JPH0738388B2 - パタ−ン形成法 - Google Patents
パタ−ン形成法Info
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- JPH0738388B2 JPH0738388B2 JP7789687A JP7789687A JPH0738388B2 JP H0738388 B2 JPH0738388 B2 JP H0738388B2 JP 7789687 A JP7789687 A JP 7789687A JP 7789687 A JP7789687 A JP 7789687A JP H0738388 B2 JPH0738388 B2 JP H0738388B2
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- JP
- Japan
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- film
- pattern
- etching
- forming method
- gas
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- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、基板上に、直接またはレジストでなる第１の
膜を介して、シリコン樹脂でなる第２の膜を形成し、そ
の第２の膜上にパターン化され且つレジストでなる第３
の膜を形成し、そして、第２の膜に対する上記第３の膜
をマスクとするエッチングガスを用いたエッチング処理
によって、その第２の膜から、そのパターン化された第
４の膜を形成するという、パターン形成法の改良に関す
る。
膜を介して、シリコン樹脂でなる第２の膜を形成し、そ
の第２の膜上にパターン化され且つレジストでなる第３
の膜を形成し、そして、第２の膜に対する上記第３の膜
をマスクとするエッチングガスを用いたエッチング処理
によって、その第２の膜から、そのパターン化された第
４の膜を形成するという、パターン形成法の改良に関す
る。
従来の技術 従来、第１図を伴って次に述べるパターン形成法が提案
されている。
されている。
すなわち、基板１上にシリコン樹脂でなる膜２を、基板
１の表面に段差を有するとしても、表面が平坦になるよ
うに、比較的厚い厚さに、スピン法によって塗布形成す
る（第１図Ａ）。
１の表面に段差を有するとしても、表面が平坦になるよ
うに、比較的厚い厚さに、スピン法によって塗布形成す
る（第１図Ａ）。
次に、その膜２上に、紫外線レジスト、電子線レジス
ト、Ｘ線レジストなどのレジストでなる膜３を形成する
（第１図Ｂ）。
ト、Ｘ線レジストなどのレジストでなる膜３を形成する
（第１図Ｂ）。
次に、その膜３に対する、紫外線などを用いた露光処
理、続く現像処理によって、その膜３から、パターン化
され且つレジストでなる膜４を形成する（第１図Ｃ）。
理、続く現像処理によって、その膜３から、パターン化
され且つレジストでなる膜４を形成する（第１図Ｃ）。
次に、膜２に対する、膜４をマスクとするエッチングガ
スを用いたエッチング処理によって、膜４から、そのパ
ターン化された膜５を形成する（第１図Ｄ）。
スを用いたエッチング処理によって、膜４から、そのパ
ターン化された膜５を形成する（第１図Ｄ）。
以上が、従来提案されているパターン形成法（これを、
従来の第１のパターン形成法と称す）である。
従来の第１のパターン形成法と称す）である。
このようなパターン形成法によれば、基板１の表面に段
差を有していても、膜３が各部均一な厚さを有し且つ平
坦な表面を有するものとして形成されるので、その膜３
から得られる膜４を、所望のパターンに、微細且つ高精
度に容易に形成することができ、よって、膜５を微細且
つ高精度に容易に形成することができる。なお、この膜
５は、これをマスクとして用いて、基板１の表面をエッ
チングするのに用いられるものである。
差を有していても、膜３が各部均一な厚さを有し且つ平
坦な表面を有するものとして形成されるので、その膜３
から得られる膜４を、所望のパターンに、微細且つ高精
度に容易に形成することができ、よって、膜５を微細且
つ高精度に容易に形成することができる。なお、この膜
５は、これをマスクとして用いて、基板１の表面をエッ
チングするのに用いられるものである。
また、従来、第２図を伴って次に述べるパターン形成法
も提案されている。
も提案されている。
すなわち、基板１上に、第１図で上述した膜３と同様の
またはそれとは異種のレジストでなる膜６を、基板１の
表面に段差を有するとしても、表面が平坦になるように
比較的厚い厚さに形成し、次に、その膜６上に、第１図
で上述した膜２と同様のシリコン樹脂でなる膜７を形成
し、次に、その膜７上に、第１図で上述した膜３と同様
のレジストでなる膜８を形成する（第２図Ａ）。
またはそれとは異種のレジストでなる膜６を、基板１の
表面に段差を有するとしても、表面が平坦になるように
比較的厚い厚さに形成し、次に、その膜６上に、第１図
で上述した膜２と同様のシリコン樹脂でなる膜７を形成
し、次に、その膜７上に、第１図で上述した膜３と同様
のレジストでなる膜８を形成する（第２図Ａ）。
次に、第１図の場合において膜３から膜４を形成すると
同様の処理によって、膜８から、パターン化され且つレ
ジストでなる膜９を形成する（第２図Ｂ）。
同様の処理によって、膜８から、パターン化され且つレ
ジストでなる膜９を形成する（第２図Ｂ）。
次に、膜７に対する、膜９をマスクとするエッチングガ
スを用いたエッチング処理によって、膜７から、そのパ
ターン化された膜10を形成する（第２図Ｃ）。
スを用いたエッチング処理によって、膜７から、そのパ
ターン化された膜10を形成する（第２図Ｃ）。
以上が従来提案されているパターン形成法の他の実施例
（これを従来の第２のパターン形成法と称す）である。
（これを従来の第２のパターン形成法と称す）である。
このような従来の第２のパターン形成法によれば、基板
１の表面に段差を有していても、膜８が、従来の第１の
パターン形成法の膜３と同様に、各部均一な厚さを有し
且つ平坦な表面を有するものとして形成されるので、そ
の膜９から得られる膜９を、従来の第１のパターン形成
法の膜４と同様に、所望のパターンに、微細且つ高精度
に容易に形成することができ、よって、膜10を、従来の
第１のパターン形成法の膜５と同様に、微細且つ高精度
に容易に形成することができる。なお、この膜10は、こ
れをマスクとして用いて、膜６をエッチングし、次で、
基板１をエッチングするのに用いられるものである。
１の表面に段差を有していても、膜８が、従来の第１の
パターン形成法の膜３と同様に、各部均一な厚さを有し
且つ平坦な表面を有するものとして形成されるので、そ
の膜９から得られる膜９を、従来の第１のパターン形成
法の膜４と同様に、所望のパターンに、微細且つ高精度
に容易に形成することができ、よって、膜10を、従来の
第１のパターン形成法の膜５と同様に、微細且つ高精度
に容易に形成することができる。なお、この膜10は、こ
れをマスクとして用いて、膜６をエッチングし、次で、
基板１をエッチングするのに用いられるものである。
発明が解決しようとする問題点 しかしながら、上述した従来の第１のパターン形成法の
場合、シリコン樹脂でなる膜２からそれに対する、パタ
ーン化され且つレジストでなる膜４をマスクとするエッ
チング処理によって、パターン化され且つシリコン樹脂
でなる膜５を形成するのに用いるエッチングガスが、膜
２及び４とのエッチング速度比を十分大きくとれないガ
スであったので、膜２から膜５を形成するエッチング処
理時、膜４の幅が初期の幅から狭くなったりするため、
膜５を所期のパターンに微細且つ高精度に形成するのに
一定の限度を有していた。
場合、シリコン樹脂でなる膜２からそれに対する、パタ
ーン化され且つレジストでなる膜４をマスクとするエッ
チング処理によって、パターン化され且つシリコン樹脂
でなる膜５を形成するのに用いるエッチングガスが、膜
２及び４とのエッチング速度比を十分大きくとれないガ
スであったので、膜２から膜５を形成するエッチング処
理時、膜４の幅が初期の幅から狭くなったりするため、
膜５を所期のパターンに微細且つ高精度に形成するのに
一定の限度を有していた。
また、上述した従来の第１のパターン形成法の場合も、
シリコン樹脂でなる膜７からそれに対する、パターン化
され且つレジストでなる膜９をマスクとするエッチング
処理によって、パターン化され且つシリコン樹脂でなる
膜10を形成するのに用いるエッチングガスが、従来の第
１のパターン形成法の場合と同様に、膜７及び９とのエ
ッチング速度比を十分大きくとれないガスであったの
で、膜７から膜10を形成するエッチング処理時、従来の
第１のパターン形成法の場合と同様に、膜10の幅が初期
の幅から狭くなったりするため、膜５を所期のパターン
に微細且つ高精度に形成するのに一定の限度を有してい
た。
シリコン樹脂でなる膜７からそれに対する、パターン化
され且つレジストでなる膜９をマスクとするエッチング
処理によって、パターン化され且つシリコン樹脂でなる
膜10を形成するのに用いるエッチングガスが、従来の第
１のパターン形成法の場合と同様に、膜７及び９とのエ
ッチング速度比を十分大きくとれないガスであったの
で、膜７から膜10を形成するエッチング処理時、従来の
第１のパターン形成法の場合と同様に、膜10の幅が初期
の幅から狭くなったりするため、膜５を所期のパターン
に微細且つ高精度に形成するのに一定の限度を有してい
た。
問題点を解決するための手段 よって、本発明はは、上述した欠点のない、新規なパタ
ーン形成法を提案せんとするものである。
ーン形成法を提案せんとするものである。
本願第１番目の発明によるパターン形成法は、第１図及
び第２図で上述した従来のパターン形成法の場合と同様
に、基板上に直接またはレジストでなる第１の膜を介し
て、シリコン樹脂でなる第２の膜を形成し、その第２の
膜上にパターン化され且つレジストでなる第３の膜を形
成し、そして、第２の膜に対する第３の膜をマスクとす
るエッチングガスを用いたエッチング処理によって、第
２の膜から、そのパターン化された第４の膜を形成す
る。
び第２図で上述した従来のパターン形成法の場合と同様
に、基板上に直接またはレジストでなる第１の膜を介し
て、シリコン樹脂でなる第２の膜を形成し、その第２の
膜上にパターン化され且つレジストでなる第３の膜を形
成し、そして、第２の膜に対する第３の膜をマスクとす
るエッチングガスを用いたエッチング処理によって、第
２の膜から、そのパターン化された第４の膜を形成す
る。
しかしながら、本願第１番目の発明によるパターン形成
法は、このようなパターン形成法において、エッチング
ガスとして、CBrF3を含むガスを用いる。
法は、このようなパターン形成法において、エッチング
ガスとして、CBrF3を含むガスを用いる。
また、本願第２番目の発明によるパターン形成法は、上
述したパターン形成法において、エッチングガスとし
て、CBrF3と、窒素、酸素または不活性ガスとを含むガ
スを用いる。
述したパターン形成法において、エッチングガスとし
て、CBrF3と、窒素、酸素または不活性ガスとを含むガ
スを用いる。
作用・効果 上述した本願第１番目の発明によるパターン形成法によ
れば、エッチングガスとして、CBrF3を含むガスを用い
るため、そのエッチングガスが、第２の膜と、第３の膜
とのエッチング速度比を、前述した従来の第１及び第２
のパターン形成法に用いているエッチングガスに比し、
十分大きくとれ、従って、第２の膜から、第４の膜を形
成するエッチング処理時、第３の膜の幅が、初期の幅か
ら不必要に狭くなったりせず、このため、第４の膜を、
所期のパターンに微細且つ高精度に、従来の第１及び第
２のパターン形成法の場合に比し良好に、形成すること
ができる。
れば、エッチングガスとして、CBrF3を含むガスを用い
るため、そのエッチングガスが、第２の膜と、第３の膜
とのエッチング速度比を、前述した従来の第１及び第２
のパターン形成法に用いているエッチングガスに比し、
十分大きくとれ、従って、第２の膜から、第４の膜を形
成するエッチング処理時、第３の膜の幅が、初期の幅か
ら不必要に狭くなったりせず、このため、第４の膜を、
所期のパターンに微細且つ高精度に、従来の第１及び第
２のパターン形成法の場合に比し良好に、形成すること
ができる。
また、上述した本願第２番目の発明によるパターン形成
法によれば、エッチングガスとして、CBrF3と、窒素、
酸素または不活性ガスとを含むガスを用いているので、
そのエッチングガスのCBrF3によって、本願第１番目の
発明によるパターン形成法の場合と同様の作用、効果が
得られる外、第３の膜になるレジストでなる膜から、第
３の膜の形成する時、その第３の膜の外、第３の膜にな
るレジストでなる膜の一部が、第２の膜上に残留層とし
て残留し、また、エッチング処理時、その残留層上に
（CFx）ｎポリマーでなる層が堆積しても、その残留層
を、エッチングガスの窒素、酸素または不活性ガスによ
って、効果的にエッチング除去するので、第３の膜の形
成時、第２の膜上に上述した残留層が残留していても、
第４の膜を、所期のパターンに微細に且つ高精度に形成
することができる。
法によれば、エッチングガスとして、CBrF3と、窒素、
酸素または不活性ガスとを含むガスを用いているので、
そのエッチングガスのCBrF3によって、本願第１番目の
発明によるパターン形成法の場合と同様の作用、効果が
得られる外、第３の膜になるレジストでなる膜から、第
３の膜の形成する時、その第３の膜の外、第３の膜にな
るレジストでなる膜の一部が、第２の膜上に残留層とし
て残留し、また、エッチング処理時、その残留層上に
（CFx）ｎポリマーでなる層が堆積しても、その残留層
を、エッチングガスの窒素、酸素または不活性ガスによ
って、効果的にエッチング除去するので、第３の膜の形
成時、第２の膜上に上述した残留層が残留していても、
第４の膜を、所期のパターンに微細に且つ高精度に形成
することができる。
実施例１ 次に、本願第１番目の発明によるパターン形成法の第１
の実施例を述べよう。
の実施例を述べよう。
本願第１番目の発明によるパターン形成法の第１の実施
例においては、第１図で上述したと同様に、基板１上に
シリコン樹脂でなる膜２を、基板１の表面に段差を有す
るとしても、表面が平坦になるように、比較的厚い厚さ
に、スピン法によって塗布形成し（第１図Ａ）、次に、
その膜２上に、紫外線レジスト、電子線レジスト、Ｘ線
レジストなどのレジストでなる膜３を形成し（第１図
Ｂ）、次に、その膜３に対する、紫外線などを用いた露
光処理、続く現像処理によって、その膜３から、パター
ン化され且つレジストでなる膜４を形成し（第１図
Ｃ）、次に、膜２に対する、膜４をマスクとするエッチ
ングガスを用いたエッチング処理によって、膜４から、
そのパターン化された膜５を形成した（第１図Ｄ）。
例においては、第１図で上述したと同様に、基板１上に
シリコン樹脂でなる膜２を、基板１の表面に段差を有す
るとしても、表面が平坦になるように、比較的厚い厚さ
に、スピン法によって塗布形成し（第１図Ａ）、次に、
その膜２上に、紫外線レジスト、電子線レジスト、Ｘ線
レジストなどのレジストでなる膜３を形成し（第１図
Ｂ）、次に、その膜３に対する、紫外線などを用いた露
光処理、続く現像処理によって、その膜３から、パター
ン化され且つレジストでなる膜４を形成し（第１図
Ｃ）、次に、膜２に対する、膜４をマスクとするエッチ
ングガスを用いたエッチング処理によって、膜４から、
そのパターン化された膜５を形成した（第１図Ｄ）。
ただし、この場合、基板１として、表面に、アルミニウ
ムからなる配線パターンを形成している基板を用いた。
ムからなる配線パターンを形成している基板を用いた。
また、膜２を、トーレ・シリコン社製SR-2400でなるシ
リコン樹脂を、２μの厚さに塗布し、次で、その塗布層
を、窒素雰囲気中で、150℃、30分加熱して形成した。
リコン樹脂を、２μの厚さに塗布し、次で、その塗布層
を、窒素雰囲気中で、150℃、30分加熱して形成した。
さらに、膜３を、東京応化会社製紫外線レジストOFPR-8
00でなるレジストを、１μの厚さに塗布して形成した。
00でなるレジストを、１μの厚さに塗布して形成した。
また、膜４を、紫外線（ｇ線）を用いた露光、続く有機
アルカリによる現像処理によって、相隣る部間の間隔が
１μになるように形成した。
アルカリによる現像処理によって、相隣る部間の間隔が
１μになるように形成した。
さらに、膜５を、１×10-2Pa以下に排気された後、CBrF
3でなるガスがエッチングガスとして50sccm導入されて6
Paの圧力を有している室内で、そのエッチングガスに、
13.56MHzの高周波100Wを印加して、そのエッチングガス
をプラズマ化し、その状態を50分間保つという、エッチ
ング処理によって形成した。
3でなるガスがエッチングガスとして50sccm導入されて6
Paの圧力を有している室内で、そのエッチングガスに、
13.56MHzの高周波100Wを印加して、そのエッチングガス
をプラズマ化し、その状態を50分間保つという、エッチ
ング処理によって形成した。
しかるときは、膜５が、相隣る部間の距離を１μとして
いる、膜４のパターンに忠実なパターンに形成された。
いる、膜４のパターンに忠実なパターンに形成された。
なお、このときのCBrF3でなるエッチングガスは、膜２
及び４に対し、それぞれ第１表に示すエッチング速度を
呈し、従って、第１表に示す膜２と膜４とのエッチング
速度比を呈するものである。
及び４に対し、それぞれ第１表に示すエッチング速度を
呈し、従って、第１表に示す膜２と膜４とのエッチング
速度比を呈するものである。
ちなみに、エッチングガスが、CF4ガス、SF6ガス、CCl2
F2ガスでなる場合、そのエッチングガスは、膜２及び４
に対し、それぞれ第１表に示すエッチング速度を呈し、
従って、第１表に示す、膜２と膜４とのエッチング速度
比を呈するものである。
F2ガスでなる場合、そのエッチングガスは、膜２及び４
に対し、それぞれ第１表に示すエッチング速度を呈し、
従って、第１表に示す、膜２と膜４とのエッチング速度
比を呈するものである。
実施例２ 次に、本願第１番目の発明によるパターン形成法の第２
の実施例を述べよう。
の実施例を述べよう。
本願第１番目の発明によるパターン形成法の第２の実施
例においては、第２図で上述したと同様に、基板１上
に、第１図で上述した膜３と同様のまたはそれとは異種
のレジストでなる膜６を、基板１の表面に段差を有する
としても、表面が平坦になるように比較的厚い厚さに形
成し、次に、その膜６上に、第１図で上述した膜２と同
様のシリコン樹脂でなる膜７を形成し、次に、その膜７
上に、第１図で上述した膜３と同様のレジストでなる膜
８を形成し（第２図Ａ）、次に、第１図の場合において
膜３から膜４を形成すると同様の処理によって、膜８か
ら、パターン化され且つレジストでなる膜９を形成し
（第２図Ｂ）、次に、膜７に対する、膜９をマスクとす
るエッチングガスを用いたエッチング処理によって、膜
７から、そのパターン化された膜10を形成した（第２図
Ｃ）。
例においては、第２図で上述したと同様に、基板１上
に、第１図で上述した膜３と同様のまたはそれとは異種
のレジストでなる膜６を、基板１の表面に段差を有する
としても、表面が平坦になるように比較的厚い厚さに形
成し、次に、その膜６上に、第１図で上述した膜２と同
様のシリコン樹脂でなる膜７を形成し、次に、その膜７
上に、第１図で上述した膜３と同様のレジストでなる膜
８を形成し（第２図Ａ）、次に、第１図の場合において
膜３から膜４を形成すると同様の処理によって、膜８か
ら、パターン化され且つレジストでなる膜９を形成し
（第２図Ｂ）、次に、膜７に対する、膜９をマスクとす
るエッチングガスを用いたエッチング処理によって、膜
７から、そのパターン化された膜10を形成した（第２図
Ｃ）。
ただし、基板１として、本願第１番目の発明によるパタ
ーン形成法の第１の実施例の場合と同様のものを用い、
また、膜２、３及び４を本願第１番目の発明によるパタ
ーン形成法の第１の実施例１の場合と同様に形成し、さ
らに、エッチングガスとして、本願第１番目の発明によ
るパターン形成法の第１の実施例の場合と同様のガスを
用いた。
ーン形成法の第１の実施例の場合と同様のものを用い、
また、膜２、３及び４を本願第１番目の発明によるパタ
ーン形成法の第１の実施例１の場合と同様に形成し、さ
らに、エッチングガスとして、本願第１番目の発明によ
るパターン形成法の第１の実施例の場合と同様のガスを
用いた。
しかるときも、膜10が、本願第１番目の発明によるパタ
ーン形成法の第１の実施例の場合と同様に、膜９のパタ
ーンに忠実なパターンに形成された。
ーン形成法の第１の実施例の場合と同様に、膜９のパタ
ーンに忠実なパターンに形成された。
実施例３ 次に、本願第２番目の発明によるパターン形成法の第１
の実施例を述べるに、エッチングガスとして、（CBrF3
＋５％O2）ガスを用いたことを除いて、上述した本願第
１番目の発明によるパターン形成法の第１の実施例と同
様の方法によって膜５を形成した。
の実施例を述べるに、エッチングガスとして、（CBrF3
＋５％O2）ガスを用いたことを除いて、上述した本願第
１番目の発明によるパターン形成法の第１の実施例と同
様の方法によって膜５を形成した。
しかるときも、膜５が、本願第１番目の発明によるパタ
ーン形成法の場合と同様に、膜４のパターンに忠実なパ
ターンに形成された。
ーン形成法の場合と同様に、膜４のパターンに忠実なパ
ターンに形成された。
なお、このときの（CBrF3＋５％O2）でなるエッチング
ガスは、膜２及び４に対し、第２表に示すエッチング速
度を呈し、従って、第２表に示す膜２と膜４とのエッチ
ング速度比を呈するものである。
ガスは、膜２及び４に対し、第２表に示すエッチング速
度を呈し、従って、第２表に示す膜２と膜４とのエッチ
ング速度比を呈するものである。
実施例４ 次に、本願第２番目の発明によるパターン形成法の第２
の実施例を述べるに、エッチングガスとして、（CBrF3
＋５％O2）ガスを用いたことを除いて、上述した本願第
１番目の発明によるパターン形成法の第１の実施例と同
様の方法によって膜５を形成した。
の実施例を述べるに、エッチングガスとして、（CBrF3
＋５％O2）ガスを用いたことを除いて、上述した本願第
１番目の発明によるパターン形成法の第１の実施例と同
様の方法によって膜５を形成した。
しかるときも、膜10が、本願第２番目の発明によるパタ
ーン形成法の第２の実施例場合と同様に、膜９のパター
ンに忠実なパターンに形成された。
ーン形成法の第２の実施例場合と同様に、膜９のパター
ンに忠実なパターンに形成された。
実施例５ 次に、本願第２番目の発明によるパターン形成法の第３
の実施例を述べるに、エッチングガスとして、（CBrF3
＋10％N2）ガスを用いたことを除いて、上述した本願第
１番目の発明によるパターン形成法の第２の実施例と同
様の方法によって膜５を形成した。
の実施例を述べるに、エッチングガスとして、（CBrF3
＋10％N2）ガスを用いたことを除いて、上述した本願第
１番目の発明によるパターン形成法の第２の実施例と同
様の方法によって膜５を形成した。
しかるときも、膜５が、本願第２番目の発明によるパタ
ーン形成法の場合と同様に、膜４のパターンに忠実なパ
ターンに形成された。
ーン形成法の場合と同様に、膜４のパターンに忠実なパ
ターンに形成された。
なお、このときの（CBrF3＋10％N2）でなるエッチング
ガスは、膜２及び４に対し、第２表に示すエッチング速
度を呈し、従って、第２表に示す膜２と膜４とのエッチ
ング速度比を呈するものである。
ガスは、膜２及び４に対し、第２表に示すエッチング速
度を呈し、従って、第２表に示す膜２と膜４とのエッチ
ング速度比を呈するものである。
実施例６ 次に、本願第２番目の発明によるパターン形成法の第４
の実施例を述べるに、エッチングガスとして、（CBrF3
＋10％N2）ガスを用いたことを除いて、上述した本願第
２番目の発明によるパターン形成法の第２の実施例と同
様の方法によって膜10を形成した。
の実施例を述べるに、エッチングガスとして、（CBrF3
＋10％N2）ガスを用いたことを除いて、上述した本願第
２番目の発明によるパターン形成法の第２の実施例と同
様の方法によって膜10を形成した。
しかるときも、膜10が、本願第２番目の発明によるパタ
ーン形成法の第２の実施例の場合と同様に、膜９のパタ
ーンに忠実なパターンに形成された。
ーン形成法の第２の実施例の場合と同様に、膜９のパタ
ーンに忠実なパターンに形成された。
実施例７ 次に、本願第２番目の発明によるパターン形成法の第５
の実施例を述べるに、エッチングガスとして、（CBrF3
＋10％Ar）ガスを用いたことを除いて、上述した本願第
２番目の発明によるパターン形成法の第１の実施例と同
様の方法によって膜５を形成した。
の実施例を述べるに、エッチングガスとして、（CBrF3
＋10％Ar）ガスを用いたことを除いて、上述した本願第
２番目の発明によるパターン形成法の第１の実施例と同
様の方法によって膜５を形成した。
しかるときも、膜５が、本願第２番目の発明によるパタ
ーン形成法の第１の実施例の場合と同様に、膜４のパタ
ーンに忠実なパターンに形成された。
ーン形成法の第１の実施例の場合と同様に、膜４のパタ
ーンに忠実なパターンに形成された。
なお、このときの（CBrF3＋10％Ar）でなるエッチング
ガスは、膜２及び４に対し、第２表に示すエッチング速
度を呈し、従って、第２表に示す膜２と膜４とのエッチ
ング速度比を呈するものである。
ガスは、膜２及び４に対し、第２表に示すエッチング速
度を呈し、従って、第２表に示す膜２と膜４とのエッチ
ング速度比を呈するものである。
実施例８ 次に、本願第２番目の発明によるパターン形成法の第６
の実施例を述べるに、エッチングガスとして、（CBrF3
＋10％Ar）ガスを用いたことを除いて、上述した本願第
２番目の発明によるパターン形成法の第２の実施例と同
様の方法によって膜10を形成した。
の実施例を述べるに、エッチングガスとして、（CBrF3
＋10％Ar）ガスを用いたことを除いて、上述した本願第
２番目の発明によるパターン形成法の第２の実施例と同
様の方法によって膜10を形成した。
しかるときも、膜10が、本願第２番目の発明によるパタ
ーン形成法の場合と同様に、膜９のパターンに忠実なパ
ターンに形成された。
ーン形成法の場合と同様に、膜９のパターンに忠実なパ
ターンに形成された。
第１図及び第２図は、従来のパターン形成法を示す順次
の工程における略線的断面図である。 １……基板 ２、３、４、５……膜 ６、７、８、９、10……膜
の工程における略線的断面図である。 １……基板 ２、３、４、５……膜 ６、７、８、９、10……膜
Claims (2)
- 【請求項１】基板上に、直接またはレジストでなる第１
の膜を介して、シリコン樹脂でなる第２の膜を形成し、
該第２の膜上にパターン化され且つレジストでなる第３
の膜を形成し、上記第２の膜に対する上記第３の膜をマ
スクとするエッチングガスを用いたエッチング処理によ
って、上記第２の膜から、そのパターン化された第４の
膜を形成するパターン形成法において、 上記エッチングガスとして、CBrF3を含むガスを用いる
ことを特徴とするパターン形成法。 - 【請求項２】基板上に、直接またはレジストでなる第１
の膜を介して、シリコン樹脂でなる第２の膜を形成し、
該第２の膜上にパターン化され且つレジストでなる第３
の膜を形成し、上記第２の膜に対する上記第３の膜をマ
スクとするエッチングガスを用いたエッチング処理によ
って、上記第２の膜から、そのパターン化された第４の
膜を形成するパターン形成法において、 上記エッチングガスとして、CBrF3と、窒素、酸素また
は不活性ガスとを含むガスを用いることを特徴とするパ
ターン形成法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7789687A JPH0738388B2 (ja) | 1987-03-31 | 1987-03-31 | パタ−ン形成法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7789687A JPH0738388B2 (ja) | 1987-03-31 | 1987-03-31 | パタ−ン形成法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63244738A JPS63244738A (ja) | 1988-10-12 |
| JPH0738388B2 true JPH0738388B2 (ja) | 1995-04-26 |
Family
ID=13646838
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7789687A Expired - Lifetime JPH0738388B2 (ja) | 1987-03-31 | 1987-03-31 | パタ−ン形成法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0738388B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000079586A1 (en) * | 1999-06-24 | 2000-12-28 | Hitachi, Ltd. | Production method for semiconductor integrated circuit device and semiconductor integrated circuit device |
| JP2004101794A (ja) * | 2002-09-09 | 2004-04-02 | Toray Ind Inc | 半導体装置用平坦化組成物 |
-
1987
- 1987-03-31 JP JP7789687A patent/JPH0738388B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63244738A (ja) | 1988-10-12 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |