JPH0775231A - エナメル絶縁電線の接続端末処理方法 - Google Patents
エナメル絶縁電線の接続端末処理方法Info
- Publication number
- JPH0775231A JPH0775231A JP6042993A JP4299394A JPH0775231A JP H0775231 A JPH0775231 A JP H0775231A JP 6042993 A JP6042993 A JP 6042993A JP 4299394 A JP4299394 A JP 4299394A JP H0775231 A JPH0775231 A JP H0775231A
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- Japan
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- enamel
- insulated wire
- enamel insulated
- yag laser
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 エナメル電線の絶縁皮膜処理に於いて、パル
スＹＡＧレーザ光を利用し、容易に絶縁皮膜層の剥離を
行うことを目的とする。 【構成】 パルス幅が比較的長く単一パルスのエネルギ
ーが大きいパルスＹＡＧレーザ光２を用い、集光された
パルスＹＡＧレーザ光２を一定角度内にて部分的に回転
させる回転軸を有する反射ミラー１０に反射させ、集光
点をエナメル絶縁層の剥離が必要な長さ分だけ移動照射
し、絶縁皮膜層の剥離を行う。
スＹＡＧレーザ光を利用し、容易に絶縁皮膜層の剥離を
行うことを目的とする。 【構成】 パルス幅が比較的長く単一パルスのエネルギ
ーが大きいパルスＹＡＧレーザ光２を用い、集光された
パルスＹＡＧレーザ光２を一定角度内にて部分的に回転
させる回転軸を有する反射ミラー１０に反射させ、集光
点をエナメル絶縁層の剥離が必要な長さ分だけ移動照射
し、絶縁皮膜層の剥離を行う。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は線径が１ｍｍ以下の小型
電気部品の中で、モーター用コイル、リレー用コイル、
その他一定のボビンに巻回されたコイルやリード端子と
してエナメル絶縁電線の接続端末部処理（エナメル絶縁
層の剥離、電線と被接続物との半田付け、またはその両
者）をする方法に関する。
電気部品の中で、モーター用コイル、リレー用コイル、
その他一定のボビンに巻回されたコイルやリード端子と
してエナメル絶縁電線の接続端末部処理（エナメル絶縁
層の剥離、電線と被接続物との半田付け、またはその両
者）をする方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来のエナメル絶縁電線の接続端末部処
理方法について説明する。
理方法について説明する。
【０００３】小型電気部品の中で、モーター用コイル、
リレー用コイル、その他一定のボビンに巻回されたコイ
ルやリード端子としてエナメル絶縁電線が多く用いられ
ているが、その端子部の処理にはさまざまな方法が用い
られている。たとえば被接続物にエナメル絶縁電線を接
続する際、まずエナメル絶縁層を除去する方法としては
リューター等の装置を用いて機械的に削り取るか、エナ
メル層を薬品、熱などで溶融してしまうかの方法が用い
られる。次に被接続物に接続するためには、機械的な圧
着、溶接、半田こて、半田ロボットによる半田付けなど
が用いられている。
リレー用コイル、その他一定のボビンに巻回されたコイ
ルやリード端子としてエナメル絶縁電線が多く用いられ
ているが、その端子部の処理にはさまざまな方法が用い
られている。たとえば被接続物にエナメル絶縁電線を接
続する際、まずエナメル絶縁層を除去する方法としては
リューター等の装置を用いて機械的に削り取るか、エナ
メル層を薬品、熱などで溶融してしまうかの方法が用い
られる。次に被接続物に接続するためには、機械的な圧
着、溶接、半田こて、半田ロボットによる半田付けなど
が用いられている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記従
来の方法では、エナメル絶縁層を剥離する際に、機械的
に行うとエナメル絶縁電線の芯線に損傷を与える。ま
た、薬品などでのエナメル絶縁層の溶融は、その取扱い
に手間がかかりすぎる問題が多い。さらにエナメル絶縁
電線を被接続物に接続する際、いずれの方法でも直接に
コテ、道具などを被接続物および電線に接触させなけれ
ばならず、非常に細かい部分、個所では接続が困難にな
る問題を有していた。
来の方法では、エナメル絶縁層を剥離する際に、機械的
に行うとエナメル絶縁電線の芯線に損傷を与える。ま
た、薬品などでのエナメル絶縁層の溶融は、その取扱い
に手間がかかりすぎる問題が多い。さらにエナメル絶縁
電線を被接続物に接続する際、いずれの方法でも直接に
コテ、道具などを被接続物および電線に接触させなけれ
ばならず、非常に細かい部分、個所では接続が困難にな
る問題を有していた。
【０００５】本発明は上記従来の問題点を解決するもの
で、エナメル絶縁電線および被接続物に非接触で端子部
処理を可能とし、エナメル絶縁層の剥離不良に起因する
接続不良や非常に細かい接続部分の半田接続を可能とす
る方法を提供することを目的とする。
で、エナメル絶縁電線および被接続物に非接触で端子部
処理を可能とし、エナメル絶縁層の剥離不良に起因する
接続不良や非常に細かい接続部分の半田接続を可能とす
る方法を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に、本発明はパルス幅が長く、単一パルスエネルギーが
大きいパルスＹＡＧレーザ光を用い、このパルスＹＡＧ
レーザ光をエナメル絶縁電線に照射して、エナメル絶縁
電線を剥離するエナメル絶縁電線の接続端末処理方法と
する。またパルス幅が短く、単一パルスエネルギーが小
さいパルスＹＡＧレーザ光をエナメル絶縁電線の皮膜剥
離部に介在した半田に照射し、エナメル絶縁電線を被接
続端子に接続するエナメル絶縁電線の接続端末処理方法
とする。
に、本発明はパルス幅が長く、単一パルスエネルギーが
大きいパルスＹＡＧレーザ光を用い、このパルスＹＡＧ
レーザ光をエナメル絶縁電線に照射して、エナメル絶縁
電線を剥離するエナメル絶縁電線の接続端末処理方法と
する。またパルス幅が短く、単一パルスエネルギーが小
さいパルスＹＡＧレーザ光をエナメル絶縁電線の皮膜剥
離部に介在した半田に照射し、エナメル絶縁電線を被接
続端子に接続するエナメル絶縁電線の接続端末処理方法
とする。
【０００７】
【作用】この方法によって、エナメル絶縁電線の絶縁皮
膜剥離を任意に行うことも、糸半田もしくはクリーム半
田を用いて被接続物と電線の半田付けを非接触にて容易
に行うこともでき、および皮膜剥離から半田付けまで一
連の処理を行うこともできることとなる。
膜剥離を任意に行うことも、糸半田もしくはクリーム半
田を用いて被接続物と電線の半田付けを非接触にて容易
に行うこともでき、および皮膜剥離から半田付けまで一
連の処理を行うこともできることとなる。
【０００８】
【実施例】以下本発明の一実施例について、図面を参照
しながら説明する。
しながら説明する。
【０００９】図１は本発明の一実施例によるエナメル絶
縁電線の皮膜剥離方法を示す図である。図に示すよう
に、まず対象とするエナメル絶縁電線５を浮かして保持
し、パルスＹＡＧレーザ装置１よりレーザ光伝達ファイ
バー３によりレーザ光を出射端ユニット４に導き、前記
出射端ユニット４よりパルス幅が比較的長い（１ｍｓ〜
１０ｍｓ）単一のパルスＹＡＧレーザ光２をエナメル絶
縁電線に照射する。ここでパルスＹＡＧレーザ光２の波
長（１．０６μｍ）はエナメル絶縁層を透過し易いが、
エナメル絶縁層内の顔料、その他の吸収し易い成分、お
よび内部芯線に吸収されたエネルギーにてエナメル絶縁
層を熱溶解させ、前記エナメル絶縁層よりなる皮膜を剥
離することができる。この際、単一のパルスＹＡＧレー
ザ光を数回照射することも効果的である。また、エナメ
ル絶縁層が剥離の際の芯線の酸化を防止するためには、
前記パルスＹＡＧレーザ光照射時に同時に不活性ガスま
たは窒素ガスを吹き付けるか、前記各ガスの雰囲気の中
で処理を行うと芯線の酸化が防止でき、エナメル絶縁層
の剥離の後の半田付けを行う際、半田と半田付けをされ
る対象物の馴染みが良く、効果的となる。
縁電線の皮膜剥離方法を示す図である。図に示すよう
に、まず対象とするエナメル絶縁電線５を浮かして保持
し、パルスＹＡＧレーザ装置１よりレーザ光伝達ファイ
バー３によりレーザ光を出射端ユニット４に導き、前記
出射端ユニット４よりパルス幅が比較的長い（１ｍｓ〜
１０ｍｓ）単一のパルスＹＡＧレーザ光２をエナメル絶
縁電線に照射する。ここでパルスＹＡＧレーザ光２の波
長（１．０６μｍ）はエナメル絶縁層を透過し易いが、
エナメル絶縁層内の顔料、その他の吸収し易い成分、お
よび内部芯線に吸収されたエネルギーにてエナメル絶縁
層を熱溶解させ、前記エナメル絶縁層よりなる皮膜を剥
離することができる。この際、単一のパルスＹＡＧレー
ザ光を数回照射することも効果的である。また、エナメ
ル絶縁層が剥離の際の芯線の酸化を防止するためには、
前記パルスＹＡＧレーザ光照射時に同時に不活性ガスま
たは窒素ガスを吹き付けるか、前記各ガスの雰囲気の中
で処理を行うと芯線の酸化が防止でき、エナメル絶縁層
の剥離の後の半田付けを行う際、半田と半田付けをされ
る対象物の馴染みが良く、効果的となる。
【００１０】なお、上記方法において、パルスＹＡＧレ
ーザ光のパルス幅が１ｍｓ以下になるとエナメル絶縁層
の剥離のためのエネルギー不足になったり、単一パルス
のピークのエネルギーのみが大きくなり、エナメル絶縁
層の剥離が難しい。また逆にパルスＹＡＧレーザ光のパ
ルス幅が１０ｍｓ以上になるとエネルギー過多になった
り、単一パルスのピークのエネルギーが不足して、エナ
メル絶縁層の剥離条件として不十分となる。
ーザ光のパルス幅が１ｍｓ以下になるとエナメル絶縁層
の剥離のためのエネルギー不足になったり、単一パルス
のピークのエネルギーのみが大きくなり、エナメル絶縁
層の剥離が難しい。また逆にパルスＹＡＧレーザ光のパ
ルス幅が１０ｍｓ以上になるとエネルギー過多になった
り、単一パルスのピークのエネルギーが不足して、エナ
メル絶縁層の剥離条件として不十分となる。
【００１１】図２は本発明の他の実施例の半田付けを行
う方法を示す図である。この実施例では被接続端子部６
にエナメル絶縁層が剥離された電線５を上部に沿わせて
配置し、糸半田７を供給しながら、パルスＹＡＧレーザ
光２を高速で繰り返し照射する。この際のパルスＹＡＧ
レーザ光２のパルス幅は１ｍｓ以下とする。これは前記
パルス幅が１ｍｓ以上ではエネルギー過多となり条件と
しては適さず、また照射の繰り返しを少なくすると単一
パルスのエネルギーが高くなり半田飛散を起こし、条件
として適していない。半田付けのためには１秒間１００
回以上のパルス繰り返しがふさわしい。実施例では糸半
田７の場合を示したが、クリーム半田を被接続端子部６
と電線５上に配置すれば、前述の実施例と同じくクリー
ム半田による半田付けができる。
う方法を示す図である。この実施例では被接続端子部６
にエナメル絶縁層が剥離された電線５を上部に沿わせて
配置し、糸半田７を供給しながら、パルスＹＡＧレーザ
光２を高速で繰り返し照射する。この際のパルスＹＡＧ
レーザ光２のパルス幅は１ｍｓ以下とする。これは前記
パルス幅が１ｍｓ以上ではエネルギー過多となり条件と
しては適さず、また照射の繰り返しを少なくすると単一
パルスのエネルギーが高くなり半田飛散を起こし、条件
として適していない。半田付けのためには１秒間１００
回以上のパルス繰り返しがふさわしい。実施例では糸半
田７の場合を示したが、クリーム半田を被接続端子部６
と電線５上に配置すれば、前述の実施例と同じくクリー
ム半田による半田付けができる。
【００１２】図３も本実施例の他の実施例を示し、この
実施例ではエナメル絶縁電線を被接続端子部に巻回した
状態で、エナメル絶縁層の剥離を行い、そのままの状態
にて、後工程にて半田付けを行うものである。すなわ
ち、モーターのステーターに巻回したエナメル絶縁電線
５を被接続端子（コイル端子）６に接続するもので、パ
ルスＹＡＧレーザ光２を照射し、糸半田７を用いて接続
するものである。
実施例ではエナメル絶縁電線を被接続端子部に巻回した
状態で、エナメル絶縁層の剥離を行い、そのままの状態
にて、後工程にて半田付けを行うものである。すなわ
ち、モーターのステーターに巻回したエナメル絶縁電線
５を被接続端子（コイル端子）６に接続するもので、パ
ルスＹＡＧレーザ光２を照射し、糸半田７を用いて接続
するものである。
【００１３】この実施例において、エナメル絶縁層より
なる皮膜剥離、および半田付けのためのパルスＹＡＧレ
ーザ光２の出力条件は、実施例１，２にて示した条件を
用いる。この処理方法に用いられるパルスＹＡＧレーザ
装置が前もって２つ以上の発振条件をセットできる機能
を有していると、この実施例３で示した処理が連続的に
可能である。また、パルスＹＡＧレーザ装置がレーザ光
を複数個所に同一出力条件にて出射できる分岐機能を有
していれば、複数での処理ができ、特にモーターなどに
用いられるコイル端子の場合、３つのコイル端子を同時
に処理することができる。
なる皮膜剥離、および半田付けのためのパルスＹＡＧレ
ーザ光２の出力条件は、実施例１，２にて示した条件を
用いる。この処理方法に用いられるパルスＹＡＧレーザ
装置が前もって２つ以上の発振条件をセットできる機能
を有していると、この実施例３で示した処理が連続的に
可能である。また、パルスＹＡＧレーザ装置がレーザ光
を複数個所に同一出力条件にて出射できる分岐機能を有
していれば、複数での処理ができ、特にモーターなどに
用いられるコイル端子の場合、３つのコイル端子を同時
に処理することができる。
【００１４】図４は本発明の他の実施例によるエナメル
電線の皮膜剥離方法を示す図であるが、９は反射ミラ
ー、１０は回転軸を有する反射ミラー、１１は集光レン
ズである。本実施例において、パルスＹＡＧレーザ光２
は出射端ユニット４を介した後に回転軸を有する反射ミ
ラー１０にて反射させ、加工点に集光させる。そして反
射ミラー１０の回転角度と回転速度はパルスＹＡＧレー
ザ光２のパルス繰り返し数との関係により、加工点での
被加工物であるエナメル電線５の皮膜剥離長さを規定す
ることができる。この際、パルスＹＡＧレーザ光２の波
長（１．０６μｍ）はエナメル層１４を透過し易いが、
エナメル層１４内の顔料その他の吸収し易い成分、およ
び芯線部１５に吸収されたエネルギーにてエナメル層１
４を熱溶解させ、エナメル層１４を剥離することができ
る。また、剥離の際の芯線部１５の酸化を防止するため
には同時に不活性ガスまたは窒素ガスを吹き付けるか、
前記ガスの雰囲気の中で処理を行うと芯線部１５の酸化
が防止でき、剥離の後の後工程に半田付けを行う工程が
ある場合、半田と半田付けをされる対象物の馴染みが良
く、効果的となる。
電線の皮膜剥離方法を示す図であるが、９は反射ミラ
ー、１０は回転軸を有する反射ミラー、１１は集光レン
ズである。本実施例において、パルスＹＡＧレーザ光２
は出射端ユニット４を介した後に回転軸を有する反射ミ
ラー１０にて反射させ、加工点に集光させる。そして反
射ミラー１０の回転角度と回転速度はパルスＹＡＧレー
ザ光２のパルス繰り返し数との関係により、加工点での
被加工物であるエナメル電線５の皮膜剥離長さを規定す
ることができる。この際、パルスＹＡＧレーザ光２の波
長（１．０６μｍ）はエナメル層１４を透過し易いが、
エナメル層１４内の顔料その他の吸収し易い成分、およ
び芯線部１５に吸収されたエネルギーにてエナメル層１
４を熱溶解させ、エナメル層１４を剥離することができ
る。また、剥離の際の芯線部１５の酸化を防止するため
には同時に不活性ガスまたは窒素ガスを吹き付けるか、
前記ガスの雰囲気の中で処理を行うと芯線部１５の酸化
が防止でき、剥離の後の後工程に半田付けを行う工程が
ある場合、半田と半田付けをされる対象物の馴染みが良
く、効果的となる。
【００１５】図５も本発明の他の実施例を示したもので
ある。本実施例では図４の集光レンズ１１の代わりにシ
リンドリカルレンズ１２を用いる。この構成にて、必要
な方向にレーザ光を楕円状に集光させ、回転軸を有する
反射ミラー１０にて剥離長さを規定することができるも
のである。
ある。本実施例では図４の集光レンズ１１の代わりにシ
リンドリカルレンズ１２を用いる。この構成にて、必要
な方向にレーザ光を楕円状に集光させ、回転軸を有する
反射ミラー１０にて剥離長さを規定することができるも
のである。
【００１６】これらの各実施例において、パルスＹＡＧ
レーザ光はファイバー３を用いて導くため、種々な加工
姿勢を取ることができるとともに、ビーム径を絞った
り、マスキングを利用し、不必要個所へパルスＹＡＧレ
ーザ光が照射されることを防止すれば、微細な部分の半
田付けも容易に実施することができる。
レーザ光はファイバー３を用いて導くため、種々な加工
姿勢を取ることができるとともに、ビーム径を絞った
り、マスキングを利用し、不必要個所へパルスＹＡＧレ
ーザ光が照射されることを防止すれば、微細な部分の半
田付けも容易に実施することができる。
【００１７】
【発明の効果】以上の実施例の説明より明らかなよう
に、本発明はエナメル絶縁電線の絶縁皮膜処理におい
て、容易に絶縁皮膜層の剥離を行ったり、非接触にて微
細部分の半田付けを糸半田もしくはクリーム半田を用い
て行うことができ、絶縁皮膜剥離から半田付けまで一連
の工程として処理をすることも可能となり、良好なエナ
メル絶縁電線の端末処理方法を提供することができる優
れた効果を奏するものである。
に、本発明はエナメル絶縁電線の絶縁皮膜処理におい
て、容易に絶縁皮膜層の剥離を行ったり、非接触にて微
細部分の半田付けを糸半田もしくはクリーム半田を用い
て行うことができ、絶縁皮膜剥離から半田付けまで一連
の工程として処理をすることも可能となり、良好なエナ
メル絶縁電線の端末処理方法を提供することができる優
れた効果を奏するものである。
【図１】本発明の実施例のエナメル絶縁電線の絶縁皮膜
処理方法を示す構成図
処理方法を示す構成図
【図２】本発明の他の実施例のエナメル絶縁電線の絶縁
皮膜処理方法を示す構成図
皮膜処理方法を示す構成図
【図３】本発明の他の実施例のエナメル絶縁電線の絶縁
皮膜処理方法を示す構成図
皮膜処理方法を示す構成図
【図４】（Ａ）本発明の他の実施例のエナメル絶縁電線
の接続端末処理方法を示す構成図 （Ｂ）同図（Ａ）のＬ部拡大図
の接続端末処理方法を示す構成図 （Ｂ）同図（Ａ）のＬ部拡大図
【図５】（Ａ）本発明の他の実施例のエナメル絶縁電線
の接続端末処理方法を示す構成図 （Ｂ）シリンドリカルレンズの拡大斜視図 （Ｃ）同図（Ａ）のＬ部拡大図
の接続端末処理方法を示す構成図 （Ｂ）シリンドリカルレンズの拡大斜視図 （Ｃ）同図（Ａ）のＬ部拡大図
１ パルスＹＡＧレーザ装置 ２ パルスＹＡＧレーザ光 ３ レーザ光伝達ファイバー ４ 出射端ユニット ５ エナメル絶縁電線 ６ 被接続端子 ７ 糸半田 ９ 反射ミラー １０ 回転軸を有する反射ミラー １１ 集光レンズ １２ シリンドリカルレンズ １３ ファイバー集光レンズ １４ エナメル電線のエナメル層 １５ エナメル電線の芯線部
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 小林 誠 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内
Claims (9)
- 【請求項１】 線径１ｍｍ以下のエナメル絶縁電線にパ
ルス線１〜１０ｍｓで単一パルスエネルギーの大きいパ
ルスＹＡＧレーザ光を照射し、エナメル絶縁層を剥離す
ることを特徴とするエナメル絶縁電線の接続端末処理方
法。 - 【請求項２】 パルスＹＡＧレーザ光照射が、窒素ガ
ス、不活性ガスの吹付と同時に、または前記ガス雰囲気
中にて行われる請求項１記載のエナメル絶縁電線の接続
端末処理方法。 - 【請求項３】 パルスＹＡＧレーザ光で絶縁皮膜が剥離
されたエナメル絶縁電線の前記剥離された部分に半田を
介在させ、パルス幅が短くて単一パルスエネルギーが小
さいパルスＹＡＧレーザ光の照射で被接続端子にエナメ
ル絶縁電線を接続するエナメル絶縁電線の接続端末処理
方法。 - 【請求項４】 半田がクリーム半田である請求項３記載
のエナメル絶縁電線の接続端末処理方法。 - 【請求項５】 請求項１または請求項２を前工程とし、
請求項３または請求項４を後工程として皮膜剥離と半田
付けを行うエナメル絶縁電線の接続端末処理方法。 - 【請求項６】 エナメル電線の皮膜剥離処理としてパル
ス幅１〜１０ｍｓのパルスＹＡＧレーザ光を照射し、エ
ナメル層を剥離する際、前記レーザ光を集光レンズに集
光した後、一定角度にて反復回転した反射ミラーにて反
射させ、集光点を一定距離移動させるエナメル絶縁電線
の接続端末処理方法。 - 【請求項７】 出射端レンズにシリンドリカルレンズを
用いた請求項６記載のエナメル絶縁電線の接続端末処理
方法。 - 【請求項８】 パルスＹＡＧレーザ光照射と同時に、窒
素または不活性ガスを同時に被加工対象物に吹き付ける
か、前記ガス雰囲気中にて、レーザ光を照射する請求項
６記載のエナメル絶縁電線の接続端末処理方法。 - 【請求項９】 パルスＹＡＧレーザ光照射と同時に、窒
素または不活性ガスを同時に被加工対象物に吹き付ける
か、前記ガス雰囲気中にて、レーザ光を照射する請求項
７記載のエナメル絶縁電線の接続端末処理方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6042993A JPH0775231A (ja) | 1993-06-23 | 1994-03-15 | エナメル絶縁電線の接続端末処理方法 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5-150959 | 1993-06-23 | ||
| JP15095993 | 1993-06-23 | ||
| JP6042993A JPH0775231A (ja) | 1993-06-23 | 1994-03-15 | エナメル絶縁電線の接続端末処理方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0775231A true JPH0775231A (ja) | 1995-03-17 |
Family
ID=26382729
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6042993A Pending JPH0775231A (ja) | 1993-06-23 | 1994-03-15 | エナメル絶縁電線の接続端末処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0775231A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105470858A (zh) * | 2015-12-10 | 2016-04-06 | 国家电网公司 | 无人机搭载高能射线清除导线异物装置 |
-
1994
- 1994-03-15 JP JP6042993A patent/JPH0775231A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105470858A (zh) * | 2015-12-10 | 2016-04-06 | 国家电网公司 | 无人机搭载高能射线清除导线异物装置 |
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