。
たように基板に誘電体膜、磁性膜、反射膜を設けた光磁
気記録媒体において、この誘電体をＨを含むBNとSiとか
らなる非晶質材料とするというものであり、これによれ
ばこの誘電体膜が屈折率1.75〜2.15のものとなるので大
きなエンハンス効果をもつものとなり、カー回転角の増
大がはかれるし、これはまた光透過性がすぐれているの
でC/Nが増大されるほか、この非晶質膜はＨを含んでい
るので膜面が平滑なものとなり、これはまたSiを含んで
いるので機械的強度、耐久性がすぐれたものとなり、熱
伝導度が小さいのでレーザーの熱拡散が小さくなって記
録ビットの径の広がりが抑えられるので記録密度が向上
されるという有利性が与えられる。
第１図、第２図は光磁気記録媒体の構成図、第３図は実
施例、比較例における誘電体膜の膜厚とカー回転角との
関係グラフ、第４図は実施例、比較例における保持時間
と保磁力との関係グラフを示したものである。 図中の符号： 1,7……透明基板 2,4,8,10……誘電体膜（層） 3,9……磁性膜 ５……反射膜
施例、比較例における誘電体膜の膜厚とカー回転角との
関係グラフ、第４図は実施例、比較例における保持時間
と保磁力との関係グラフを示したものである。 図中の符号： 1,7……透明基板 2,4,8,10……誘電体膜（層） 3,9……磁性膜 ５……反射膜
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 野村 忠雄 神奈川県川崎市高津区坂戸100―１ 信越 化学工業株式会社コーポレートリサーチセ ンター内 (72)発明者 清水 佳昌 神奈川県川崎市高津区坂戸100―１ 信越 化学工業株式会社コーポレートリサーチセ ンター内 (72)発明者 久保田 芳宏 群馬県安中市磯部２丁目13番１号 信越化 学工業株式会社精密機能材料研究所内 (72)発明者 樫田 周 群馬県安中市磯部２丁目13番１号 信越化 学工業株式会社精密機能材料研究所内 (56)参考文献 特開 平１−307941（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−179947（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−173958（ＪＰ，Ａ)
Claims (7)
- 【請求項１】光の入射側に置かれる透明基板上に、誘電
体層、磁性膜、反射膜を設けて成る光磁気記録媒体にお
いて、誘電体層がＨを含むBNおよびSiからなる非晶質材
料で作られることを特徴とする光磁気記録媒体。 - 【請求項２】非晶質材料が重量組成比でB:N:Si:Hが100:
10〜30:0.2〜50:5〜15からなるものとされる請求項１に
記載の光磁気記録媒体。 - 【請求項３】非晶質材料が屈折率（ｎ）＝1.75〜2.15の
ものとされる請求項１に記載の光磁気記録媒体。 - 【請求項４】誘電体層がプラズマCVD法またはスパッタ
リング法によって形成される請求項１に記載の光磁気記
録媒体。 - 【請求項５】誘電体層がNH3,B2H6およびSiH4を原料とす
るプラズマCVD法で形成される請求項１に記載の光磁気
記録媒体。 - 【請求項６】誘電体層がBNとSiNの混合物をターゲット
とし、Ar-H2混合ガス雰囲気下またはAr-N2-H2混合ガス
雰囲気下でのスパッタリング法によって形成される請求
項１に記載の光磁気記録媒体。 - 【請求項７】誘電体層がＢとSiとの合金をターゲットと
し、Ar-N2-H2混合ガス雰囲気下でのスパッタリング法で
形成される請求項１に記載の光磁気記録媒体。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27947289A JPH073706B2 (ja) | 1989-10-26 | 1989-10-26 | 光磁気記録媒体 |
| DE69016171T DE69016171T2 (de) | 1989-10-26 | 1990-10-23 | Magnetooptisches Aufzeichnungsmedium. |
| EP90120313A EP0427982B1 (en) | 1989-10-26 | 1990-10-23 | Magneto-optical recording medium |
| US07/601,659 US5118573A (en) | 1989-10-26 | 1990-10-25 | Magneto-optical recording medium |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27947289A JPH073706B2 (ja) | 1989-10-26 | 1989-10-26 | 光磁気記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03141057A JPH03141057A (ja) | 1991-06-17 |
| JPH073706B2 true JPH073706B2 (ja) | 1995-01-18 |
Family
ID=17611536
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27947289A Expired - Lifetime JPH073706B2 (ja) | 1989-10-26 | 1989-10-26 | 光磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH073706B2 (ja) |
-
1989
- 1989-10-26 JP JP27947289A patent/JPH073706B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH03141057A (ja) | 1991-06-17 |
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