JPH0737226A - 薄膜磁気ヘッド - Google Patents
薄膜磁気ヘッドInfo
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- JPH0737226A JPH0737226A JP22841591A JP22841591A JPH0737226A JP H0737226 A JPH0737226 A JP H0737226A JP 22841591 A JP22841591 A JP 22841591A JP 22841591 A JP22841591 A JP 22841591A JP H0737226 A JPH0737226 A JP H0737226A
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Landscapes
- Magnetic Heads (AREA)
- Adjustment Of The Magnetic Head Position Track Following On Tapes (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】薄膜磁気回路に対する影響を著しく小さくで
き、しかも安定した放電防止作用を確保し得る薄膜磁気
ヘッドを提供する 【構成】スライダ１は導電性基体１０１の表面に絶縁膜
１０２を有する。磁気変換素子２は絶縁膜１０２の上に
設けられている。接続導体３は、非磁性導電材料で構成
され、第１導電部３１が絶縁膜１０２を貫通して導電性
基体１０１に接続され、第２導電部３２が絶縁膜１０２
の上に設けられ第１導電部３１と磁性膜２１とを電気的
に接続している。
き、しかも安定した放電防止作用を確保し得る薄膜磁気
ヘッドを提供する 【構成】スライダ１は導電性基体１０１の表面に絶縁膜
１０２を有する。磁気変換素子２は絶縁膜１０２の上に
設けられている。接続導体３は、非磁性導電材料で構成
され、第１導電部３１が絶縁膜１０２を貫通して導電性
基体１０１に接続され、第２導電部３２が絶縁膜１０２
の上に設けられ第１導電部３１と磁性膜２１とを電気的
に接続している。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、浮上型の薄膜磁気ヘッ
ドに関し、更に詳しくは、磁性膜のポール部と媒体との
間に、キャパシタの蓄積電荷による放電が生じるのを阻
止できるようにした薄膜磁気ヘッドに関する。
ドに関し、更に詳しくは、磁性膜のポール部と媒体との
間に、キャパシタの蓄積電荷による放電が生じるのを阻
止できるようにした薄膜磁気ヘッドに関する。
【０００２】
【従来の技術】この種の薄膜磁気ヘッドは、スライダ
と、薄膜磁気変換素子とを有し、薄膜磁気変換素子があ
る電位に保たれるコイル膜と、コイル膜と共に薄膜磁気
回路を構成する磁性膜とを有しており、磁性膜とコイル
膜との間にキャパシタが発生する。
と、薄膜磁気変換素子とを有し、薄膜磁気変換素子があ
る電位に保たれるコイル膜と、コイル膜と共に薄膜磁気
回路を構成する磁性膜とを有しており、磁性膜とコイル
膜との間にキャパシタが発生する。
【０００３】一方、最近の小型ＨＤＤでは、パソコン搭
載を考慮してパソコン電源である５ボルト、１２ボルト
をそのまま利用すべく、小型ＨＤＤ用の読み書き用ＩＣ
も５ボルトまたは１２ボルトの片電源を用いるようにな
っている。このため、薄膜磁気ヘッドは一定電圧、具体
的には、６ボルトの正電圧で常時バイアスされる。その
結果、キャパシタはバイアス電圧により常時一方向に電
荷が蓄積される。
載を考慮してパソコン電源である５ボルト、１２ボルト
をそのまま利用すべく、小型ＨＤＤ用の読み書き用ＩＣ
も５ボルトまたは１２ボルトの片電源を用いるようにな
っている。このため、薄膜磁気ヘッドは一定電圧、具体
的には、６ボルトの正電圧で常時バイアスされる。その
結果、キャパシタはバイアス電圧により常時一方向に電
荷が蓄積される。
【０００４】キャパシタに蓄積された電荷はポ−ル部と
媒体との接触などによる放電により放出され、磁性膜の
電位が変動する。磁性膜の電位変動によりコモンモード
ノイズが発生し、読み取りデ−タにエラ−を生じる。か
かる放電防止技術に関する先行技術文献としては、例え
ば、特開平２−２４６０４８号公報等がある。この先行
技術においては、薄膜磁気ヘッドのバイアス電位と媒体
の電位とを等しくして放電を生じさせないようにしてい
る。
媒体との接触などによる放電により放出され、磁性膜の
電位が変動する。磁性膜の電位変動によりコモンモード
ノイズが発生し、読み取りデ−タにエラ−を生じる。か
かる放電防止技術に関する先行技術文献としては、例え
ば、特開平２−２４６０４８号公報等がある。この先行
技術においては、薄膜磁気ヘッドのバイアス電位と媒体
の電位とを等しくして放電を生じさせないようにしてい
る。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た先行技術では、薄膜磁気ヘッドのバイアス電位と媒体
の電位とを等しくするために、回転する媒体に薄膜磁気
ヘッドと同電位にする手段を設けることが必須になるの
で、磁気ディスク装置の構造が複雑となり、大型化を招
くと共に、高価になっている。
た先行技術では、薄膜磁気ヘッドのバイアス電位と媒体
の電位とを等しくするために、回転する媒体に薄膜磁気
ヘッドと同電位にする手段を設けることが必須になるの
で、磁気ディスク装置の構造が複雑となり、大型化を招
くと共に、高価になっている。
【０００６】そこで本発明の課題は、上述する従来の問
題点を解決し、薄膜磁気回路に対する影響を著しく小さ
くして、安定した放電防止作用が得られるようにした薄
膜磁気ヘッドを提供することである。
題点を解決し、薄膜磁気回路に対する影響を著しく小さ
くして、安定した放電防止作用が得られるようにした薄
膜磁気ヘッドを提供することである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上述した課題解決のた
め、本発明は、スライダと、薄膜磁気変換素子と、接続
導体とを有する薄膜磁気ヘッドであって、前記スライダ
は、導電性基体の表面に絶縁膜を有しており、前記薄膜
磁気変換素子は、磁性膜とコイル膜とを含む薄膜磁気回
路を有し、前記絶縁膜の上に設けられており、前記接続
導体は、第１導電部と第２導電部とを有し、前記第１導
電部が前記絶縁膜を貫通して前記導電性基体に接続さ
れ、前記第２導電部が非磁性導電材料で構成され前記絶
縁膜の上に設けられて前記第１導電部と前記磁性膜とを
電気的に接続していることを特徴とする。
め、本発明は、スライダと、薄膜磁気変換素子と、接続
導体とを有する薄膜磁気ヘッドであって、前記スライダ
は、導電性基体の表面に絶縁膜を有しており、前記薄膜
磁気変換素子は、磁性膜とコイル膜とを含む薄膜磁気回
路を有し、前記絶縁膜の上に設けられており、前記接続
導体は、第１導電部と第２導電部とを有し、前記第１導
電部が前記絶縁膜を貫通して前記導電性基体に接続さ
れ、前記第２導電部が非磁性導電材料で構成され前記絶
縁膜の上に設けられて前記第１導電部と前記磁性膜とを
電気的に接続していることを特徴とする。
【０００８】
【作用】接続導体は、第１導電部が絶縁膜を貫通して導
電性基体に接続され、第２導電部が絶縁膜の上に設けら
れ第１導電部と磁性膜とを電気的に接続しているので、
磁性膜が、アース電位に保たれるスライダの導電性基体
と同電位となる。このため、キャパシタへ電荷が蓄積さ
れたとしても、アース電位にある磁性膜と、同じくアー
ス電位に保たれる媒体との間で、キャパシタの蓄積電荷
に起因する放電を生じる余地がない。
電性基体に接続され、第２導電部が絶縁膜の上に設けら
れ第１導電部と磁性膜とを電気的に接続しているので、
磁性膜が、アース電位に保たれるスライダの導電性基体
と同電位となる。このため、キャパシタへ電荷が蓄積さ
れたとしても、アース電位にある磁性膜と、同じくアー
ス電位に保たれる媒体との間で、キャパシタの蓄積電荷
に起因する放電を生じる余地がない。
【０００９】接続導体は、第２導電部が非磁性導電材料
で構成されているから、薄膜磁気回路に対する磁気的な
影響が小さくなり、設計に即した特性を有する薄膜磁気
ヘッドが得られる。
で構成されているから、薄膜磁気回路に対する磁気的な
影響が小さくなり、設計に即した特性を有する薄膜磁気
ヘッドが得られる。
【００１０】接続導体は、第１導電部が絶縁膜を貫通し
て導電性基体に接続され、第２導電部が絶縁膜の上に設
けられているから、保護膜等によって完全に覆われた状
態で内部で電気的接続が完結している。このため、電気
的接続不良等を生じる余地がなく、安定した電荷蓄積阻
止作用が得られる。
て導電性基体に接続され、第２導電部が絶縁膜の上に設
けられているから、保護膜等によって完全に覆われた状
態で内部で電気的接続が完結している。このため、電気
的接続不良等を生じる余地がなく、安定した電荷蓄積阻
止作用が得られる。
【００１１】接続導体は、第１導電部が絶縁膜を貫通し
て導電性基体に接続され、第２導電部が絶縁膜の上に設
けられているから、接続導体及び薄膜磁気変換素子を、
基体の上で精度よく積層してゆくことが可能である。
て導電性基体に接続され、第２導電部が絶縁膜の上に設
けられているから、接続導体及び薄膜磁気変換素子を、
基体の上で精度よく積層してゆくことが可能である。
【００１２】
【実施例】図１は本発明に係る薄膜磁気ヘッドの薄膜磁
気変換素子の部分の透視図、図２は空気流出端側となる
薄膜磁気変換素子側から見た正面図、図３は接続導体の
構造をモデル化して示す図、図４は薄膜磁気変換素子部
分の拡大断面図である。各図は構造の概略を示すために
用いられているもので、各部寸法は誇張されている。図
において、１はスライダ、２は薄膜磁気変換素子、３は
接続導体である。
気変換素子の部分の透視図、図２は空気流出端側となる
薄膜磁気変換素子側から見た正面図、図３は接続導体の
構造をモデル化して示す図、図４は薄膜磁気変換素子部
分の拡大断面図である。各図は構造の概略を示すために
用いられているもので、各部寸法は誇張されている。図
において、１はスライダ、２は薄膜磁気変換素子、３は
接続導体である。
【００１３】スライダ１はAl2O3-Tic 等で構成される導
電性基体１０１の上に、アルミナ等の絶縁膜１０２を有
している。図示のスライダ１は媒体対向面側に２つのレ
ール１０３、１０４を有し、レール１０３、１０４の表
面を空気ベアリング面１０５、１０６として利用するタ
イプを示している。図示はしないが、媒体対向面がレー
ル部を持たない平面状の空気ベアリング面となっている
スライダであってもよい。
電性基体１０１の上に、アルミナ等の絶縁膜１０２を有
している。図示のスライダ１は媒体対向面側に２つのレ
ール１０３、１０４を有し、レール１０３、１０４の表
面を空気ベアリング面１０５、１０６として利用するタ
イプを示している。図示はしないが、媒体対向面がレー
ル部を持たない平面状の空気ベアリング面となっている
スライダであってもよい。
【００１４】薄膜磁気変換素子２は、下部磁性膜２１
と、上部磁性膜２２と、コイル膜２３とを有している。
下部磁性膜２１及び上部磁性膜２２は、通常、パーマロ
イ等で構成され、先端部が変換ギャップを構成するポ−
ル部２１１、２２１となっていて、ポ−ル部２１１、２
２１に連なるヨ−ク部２１２、２２２の後方側が磁気回
路を完成するように結合されている。ポール部２１１、
２２１はアルミナ等でなるギャップ膜２４により隔てら
れている。コイル膜２３は、下部磁性膜２１及び上部磁
性膜２２の結合部の回りに渦巻き状に設けられている。
コイル膜２３と下部磁性膜２１及びコイル膜２３と上部
磁性膜２２との間は、絶縁膜２５１〜２５３により絶縁
されている。絶縁膜２５１〜２５３は、通常、ノボラッ
ク樹脂等の有機樹脂で構成される。２６はアルミナ等で
なる保護膜、２７、２８はコイル膜２３に導通する取出
電極、２７１、２８１はリード電極である。
と、上部磁性膜２２と、コイル膜２３とを有している。
下部磁性膜２１及び上部磁性膜２２は、通常、パーマロ
イ等で構成され、先端部が変換ギャップを構成するポ−
ル部２１１、２２１となっていて、ポ−ル部２１１、２
２１に連なるヨ−ク部２１２、２２２の後方側が磁気回
路を完成するように結合されている。ポール部２１１、
２２１はアルミナ等でなるギャップ膜２４により隔てら
れている。コイル膜２３は、下部磁性膜２１及び上部磁
性膜２２の結合部の回りに渦巻き状に設けられている。
コイル膜２３と下部磁性膜２１及びコイル膜２３と上部
磁性膜２２との間は、絶縁膜２５１〜２５３により絶縁
されている。絶縁膜２５１〜２５３は、通常、ノボラッ
ク樹脂等の有機樹脂で構成される。２６はアルミナ等で
なる保護膜、２７、２８はコイル膜２３に導通する取出
電極、２７１、２８１はリード電極である。
【００１５】接続導体３は、第１導電部３１と第２導電
部３２とを有する。第１導電部３１は絶縁膜１０２を貫
通して導電性基体１０１に接続され、第２導電部３２は
絶縁膜１０２の上に設けられ第１導電部３１と下部磁性
膜２１とを電気的に接続している。第２導電部３２は非
磁性導電材料によって構成する。第１導電部３１の形成
位置は、薄膜磁気変換素子２の形成領域外であって、薄
膜磁気変換素子集積工程に悪影響を与えないような位置
に設定する。第１導電部３１は、薄膜磁気変換素子２を
２個有する場合、薄膜磁気変換素子２間で共用すること
もできる。第２導電部３２は、図示では下部磁性膜２１
のの下面の全体に及んでいるが、下面または側面に部分
的に設けてもよい。第１導電部３１は、銅を主成分とす
る非磁性導電材料によって構成し、第２導電部３２はチ
タンを主成分とする非磁性導電材料によって構成するこ
とができる。第２導電部３２をチタンによって構成した
場合には、下部磁性膜２１のメッキ下地膜として利用で
きる。
部３２とを有する。第１導電部３１は絶縁膜１０２を貫
通して導電性基体１０１に接続され、第２導電部３２は
絶縁膜１０２の上に設けられ第１導電部３１と下部磁性
膜２１とを電気的に接続している。第２導電部３２は非
磁性導電材料によって構成する。第１導電部３１の形成
位置は、薄膜磁気変換素子２の形成領域外であって、薄
膜磁気変換素子集積工程に悪影響を与えないような位置
に設定する。第１導電部３１は、薄膜磁気変換素子２を
２個有する場合、薄膜磁気変換素子２間で共用すること
もできる。第２導電部３２は、図示では下部磁性膜２１
のの下面の全体に及んでいるが、下面または側面に部分
的に設けてもよい。第１導電部３１は、銅を主成分とす
る非磁性導電材料によって構成し、第２導電部３２はチ
タンを主成分とする非磁性導電材料によって構成するこ
とができる。第２導電部３２をチタンによって構成した
場合には、下部磁性膜２１のメッキ下地膜として利用で
きる。
【００１６】上述のように、接続導体３は、第１導電部
３１が絶縁膜１０２を貫通して導電性基体１０１に接続
され、第２導電部３２が絶縁膜１０２の上に設けられ第
１導電部３１と下部磁性膜２１とを電気的に接続してい
るので、下部磁性膜２１及び上部磁性膜２２が、アース
電位に保たれるスライダ１の導電性基体１０１と同電位
となる。このため、キャパシタへ電荷が蓄積されたとし
ても、アース電位にある磁性膜２１、２２のポール部２
１１、２２１と、同じくアース電位に保たれている媒体
（図示しない）との間で、キャパシタの蓄積電荷に起因
する放電を生じる余地がない。
３１が絶縁膜１０２を貫通して導電性基体１０１に接続
され、第２導電部３２が絶縁膜１０２の上に設けられ第
１導電部３１と下部磁性膜２１とを電気的に接続してい
るので、下部磁性膜２１及び上部磁性膜２２が、アース
電位に保たれるスライダ１の導電性基体１０１と同電位
となる。このため、キャパシタへ電荷が蓄積されたとし
ても、アース電位にある磁性膜２１、２２のポール部２
１１、２２１と、同じくアース電位に保たれている媒体
（図示しない）との間で、キャパシタの蓄積電荷に起因
する放電を生じる余地がない。
【００１７】しかも、接続導体３は、非磁性導電材料で
構成されているから、薄膜磁気回路に対する磁気的な影
響が小さくなり、設計に即した特性を有する薄膜磁気ヘ
ッドが得られる。
構成されているから、薄膜磁気回路に対する磁気的な影
響が小さくなり、設計に即した特性を有する薄膜磁気ヘ
ッドが得られる。
【００１８】更に、接続導体３は、第１導電部３１が絶
縁膜１０２を貫通して導電性基体１０１に接続され、第
２導電部３２が絶縁膜１０２の上に設けられているか
ら、保護膜２６等によって完全に覆われた状態で内部で
電気的接続が完結している。このため、電気的接続不良
等を生じる余地がなく、安定した電荷蓄積阻止作用が得
られる。
縁膜１０２を貫通して導電性基体１０１に接続され、第
２導電部３２が絶縁膜１０２の上に設けられているか
ら、保護膜２６等によって完全に覆われた状態で内部で
電気的接続が完結している。このため、電気的接続不良
等を生じる余地がなく、安定した電荷蓄積阻止作用が得
られる。
【００１９】図５は本発明に係る薄膜磁気ヘッドの別の
実施例における正面図である。図示では、薄膜磁気変換
素子２をレール１０３、１０４の片側１０３だけに設
け、レール１０４側に第１導電部３１を設けてある。
実施例における正面図である。図示では、薄膜磁気変換
素子２をレール１０３、１０４の片側１０３だけに設
け、レール１０４側に第１導電部３１を設けてある。
【００２０】図６〜図１５は本発明に係る薄膜磁気ヘッ
ドの製造方法例を示している。まず、Al2O3-TiC 等の導
電性基体１０１を用意（図６）し、導電性基体１０１の
面上に、導電膜３１０をスパッタ等によって形成（図
７）する。次に、導電膜３１０の上に、フォトリソグラ
フィ工程によって穴４２を持つレジストフレーム４１を
形成（図８）した後、穴４２の内部に導電膜３１１を、
メッキ等によって成長させる（図９）。次にレジストフ
レーム４１を除去（図１０）し、続いてミーリング等の
手段によって、導電膜３１１の下面以外の導電膜３１０
を除去（図１１）する。
ドの製造方法例を示している。まず、Al2O3-TiC 等の導
電性基体１０１を用意（図６）し、導電性基体１０１の
面上に、導電膜３１０をスパッタ等によって形成（図
７）する。次に、導電膜３１０の上に、フォトリソグラ
フィ工程によって穴４２を持つレジストフレーム４１を
形成（図８）した後、穴４２の内部に導電膜３１１を、
メッキ等によって成長させる（図９）。次にレジストフ
レーム４１を除去（図１０）し、続いてミーリング等の
手段によって、導電膜３１１の下面以外の導電膜３１０
を除去（図１１）する。
【００２１】次に、絶縁膜１０２を所望厚みとなるよう
にスパッタ等によって形成（図１２）した後、絶縁膜１
０２の表面を研磨（図１３）して導電膜３１１の表面の
面出しを行ない、導電膜３１０、導電膜３１１を含む第
１導電部３１を形成する。この後、望ましくは、第１導
電部３１を含む絶縁膜１０２の表面にメカノポリシング
処理を施して、第１導電部３１の表面を絶縁膜１０２の
表面から△ｈだけ突出させる（図１４）。
にスパッタ等によって形成（図１２）した後、絶縁膜１
０２の表面を研磨（図１３）して導電膜３１１の表面の
面出しを行ない、導電膜３１０、導電膜３１１を含む第
１導電部３１を形成する。この後、望ましくは、第１導
電部３１を含む絶縁膜１０２の表面にメカノポリシング
処理を施して、第１導電部３１の表面を絶縁膜１０２の
表面から△ｈだけ突出させる（図１４）。
【００２２】次に、第１導電部３１の表面に連なるよう
に、絶縁膜１０２の表面に、第２導電部３２を構成する
導電膜を、スパッタ等の手段によって形成（図１５）す
る。この後、通常の薄膜磁気変換素子製造工程を実行す
る。これにより、接続導体３及び薄膜磁気変換素子２
を、スライダ１の上で精度よく積層してゆくことが可能
である。
に、絶縁膜１０２の表面に、第２導電部３２を構成する
導電膜を、スパッタ等の手段によって形成（図１５）す
る。この後、通常の薄膜磁気変換素子製造工程を実行す
る。これにより、接続導体３及び薄膜磁気変換素子２
を、スライダ１の上で精度よく積層してゆくことが可能
である。
【００２３】図１６及び図１７は別の工程例を示す図で
ある。図１３または図１４の工程を経た後、導電膜３１
１及び導電膜３１０をエッチングによって除去（図１
６）し、除去されて残った穴４２の内部に導電性基体１
０１に導通する第１導電部３１を形成すると共に、第１
導電部３１に連続する第２導電部３２を形成（図１７）
する。
ある。図１３または図１４の工程を経た後、導電膜３１
１及び導電膜３１０をエッチングによって除去（図１
６）し、除去されて残った穴４２の内部に導電性基体１
０１に導通する第１導電部３１を形成すると共に、第１
導電部３１に連続する第２導電部３２を形成（図１７）
する。
【００２４】実施例では、面内記録再生用の薄膜磁気ヘ
ッドを示したが、垂直記録再生用の薄膜磁気ヘッドにも
同様に適用が可能である。
ッドを示したが、垂直記録再生用の薄膜磁気ヘッドにも
同様に適用が可能である。
【００２５】
【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば、次
のような効果が得られる。 （ａ）接続導体は、第１導電部が絶縁膜を貫通して導電
性基体に接続され、第２導電部が絶縁膜の上に設けられ
第１導電部と磁性膜とを電気的に接続しているので、磁
性膜とスライダとなる導電性基体と同電位に保ち、キャ
パシタへの電荷蓄積に起因する磁性膜のポ−ル部と媒体
との間の放電を阻止し、放電による読み取りデ−タ・エ
ラ−をなくした薄膜磁気ヘッドを提供できる。 （ｂ）接続導体は、第２導電部が非磁性導電材料で構成
されているから、薄膜磁気回路に対する磁気的な影響が
小さく、設計に即した特性を有する薄膜磁気ヘッドを提
供できる。 （ｃ）接続導体は、第１導電部が絶縁膜を貫通して導電
性基体に接続され、第２導電部が絶縁膜の上に設けられ
ているから、安定した放電防止作用が得られる薄膜磁気
ヘッドを提供できる。 （ｄ）接続導体は、第１導電部が絶縁膜を貫通して導電
性基体に接続され、第２導電部が絶縁膜の上に設けられ
ているから、接続導体及び薄膜磁気変換素子を基体の上
で精度よく積層し得る製造の容易な薄膜磁気ヘッドを提
供できる。
のような効果が得られる。 （ａ）接続導体は、第１導電部が絶縁膜を貫通して導電
性基体に接続され、第２導電部が絶縁膜の上に設けられ
第１導電部と磁性膜とを電気的に接続しているので、磁
性膜とスライダとなる導電性基体と同電位に保ち、キャ
パシタへの電荷蓄積に起因する磁性膜のポ−ル部と媒体
との間の放電を阻止し、放電による読み取りデ−タ・エ
ラ−をなくした薄膜磁気ヘッドを提供できる。 （ｂ）接続導体は、第２導電部が非磁性導電材料で構成
されているから、薄膜磁気回路に対する磁気的な影響が
小さく、設計に即した特性を有する薄膜磁気ヘッドを提
供できる。 （ｃ）接続導体は、第１導電部が絶縁膜を貫通して導電
性基体に接続され、第２導電部が絶縁膜の上に設けられ
ているから、安定した放電防止作用が得られる薄膜磁気
ヘッドを提供できる。 （ｄ）接続導体は、第１導電部が絶縁膜を貫通して導電
性基体に接続され、第２導電部が絶縁膜の上に設けられ
ているから、接続導体及び薄膜磁気変換素子を基体の上
で精度よく積層し得る製造の容易な薄膜磁気ヘッドを提
供できる。
【図１】本発明に係る薄膜磁気ヘッドの薄膜磁気変換素
子の部分の透視図である。
子の部分の透視図である。
【図２】本発明に係る薄膜磁気ヘッドを空気流出端側と
なる薄膜磁気変換素子側から見た正面図である。
なる薄膜磁気変換素子側から見た正面図である。
【図３】本発明に係る薄膜磁気ヘッドの接続導体構造を
モデル化して示す図である。
モデル化して示す図である。
【図４】本発明に係る薄膜磁気ヘッドの薄膜磁気変換素
子部分の拡大断面図である。
子部分の拡大断面図である。
【図５】本発明に係る薄膜磁気ヘッドの別の実施例にお
いて薄膜磁気変換素子側から見た正面図である。 図６〜図１５ 本発明に係る薄膜磁気ヘッドの製造工程例を示す図であ
る。 図１６及び図１７ 本発明に係る薄膜磁気ヘッドの別の製造工程例を示す図
である。
いて薄膜磁気変換素子側から見た正面図である。 図６〜図１５ 本発明に係る薄膜磁気ヘッドの製造工程例を示す図であ
る。 図１６及び図１７ 本発明に係る薄膜磁気ヘッドの別の製造工程例を示す図
である。
１ 基体 １０１ 導電性基体 １０２ 絶縁膜 ２ 薄膜磁気変換素子 ２１ 下部磁性膜 ２２ 上部磁性膜 ２３ コイル膜 ３ 接続導体 ３１ 第１導電部 ３２ 第２導電部
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成４年７月２５日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００３】一方、最近の小型ＨＤＤでは、パソコン搭
載を考慮してパソコン電源である５ボルト、１２ボルト
をそのまま利用すべく、小型ＨＤＤ用の読み書き用ＩＣ
も５ボルトの片電源を用いるようになっている。このた
め、薄膜磁気ヘッドは一定電圧、具体的には、２．５ボ
ルトの正電圧で常時バイアスされる。その結果、キャパ
シタはバイアス電圧により常時一方向に電荷が蓄積され
る。
載を考慮してパソコン電源である５ボルト、１２ボルト
をそのまま利用すべく、小型ＨＤＤ用の読み書き用ＩＣ
も５ボルトの片電源を用いるようになっている。このた
め、薄膜磁気ヘッドは一定電圧、具体的には、２．５ボ
ルトの正電圧で常時バイアスされる。その結果、キャパ
シタはバイアス電圧により常時一方向に電荷が蓄積され
る。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】図面の簡単な説明
【補正方法】変更
【補正内容】
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る薄膜磁気ヘッドの薄膜磁気変換素
子の部分の透視図である。
子の部分の透視図である。
【図２】本発明に係る薄膜磁気ヘッドを空気流出端側と
なる薄膜磁気変換素子側から見た正面図である。
なる薄膜磁気変換素子側から見た正面図である。
【図３】本発明に係る薄膜磁気ヘッドの接続導体構造を
モデル化して示す図である。
モデル化して示す図である。
【図４】本発明に係る薄膜磁気ヘッドの薄膜磁気変換素
子の部分拡大断面図である。
子の部分拡大断面図である。
【図５】本発明に係る薄膜磁気ヘッドの別の実施例にお
いて薄膜磁気変換素子側から見た正面図である。
いて薄膜磁気変換素子側から見た正面図である。
【図６】本発明に係る薄膜磁気ヘッドの製造工程例を示
す図である。
す図である。
【図７】本発明に係る薄膜磁気ヘッドの製造工程例を示
す図である。
す図である。
【図８】本発明に係る薄膜磁気ヘッドの製造工程例を示
す図である。
す図である。
【図９】本発明に係る薄膜磁気ヘッドの製造工程例を示
す図である。
す図である。
【図１０】本発明に係る薄膜磁気ヘッドの製造工程例を
示す図である。
示す図である。
【図１１】本発明に係る薄膜磁気ヘッドの製造工程例を
示す図である。
示す図である。
【図１２】本発明に係る薄膜磁気ヘッドの製造工程例を
示す図である。
示す図である。
【図１３】本発明に係る薄膜磁気ヘッドの製造工程例を
示す図である。
示す図である。
【図１４】本発明に係る薄膜磁気ヘッドの製造工程例を
示す図である。
示す図である。
【図１５】本発明に係る薄膜磁気ヘッドの製造工程例を
示す図である。
示す図である。
【図１６】本発明に係る薄膜磁気ヘッドの別の製造工程
例を示す図である。
例を示す図である。
【図１７】本発明に係る薄膜磁気ヘッドの別の製造工程
例を示す図である。
例を示す図である。
【符号の説明】 １ 基体 １０１ 導電性基体 １０２ 絶縁膜 ２ 薄膜磁気変換素子 ２１ 下部磁性膜 ２２ 上部磁性膜 ２３ コイル膜 ３ 接続導体 ３１ 第１導電部 ３２ 第２導電部
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】図１６及び図１７
【補正方法】変更
【補正内容】
【図１６】及び
【図１７】本発明に係る薄膜磁気ヘッドの別の製造工程
例を示す図である。
例を示す図である。
Claims (3)
- 【請求項１】 スライダと、薄膜磁気変換素子と、接続
導体とを有する薄膜磁気ヘッドであって、 前記スライダは、導電性基体の表面に絶縁膜を有してお
り、 前記薄膜磁気変換素子は、磁性膜とコイル膜とを含む薄
膜磁気回路を有し、前記絶縁膜の上に設けられており、 前記接続導体は、第１導電部と第２導電部とを有し、前
記第１導電部が前記絶縁膜を貫通して前記導電性基体に
接続され、前記第２導電部が非磁性導電材料で構成され
前記絶縁膜の上に設けられて前記第１導電部と前記磁性
膜とを電気的に接続していることを特徴とする薄膜磁気
ヘッド。 - 【請求項２】 前記第１導電部は、銅を主成分とするこ
とを特徴とする請求項１に記載の薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項３】 前記第２導電部は、チタンを主成分とす
ることを特徴とする請求項１または２に記載の薄膜磁気
ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22841591A JPH0737226A (ja) | 1991-08-13 | 1991-08-13 | 薄膜磁気ヘッド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22841591A JPH0737226A (ja) | 1991-08-13 | 1991-08-13 | 薄膜磁気ヘッド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0737226A true JPH0737226A (ja) | 1995-02-07 |
Family
ID=16876120
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22841591A Pending JPH0737226A (ja) | 1991-08-13 | 1991-08-13 | 薄膜磁気ヘッド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0737226A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61184711A (ja) * | 1985-02-13 | 1986-08-18 | Fujitsu Ltd | 薄膜磁気ヘツド |
| JPH01116910A (ja) * | 1987-10-29 | 1989-05-09 | Nec Corp | 薄膜ヘッド |
-
1991
- 1991-08-13 JP JP22841591A patent/JPH0737226A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61184711A (ja) * | 1985-02-13 | 1986-08-18 | Fujitsu Ltd | 薄膜磁気ヘツド |
| JPH01116910A (ja) * | 1987-10-29 | 1989-05-09 | Nec Corp | 薄膜ヘッド |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19960730 |