JPH0740629B2 - 電子装置用多層配線基板の製法 - Google Patents
電子装置用多層配線基板の製法Info
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- JPH0740629B2 JPH0740629B2 JP59180549A JP18054984A JPH0740629B2 JP H0740629 B2 JPH0740629 B2 JP H0740629B2 JP 59180549 A JP59180549 A JP 59180549A JP 18054984 A JP18054984 A JP 18054984A JP H0740629 B2 JPH0740629 B2 JP H0740629B2
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- Japan
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- polyimide
- thermal expansion
- multilayer wiring
- wiring board
- insulating layer
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- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/03—Use of materials for the substrate
- H05K1/0313—Organic insulating material
- H05K1/032—Organic insulating material consisting of one material
- H05K1/0346—Organic insulating material consisting of one material containing N
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/531—Shapes of wire connectors
- H10W72/536—Shapes of wire connectors the connected ends being ball-shaped
-
- H—ELECTRICITY
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- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
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- H10W72/5363—Shapes of wire connectors the connected ends being wedge-shaped
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- Polymers With Sulfur, Phosphorus Or Metals In The Main Chain (AREA)
- Macromolecular Compounds Obtained By Forming Nitrogen-Containing Linkages In General (AREA)
- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔発明の利用分野〕 本発明は、特定の化学構造を有するポリイミド系の低熱
膨張樹脂からなる絶縁層と、導電層とを有する電子装置
用多層配線基板の製法に関する。
膨張樹脂からなる絶縁層と、導電層とを有する電子装置
用多層配線基板の製法に関する。
有機ポリマーの熱膨張係数（線膨張係数）は、ガラス転
移温度以下の温度領域においても、ほとんどのものが４
×10-3K-1以上と、金属や無機物のそれに比べてはるか
に大きな値を有する。有機物の線膨張係数が大きいこと
に起因する問題は極めて多く、有機ポリマーの用途展開
が思うように進行しない理由がすべてここにあると言っ
ても過言ではない。
移温度以下の温度領域においても、ほとんどのものが４
×10-3K-1以上と、金属や無機物のそれに比べてはるか
に大きな値を有する。有機物の線膨張係数が大きいこと
に起因する問題は極めて多く、有機ポリマーの用途展開
が思うように進行しない理由がすべてここにあると言っ
ても過言ではない。
セラミック基板上にポリイミド絶縁層と金属薄膜の導電
層とで薄膜多層配線を形成する場合、該薄膜層の厚さが
150μｍ以上になると、熱膨張係数の差に起因する熱応
力のためのポリイミドとセラミックあるいは導電層とポ
リイミド等の界面やその近傍でクラック、はくり、基板
の破壊などが起こる。
層とで薄膜多層配線を形成する場合、該薄膜層の厚さが
150μｍ以上になると、熱膨張係数の差に起因する熱応
力のためのポリイミドとセラミックあるいは導電層とポ
リイミド等の界面やその近傍でクラック、はくり、基板
の破壊などが起こる。
例えば、LSIなどのシリコンウエハの保護に形成する保
護膜の表面を如何に平坦に形成するかが課題となってい
る。即ち、微細配線の形成時のリソグラフィ工程で、段
差があればその焦点深度が異なり微細配線の精度が低下
する。ポリイミドはこうした平坦性には優れているが、
シリコンウエハとの熱膨張係数の差に起因する熱応力に
よりウエハが反って、パターニングのためのフォトリソ
グラフイができなかったり、シリコンウエハをへき開破
壊することがある。
護膜の表面を如何に平坦に形成するかが課題となってい
る。即ち、微細配線の形成時のリソグラフィ工程で、段
差があればその焦点深度が異なり微細配線の精度が低下
する。ポリイミドはこうした平坦性には優れているが、
シリコンウエハとの熱膨張係数の差に起因する熱応力に
よりウエハが反って、パターニングのためのフォトリソ
グラフイができなかったり、シリコンウエハをへき開破
壊することがある。
しかし、有機材料の熱膨張係数が大きいことは従来の常
識であり、従って、低熱膨張性の有機材料の開発はこう
した材料研究者の夢で、その解決は当業界に大きなイン
パクトを与えるものである。
識であり、従って、低熱膨張性の有機材料の開発はこう
した材料研究者の夢で、その解決は当業界に大きなイン
パクトを与えるものである。
本発明者らはこのような事情に鑑み、先ず、耐熱樹脂材
料、特にポリイミドについて多くの合成実験を試み、原
料成分と熱膨張係数との関係について詳細に検討した。
ポリイミドとしてはこれまで、米国特許第3179614号
明細書（duPont）、C.E.Sroog,“Polyimides",J.Poly
m.Sci.:Macromol.Rev.,11,161−208（1976）、N.A.Ad
rova and M.M.Koton,Dokl.Akad.Nauk.SSSR,165,1069（1
965）、M.M.Koton and Yu.N.Sazonov,J.Therm.Analy
s,7（1975）,165、M.M.Koton、Polym.Sci.U.S.S.R.2
1,2756（1979）等に示されているように多種多様のもの
が提供されている。
料、特にポリイミドについて多くの合成実験を試み、原
料成分と熱膨張係数との関係について詳細に検討した。
ポリイミドとしてはこれまで、米国特許第3179614号
明細書（duPont）、C.E.Sroog,“Polyimides",J.Poly
m.Sci.:Macromol.Rev.,11,161−208（1976）、N.A.Ad
rova and M.M.Koton,Dokl.Akad.Nauk.SSSR,165,1069（1
965）、M.M.Koton and Yu.N.Sazonov,J.Therm.Analy
s,7（1975）,165、M.M.Koton、Polym.Sci.U.S.S.R.2
1,2756（1979）等に示されているように多種多様のもの
が提供されている。
しかし、実際に合成され、あるいは実用に供されている
ものは極めて少ない。これまで、実際に合成が試みら
れ、報告あるいは市販されているものとしてはジアミノ
ジフェニルエーテル、ジアミノジフェニルメタン、パラ
フェニレンジアミンあるいはジアミノフェニルサルファ
イドのような芳香族ジアミンと、ピロメリット酸二無水
物、ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、テトラ
カルボキシジフェニルエーテル二無水物あるいはブタン
テトラカルボン酸二無水物のようなテトラカルボン酸二
無水物を原料としたポリイミドがあるに過ぎない。しか
し、これらのポリイミドの線膨張係数は４〜６×10-5K
-1と極めて大きい。
ものは極めて少ない。これまで、実際に合成が試みら
れ、報告あるいは市販されているものとしてはジアミノ
ジフェニルエーテル、ジアミノジフェニルメタン、パラ
フェニレンジアミンあるいはジアミノフェニルサルファ
イドのような芳香族ジアミンと、ピロメリット酸二無水
物、ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、テトラ
カルボキシジフェニルエーテル二無水物あるいはブタン
テトラカルボン酸二無水物のようなテトラカルボン酸二
無水物を原料としたポリイミドがあるに過ぎない。しか
し、これらのポリイミドの線膨張係数は４〜６×10-5K
-1と極めて大きい。
ところが、本発明者らはさらに合成実験を行った結果、
下記のような特定の芳香族ジアミンとテトラカルボン酸
二無水物とから得られるポリイミドが前述のポリイミド
よりも非常に小さな線膨張係数と極めてすぐれた引張り
強度とを有する事実を発見した。本発明はこのような発
見に基づいてなされたものである。
下記のような特定の芳香族ジアミンとテトラカルボン酸
二無水物とから得られるポリイミドが前述のポリイミド
よりも非常に小さな線膨張係数と極めてすぐれた引張り
強度とを有する事実を発見した。本発明はこのような発
見に基づいてなされたものである。
本発明の目的は、シリコンウエハ、セラミックスあるい
はガラス等の無機質（但し、金属は除く）基板上に、該
基板に近い熱膨張係数を有し、かつ、優れた機械的性質
を有する低熱膨張性樹脂の絶縁層と金属薄膜等の導電層
を有する熱応力の殆どない電子装置用多層配線基板の製
法を提供することにある。
はガラス等の無機質（但し、金属は除く）基板上に、該
基板に近い熱膨張係数を有し、かつ、優れた機械的性質
を有する低熱膨張性樹脂の絶縁層と金属薄膜等の導電層
を有する熱応力の殆どない電子装置用多層配線基板の製
法を提供することにある。
前記目的を達成する本発明の要旨は下記のとおりであ
る。
る。
（１）無機質（但し、金属を除く）の基板上に導体と絶
縁層とを有する電子装置用多層配線基板の製法におい
て、前記絶縁層として、一般式 H2N−Ar1−NH2 …（１）と、 または／および とを反応させて得られるポリアミック酸〔式（１）
（２）（３）中、Ar1は を示し、Ｒは低級アルキル基、低級アルコキシ基、フッ
素化アルコキシ基、アシル基またはハロゲンを示し、ｎ
は１〜４の整数、ｍは０または１〜３の整数を示し、X,
Yはハロゲン、−OR′または−OHを示し、Ｒ′は低級ア
ルキル基、フツ素化アルコキシ基を示し、これらは互い
に異なっていてもよい。但しテトラカルボン酸成分とし
てピロメリット酸成分を含む場合は、該ピロメリット酸
成分の割合は50モル％未満である。〕を直接塗布した後
イミド化するか、または、該ポリアミック酸をイミド化
したポリイミドフィルムを接着して、厚さ２μｍ以上で
線膨張係数が0.2〜3.2×10-5K-の絶縁層を形成すること
を特徴とする電子装置用多層配線基板の製法。
縁層とを有する電子装置用多層配線基板の製法におい
て、前記絶縁層として、一般式 H2N−Ar1−NH2 …（１）と、 または／および とを反応させて得られるポリアミック酸〔式（１）
（２）（３）中、Ar1は を示し、Ｒは低級アルキル基、低級アルコキシ基、フッ
素化アルコキシ基、アシル基またはハロゲンを示し、ｎ
は１〜４の整数、ｍは０または１〜３の整数を示し、X,
Yはハロゲン、−OR′または−OHを示し、Ｒ′は低級ア
ルキル基、フツ素化アルコキシ基を示し、これらは互い
に異なっていてもよい。但しテトラカルボン酸成分とし
てピロメリット酸成分を含む場合は、該ピロメリット酸
成分の割合は50モル％未満である。〕を直接塗布した後
イミド化するか、または、該ポリアミック酸をイミド化
したポリイミドフィルムを接着して、厚さ２μｍ以上で
線膨張係数が0.2〜3.2×10-5K-の絶縁層を形成すること
を特徴とする電子装置用多層配線基板の製法。
（２）無機質（但し、金属を除く）の基板上に導体と絶
縁層とを有する電子装置用多層配線基板の製法におい
て、前記絶縁層として、 前記一般式（１）と、 前記一般式（２）または／および前記一般式（３）とを
反応させて得られるポリアミック酸〔上記各一般式の記
号の説明は前項（１）と同じ〕と、 該ポリアミック酸以外のポリイミド前駆体を35重量％以
内で共重合あるいはブレンドしたものを直接塗布した後
イミド化するか、または、上記共重合あるいはブレンド
したポリアミック酸をイミド化したポリイミドフィルム
を接着して、厚さが２μｍ以上で線膨張係数が0.2〜3.2
×10-5K-の絶縁層を形成することを特徴とする電子装置
用多層配線基板の製法。
縁層とを有する電子装置用多層配線基板の製法におい
て、前記絶縁層として、 前記一般式（１）と、 前記一般式（２）または／および前記一般式（３）とを
反応させて得られるポリアミック酸〔上記各一般式の記
号の説明は前項（１）と同じ〕と、 該ポリアミック酸以外のポリイミド前駆体を35重量％以
内で共重合あるいはブレンドしたものを直接塗布した後
イミド化するか、または、上記共重合あるいはブレンド
したポリアミック酸をイミド化したポリイミドフィルム
を接着して、厚さが２μｍ以上で線膨張係数が0.2〜3.2
×10-5K-の絶縁層を形成することを特徴とする電子装置
用多層配線基板の製法。
前記の低熱膨張性ポリイミドは、分子骨格がほぼ直線で
棒状の分子鎖を有するため、ものによっては機械的に脆
かったりあるいは接着性に乏しい場合がある。これを改
善するためには、低熱膨張性が損なわれない程度に、他
のフレキシブルなポリイミドを共重合、または、ブレン
ドして用いることができる。但し、その配合量は35重量
％以内が望ましい。
棒状の分子鎖を有するため、ものによっては機械的に脆
かったりあるいは接着性に乏しい場合がある。これを改
善するためには、低熱膨張性が損なわれない程度に、他
のフレキシブルなポリイミドを共重合、または、ブレン
ドして用いることができる。但し、その配合量は35重量
％以内が望ましい。
ポリフェニレンなどの芳香族ポリマーは、一般に剛直で
あるが脆いという欠点があり、芳香環と芳香環の間に−
Ｏ−，−Ｓ−，−(CH2)P−， などのフレキシブルな結合を導入して、ポリマー全体を
可撓化されている。また、芳香環の結合位置も、オルト
位やメタ位にすると可撓化される。ポリイミドも同様で
あり、現在工業化されているポリイミドは全てが、これ
らの中から選ばれた結合を有している。それ故に、本発
明の低熱膨張性ポリマーはこれまで見出されていなかっ
た。
あるが脆いという欠点があり、芳香環と芳香環の間に−
Ｏ−，−Ｓ−，−(CH2)P−， などのフレキシブルな結合を導入して、ポリマー全体を
可撓化されている。また、芳香環の結合位置も、オルト
位やメタ位にすると可撓化される。ポリイミドも同様で
あり、現在工業化されているポリイミドは全てが、これ
らの中から選ばれた結合を有している。それ故に、本発
明の低熱膨張性ポリマーはこれまで見出されていなかっ
た。
第１図は、種々の材料の熱膨張係数を示したものであ
る。この図から一般的な有機ポリマーの熱膨張係数が金
属やセラミックスなどに比べて大きいが、本発明が用い
たポリイミドの熱膨張係数がいかに小さいかが一目瞭然
である。熱膨張係数が金属やセラミックスなどの無機材
料と同程度に小さいと、無機材料に有機材料を組合せた
場合、温度変化に対しても無機材料と同様に寸法変化す
るため熱応力や反りが起こらず、工業的には非常に有用
である。これまでのこうした有機材料の最大の欠点は、
熱膨張係数が無機材料に比べてはるかに大きい点にある
と言っても決して過言ではない。
る。この図から一般的な有機ポリマーの熱膨張係数が金
属やセラミックスなどに比べて大きいが、本発明が用い
たポリイミドの熱膨張係数がいかに小さいかが一目瞭然
である。熱膨張係数が金属やセラミックスなどの無機材
料と同程度に小さいと、無機材料に有機材料を組合せた
場合、温度変化に対しても無機材料と同様に寸法変化す
るため熱応力や反りが起こらず、工業的には非常に有用
である。これまでのこうした有機材料の最大の欠点は、
熱膨張係数が無機材料に比べてはるかに大きい点にある
と言っても決して過言ではない。
本発明の低熱膨張性ポリイミドは、芳香族ジアミンある
いは芳香族ジイソシアナートと、芳香族テトラカルボン
酸誘導体の反応によって得ることができる。
いは芳香族ジイソシアナートと、芳香族テトラカルボン
酸誘導体の反応によって得ることができる。
テトラカルボン酸誘導体としてはエステル、酸無水物、
酸塩化物があるが、酸無水物は合成上好ましい。合成反
応は、一般的にはＮ−メチルピロリドン（NMP）、ジメ
チルホルムアミド（DMF）、ジメチルアセトアミド（DMA
C）、ジメチルスルホキサイド（DMSO）、硫酸ジメチ
ル、スルホラン、ブチロラクトン、クレゾール、フェノ
ール、ハロゲン化フェノール、シクロヘキサノン、ジオ
キサンなどの溶液中で、０〜200℃で行なわれる。
酸塩化物があるが、酸無水物は合成上好ましい。合成反
応は、一般的にはＮ−メチルピロリドン（NMP）、ジメ
チルホルムアミド（DMF）、ジメチルアセトアミド（DMA
C）、ジメチルスルホキサイド（DMSO）、硫酸ジメチ
ル、スルホラン、ブチロラクトン、クレゾール、フェノ
ール、ハロゲン化フェノール、シクロヘキサノン、ジオ
キサンなどの溶液中で、０〜200℃で行なわれる。
本発明に用いられる芳香族ジアミンとしては、次のもの
が挙げられる。
が挙げられる。
ｏ−トリジン、ｍ−トリジン、3,3′,5,5′−テトラメ
チルベンジジン、3,3′−ジメトキシベンジジン、3,3′
−ジアセチルベンジジン、3,3′−ジフルオロベンジジ
ン、オクタフルオロベンジジン、3,3′−ジクロルベン
ジジン、4,4″−ジアミノ−3,3′−ジメチルターフェニ
ル、2,5−ジアミノジフェニル、これらのジイソシアナ
ート化合物も同様に使用できる。
チルベンジジン、3,3′−ジメトキシベンジジン、3,3′
−ジアセチルベンジジン、3,3′−ジフルオロベンジジ
ン、オクタフルオロベンジジン、3,3′−ジクロルベン
ジジン、4,4″−ジアミノ−3,3′−ジメチルターフェニ
ル、2,5−ジアミノジフェニル、これらのジイソシアナ
ート化合物も同様に使用できる。
本発明に用いるテトラカルボン酸誘導体としては、3,
3′,4,4′−ビフェニルテトラカルボン酸、5,5′−ジメ
チル−3,3′,4,4′−ビフェニルテトラカルボン酸、ピ
ロメリット酸、メチルピロメリット酸、ジメチルピロメ
リット酸またはこれらの酸無水物、酸塩化物、エステル
などが挙げられる。
3′,4,4′−ビフェニルテトラカルボン酸、5,5′−ジメ
チル−3,3′,4,4′−ビフェニルテトラカルボン酸、ピ
ロメリット酸、メチルピロメリット酸、ジメチルピロメ
リット酸またはこれらの酸無水物、酸塩化物、エステル
などが挙げられる。
上記の誘導体の中でも、副生成物がなく反応性も高い酸
無水物が最も使い易い。また、反応性の点では酸塩化物
が最も強くて好ましい。
無水物が最も使い易い。また、反応性の点では酸塩化物
が最も強くて好ましい。
前記ポリイミド原料中で、Ar1，Ar2成分ともベンゼン環
が１個のものは、特に、ポリイミドフィルムにした場合
に機械的に脆いので好ましくない。
が１個のものは、特に、ポリイミドフィルムにした場合
に機械的に脆いので好ましくない。
また、エーテル結合、チオエーテル結合、カルボニル結
合、スルフォン結合、イソプロピリデン結合、６フッ化
イソプロピリデン結合等を骨格中に有するジアミンやテ
トラカルボン酸で変性することにより、フレキシブルな
特性を向上することができる。また、接着性を向上させ
るにはシロキサンを骨格中に有するジアミンやテトラカ
ルボン酸の添加が効果がある。これらのフレキシブルな
ポリイミドは熱膨張係数が大きいため、添加量は35重量
％が限度で、好ましくは25重量％以下である。
合、スルフォン結合、イソプロピリデン結合、６フッ化
イソプロピリデン結合等を骨格中に有するジアミンやテ
トラカルボン酸で変性することにより、フレキシブルな
特性を向上することができる。また、接着性を向上させ
るにはシロキサンを骨格中に有するジアミンやテトラカ
ルボン酸の添加が効果がある。これらのフレキシブルな
ポリイミドは熱膨張係数が大きいため、添加量は35重量
％が限度で、好ましくは25重量％以下である。
また、ヒドラジンなどのアルカリでエッチングする場合
は、テトラカルボン酸成分としてピロメリット酸誘導体
を50モル％未満で使用すると、エッチングが可能な組成
となる。それ以上では脆くなる。
は、テトラカルボン酸成分としてピロメリット酸誘導体
を50モル％未満で使用すると、エッチングが可能な組成
となる。それ以上では脆くなる。
本発明の低熱膨張性ポリイミドは、低熱膨張性でないポ
リマーをかなりの量ブレンドまたは共重合させても、そ
の性質をあまり失わない。本発明のポリイミドの中には
多少機械的に脆いものも含まれるが、そのようなものに
対して、フレキシブルなポリマーをブレンドあるいは共
重合させることは好ましい場合もある。ブレンドあるい
は共重合し得るポリマーとしては、例えば次のようなジ
アミンとテトラカルボン酸誘導体から得られるポリイミ
ドがある。
リマーをかなりの量ブレンドまたは共重合させても、そ
の性質をあまり失わない。本発明のポリイミドの中には
多少機械的に脆いものも含まれるが、そのようなものに
対して、フレキシブルなポリマーをブレンドあるいは共
重合させることは好ましい場合もある。ブレンドあるい
は共重合し得るポリマーとしては、例えば次のようなジ
アミンとテトラカルボン酸誘導体から得られるポリイミ
ドがある。
芳香族ジアミンの具体例を挙げると、ｍ−フェニレンジ
アミン、4,4′−ジアミノジフェニルメタン、1,2−ビス
（アニリノ）エタン、4,4′−ジアミノジフェニルエー
テル、ジアミノジフェニルスルホン、2,2−ビス（ｐ−
アミノフェニル）プロパン、2,2−ビス（ｐ−アミノフ
ェニル）ヘキサフルオロプロパン、3,3′−ジメチル−
4,4′−ジアミノジフェニルエーテル、3,3′−ジメチル
−4,4′−ジアミノジフェニルメタン、ジアミノトルエ
ン、ジアミノベンゾトリフルオライド、1,4−ビス（ｐ
−アミノフェノキシ）ベンゼン、4,4′−ビス（ｐ−ア
ミノフェノキシ）ビフェニル、2,2−ビス〔４−（ｐ−
アミノフェノキシ）フェニル〕プロパン、ジアミノアン
トラキノン、4,4′−ビス（３−アミノフェノキシフェ
ニル）ジフェニルスルホン、1,3−ビス（アニリノ）ヘ
キサフルオロプロパン、1,4−ビス（アニリノ）オクタ
フルオロブタン、1,5−ビス（アニリノ）デカフルオロ
ペンタン、1,7−ビス（アニリノ）テトラデカフルオロ
ヘプタン、 （R5，R7は２価の有機基、R4，R6は１価の有機基、p,q
は１より大きい整数）で示されるジアミノシロキサン、
2,2−ビス〔４−（ｐ−アミノフェノキシ）フェニル〕
ヘキサフルオロプロパン、2,2−ビス〔４−（３−アミ
ノフェノキシ）フェニル〕ヘキサフルオロプロパン、2,
2−ビス〔４−（２−アミノフェノキシ）フェニル〕ヘ
キサフルオロプロパン、2,2−ビス〔４−（４−アミノ
フェノキシ）−3,5−ジメチルフェニル〕ヘキサフルオ
ロプロパン、2,2−ビス〔４−（４−アミノフェノキ
シ）−3,5−ジトリフルオロメチルフェニル〕ヘキサフ
ルオロプロパン、ｐ−ビス（４−アミノ−２−トリフル
オロメチルフェノキシ）ベンゼン、4,4′−ビス（４−
アミノ−２−トリフルオロメチルフェノキシ）ビフェニ
ル、4,4′−ビス（４−アミノ−３−トリフルオロメチ
ルフェノキシ）ビフェニル、4,4′−ビス（４−アミノ
−２−トリフルオロメチルフェノキシ）ジフェニルスル
ホン、4,4′−ビス（３−アミノ−５−トリフルオロメ
チルフェノキシ）ジフェニルスルホン、2,2−ビス〔４
−（４−アミノ−３−トリフルオロメチルフェノキシ）
フェニル〕ヘキサフルオロプロパンなどのジアミン類、
並びにこれらのジアミンとホスゲンなどの反応によって
得られるジイソシアナート、例えばトリレンジイソシア
ナート、ジフェニルメタンジイソシアナート、ナフタレ
ンジイソシアナート、ジフェニルエーテルジイソシアナ
ート、フェニレン−1,3−ジイソシアナートなどの芳香
族ジイソシアナート類がある。
アミン、4,4′−ジアミノジフェニルメタン、1,2−ビス
（アニリノ）エタン、4,4′−ジアミノジフェニルエー
テル、ジアミノジフェニルスルホン、2,2−ビス（ｐ−
アミノフェニル）プロパン、2,2−ビス（ｐ−アミノフ
ェニル）ヘキサフルオロプロパン、3,3′−ジメチル−
4,4′−ジアミノジフェニルエーテル、3,3′−ジメチル
−4,4′−ジアミノジフェニルメタン、ジアミノトルエ
ン、ジアミノベンゾトリフルオライド、1,4−ビス（ｐ
−アミノフェノキシ）ベンゼン、4,4′−ビス（ｐ−ア
ミノフェノキシ）ビフェニル、2,2−ビス〔４−（ｐ−
アミノフェノキシ）フェニル〕プロパン、ジアミノアン
トラキノン、4,4′−ビス（３−アミノフェノキシフェ
ニル）ジフェニルスルホン、1,3−ビス（アニリノ）ヘ
キサフルオロプロパン、1,4−ビス（アニリノ）オクタ
フルオロブタン、1,5−ビス（アニリノ）デカフルオロ
ペンタン、1,7−ビス（アニリノ）テトラデカフルオロ
ヘプタン、 （R5，R7は２価の有機基、R4，R6は１価の有機基、p,q
は１より大きい整数）で示されるジアミノシロキサン、
2,2−ビス〔４−（ｐ−アミノフェノキシ）フェニル〕
ヘキサフルオロプロパン、2,2−ビス〔４−（３−アミ
ノフェノキシ）フェニル〕ヘキサフルオロプロパン、2,
2−ビス〔４−（２−アミノフェノキシ）フェニル〕ヘ
キサフルオロプロパン、2,2−ビス〔４−（４−アミノ
フェノキシ）−3,5−ジメチルフェニル〕ヘキサフルオ
ロプロパン、2,2−ビス〔４−（４−アミノフェノキ
シ）−3,5−ジトリフルオロメチルフェニル〕ヘキサフ
ルオロプロパン、ｐ−ビス（４−アミノ−２−トリフル
オロメチルフェノキシ）ベンゼン、4,4′−ビス（４−
アミノ−２−トリフルオロメチルフェノキシ）ビフェニ
ル、4,4′−ビス（４−アミノ−３−トリフルオロメチ
ルフェノキシ）ビフェニル、4,4′−ビス（４−アミノ
−２−トリフルオロメチルフェノキシ）ジフェニルスル
ホン、4,4′−ビス（３−アミノ−５−トリフルオロメ
チルフェノキシ）ジフェニルスルホン、2,2−ビス〔４
−（４−アミノ−３−トリフルオロメチルフェノキシ）
フェニル〕ヘキサフルオロプロパンなどのジアミン類、
並びにこれらのジアミンとホスゲンなどの反応によって
得られるジイソシアナート、例えばトリレンジイソシア
ナート、ジフェニルメタンジイソシアナート、ナフタレ
ンジイソシアナート、ジフェニルエーテルジイソシアナ
ート、フェニレン−1,3−ジイソシアナートなどの芳香
族ジイソシアナート類がある。
また、テトラカルボン酸並びにその誘導体としては次の
ようなものが挙げられる。ここではテトラカルボン酸と
して例示するが、これらのエステル化物、酸無水物、酸
塩化物ももちろん使用できる。2,3,3′,4′−テトラカ
ルボキシジフェニル、3,3′,4,4′−テトラカルボキシ
フェニルエーテル、2,3,3′,4′−テトラカルボキシジ
フェニルエーテル、3,3′,4,4′−テトラカルボキシベ
ンゾフェノン、2,3,3′,4′−テトラカルボキシベンゾ
フェノン、2,3,6,7−テトラカルボキシナフタレン、1,
4,5,7−テトラカルボキシナフタレン、1,2,5,6−テトラ
カルボキシナフタレン、3,3′,4,4′−テトラカルボキ
シジフェニルメタン、2,2−ビス（3,4−ジカルボキシフ
ェニル）プロパン、2,2−ビス（3,4−ジカルボキシフェ
ニル）ヘキサフルオロプロパン、3,3′,4,4′−テトラ
カルボキシジフェニルスルホン、3,4,9,10−テトラカル
ボキシペリレン、2,2−ビス〔４−（3,4−ジカルボキシ
フェノキシ）フェニル〕プロパン、2,2−ビス〔４−
（3,4−ジカルボキシフェノキシ）フェニル〕ヘキサフ
ルオロプロパン、ブタンテトラカルボン酸、シクロペン
タンテトラカルボン酸などがある。
ようなものが挙げられる。ここではテトラカルボン酸と
して例示するが、これらのエステル化物、酸無水物、酸
塩化物ももちろん使用できる。2,3,3′,4′−テトラカ
ルボキシジフェニル、3,3′,4,4′−テトラカルボキシ
フェニルエーテル、2,3,3′,4′−テトラカルボキシジ
フェニルエーテル、3,3′,4,4′−テトラカルボキシベ
ンゾフェノン、2,3,3′,4′−テトラカルボキシベンゾ
フェノン、2,3,6,7−テトラカルボキシナフタレン、1,
4,5,7−テトラカルボキシナフタレン、1,2,5,6−テトラ
カルボキシナフタレン、3,3′,4,4′−テトラカルボキ
シジフェニルメタン、2,2−ビス（3,4−ジカルボキシフ
ェニル）プロパン、2,2−ビス（3,4−ジカルボキシフェ
ニル）ヘキサフルオロプロパン、3,3′,4,4′−テトラ
カルボキシジフェニルスルホン、3,4,9,10−テトラカル
ボキシペリレン、2,2−ビス〔４−（3,4−ジカルボキシ
フェノキシ）フェニル〕プロパン、2,2−ビス〔４−
（3,4−ジカルボキシフェノキシ）フェニル〕ヘキサフ
ルオロプロパン、ブタンテトラカルボン酸、シクロペン
タンテトラカルボン酸などがある。
本発明において、低熱膨張ポリイミドを前記無機質材料
と一体化する場合、接着性が重要である。無機質材料の
表面を粗化したり、シランカップリング剤、チタネート
カップリング剤、アルミニウムアルコレート、アルミニ
ウムキレート、ジルコニウムキレート、アルミニウムア
セチルアセトンなどにより表面処理することが好まし
い。これらの表面処理剤を前記低熱膨張ポリイミドに添
加してもよい。
と一体化する場合、接着性が重要である。無機質材料の
表面を粗化したり、シランカップリング剤、チタネート
カップリング剤、アルミニウムアルコレート、アルミニ
ウムキレート、ジルコニウムキレート、アルミニウムア
セチルアセトンなどにより表面処理することが好まし
い。これらの表面処理剤を前記低熱膨張ポリイミドに添
加してもよい。
本発明において、より熱膨張係数を下げたり、弾性率を
上げたり、流動性をコントロールしたりするために、無
機質、有機質、または金属などの粉末、繊維、チョップ
ドストランドなどを混合することもできる。
上げたり、流動性をコントロールしたりするために、無
機質、有機質、または金属などの粉末、繊維、チョップ
ドストランドなどを混合することもできる。
本発明の配線基板の製造例を次に示す。
第２図にバイポーラ型LSIの断面図を示す。シリコンウ
エハ３の上に熱酸化膜４を形成し、１層目のアルミニウ
ム（Al）配線５を形成した基板の表面に0.5％アルミニ
ウムキレートトルエン溶液をスピンコートし、大気中で
350℃以上に加熱した。
エハ３の上に熱酸化膜４を形成し、１層目のアルミニウ
ム（Al）配線５を形成した基板の表面に0.5％アルミニ
ウムキレートトルエン溶液をスピンコートし、大気中で
350℃以上に加熱した。
次に、本発明のポリアミック酸ワニスをスピンコート
し、100℃,30分、200℃,30分、400℃,30分間加熱して膜
厚約２μｍのポリイミド膜６を形成した。
し、100℃,30分、200℃,30分、400℃,30分間加熱して膜
厚約２μｍのポリイミド膜６を形成した。
上記ポリイミド膜上にフォトリソグラフィによりマスク
パターンを形成し、酸素イオンによりポリイミドをドラ
イエッチングした。次いでArイオンによりAl配線の露出
部を清浄化した後、２層目のAl配線を蒸着して１層目と
同様に形成し、その上にポリイミド膜を設けた。
パターンを形成し、酸素イオンによりポリイミドをドラ
イエッチングした。次いでArイオンによりAl配線の露出
部を清浄化した後、２層目のAl配線を蒸着して１層目と
同様に形成し、その上にポリイミド膜を設けた。
低熱膨張性ポリイミドの絶縁薄膜はAl配線の段差を大幅
に緩和して平坦化し、LSI素子への熱応力も非常に小さ
いのでクラック等の発生を防止できる。
に緩和して平坦化し、LSI素子への熱応力も非常に小さ
いのでクラック等の発生を防止できる。
また、本発明の低熱膨張ポリイミドは、ヒドラジンなど
で容易に加工でき、エッチング速度は従来のポリイミド
の２倍程度速いと言う優れた特性を有している。
で容易に加工でき、エッチング速度は従来のポリイミド
の２倍程度速いと言う優れた特性を有している。
前記シリコンウエハの代りにアルミナセラミック多層配
線基板を用いて、同様にして２層の配線回路を形成し
た。この場合の回路薄膜導体としては、銅を蒸着するこ
とにより形成した。また、絶縁層には約25μｍのポリイ
ミド薄膜を形成した。上記で形成した絶縁層と導体層と
の薄膜層は、その膜厚が約100μｍのものであったが、
該薄膜層にはクラックや、セラミック多層配線基板面で
の剥離は全く認められなかった。
線基板を用いて、同様にして２層の配線回路を形成し
た。この場合の回路薄膜導体としては、銅を蒸着するこ
とにより形成した。また、絶縁層には約25μｍのポリイ
ミド薄膜を形成した。上記で形成した絶縁層と導体層と
の薄膜層は、その膜厚が約100μｍのものであったが、
該薄膜層にはクラックや、セラミック多層配線基板面で
の剥離は全く認められなかった。
第３図に、LSI搭載金属板ベースのプリント配線板の断
面図を示す。前記低熱膨張ポリイミド12を用いたキャリ
ヤフィルム方式で、LSIチップ11が金属基板（放熱板）1
0上に搭載されている。低熱膨張ポリイミドをキャリヤ
フィルム12として用いているため高精度のLSI搭載プリ
ント配線板が得られる。また、ボンディング用半田ボー
ル14にかかる応力の大幅な減少により疲労破断が低減し
た。また、金属基板10上に形成した配線部15の絶縁膜16
に、低熱膨張ポリイミドを採用することによって、わん
曲のないプリント配線基板が得られる。なお、13は外部
接続用の端子である。
面図を示す。前記低熱膨張ポリイミド12を用いたキャリ
ヤフィルム方式で、LSIチップ11が金属基板（放熱板）1
0上に搭載されている。低熱膨張ポリイミドをキャリヤ
フィルム12として用いているため高精度のLSI搭載プリ
ント配線板が得られる。また、ボンディング用半田ボー
ル14にかかる応力の大幅な減少により疲労破断が低減し
た。また、金属基板10上に形成した配線部15の絶縁膜16
に、低熱膨張ポリイミドを採用することによって、わん
曲のないプリント配線基板が得られる。なお、13は外部
接続用の端子である。
〔実施例１〜16、比較例１〜26〕 温度計、攪拌装置、還流コンデンサ、および窒素吹き込
み口を有する四つ口フラスコに、表１に示す量のジアミ
ンを入れ、Ｎ−メチル−２−ピロリドン（NMP）850gで
溶解した。次いで、０〜50℃の水浴中にフラスコを浸漬
し、発熱を抑制しながらテトラカルボン酸二無水物を投
入した。テトラカルボン酸二無水物が溶解した後、水浴
を外し、室温付近で約５時間反応を続け、表１に示すポ
リアミド酸ワニスを得た。ワニス粘度が非常に高くなっ
た場合、25℃での粘度が50ポアズになるまで80〜85℃に
て加熱攪拌（クッキング）した。
み口を有する四つ口フラスコに、表１に示す量のジアミ
ンを入れ、Ｎ−メチル−２−ピロリドン（NMP）850gで
溶解した。次いで、０〜50℃の水浴中にフラスコを浸漬
し、発熱を抑制しながらテトラカルボン酸二無水物を投
入した。テトラカルボン酸二無水物が溶解した後、水浴
を外し、室温付近で約５時間反応を続け、表１に示すポ
リアミド酸ワニスを得た。ワニス粘度が非常に高くなっ
た場合、25℃での粘度が50ポアズになるまで80〜85℃に
て加熱攪拌（クッキング）した。
これらのポリアミド酸ワニスを加熱して得られるポリイ
ミド（PI）の熱膨張係数は、次のように測定した。
ミド（PI）の熱膨張係数は、次のように測定した。
ガラス板上にアプリケータを用いて均一に塗布し、80℃
〜100℃で30〜60分間乾燥してフィルム状とし、ガラス
板から剥がして鉄枠に固定（固定硬化またはバネで吊る
して自由収縮できる自由硬化）し、200℃、300℃、400
℃でそれぞれ60分間保持して、厚さ30〜200μｍのポリ
イミドフィルムを得た。これを3mm×80mmに切り出し、
２枚のガラス板に挟んで再び400℃に加熱し、徐冷して
残留歪を除去した後、熱機械試験機で、５℃／分の条件
で寸法変化を測定し、ガラス転移点以下での寸法変化量
から求めた。
〜100℃で30〜60分間乾燥してフィルム状とし、ガラス
板から剥がして鉄枠に固定（固定硬化またはバネで吊る
して自由収縮できる自由硬化）し、200℃、300℃、400
℃でそれぞれ60分間保持して、厚さ30〜200μｍのポリ
イミドフィルムを得た。これを3mm×80mmに切り出し、
２枚のガラス板に挟んで再び400℃に加熱し、徐冷して
残留歪を除去した後、熱機械試験機で、５℃／分の条件
で寸法変化を測定し、ガラス転移点以下での寸法変化量
から求めた。
このようにして、フィルムの吸湿水分あるいは溶剤やイ
ミド化反応による歪を十分に除去（イミド化反応を実質
的に完結）しないと、正確な熱膨張係数は測定できな
い。室温〜150℃の範囲において、吸湿水分の脱湿によ
って見掛け上フィルムの熱膨張係数が小さく観測され
る。また、残留歪またはイミド化反応が完結していない
と、Tg付近での残留歪の除去、または、イミド化反応に
よる脱水による収縮が起り、見掛け上線膨張係数は小さ
く観測される場合が多い。
ミド化反応による歪を十分に除去（イミド化反応を実質
的に完結）しないと、正確な熱膨張係数は測定できな
い。室温〜150℃の範囲において、吸湿水分の脱湿によ
って見掛け上フィルムの熱膨張係数が小さく観測され
る。また、残留歪またはイミド化反応が完結していない
と、Tg付近での残留歪の除去、または、イミド化反応に
よる脱水による収縮が起り、見掛け上線膨張係数は小さ
く観測される場合が多い。
また、鉄枠に固定して硬化しても、硬化途中で破れてし
まった場合、配向処理が不十分で熱膨張係数が多少大き
くなるので注意を要する。シリコンウエハやセラミック
基板上に塗布した膜の熱膨張係数は、固定硬化した場合
とほぼ同じである。なお、ここでは接着処理した基板上
のフィルムの熱膨張係数は直接測定できないため途中で
剥がす方法を採用した。
まった場合、配向処理が不十分で熱膨張係数が多少大き
くなるので注意を要する。シリコンウエハやセラミック
基板上に塗布した膜の熱膨張係数は、固定硬化した場合
とほぼ同じである。なお、ここでは接着処理した基板上
のフィルムの熱膨張係数は直接測定できないため途中で
剥がす方法を採用した。
次に、表１に前記ポリイミドフィルムの固定硬化と自由
硬化後の熱膨張係数を示す。
硬化後の熱膨張係数を示す。
〔実施例17〕 実施例１のポリアミック酸のNMPワニスを用いて、厚さ
約3mmのムライト多層配線板（熱膨張係数3.5×10
-6K-1）上に銅−ポリイミドの４層配線を形成した。こ
こで、銅−ポリイミド多層配線は前述のセラミック多層
配線基板上に形成したものと同様である。即ち、銅薄膜
を形成後フォトレジストで作製したパターンに銅配線を
めっきし、その上にCrを蒸着し、更に配線以外の金属薄
膜を除去した後ポリイミド膜を形成し研磨により平坦化
する方法である。
約3mmのムライト多層配線板（熱膨張係数3.5×10
-6K-1）上に銅−ポリイミドの４層配線を形成した。こ
こで、銅−ポリイミド多層配線は前述のセラミック多層
配線基板上に形成したものと同様である。即ち、銅薄膜
を形成後フォトレジストで作製したパターンに銅配線を
めっきし、その上にCrを蒸着し、更に配線以外の金属薄
膜を除去した後ポリイミド膜を形成し研磨により平坦化
する方法である。
配線の厚さは約10μｍ、更にスルーホール部が同じく10
μｍ、ポリイミドは25μｍ厚に形成して20μｍまで研磨
した。従って、総厚さは約30μｍである。
μｍ、ポリイミドは25μｍ厚に形成して20μｍまで研磨
した。従って、総厚さは約30μｍである。
本発明による低熱膨張性ポリイミドの場合、ムライト基
板との熱膨張係数がほぼ同じであるため、薄膜配線の形
成後もクラックや剥離は全く見られなかった。
板との熱膨張係数がほぼ同じであるため、薄膜配線の形
成後もクラックや剥離は全く見られなかった。
基板の反りも極めて少なく100mm角の基板の反り量が20
μｍ以下であった。
μｍ以下であった。
〔比較例27〕 実施例17と同様にジアミノジフェニルエーテル（DDE）
とベンゾフェノンテトラカルボン酸無水物（BTDA）とか
ら合成した熱膨張係数が4.28×10-5K-1の比較例10のポ
リイミドを用いて作製した結果、４層目を作製する時点
で、基板とポリイミド層の界面で剥離が生じた。
とベンゾフェノンテトラカルボン酸無水物（BTDA）とか
ら合成した熱膨張係数が4.28×10-5K-1の比較例10のポ
リイミドを用いて作製した結果、４層目を作製する時点
で、基板とポリイミド層の界面で剥離が生じた。
〔比較例28〕 DDEとPMDAとから合成した熱膨張係数が2.4×10-5K-1の
ポリアミック酸（比較例８）を用いて実施例17と同様の
工程で薄膜多層配線板の作製を試みた。
ポリアミック酸（比較例８）を用いて実施例17と同様の
工程で薄膜多層配線板の作製を試みた。
その結果、２層まで配線層を形成したところで１層目の
絶縁膜にクラックが生じた。原因を調べた結果、絶縁膜
がめっき工程で加水分解され、膜厚が減少しただけでな
く、膜強度が極端に低下していることが分かった。この
ようにPMDAを多用すると、加水分解による劣化により実
用性が無くなる。
絶縁膜にクラックが生じた。原因を調べた結果、絶縁膜
がめっき工程で加水分解され、膜厚が減少しただけでな
く、膜強度が極端に低下していることが分かった。この
ようにPMDAを多用すると、加水分解による劣化により実
用性が無くなる。
〔比較例29〕 ｏ−TOLIDとBPDAとPMDA（モル比、1:0.4:0.6）とから合
成した熱膨張係数が0.35×10-5K-1のポリアミック酸用
いて実施例17と同様の工程で薄膜多層配線板の作製を試
みた。
成した熱膨張係数が0.35×10-5K-1のポリアミック酸用
いて実施例17と同様の工程で薄膜多層配線板の作製を試
みた。
その結果、熱膨張係数が小さいにも拘わらず１層目の配
線層を形成する工程で絶縁膜にクラックが生じた。原因
は絶縁膜のめっき工程での加水分解で、膜強度が極端に
低下していることが分かった。別途PMDAの量を変えたワ
ニスで同様の多層配線板を作製した結果、40％以下では
加水分解による劣化はそれほど起きないが、50％以上に
すると劣化が激しく実用性が無くなることが分かった。
線層を形成する工程で絶縁膜にクラックが生じた。原因
は絶縁膜のめっき工程での加水分解で、膜強度が極端に
低下していることが分かった。別途PMDAの量を変えたワ
ニスで同様の多層配線板を作製した結果、40％以下では
加水分解による劣化はそれほど起きないが、50％以上に
すると劣化が激しく実用性が無くなることが分かった。
〔実施例18〕 実施例７の熱膨張係数が1.3×10-5K-1のポリアミック酸
のNMPワニスを用いて、厚さ約20μｍのポリイミドフィ
ルムを作製し、上下面を酸素プラズマアッシャで表面処
理した後、CrとCuをそれぞれ約0.1μｍの厚さに蒸着
し、更に、Cuめっき膜を約15μｍ厚さに形成してフォト
リソグラフィにてパターンを形成した。この両面配線シ
ートを３枚、ムライト多層配線板（熱膨張係数3.5×10
-6K-1）上に比較例22のポリアミック酸を接着剤として
積層成形し、所望の銅−ポリイミドの６層多層配線板を
形成した。ここで、上下面の接続はエキシマレーザビー
ムで明けたスルーホールの内面を銅めっきすることで行
った。
のNMPワニスを用いて、厚さ約20μｍのポリイミドフィ
ルムを作製し、上下面を酸素プラズマアッシャで表面処
理した後、CrとCuをそれぞれ約0.1μｍの厚さに蒸着
し、更に、Cuめっき膜を約15μｍ厚さに形成してフォト
リソグラフィにてパターンを形成した。この両面配線シ
ートを３枚、ムライト多層配線板（熱膨張係数3.5×10
-6K-1）上に比較例22のポリアミック酸を接着剤として
積層成形し、所望の銅−ポリイミドの６層多層配線板を
形成した。ここで、上下面の接続はエキシマレーザビー
ムで明けたスルーホールの内面を銅めっきすることで行
った。
やはり本発明による低熱膨張性ポリイミドを用いると、
ムライト基板との熱膨張係数がほぼ同じであるため、薄
膜配線の形成後もクラックや剥離は全く見られなかっ
た。基板の反りも極めて少なかった。
ムライト基板との熱膨張係数がほぼ同じであるため、薄
膜配線の形成後もクラックや剥離は全く見られなかっ
た。基板の反りも極めて少なかった。
〔実施例19〜24、比較例30〕 実施例１と同様にしてポリイミド共重合体を合成した。
これらのポリイミドフィルムの熱膨張係数は表２のとお
りである。表に示すようにDATP（ジアミノターフェニ
ル）やPMDAのように非常に剛直な骨格のモノマを用いる
と機械的に脆いため、多少フレキシブルな骨格を共重合
によって導入することが望ましい。
これらのポリイミドフィルムの熱膨張係数は表２のとお
りである。表に示すようにDATP（ジアミノターフェニ
ル）やPMDAのように非常に剛直な骨格のモノマを用いる
と機械的に脆いため、多少フレキシブルな骨格を共重合
によって導入することが望ましい。
〔実施例25〕 実施例21のポリアミック酸を用いて、実施例18と同様の
工程で配線層が６層の多層配線板を作製した。基板には
アルミナの多層配線板を用いた。該多層配線板は、反り
も少なく良好であった。
工程で配線層が６層の多層配線板を作製した。基板には
アルミナの多層配線板を用いた。該多層配線板は、反り
も少なく良好であった。
しかし、同様にシリコンウエハ上に接着したところ、反
りが大きくウエハと絶縁膜の界面で一部剥離が生じた。
基板の熱膨張係数や接着性によってフレキシブルなポリ
イミドの共重合可能な範囲は多少違うが、30モル％以内
なら問題は起きない。
りが大きくウエハと絶縁膜の界面で一部剥離が生じた。
基板の熱膨張係数や接着性によってフレキシブルなポリ
イミドの共重合可能な範囲は多少違うが、30モル％以内
なら問題は起きない。
本発明によれば、無機物質と同等の極めて小さな熱膨張
係数を有するポリイミドを絶縁層とする多層配線基板を
得ることができ、これを用いた電子装置等の信頼性を向
上することができる。
係数を有するポリイミドを絶縁層とする多層配線基板を
得ることができ、これを用いた電子装置等の信頼性を向
上することができる。
第１図は各種材料の熱膨張係数を示すグラフ、第２図は
バイポーラ型LSIの配線部断面図、第３図はLSI搭載金属
板ベースのプリント配線板の断面図である。 ３…シリコンウエハ、４…熱酸化膜、５…アルミニウム
配線、６…ポリイミド膜、10…基板、11…LSIチップ、1
2…PIキャリヤフィルム、14…ボンディング用半田ボー
ル、15…配線部、16…絶縁膜。
バイポーラ型LSIの配線部断面図、第３図はLSI搭載金属
板ベースのプリント配線板の断面図である。 ３…シリコンウエハ、４…熱酸化膜、５…アルミニウム
配線、６…ポリイミド膜、10…基板、11…LSIチップ、1
2…PIキャリヤフィルム、14…ボンディング用半田ボー
ル、15…配線部、16…絶縁膜。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 金城 徳幸 茨城県日立市幸町３丁目１番１号 株式会 社日立製作所日立研究所内 (72)発明者 今泉 純一 茨城県下館市大字小川1500番地 日立化成 工業株式会社下館第二工場内 (72)発明者 三上 喜勝 茨城県下館市大字小川1500番地 日立化成 工業株式会社下館第二工場内 (56)参考文献 特開 昭60−221426（ＪＰ，Ａ) 特開 昭59−15921（ＪＰ，Ａ)
Claims (2)
- 【請求項１】無機質（但し、金属を除く）の基板上に導
体と絶縁層とを有する電子装置用多層配線基板の製法に
おいて、前記絶縁層として、一般式 H2N−Ar1−NH2 …（１）と、 とを反応させて得られるポリアミック酸〔式（１）
（２）（３）中、Ar1は を示し、Ｒは低級アルキル基、低級アルコキシ基、フッ
素化アルコキシ基、アシル基またはハロゲンを示し、ｎ
は１〜４の整数、ｍは０または１〜３の整数を示し、X,
Yはハロゲン、−OR′または−OHを示し、Ｒ′は低級ア
ルキル基、フッ素化アルコキシ基を示し、これらは互い
に異なっていてもよい。但しテトラカルボン酸成分とし
てピロメリット酸成分を含む場合は、該ピロメリット酸
成分の割合は50モル％未満である。〕を直接塗布した後
イミド化するか、または、該ポリアミック酸をイミド化
したポリイミドフィルムを接着して、厚さ２μｍ以上で
線膨張係数が0.2〜3.2×10-5K-の絶縁層を形成すること
を特徴とする電子装置用多層配線基板の製法。 - 【請求項２】無機質（但し、金属を除く）の基板上に導
体と絶縁層とを有する電子装置用多層配線基板の製法に
おいて、前記絶縁層として、一般式 H2N−Ar1−NH2 …（１）と、 とを反応させて得られるポリアミック酸〔式（１）
（２）（３）中、Ar1は を示し、Ｒは低級アルキル基、低級アルコキシ基、フッ
素化アルコキシ基、アシル基またはハロゲンを示し、ｎ
は１〜４の整数、ｍは０または１〜３の整数を示し、X,
Yはハロゲン、−OR′または−OHを示し、Ｒ′は低級ア
ルキル基、フッ素化アルコキシ基を示し、これらは互い
に異なっていてもよい。但しテトラカルボン酸成分とし
てピロメリット酸成分を含む場合は、該ピロメリット酸
成分の割合は50モル％未満である。〕と、 該ポリアミック酸以外のポリイミド前駆体を35重量％以
内で共重合あるいはブレンドしたものを直接塗布した後
イミド化するか、または、上記共重合あるいはブレンド
したポリアミック酸をイミド化したポリイミドフィルム
を接着して、厚さが２μｍ以上で線膨張係数が0.2〜3.2
×10-5K-の絶縁層を形成することを特徴とする電子装置
用多層配線基板の製法。
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| JP59180549A JPH0740629B2 (ja) | 1984-08-31 | 1984-08-31 | 電子装置用多層配線基板の製法 |
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| JP59180549A JPH0740629B2 (ja) | 1984-08-31 | 1984-08-31 | 電子装置用多層配線基板の製法 |
Publications (2)
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ID=16085217
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-
1984
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