JPH07508761A - 4−クロロ−2−チオフェンカルボン酸の部分選択合成 - Google Patents
4−クロロ−2−チオフェンカルボン酸の部分選択合成Info
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるため要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
4−り四ロー2−チオフェンカルボン酸の部分選択合成発明の背景
4−クロロ−2−チオフェンカルボン酸は構造を有する。これは医薬化合物、例
えばEhrgott等の米国特許第5. 047゜554号の実施例72に記載
されている5−フルオロ−6−クロロ−3−(4−クロロ−2−テノイル)−2
−オキシンドール−1−カルボキサミドの合成に重要な中間体である。
4−クロロ−2−チオフェンカルボン酸(ここではまた都合上、’ CTCA’
と省略する)の合成はJ、Ir1arte等のJ、HeterocyclicC
hem、 、13,393 (1976ンIこ記されている。そこでは、CTC
Aは相当する2−アルデヒドを駿化銀で酸化することによって定量収率で粗製形
で得られたことが報告されている。粗製の酸は124−126℃の融点を有する
と報告されている。さらに、「メタノールまたはジクロロメタンからの結晶化の
繰り返し」の後の生成物の融点は131−132℃であると記されている。Ir
1arte等はまた、同じ文献で、エチル 4−クロロチオフェン−2−カルボ
キシレートをメタノールカリ中でケン化することによって融点125−126℃
のCTCAを製造し、カルボキシレートは塩化アルミニウムの存在下でのエチル
チオフェン−2−カルボキシレートの直接塩素化によって製造したことを報告
している。
3、(1990)では、とりわけ、グリニヤール試藁を用いる方法によって3−
クロロ−2−トリメチルシリルチオフェンを製造し、生成物はポリ(3−クロロ
チオフェン)を製造する電子重合に用いることが報告されている。
本発明者等はこのたび、潜在的に反応性の部位をブロックして副生成物の生成を
妨げる温度依存性部分選択法によって、CTCAを生成することができることを
見いだした。
発明の[要
最も広い態様において、本発明は式rl/a(式中、各R基は(C+ Cg)ア
ルキル、ペンシルおよびフェニルから独立して選ばれる)
の化合物からシリル基5iR3を除くことよりなる、4−クロロ−2−チオフェ
ンカルボン酸の製法を提供するものである。
4−クロロ−2−チオフェンカルボン酸の上記の製法の変形は、式rVb(式中
、Rは前に定義した通りである)の化合物からシリル基5iRxを除くことより
なる。
さらに詳しくは、4−クロロ−2−チオフェンカルボン酸の製法は次の段階より
なる
1) 3−クロロチオフェンを約−s o−°c未満の温度にて塩基で処理し、
次に、式RhS+X(式中、Xは脱離基であり、各R基は(C,−C6)アルキ
ル、ベノノルおよびフェニルから独立して選ばれる)のシリル化合物で処理して
、式の化合物を形成し:
2) 段階(1)の生成物を約−50℃未満の温度にて、クロロチオフェン環の
5位置で脱プロトン化するのに十分な塩基で処理して、対応するように式■のア
ニオンを形成し:
3) 段階(2)の生成物を一50℃未満の温度にて、二酸化炭素で処理して対
応するように式Ha
のモノカルボキシレートを形成し。
4) 段階(3)の生成物を相当する酸(すなわち、式rV a )に変え、そ
して
5ン ンリル基SiR,を除く。
4−クロロ−2−チオフェンカルボン酸のすぐ上に記載の製法の変形は次の段階
よりなる
1) 3−クロロチオフェンを約−50’C未満の温度にて塩基で処理し、次に
、式R2S iL (式中、XおよびRは前に定義した通りである)のシリル化
合物で処理して、式
の化合物を形成し。
2) 段階(1)の生成物を約−50℃未満の温度にて、2つのチオフェン環の
5および5′位置で脱プロトン化するのに十分な塩基で処理して、対応するよう
に式nb
のシアニオンを形成し。
3) 段階(2)の生成物を一50’C未満の温度にて、二酸化炭素で処理して
相当する式mb
のジカルボキシレートを形成し。
4) 段階(3)の生成物を相当する二酸(すなわち、式IVb)に変え、そし
て
5) シリル基5iRxを除く。
脱離基″X″としては、クロ咀ブロモおよびヨードを含めたノλロゲノ基、トリ
フルオロメタンスルホネート、トリフルオロアセテート、アセトアミド、トリフ
ルオロアセトアミド、1. 2. 4−トリアゾール並びにイミダゾールが、当
業界で公知の他のものと共に有用である。広く市販されているので、クロロおよ
びトリフルオロメタンスルホネートが好ましい。
(C,−C6)アルキルのようなRの具体的なものには、メチル、エチル、n−
プロピル、イソプロピル、n−ブチル、イソブチル、t−ブチルおよびn−ヘキ
シルがある。
上記のプロセスで生成されるCTCAは実貿的に純粋であると思われ、融点は1
38°Cであり、これは再結晶を繰り返した後でも融点がただ131−132℃
を示す従来の生成物よりずっと純粋であることを示している。
本発明はさらに、5−フルオロ−6−クロロ−3−(4−クロロ−2−テ人イル
)−2−オキシンドール−1−カルボキサミド(構造■、下記スキームI)の製
法(これらは変形である)であって、塩基の存在下で、5−フルオロ−6−クロ
ロ−2−オキシンドール(構造■、下記スキームエ)を上記の方法のいずれかに
従って生成された4−クロロ−2−チオフェンカルボンの活性化形(例えば、酸
塩化物、アシルイミダゾールまたはメチルエステル)と反応させることよりなる
上記の方法を提供する。CTCAとカルボニルンイミダヅールとの反応によって
生成された活性化アシルイミダゾール、またはCTCAと塩化チオニルとの反応
によって生成された酸塩化物のいずれかを用いるのが好ましい。これらの好まし
い活性化誘導体はいずれも一般的な方法で形成することができる。
5−フルオロ−6−クロロ−3−(4−クロロ−2−テノイル)−2−オキシン
ドール−1−力ルポキサミドの別の製法は次の段階よりなる:1) 塩基の存在
下で、5−フルオロ−6−クロロ−2−オキシンドール−1−カルボキサミドを
式IVc
(式中、Yはクロロ、イミダゾール−1−イルまたはメチルである)の活性化モ
ノカルボン酸と反応させて対応するように式Va(Va)
の5−フルオロ−6−クロロ−3−(4−クロロ−3−トリ置換シリル−2−テ
ノイル)−2−オキシンドール−1−カルボキサミドを形成し、そして2) シ
リル基SiR,を除く。
すぐ上に記載の方法の変形は次の段階よりなる。
1) 塩基の存在下で、5−フルオロ−6−クロロ−2−オキシンドール−1−
カルボキサミドを式IVd
(式中、Yは前に定義した通りである)の活性化ジカルボン酸と反応させて対応
するように式vbの化合物を形成し、そして
2) シリル基5iRsを除く。
式IVaおよびrVbの化合物はまた新規であると考えられ、従って、本発明の
別の特徴となるものである。
本発明の詳細な説明のために式R35iXのシランを用いて、次のような一般化
したフローチャートの形で要約することができる・半業者であれば、式R35i
Xのシリル化合物の代わりに式RzSIXzのシリル化合物を用いると、対応し
て、スキームIにおいて、式1aのモノ誘導体が式Ibの二量体化3−クロロチ
オフェンに代わり、同様に、式IVaの一酸が式■bの二酸に代わり、そして式
Vaのモノ誘導体が式vbのビス誘導体に代わることは明らかなことであろう。
発明の詳細な説明
あらかしめ、以下に記載のすへての反応は不活性雰囲気下で行うものとし、アル
ゴンまたは窒素が好ましいことを述べておく。都合上、シリルブロッキング基R
35L (および−1’hSi)は次の記載において単に“ブロッキング剤“と
示し、シリル化合物R55iX(およびR15ix2)は”ブロッキング試薬”
と示す。さらに、温度が約−50°C未満、好ましくは一70℃未満と詳しく記
載されているとき、これをドライアイス/アセトン浴で簡単に行うために一78
℃が好ましいことを述べておく。これより低い温度、例えば−94℃の温度を用
いることもでき、これは液体窒素でヘキサン浴を冷却することによって行うこと
ができる。しかしながら、これによって有意な利点は得られない。
2位置でブロックされた3−クロロチオフェンは、まず3−クロロチオフェンを
当量の強塩基、例えばアルキルリチウムで一50℃未満、好ましくは一70°C
未虜の温度で処理すると、脱プロトン化は部分選択的となり、2位置を好む。商
業的に容易に入手しうるため、n−ブチルリチウムが塩基として好ましい。3−
クロロチオフェンおよび塩基は不活性溶剤(”不活性”は使用反応条件に関して
用いられる)、例えばそれぞれテトラヒドロフラン(THF)およびヘキサンに
溶解する。反応混合物は、30分ないし数時間撹拌する。この時点で、ブロッキ
ング剤を当量でまたは少しく10%まで)過剰に加えることができる。数分ない
し数時間後、反応混合物を温めた後、水および/またはブラインを添加すること
によってほぼ室温以下に急冷することができる。次に、ブロックされた生成物を
酢酸エチルのような適当な有機溶剤に一般的な方法で抽出し、乾燥し、そして蒸
発によるような一般的な方法で単離する。
2−ブロックされた3−クロロチオフェンを次に、THFのような適当な乾燥溶
剤中で、塩基(当量または少し過剰)と−50°C未満、好ましくは一70℃未
虜の温度にて反応させて、チオフェン硫黄原子に隣接する残りの非ブロツク炭素
原子において選択的に脱プロトン化する。温度を一50℃未満に維持しながら、
二酸化炭素ガスを用いて脱プロトン化中間体を処理し、そしてこれによって二酸
化炭素捕捉を行うと、式11aまたはmbの4−クロロ−5−ブロック−2−チ
オフェンカルボキシレートが得られる。当業者には、ブロッキング試薬よりもす
ぐれた親核性をもたらさない塩基、従ってチオフェン環にすでに付いているブロ
ッキング基を攻撃および置換しない塩基を用いるのが望ましいことは明らかであ
ろう。この段階に有用な塩基には、アルキルリチウム化合物とジアルキルアミン
との反応によってその場で都合よく発生させることのできるリチウムジアルキル
アミドが含まれる。例えば、p−ブチルリチウムは、先の工程で形成された2−
ブロック−3−クロロチオフェンを導入する前に、約0℃でTHF中で当量のジ
アルキルアミン、例えばジイソプロピルアミンで処理すると、リチウムジイソプ
ロピルアミドを形成することができる。次に、温度を適当に一50℃未満に下げ
、二酸化炭素の捕捉を行う。反応を水性酸、例えば水性塩酸で急冷することによ
ってカルボキシレートを酸に変える。次いで、有機層を分離し、水性部分を抽出
しく例えば、酢酸エチルを用いて)、酸を単離する。
この時点で、生成物を弗化物で処理することによってブロッキング基を除くと4
−クロロ−2−チオフェンカルボン酸が得られる。次に、酸を活性化し、5−フ
ルオロー6−クロロ−2−オキシンドール−1−カルボキサミド(ここでは”カ
ルボキサミド先駆体”とも呼ぶ)と反応させると、医薬生成物5−フルオロ−6
−クロロ−3−(4−クロロ−2−テノイル)−2−オキシンドール−1−カル
ボキサミドが得られる。
あるいは、ブロッキング基を除く必要はなく、ブロックされた酸を活性化し、直
接カルボキサミド先駆体と反応させると、相当するブロックされた医薬生成物(
Va)または(Vb)が得られる。
いずれの場合でも、上記のように、ブロッキング基は弗化物アニオンで処理する
ことによって除くことができ、最終医薬生成物は反応を水性酸(例えば、塩酸)
で急冷すると単離される。弗化物イオン源は限定されず、比較的広範囲の弗化物
含有試薬を用いることができ、それらにはアルカリ金属弗化物(例えば、弗化ナ
トリウム、カリウム、リチウムおよびセシウム)、アルカリ土類金属弗化物(例
えば、弗化マグネシウムおよびカルシウム)、弗化水素の遊離した(HF)およ
び結合した(例えば、弗化水素酸ピリジニウム)形のもの、並びにテトラ−低級
アルキルアンモニウム弗化物が含まれる。テトラ−低級アルキルアンモニウム弗
化物が好ましく、商業的に容易に入手しうる弗化テトラ−n−ブチルアンモニウ
ムが特に好ましい。例えば2−3当量の過剰な弗化物を用いると、反応が促進さ
れる。
5−フルオロ−6−クロロ−3−(4−クロロ−2−テノイル)−2−オキシン
ドール−1−カルボキサミドを用いる方法は、Ehrgottの米国特許第5゜
047.554号に教示されている。
次の実施例は本発明の様々な態様を示すものであるが、本発明の範囲を限定する
ものではない。実施例において、NMRデータはプロルッカーAM250および
プルツカ−AM300の21から得た。1)l(プロトン)NMRスペクトルに
用いた周波数は250MHzまたは300MHzであった。13CNMRスペク
トルは62.5MHzまたは75MHzで得た。
−72℃で撹拌している50m1のテトラヒドロフランに溶解した3−クロロチ
オフェン(5,0g、 42. 16mmol)に、n−ブチルリチウムの2.
5Mヘキサン溶液16.8mlを15分間にわたって加えた。添加の間、反応温
度を一70°C未満に維持した。n−ブチルリチウムの添加完了後すぐに白色沈
殿物が形成された。−70’C未満で撹拌して40分後に、5.88m1のクロ
ロトリメチルシランを5分間徐々に加えた。添加後、溶液は瞬間透明になり、そ
の後、塩化リチウム副生成物の形成によって再び曇ってきた。10分後、反応溶
液を0℃に温めた。0℃で、5mlの水を、次に25m1のブラインを加えて、
反応を急冷した。次に、水溶液を酢酸エチル(2X30ml)で抽出した。有機
抽出物を乾燥しくNazSOn) 、a過し、蒸発すると、8.0gの表題化合
物が透明な油として得られた。
物理的特性 質量スペクトル(E IMS)m/z=192 (M”+2.14
%)、190 (M”、36%)、177(M”+2−CHs、41%)および
175 (M”−CF3.100%); ’HNMR(CDC+3)67、 4
9 (LH,q。
J=4.7Hz)、7.07 (LH,d、J−4,7Hz)および0. 46
(9H,s) ;目CNMR(CDCIりH32,0,130,2,130,
1゜1298および一〇、7゜
ジフェニル酢酸の少量(4mg)の試料を50m1のテトラ、ヒロフランに溶解
し、室温で撹拌した。この溶液に、n−ブチルリチウムを2.5Mへキサン溶液
として、溶液がジフェニル酢酸シアニオンから淡黄色になるまで、徐々に滴加し
た。この方法であると、溶液は確実に乾燥する。この時点で、溶液を一72℃に
冷却した(アセトン/ドライアイス)。この温度でn−ブチルリチウムの2.5
Mへキサン溶液4. 62m1 (11,542mmol)を加え、次に、1.
76m1(12,592mmol)のジイソプロピルアミンを加えた。リチウム
ジイソプロピルアミドの形成の間、反応溶液は0℃(水浴)に20分間上げ、次
いで再び一72°Cに下げた。冷反応溶液に、2. 0g (10,493龍o
1)の2−トリメチルシリル−3−クロロチオフェンを5mlのテトラヒドロフ
ラン溶液として20分間にわたって加えた。反応がま温度は一70°C未満に維
持して、部分選択的脱プロトン化を確実にした。30分の反応時間のに、二酸化
炭素ガスを黄色溶液にゆっくり泡立たせた。泡立っている間、反応温度は一55
℃未満に保った。二酸化炭素処理は全体で10分続けた。二酸化炭素添加の後に
、溶液を徐々に0℃に温め、この時点で反応を50m1のIN塩酸で急冷すると
、いくらかのガスが発生した。
酸性溶液を加えると、反応は室温になった。50m1体積のブラインも加えた。
有機層を分離し、水性層を酢酸エチル(2X50ml)で抽出した。有機抽出物
を合わせ、ブライン(IX50ml)で洗浄し、乾燥しく硫酸ナトリウム)、瀘
通し、そして蒸発させると2.38gの白色固体が得られた。粗生成物をヘプタ
ンで再結晶すると、1.67gの純粋な表題化合物が融点206−210℃の小
さな白色の針状結晶として得られた。
物理的特性、質量スペクトル(LS IMS)m/z−237(M+H’+2゜
12%)および235 (M+H”、10%); ’HNMR(CDC1g)J
T。
74 (LH,s)および0.41 (9H,s); ”CNMR(CDClt
+cDsOD)J163.1,141.2,137.8,134.7,131.
6およ(1278mmo1)試料を0.3mlの水を含む10m1のテトラヒド
ロフランに溶解し、−5℃に冷却した(水/ブライン浴)。弗化テトラ−n−ブ
チルアンモニウムの1Mテトラヒドロフラン溶液の2.6mlアリコートを、反
応溶液にゆっくりと加えた。4時間後、反応混合物を50m1の5%水性炭酸水
素ナトリウムに注いだ。全反応溶液を分液漏斗に移し、酢酸エチル(2X25m
l)で洗浄した。塩基性水溶液を濃塩駿でpH2の酸性にし、次に、酢酸エチル
(3×30m1)で抽出した。有機抽出物を次に乾燥しくFa酸ナトリウム)、
濾過し、そして蒸発させると、216mgの生成物が白色固体として得られた。
熱へブタンを用いて再結晶すると、85mgの融点138°Cの純粋な結晶性生
成物が得られた。
物理的特性・質量スペクトル(E IMS)m/z 164 (M”+2.30
%)および162 (M”、100%); ’HNMR(CDCl5)JIo、
9 (IH。
br s、交換可能)、7. 74 (IH,d、J−1,5Hz)および7.
43(LH,d、J−1,5Hz) ;目CNMR(CDC13)J166.1
,134、 6. 133. 2. 128. 3および126. 5実施例2
a
5−フルオロ−6−クロロ−2,3−ジヒドロ−3−[ヒドロキシ−2−(4−
クロロ−5−トリメチルシリルチェニル)メチレン]−2−オキソーIH−イン
4−クロロ−5−トリメチルシリル−2−チオフェンカルボン酸の375mg(
1,60+u+ol)の試料を5mlの塩化チオニルと合わせ、還流加熱した。
1゜5時間後、反応は完了した。フラスコを室温にゆっくり冷却し、過剰の塩化
チェニルを蒸発させると、予想された酸塩化物が褐色油として得られた。褐色油
を000で撹拌しながら、5mlの瓦 N−ジメチルホルムアミドに溶解し、5
−フルオロ−6−クロロ−2,3−ジヒドロ−2−オキソ−IH−インドール−
1−カルボキサミド(500mg、 2. 24mmol)および4− (N、
N−ジメチルアミノ)ピリジン(708mg、5.80ma+ol)のN、 N
−ジメチルホルムアミド溶液15m1のに徐々に加えた。1時間後、反応混合物
を30m1のIN塩酸に注ぐと、生成物がえび茶色の固体として沈殿した。粗製
固体を濾過し、熱酢酸から最結晶すると、307mg (0,69+++mol
)の純粋な表題化合物が融点200℃の黄色結晶性固体として得られた。
物理的特性、 質量スペクトル(LSIMS)m/z 470(M−H”+Na
゛+4.4%)、468 (M−H″″+Na”+2.16%)、466 (M
−H”+Na”、21%)、448 (M”+4.17%)、446 (M”+
2.74%)。
−CONH+2.28%)および401 (M”−CONH,39%);IHN
MR(DMSO−ds)as、97 (LH,交換可能)、8. 51 (LH
,s)。
8.11 (LH,d、JHF−7,3Hz)、7.96 (LH,d、J、r
−Ll、0Hz)、7.30 (LH,交換可能) 、6. 21 (LH,交
換可能)および0.37 (9H,s)。
実施例2b
5−フルオロ−6−クロロ−2,3−ジヒドロ−3−〔ヒドロキシ−2−(4−
クロロチェニル)メチレンコー2−オキソーIH−インドール−1−カルボキサ
5−フルオロ−6−クロロ−2,3−ジヒドロ−3−[ヒドロキシ−2−(4−
クロロ−5−トリメチルシリルチェニル)メチレン]−2−オキソーIH−イン
ドール−1−カルボキサミドの50mg (0,11mmol)の試料を2ml
のテトラヒドロフランに溶解し、5℃に冷却した。塩化テトラ−n−ブチルアン
モニウムの1Mテトラヒドロフラン溶液の少量の0.56m1アリコートを注射
器によって、イノドール基實の撹拌冷溶液に加えた。1時間後、0.25m1の
水を反応混合物に加えた。さらに30分後、5mlのIN塩酸を加えることによ
って反応を急冷した。次に、反応の内容物を15m1の水に注いだ。これによっ
て生成物か沈殿した。濾過すると、25mgの希望の表題生成物が黄色固体とし
て得られた。これを酢酸から再結晶すると融点234−237℃の結晶性生成物
が得られた。
物理的特性: ’HNMR(DMSOds)59. 10 (LH,交換可能)
。
8、 69 (LH,d、J=1. 5Hz) 、8. 10 (LH,d、l
5−F−’/、4Hz)、8.06 (LH,d、JN−F−11,4H2)、
7.65 (IH,d。
J−1,5Hz)および7. 26 (LH,交換可能)。
Claims (10)
- 1.式IVa ▲数式、化学式、表等があります▼(IVa)または式IVb ▲数式、化学式、表等があります▼(IVb)(式中、R基は(C1−C6)ア ルキル、ベンジルおよびフェニルから独立して選ばれる) を有する化合物。
- 2.式IVa ▲数式、化学式、表等があります▼(IVa)(式中、各R基は(C1−C6) アルキル、ベンジルおよびフェニルから独立して選はれる) の化合物からシリル基SiR3を除くことよりなる、4−クロロ−2−チオフェ ンカルボン酸の製造方法。
- 3.式IVb ▲数式、化学式、表等があります▼(IVb)(式中、各R基は(C1−C6) アルキル、ベンジルおよびフェニルから独立して選ばれる) の化合物からシリル基SiR3を除くことよりなる、4−クロロ−2−チオフェ ンカルボン酸の製造方法。
- 4.下記の段階よりなる、4−クロロ−2−チオフェンカルボン酸の製造方法1 )3−クロロチオフェンを約−50℃未満の温度にて塩基で処理し、次に、式R 3SiX(式中、Xは脱離基であり、各R基は(Cl−C6)アルキル、ベンジ ルおよびフェニルから独立して選ばれる)のシリル化合物で処理して、式▲数式 、化学式、表等があります▼(Ia)の化合物を形成し; 2)段階(1)の生成物を、約−50℃未満の温度にて、クロロチオフェン環の 5位置で脱プロトン化するのに十分な塩基で処理して、対応するように式IIa ▲数式、化学式、表等があります▼(IIa)のアニオンを形成し: 3)段階(2)の生成物を−50℃未満の温度にて、二酸化炭素で処理して、対 応するようにモノカルボキシレート▲数式、化学式、表等があります▼(III a)を形成し; 4)式IIIaの生成物を相当する酸に変え;そして5)シリル基SiR3を除 く。
- 5.Rがメチルであり、Xがクロロまたはトリフルオロメタンスルホネートであ り、そして段階(1)−(3)のそれぞれにおいて上記温度が−70℃未満であ る、請求項4の方法。
- 6.下記の段階よりなる、4−クロロ−2−チオフェンカルボン酸の製造方法1 )3−クロロチオフェンを約−50℃未満の温度にて塩基で処理し、次に、式R 2SiX2(式中、Xは脱離基であり、各R基は(C1−C6)アルキル、ベン ジルおよびフェニルから独立して選ばれる)のシリル化合物で処理して、式▲数 式、化学式、表等があります▼(Ib)の化合物を形し成; 2)段階(1)の生成物を約−50℃未満の温度にて、2つのチオフェン環の5 および5′位置で脱プロトン化するのに十分な塩基で処理して、対応するように 式IIb ▲数式、化学式、表等があります▼(IIb)のジアニオンを形成し; 3)段階(2)の生成物を−50℃未満の温度にて、二酸化炭素で処理して対応 するようにジカルボキシレート ▲数式、化学式、表等があります▼(IIIb)を形成し; 4)式IIIbの生成物を相当する二酸に変え;そして5)シリル基SiR3を 除く。
- 7.Rがメチル基であり、Xがクロロまたはトリフルオロメタンスルホネートで あり、そして段階(1)−(3)のそれぞれにおいて上記温度が−70℃未満で ある、請求項6の方法。
- 8.塩基の存在下で、5−フルオロ−6−クロロ−2−オキシンドール−1−カ ルボキサミドを、請求項4または請求項5の方法によって製造された4−クロロ −2−チオフェンカルボン酸と反応させることよりなる、5−フルオロ−6−ク ロロ−3−(4−クロロ−2−テノイル)−2−オキシンドール−1−カルボキ サミドの製造方法。
- 9.下記の段階よりなる、5−フルオロ−6−クロロ−3−(4−クロロ−2− テノイル)−2−オキシンドール−1−カルボキサミドの製造方法;1)塩基の 存在下で、5−フルオロ−6−クロロ−2−オキシンドール−1−カルボキサミ ドを式 ▲数式、化学式、表等があります▼(IVa)のモノカルボン酸と反応させて、 対応するように5−フルオロ−6−クロロ−3−(4−クロロ−3−トリ置換シ リル−2−テノイル)−2−オキシンドール−1−カルボキサミドを形成し;そ して 2)シリル基SiR3を除く。
- 10.下記の段階よりなる、5−フルオロ−6−クロロ−3−(4−クロロ−2 −テノイル)−2−オキシンドール−1−カルボキサミドの製造方法;1) 塩 基の存在下で、5−フルオロ−6−クロロ−2−オキシンドール−1−カルボキ サミドを式 ▲数式、化学式、表等があります▼(IVb)のジカルボン酸と反応させ;そし て 2) 段階(1)の生成物からシリル基SiR3を除く。
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