JPH0773754A

JPH0773754A - 導電部材の製造方法及び電子回路基板の製造方法

Info

Publication number: JPH0773754A
Application number: JP21780793A
Authority: JP
Inventors: Tamotsu Owada; 保大和田; Hideya Hashii; 秀弥橋井; Yasuhiro Yoneda; 泰博米田
Original assignee: Fujitsu Ltd
Current assignee: Fujitsu Ltd
Priority date: 1993-09-01
Filing date: 1993-09-01
Publication date: 1995-03-17

Abstract

(57)【要約】【目的】本発明は導電部材の製造方法及び電子回路基
板の製造方法の改善に関し、補修用の部材と基板との接
着の際に、流動性の接着剤に依存することなく、絶縁性
及び導電性良くそれを移植することを目的とする。【構成】導電部材の製造方法は、フィルム状基板の一
方の面に接着層を形成する工程と、フィルム状基板の他
の面に導電パターンを形成する工程と、接着層，フィル
ム状基板及び導電パターンが形成された積層部材を切断
する工程とを有し、接着層及びフィルム状基板が耐熱ポ
リイミド樹脂系材料から成ることを含む。電子回路基板
の製造方法は既存の導電部材を取り除く工程と、導電部
材が除かれた領域を掘削して溝部を形成する工程と、溝
部に他の導電部材を熱接着する工程とを有し、他の導電
部材には、予め、接着層，フィルム状基板及び導電パタ
ーンが積層された接着性部材を用いることを含む。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】〔目次〕産業上の利用分野従来の技術（図７）発明が解決しようとする課題課題を解決するための手段作用実施例（１）第１の実施例の説明（図１〜３）（２）第２の実施例の説明（図４，５）（３）第３の実施例の説明（図６）発明の効果

【０００２】

【産業上の利用分野】本発明は、導電部材の製造方法及
び電子回路基板の製造方法に関するものであり、更に詳
しく言えば、薄膜多層配線基板に欠損や設計変更が生じ
た際に、そこに補修用の配線やパッドを移植する方法の
改善に関するものである。近年，コンピュータ，映像処
理装置等の電子機器の高速化及び多機能化に伴い、電子
部品を回路基板に高密度に実装する要求がある。そこ
で、半導体素子の多層配線技術と同様に回路基板におい
ても、その多層化と配線の微細化が進んでいる。例え
ば、ベアチップ実装に対応可能なマルチチップモジュー
ル（ＭＣＭ）の開発が盛んに行われ、大型のコンピュー
タなどでは、低誘電率の樹脂材料を積層する薄膜多層配
線基板が開発されている。

【０００３】この薄膜法による基板開発によれば、絶縁
膜として用いられる樹脂の低誘電率化にあわせて配線密
度が増加をする。特に、小型集積化するチップやＩ／Ｏ
ピンを高密度に実装する場合に、インターフェース的な
役割をもつ回路基板の配線パッドが基板自身の軽薄短小
化に相まって高密度化をしている。一方、電子部品を確
実に薄膜多層配線基板に実装するためには、基板表面配
線の欠損は決して許されるものではない。高密度微細に
配線を施す技術の支えとして、万が一配線や電極等が欠
損した場合に備えて、信頼性のおける簡便な配線修復技
術が求められている。また、設計変更に伴う配線接続変
更等にも適用できる修復技術が要求される。

【０００４】そこで、欠損あるいは設計変更箇所の表面
配線を除去し、予め用意してある交換移植用配線を移植
接着することができる製造方法が望まれている。

【０００５】

【従来の技術】図７は、従来例に係る説明図である。図
７（Ａ）は、従来例に係るバッドの補修工程図であり、
図７（Ｂ）は、従来例に係る配線の補修工程図をそれぞ
れ示している。例えば、大型のコンピュータに使用され
る薄膜多層配線基板のパッドを補修する場合、図７
（Ａ）に示すように、まず、欠損パッド２を基板１Ａか
ら取り外す。ここで、欠損パッド２はエキシマレーザ等
により除去し、良品パッド３はそのまま基板１Ａに残し
て置く。欠損パッド２を取り外した部分には溝部を形成
する。この際の溝部は深さ数μｍ，開口幅数百μｍ程度
の微細なものである。

【０００６】その後、エポキシ系の接着剤４を溝部に充
填する。この際のエポキシ系の接着剤４は絶縁材料であ
り、マイクロディスペンサ等により当該溝部に滴下され
る。そして、補修用パッド５を基板１Ａに接着する。こ
れにより、薄膜多層配線基板のパッドが補修される。ま
た、薄膜多層配線基板の配線を補修する場合には、図７
（Ｂ）に示すように、まず、欠損部分Ｘの配線７を基板
６から取り除く。ここで、良品部分の配線７はそのまま
基板１Ａに残して置き、それを取り除いた部分に溝部を
形成する。

【０００７】その後、エポキシ系の接着剤８を溝部に充
填して、補修用の配線９を基板１Ａに接着する。次に、
既存の配線７と補修用の配線９との隙間をハンダ付け等
をする。これにより、薄膜多層配線基板の配線７が補修
される。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】ところで、従来例によ
れば、欠損パッド２が取り外された溝部や、欠損部分Ｘ
の配線７が取り除かれた溝部に、エポキシ系の接着剤４
や８が充填される。このため、次のような問題がある。エポキシ系の接着剤４や８は耐熱性接着剤である
が、加熱雰囲気200 °Ｃ以上で使用できるものが少な
く、300 °Ｃ以上で使用できるものは無いといっても過
言ではない（工業材料1991，７月別冊３９巻９号）。

【０００９】このため、接着工程後のチップ表面実装時
の半田工程に耐えられず、補修部分が熱破壊を起こす恐
れがある。これは、半田工程において長い時間300 °Ｃ
以上の加熱雰囲気に基板１Ａ，６が曝されるためであ
る。これにより、エポキシ系の接着剤４や８が不安定な
状態となる。その熱分解が進むと、配線９と基板１Ａと
の間の接着力が低下をしたり、当該接着剤４や８の絶縁
抵抗が劣化をする等の危険をともなう。

【００１０】図７，（Ａ），（Ｂ）において、エポ
キシ系の接着剤４や８を溝部に充填する際に、マイクロ
ディスペンサ等を使用している。これは、当該接着剤４
や８を微小面積の溝部に微小量を塗布するためである。
しかし、補修用のパッド５や配線９を移植した際に、過
剰な接着剤４や８が溝部から外部に流れ出すことがあ
る。これにより、それが隣接配線を被服してしまう恐れ
があった。これは、高密度，微細化する中で欠損部分Ｘ
の配線と隣接配線との距離が非常に短いためである。

【００１１】また、エポキシ系の接着剤はある程度，粘
度が高いほうが接着性の点で良い。しかし、その粘度が
あまり高いとインジェクタの針が詰まってしまい、接着
剤の供給が不可能となる。図７（Ｂ）において、配線７と補修用の配線９との
隙間の導通を採るために、ハンダ付け等を行わなければ
ならない。しかし、エポキシ系の接着剤（以下流動性の
接着剤という）４や８が溝部から這い上がって、両配線
間に７，９に介在して接触抵抗が大きくなったり、そこ
が後に断線の原因となる恐れがある。

【００１２】本発明は、かかる従来例の問題点に鑑み創
作されたものであり、補修用の部材と基板との接着の際
に、流動性の接着剤に依存することなく、絶縁性及び導
電性良く当該部材を移植することが可能となる導電材料
の製造方法及び電子回路基板の製造方法の提供を目的と
する。

【００１３】

【課題を解決するための手段】本発明の導電部材の製造
方法は図２及び図４に、その実施例をそれぞれ示すよう
に、フィルム状基板の一方の面に接着層を形成する工程
と、前記フィルム状基板の他の面に導電パターンを形成
する工程と、前記接着層，フィルム状基板及び導電パタ
ーンが形成された積層部材を切断する工程とを有し、前
記接着層及びフィルム状基板が耐熱ポリイミド樹脂系材
料から成ることを特徴とする。

【００１４】また、本発明の電子回路基板の第１の製造
方法は図１，３及び図５に、その実施例をそれぞれ示す
ように、既存の導電部材を取り除く工程と、前記導電部
材が除かれた領域を掘削して溝部を形成する工程と、前
記溝部に他の導電部材を熱接着する工程とを有し、前記
他の導電部材には、本発明の導電部材の製造方法により
形成された接着性部材が用いられることを特徴とする。

【００１５】さらに、本発明の電子回路基板の第２の製
造方法は図６に、その実施例を示すように、既存の導電
部材を取り除く工程と、前記導電部材が除かれた領域を
掘削して溝部を形成する工程と、前記溝部に両面接着フ
ィルムを形成する工程と、前記両面接着フィルム上に他
の導電部材を熱接着する工程とを有することを特徴とす
る。

【００１６】なお、本発明の電子回路基板の第１，第２
の製造方法において、前記熱接着の工程の後に、前記既
存の導電部材と他の導電部材とを接合する工程を有する
ことを特徴とし、上記目的を達成する。

【００１７】

【作用】本発明の導電部材の製造方法は図２（Ａ）に示
すように、耐熱ポリイミド樹脂系材料から成るフィルム
状基板の一方の面に、同様な材料から成る接着層を形成
している。このため、接着層，フィルム状基板及び導電
パターンが形成された積層部材を切断すると、補修用の
配線やパッド等の接着性部材を製造することが可能とな
る。なお、当該補修用の配線やパッドは、従来例と異な
り、その導電パターンの下部に接着層が予め設けられた
形態を有している。

【００１８】本発明の電子回路基板の第１の製造方法は
図３（Ｂ）に示すように、補修用の導電部材を溝部に熱
接着する際に、本発明の導電部材から成る接着性部材が
用いられる。このため、微小面積の溝部に流動性の接着
剤を塗布する工程が省略される。また、従来例のような
マイクロディスペンサ等を使用する必要がない。これに
より、回路基板が高密度化，微細化に伴い、例えば、欠
損部分の配線と隣接配線との距離が非常に短くなった場
合であっても、従来例のような過剰な接着剤が溝部から
外部に流れ出すという状態も起きず、隣接配線を被服し
てしまうという恐れもない。

【００１９】なお、ポリイミド樹脂系材料から形成され
た接着性部材では、後工程の300 °Ｃ以上の加熱雰囲気
に十分耐えられる。例えば、チップ表面実装時の半田工
程において、300 °Ｃ以上の加熱雰囲気に基板が比較的
長い間，曝されても、ポリイミド樹脂系の接着層が安定
な状態を維持する。このため、その接着力が維持され、
絶縁抵抗も良好な状態を維持する。

【００２０】さらに、本発明の電子回路基板の第２の製
造方法は図６の実施例に示すように、例えば、不良な導
電部材を除いた領域が掘削され、その溝部に両面接着フ
ィルムが形成される。このため、第１の製造方法と同様
に、周辺の配線や電極に悪影響を与えずに両面接着フィ
ルム上に補修用のパッドや配線等の他の導電部材を接着
することが可能となる。その後に、既存の導電部材と他
の導電部材とが，例えば、レーザ加工法により、両部材
間が直接，局部加熱され、それが溶融接合される。

【００２１】これにより、再現性良く、かつ、絶縁性及
び導電性良く他の導電部材を移植することが可能とな
る。また、両部材の導通を確実かつ堅固に採ることが可
能となる。

【００２２】

【実施例】次に、図を参照しながら本発明の実施例につ
いて説明をする。図１〜６は、本発明の各実施例に係る
導電部材の製造方法及び電子回路基板の製造方法を説明
する図である。（１）第１の実施例の説明図１（Ａ）〜（Ｃ）は、本発明の各実施例に係る薄膜多
層回路基板の説明図であり、図１（Ａ）は、その平面図
であり、図１（Ｂ）は、その良品パッドの平面図であ
り、図１（Ｃ）は、その不良品パッドの平面図をそれぞ
れ示している。

【００２３】例えば、大型のコンピュータに使用可能な
薄膜多層配線基板は、図１（Ａ）において、回路基板10
0 に数百〜数千のパッド101 や数μｍ間隔の表層配線10
2 が設けられて成る。回路基板100 はセラミックスや樹
脂系基板から成る。パッド101 は、実装部品103 ，例え
ば、半導体集積回路（以下ＬＳＩという）装置を接続す
る電極である。表層配線102 は、回路基板100 の多層配
線層に接続される。

【００２４】図１（Ｂ）において、良品パッド101 は、
数字の「８」のパターンを部分的に分割した形状から成
る。分割パターン部には、実装部品103 の入出力電極が
接合される。八角形のパターン部は、外部配線や、回路
基板内の多層配線層に接続される。なお、図１（Ｃ）
は、不良品パッド104 であり、実装変更や、実装不具合
により誤って生じ、八角形のパターン部が欠損した状態
を示している。

【００２５】次に、このような設計変更や、欠損部分を
補修する場合の移植方法について説明をする。図２
（Ａ）〜（Ｃ）は、本発明の第１の実施例に係る補修用
パッドの形成工程図であり、図３（Ａ）〜（Ｃ）は、本
発明の第１の実施例に係る補修用パッドの移植工程図を
それぞれ示している。例えば、図３（Ｂ）に示すような
接着性補修パッド14Ａを形成する場合、図２（Ａ）にお
いて、まず、ガラス基板１１上にポリイミド接着剤１２
を塗布する。次いで、当該接着層上にベースフィルム
（フィルム状基板）１３を形成する。その後、１３０°
Ｃ，３０分関程度で基板１１を加熱し、ポリイミド接着
剤１２を仮硬化させる。

【００２６】ここで、べースフィルム１３には、厚さ
７．５μｍ程度のポリイミドフィルム（東レ，デュポ
ン，カプトン製）を使用する。接着剤１２には、末端付
加型のポリイミド２４％のジクライム溶液（カネボウＮ
ＳＣ製，商品名サーミッドＩＰ−６００）を用いる。両
材料は共に、３００°Ｃ以上で良好な耐熱性を有し、ま
た、電気的な絶縁性を有する。

【００２７】次に、図２（Ｂ）において、べースフィル
ム１３上に銅やアルミニウム等の金属薄膜１４を形成
し、その後、補修パッドパターン（導電パターン）14Ａ
を形成する。次いで、図２（Ｃ）において、ポリイミド
接着剤１２，べースフィルム１３及び補修パッドパター
ン14Ａが形成された積層部材を切断する。この積層部材
の厚さは５μｍ程度である。例えば、切断方法は、補修
パッドパターンが形成されているマスクを介してレーザ
加工をする。このパターンの形状は一辺が２４０μｍの
正八角形と一辺が３１０μｍの正八角形とが複合した
「８」の字状である。この際のパターン加工及び素子分
離は、ＫｒＦエキシマレーザにより行う。

【００２８】これにより、ポリイミド接着剤１２，べー
スフィルム１３及び補修パッドパターン14Ａから成る接
着性補修パッド14Ａを形成することができる。なお、配
線入りの接着性補修パッド14Ａを形成する場合には、マ
スクを用いたエキシマレーザにより加工方法の他に、フ
ォトリソグラフィによる加工方法等が考えられる。次
に、図１（Ｃ）に示すような不良パッド104 を良品パッ
ド101 に置き換える場合、図３（Ａ）において、回路基
板100 から不図示の不良パッドを取り除く。その後、不
良パッドが除かれた領域を掘削して溝部１５を形成す
る。ここで、溝部１５は開口幅４００×４００μｍ□程
度である。不良パッドの除去方法は、被加工部が開口さ
れた誘電体ミラーマスクを用い、エキシマレーザ等によ
りエッチングする。

【００２９】さらに、図３（Ｂ）において、溝部１５に
接着性補修パッド14Ａを熱接着する。ここで、接着性補
修パッド14Ａには、本発明の第１の実施例により形成さ
れた接着性部材を用いる。ここで、回路基板100 の溝部
１５に接着性補修パッド14Ａを載置し、このパッド14Ａ
上から加熱装置により、局部的に加圧熱着する。温度は
３１５°Ｃ程度である。これにより、当該補修パッド14
Ａが仮りに押さえられる。その後、当該基板100 を熱処
理装置に導入する。この際の加熱条件は、１７０°Ｃ，
１５分の初期加熱と、２５０°Ｃ，６０分の継続加熱で
ある。

【００３０】次いで、図３（Ｃ）において、補修パッド
14Ａと他のパッド等との間をワイヤボンディングする。
これにより、図１（Ｃ）に示すような不良パッド104 が
良品パッド101 に置き換えられる。このようにして、本
発明の第１の実施例に係る導電部材の製造方法によれ
ば、図２（Ａ）に示すように、べースフィルム１３の一
方の面に、ポリイミド接着剤１２を形成している。

【００３１】このため、ポリイミド接着剤１２，べース
フィルム１３及び補修パッドパターンが形成された積層
部材を切断すると、接着性補修パッド14Ａを製造するこ
とが可能となる。なお、当該補修パッド14Ａは従来例と
異なり、その下部に接着層１２が予め設けられた形態を
有している。これにより、従来例のようなエポキシ系の
接着剤に依存しない接着処理を行うことが可能となる。

【００３２】また、本発明の第１の実施例に係る薄膜多
層回路基板の製造方法によれば、図３（Ｂ）に示すよう
に、不良パッド104 を取り除いて、良品パッド101 を移
植する際に、本発明の第１の実施例に係る接着性補修パ
ッド14Ａが用いられる。このため、微小面積の溝部１５
にエポキシ系の接着剤を塗布する工程が省略される。ま
た、従来例のようなマイクロディスペンサ等を使用する
必要がない。これにより、回路基板100 の高密度化，微
細化に伴い、例えば、欠損部分のパッドと隣接パッドと
の距離が非常に短くなった場合であっても、従来例のよ
うな過剰な接着剤が溝部から外部に流れ出すという状態
も起きず、隣接パッドを被服してしまうという恐れもな
い。

【００３３】なお、ポリイミド樹脂系材料から形成され
た接着性補修パッド14Ａでは、後工程の300 °Ｃ以上の
加熱雰囲気に十分耐えられる。例えば、チップ表面実装
時の半田工程において、300 °Ｃ以上の加熱雰囲気に基
板100 が比較的長い間，曝されても、ポリイミド接着剤
１２が安定な状態を維持する。このため、その接着力
（１００ｋｇｆ／ｃｍ²以上）が維持され、絶縁抵抗も
良好な状態が維持される。

【００３４】これにより、万が一パッド101 が欠損した
場合や、その他の設計変更に伴い配線接続を変更する場
合にも、信頼性良くかつ簡便に接着性補修パッド14Ａに
よりその修復を行うことが可能となる。（２）第２の実施例の説明図４（Ａ）〜（Ｃ）は、本発明の第２の実施例に係る補
修用配線の形成工程図であり、図５（Ａ）〜（Ｃ）は、
本発明の第２の実施例に係る補修用配線の移植工程図を
それぞれ示している。

【００３５】例えば、図５（Ｂ）に示すような接着性補
修配線（以下微細配線ユニットという）24Ａを形成する
場合、図４（Ａ）において、まず、第１の実施例と同様
にガラス基板２１上にポリイミド接着剤２２を塗布す
る。次に、当該接着層上にベースフィルム２３を形成す
る。その後、１３０°Ｃ，３０分間程度で基板２１を加
熱し、ポリイミド接着剤２２を仮硬化させる。

【００３６】ここで、べースフィルム２３には、厚さ1
2.5μｍ程度のポリイミドフィルムを使用する。接着剤
２２には、末端付加型のポリイミド２４％のジクライム
溶液を用いる。接着剤２２の厚さは１０μｍ程度であ
る。商品名等は第１の実施例と同様である。次に、図４
（Ｂ）において、べースフィルム２３上に銅やアルミニ
ウム等の金属薄膜を形成し、その後、補修配線パターン
（導電パターン）24Ａを形成する。

【００３７】次いで、図４（Ｃ）において、ポリイミド
接着剤２２，べースフィルム２３及び補修配線パターン
24Ａが形成された積層部材を切断する。この積層部材の
厚さは42.5μｍ程度である。切断方法はマスクを介して
ＫｒＦエキシマレーザにより行う。これにより、ポリイ
ミド接着剤２２，べースフィルム２３及び補修配線パタ
ーン２４から成る微細配線ユニット24Ａを形成すること
ができる。

【００３８】次に、図７（Ｂ）に示したような欠損部分
Ｘの配線７を良品の配線に置き換える場合、図５（Ａ）
において、回路基板100 から不図示の不良配線を取り除
く。その後、不良配線が除かれた領域を掘削して溝部２
５を形成する。ここで、不良配線の除去方法は、第１の
実施例と同様に、被加工部が開口されたマスクを用い、
エキシマレーザ等によりエッチングする。

【００３９】さらに、図５（Ｂ）において、溝部２５に
微細配線ユニット24Ａを熱接着する。ここで、当該ユニ
ット24Ａには、本発明の第２の実施例により形成された
接着性補修配線を用いる。例えば、図５（Ｃ）におい
て、回路基板100 の溝部２５に微細配線ユニット24Ａを
載置し、この配線24Ａ上から加熱装置により、局部的に
加圧熱着する。温度は３１５°Ｃ程度である。これによ
り、当該補修配線24Ａが仮りに押さえられる。その後、
当該基板100 を熱処理装置に導入する。この際の加熱条
件は、第１の実施例と同様である。

【００４０】次いで、図５（Ｄ）において、補修配線24
Ａと他の配線102 等との間を熱融合する。この際に、配
線金属の接合部位にＹＡＧレーザを収束させ、配線金属
自体を溶解させ、その間の回路結線を行う。これによ
り、図７（Ｂ）に示したような欠損部分Ｘの配線７が良
品配線102 となる。このようにして、本発明の第２の実
施例に係る導電部材の製造方法によれば、図４（Ａ）に
示すように、べースフィルム２３の一方の面に、ポリイ
ミド接着剤２２を形成している。

【００４１】このため、ポリイミド接着剤２２，べース
フィルム２３及び補修配線パターンが形成された積層部
材を切断すると、微細配線ユニット24Ａを製造すること
が可能となる。これにより、従来例のようなエポキシ系
の接着剤に依存しない配線移植処理を行うことが可能と
なる。また、本発明の第２の実施例に係る薄膜多層回路
基板の製造方法によれば、図５（Ｂ）に示すように、微
細配線ユニット24Ａが用いられる。

【００４２】このため、従来例のような微小面積の溝部
２５にエポキシ系の接着剤を塗布する工程が省略され
る。また、回路基板100 の高密度化，微細化に伴い、例
えば、欠損部分の配線と隣接配線との距離が非常に短く
なった場合であっても、従来例のような過剰な接着剤が
溝部から外部に流れ出すという状態も起きず、隣接配線
を被服してしまうという恐れもない。なお、本発明の実
施例により100 μｍ以下の微細配線等の移植が可能にな
った。

【００４３】また、ポリイミド樹脂系材料から形成され
た微細配線ユニット24Ａでは、第１の実施例と同様に、
チップ表面実装時の半田工程において、300 °Ｃ以上の
加熱雰囲気に十分耐えられ、その接着力（１００ｋｇｆ
／ｃｍ²以上）が維持され、移植された部位の導通性も
良好であった。これにより、万が一配線102 が欠損した
場合や、その他の設計変更に伴い配線接続を変更する場
合にも、信頼性良くかつ簡便に微細配線ユニット24Ａに
よりその修復を行うことが可能となる。

【００４４】（３）第３の実施例の説明図６は、本発明の第３の実施例に係る補修用パッドの移
植工程図である。なお、第１，第２の実施例と異なるは
第３の実施例では補修用パッドと接着層とが溝部で一体
形成されるものである。例えば、図１（Ｃ）に示すよう
な不良パッド104 を良品パッド３７に置き換える場合、
図６（Ａ）において、回路基板100 から不図示の不良パ
ッドを取り除く。その後、不良パッドが除かれた領域を
掘削して溝部３５を形成する。ここで、溝部３５は開口
幅４００×４００μｍ□程度である。不良パッドの除去
方法は、被加工部が開口された誘電体ミラーマスクを用
い、エキシマレーザ等によりエッチングする。

【００４５】さらに、図６（Ｂ）において、溝部３５に
両面接着フィルム３６を載置する。ここで、当該フィル
ム３６はべースポリイミドフィルム36Ｂの両面にポリイ
ミド系の接着層36Ａが形成されたものである。大きさ
は、溝部３５の開口幅より小さくなるように切断をす
る。その後、両面接着フィルム３６上に補修用パッド３
７を載置する。

【００４６】次いで、図６（Ｃ）において、補修用パッ
ド３７と基板100 とを両面接着フィルム３６を介して熱
接着する。ここで、補修用パッド３７上から加熱装置に
より、局部的に加圧熱着する。温度は３１５°Ｃ程度で
ある。これにより、当該補修パッド３７が仮りに押さえ
られる。その後、当該基板100 を熱処理装置に導入す
る。この際の加熱条件は、第１の実施例と同様である。

【００４７】その後、補修パッド３７と他のパッド等と
の間を金線３８等により接合する。金線３８はワイヤー
ボンディング法等により行う。これにより、図１（Ｃ）
に示すような不良パッド104 が良品パッド３７に置き換
えられる。このようにして、本発明の第３の実施例に係
る薄膜多層回路基板の製造方法によれば、図６（Ａ）に
おいて、不良パッドを除いた領域が掘削され、その溝部
３５に両面接着フィルム３６が形成される。

【００４８】このため、第１の実施例と同様に、周辺の
配線や電極に悪影響を与えずに両面接着フィルム３６上
に補修用パッド３７を接着することが可能となる。その
後に、既存のパッドと補修用パッド３７とが，例えば、
ワイヤボンディング法によりそれが半田付けされる。こ
れにより、再現性良く、かつ、絶縁性及び導電性良く補
修用パッドを移植することが可能となる。また、両部材
の導通を確実かつ堅固に採ることが可能となる。なお、
従来例のような、溝部３５から外部に接着剤等の這い上
がりが生じない。このことで、信頼性の良い薄膜多層配
線基板を製造すること、及び、生産歩留りの向上を図る
ことが可能となる。

【００４９】

【発明の効果】以上説明したように、本発明の導電部材
の製造方法によれば、耐熱ポリイミド樹脂系のフィルム
状基板の一方の面に、同様な樹脂系の接着層を形成して
いる。このため、微細化する補修用の配線やパッド等の
接着性部材を製造することができ、その接着の際の流動
性の接着剤が不要となる。

【００５０】また、本発明の電子回路基板の製造方法に
よれば、補修用の導電部材を熱接着する際に、本発明の
製造方法による接着性部材が用いられる。このため、万
が一配線や電極等が欠損した場合や、設計変更をする場
合に、簡易に部材修復を行うことが可能となる。また、
回路基板の高密度化，微細化に伴い部材ピッチが非常に
短くなった場合であっても、接着性部材を再現性良く移
植することができる。

【００５１】さらに、本発明の電子回路基板の他の製造
方法によれば、不良部分の導電部材を除いた領域が掘削
され、その溝部に両面接着フィルムが形成される。この
ため、周辺の配線や電極に悪影響を与えずに、配線や電
極等の導電部材を移植することが可能となる。なお、ポ
リイミド樹脂系の接着性部材では、300 °Ｃ以上の加熱
雰囲気に十分耐えられ、しかも、接着性，絶縁性に富
み、接合部の良好な導電性を確保することが可能とな
る。

【００５２】これにより、信頼性の良い薄膜多層配線基
板を製造すること、及び、生産歩留りの向上に寄与する
ところが大きい。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の各実施例に係る薄膜多層回路基板の説
明図である。

【図２】本発明の第１の実施例に係る補修用パッドの形
成工程図である。

【図３】本発明の第１の実施例に係る補修用パッドの移
植工程図である。

【図４】本発明の第２の実施例に係る補修用配線の形成
工程図である。

【図５】本発明の第２の実施例に係る補修用配線の移植
工程図である。

【図６】本発明の第３の実施例に係る補修用パッドの移
植工程図である。

【図７】従来例に係る微細回路基板の補修方法の説明図
である。

【符号の説明】

１１，２１…ガラス基板、１２，２２…ポリイミド系接着剤、１３，２３…ベースフィルム、１４，２４…金属薄膜、 14Ａ…接着性補修用パッド、３７…補修用パッド 24Ａ…接着性補修用配線（微細配線ユニット）、１５，２５，３５…溝部、３６…両面接着フィルム。

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】フィルム状基板の一方の面に接着層を形
成する工程と、前記フィルム状基板の他の面に導電パタ
ーンを形成する工程と、前記接着層，フィルム状基板及
び導電パターンが形成された積層部材を切断する工程と
を有し、前記接着層及びフィルム状基板が耐熱ポリイミド樹脂系
材料から成ることを特徴とする導電部材の製造方法。
【請求項２】既存の導電部材を取り除く工程と、前記
導電部材が除かれた領域を掘削して溝部を形成する工程
と、前記溝部に他の導電部材を熱接着する工程とを有
し、前記他の導電部材には、請求項１の導電部材の製造方法
により形成された接着性部材が用いられることを特徴と
する電子回路基板の製造方法。
【請求項３】既存の導電部材を取り除く工程と、前記
導電部材が除かれた領域を掘削して溝部を形成する工程
と、前記溝部に両面接着フィルムを形成する工程と、前
記両面接着フィルム上に他の導電部材を熱接着する工程
とを有することを特徴とする電子回路基板の製造方法。
【請求項４】請求項２，３記載の電子回路基板の製造
方法において、前記熱接着の工程の後に、前記既存の導
電部材と他の導電部材とを接合する工程を有することを
特徴とする電子回路基板の製造方法。