JPH0777294B2 - スルーホールの形成方法 - Google Patents
スルーホールの形成方法Info
- Publication number
- JPH0777294B2 JPH0777294B2 JP2111041A JP11104190A JPH0777294B2 JP H0777294 B2 JPH0777294 B2 JP H0777294B2 JP 2111041 A JP2111041 A JP 2111041A JP 11104190 A JP11104190 A JP 11104190A JP H0777294 B2 JPH0777294 B2 JP H0777294B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- conductor paste
- substrate
- hole
- conductor
- film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 11
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 title description 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 55
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 35
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 9
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 11
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 3
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000009834 vaporization Methods 0.000 description 1
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Printing Elements For Providing Electric Connections Between Printed Circuits (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、ハイブリッドIC等を構成する基板のスルーホ
ールの形成方法に関する。
ールの形成方法に関する。
（従来の技術） 従来、ハイブリッドIC等を構成する基板のスルーホール
の形成は、次のような方法によりおこなっていた。すな
わち、第５図に示すように、基板１の上面に所定の配線
パターンを形成するための導体ペースト膜２をスクリー
ン印刷するとき、基板１に形成した貫通孔３の下面側か
ら矢印方向に真空吸引しておく。そうすると、基板１の
上面側に供給された導体ペーストが貫通孔３内に引き込
まれ、その内周面に導体ペースト膜４が形成される。そ
の後、真空吸引を解除してこの導体ペースト膜４を導体
ペースト膜２とともに乾燥して焼成することにより、導
体ペースト膜４は導体膜となりスルーホールが形成され
る。導体ペースト膜２は配線パターンとなる。その後、
図示はしていないが、基板１を反転させて上記と同様の
方法で基板１の上面と貫通孔３の内周面とに導体ペース
ト膜を形成して焼成する。この結果、基板１の両面に形
成された配線パターンは、スルーホールを介して接続さ
れることになる。
の形成は、次のような方法によりおこなっていた。すな
わち、第５図に示すように、基板１の上面に所定の配線
パターンを形成するための導体ペースト膜２をスクリー
ン印刷するとき、基板１に形成した貫通孔３の下面側か
ら矢印方向に真空吸引しておく。そうすると、基板１の
上面側に供給された導体ペーストが貫通孔３内に引き込
まれ、その内周面に導体ペースト膜４が形成される。そ
の後、真空吸引を解除してこの導体ペースト膜４を導体
ペースト膜２とともに乾燥して焼成することにより、導
体ペースト膜４は導体膜となりスルーホールが形成され
る。導体ペースト膜２は配線パターンとなる。その後、
図示はしていないが、基板１を反転させて上記と同様の
方法で基板１の上面と貫通孔３の内周面とに導体ペース
ト膜を形成して焼成する。この結果、基板１の両面に形
成された配線パターンは、スルーホールを介して接続さ
れることになる。
（発明が解決しようとする課題） ところが、上記のようなスルーホールの形成方法におい
ては、基板１に形成した貫通孔３の径が小さい場合や貫
通孔３内に引き込まれる導体ペースト量が多い場合に
は、貫通孔３の下面側からの真空吸引を解除すると、導
体ペーストの表面張力により第６図に示すように貫通孔
３内が導体ペーストでふさがってしまうことがある。こ
のような状態で導体ペーストを焼成すると、導体ペース
トの厚い部分と薄い部分では収縮割合が異なる等の理由
で、第７図に示すように貫通孔３内の導体膜にクラック
が生じ、正常な状態のスルーホールが形成できないとい
う問題があった。本発明は、上記の課題に鑑みてなされ
たものであって、貫通孔の径が小さい場合や貫通孔に引
き込まれる導体ペースト量が多い場合でも正常な状態の
スルーホールを形成することのできるスルーホール形成
方法を提供することを目的とするものである。
ては、基板１に形成した貫通孔３の径が小さい場合や貫
通孔３内に引き込まれる導体ペースト量が多い場合に
は、貫通孔３の下面側からの真空吸引を解除すると、導
体ペーストの表面張力により第６図に示すように貫通孔
３内が導体ペーストでふさがってしまうことがある。こ
のような状態で導体ペーストを焼成すると、導体ペース
トの厚い部分と薄い部分では収縮割合が異なる等の理由
で、第７図に示すように貫通孔３内の導体膜にクラック
が生じ、正常な状態のスルーホールが形成できないとい
う問題があった。本発明は、上記の課題に鑑みてなされ
たものであって、貫通孔の径が小さい場合や貫通孔に引
き込まれる導体ペースト量が多い場合でも正常な状態の
スルーホールを形成することのできるスルーホール形成
方法を提供することを目的とするものである。
（課題を解決するための手段） このような目的を達成するために本発明においては、基
板の上面側に供給した導体ペーストをその下面側から真
空吸引することによって基板に形成した貫通孔の内周面
に導体ペースト膜を形成し、この導体ペースト膜を基板
の下面側から真空吸引した状態で加熱乾燥し、その後に
その導体ペースト膜を焼成するようにしたことを特徴と
している。
板の上面側に供給した導体ペーストをその下面側から真
空吸引することによって基板に形成した貫通孔の内周面
に導体ペースト膜を形成し、この導体ペースト膜を基板
の下面側から真空吸引した状態で加熱乾燥し、その後に
その導体ペースト膜を焼成するようにしたことを特徴と
している。
（作用） 貫通孔内周面に形成した導体ペースト膜を基板の下面側
から真空吸引した状態で加熱乾燥するため、ペースト膜
の表面張力が弱まり貫通孔内が導体ペーストでふさがる
ことがない。そのため、貫通孔の径が小さい場合や引き
込まれる導体ペースト量が多い場合でも正常な状態のス
ルーホールを形成することができる。
から真空吸引した状態で加熱乾燥するため、ペースト膜
の表面張力が弱まり貫通孔内が導体ペーストでふさがる
ことがない。そのため、貫通孔の径が小さい場合や引き
込まれる導体ペースト量が多い場合でも正常な状態のス
ルーホールを形成することができる。
（実施例） 以下、本発明の実施例を図面を参照して詳細に説明す
る。第１図において、アルミナ等からなる基板１を図示
していないステージ上に置いてその下面側から矢印方向
に真空吸引する。この状態で基板１の上面に所定の配線
パターンを形成するための導体ペースト膜２をスクリー
ン印刷する。このとき、基板１の上面側に供給された導
体ペーストが下面側からの真空吸引によって基板１に形
成された貫通孔３内に引き込まれ、その内周面に導体ペ
ースト膜４が形成される。ここまでの工程は従来と同様
である。次いで、この基板１を図示していない別のステ
ージ上に移し、同様にその下面側から真空吸引して貫通
孔３内周面に形成された導体ペースト膜４が基板１の下
面側に真空吸引された状態を保ち、この状態で基板１を
加熱して導体ペースト膜４を導体ペースト膜２とともに
乾燥する。これを第１段階の乾燥とする。この第１段階
の乾燥は、導体ペースト中の溶剤がたとえばテネピネオ
ール系の場合には、約50℃の温度で約20秒間加熱するだ
けでよい。これにより、導体ペースト膜２、４の表面部
分の気化が進み、導体ペーストの表面張力が小さくな
る。したがって、この状態で真空吸引を解除しても貫通
孔３が導体ペーストでふさがることはない。次いで、基
板１をステージ上から乾燥炉中に移し、たとえば約150
℃の温度で約10分間加熱して第２段階の乾燥をおこな
う。この第２段階の乾燥工程により、導体ペースト膜
２、４は十分に乾燥される。なお、上記のような工程を
経て乾燥することが量産工程上好ましいことであるが、
たとえば印刷工程におけるステージ上で第１段階の乾燥
をおこなってもよいし、上記実施例における第１段階の
乾燥工程におけるステージ上で、第１段階の乾燥工程を
省略して真空吸引した状態で直接第２段階の乾燥をおこ
なうようにしてもよい。なお、それぞれの乾燥条件は、
導体ペースト中の溶剤の種類や導体材料の種類等により
適宜の値に設定される。次いで、導体ペースト膜２、４
が十分に乾燥された基板１を焼成炉中に移し、導体ペー
スト膜２、４を所定の条件で焼成する。これにより導体
ペースト膜２、４は第２図に示すようにそれぞれ導体膜
５、６となり、所定の配線パターンとスルーホールとが
形成される。次いで、基板１を配線パターンの形成され
ていない面を上に向けて再び印刷工程におけるステージ
上に置き、第３図に示すようにその下面側から矢印方向
に真空吸引する。この状態で基板１の上面に所定の配線
パターンを形成するための導体ペースト膜７をスクリー
ン印刷する。このとき、導体ペーストが真空吸引によっ
て貫通孔３中に引き込まれ、その内周面に形成された導
体膜６の上に導体ペースト膜８が形成される。その後、
上記と同様の乾燥工程および焼成工程を経て導体ペース
ト膜７、８は、第４図に示すようにそれぞれ導体膜９、
10となり、所定の配線パターンとスルーホールとが形成
される。その結果、基板１の両面に形成された配線パタ
ーンがスルーホールを介して接続されたものとなる。な
お、上記の実施例においては、基板１の両面に配線パタ
ーンを形成するにあたり、それぞれの面ごとに焼成する
ようにしているが、一方の面に導体ペースト膜を印刷し
て乾燥のみをおこない、その状態で他方の面に導体ペー
スト膜を印刷して乾燥し、その後に両面の導体ペースト
膜を同時に焼成するようにしてもよい。この場合、貫通
孔３内の２層の導体ペースト膜も当然のこと同時に焼成
されることになる。また、基板１の一方の面のみにしか
配線パターンを必要としない場合は、第２図に示す状態
でスルーホールの形成は完了することになる。
る。第１図において、アルミナ等からなる基板１を図示
していないステージ上に置いてその下面側から矢印方向
に真空吸引する。この状態で基板１の上面に所定の配線
パターンを形成するための導体ペースト膜２をスクリー
ン印刷する。このとき、基板１の上面側に供給された導
体ペーストが下面側からの真空吸引によって基板１に形
成された貫通孔３内に引き込まれ、その内周面に導体ペ
ースト膜４が形成される。ここまでの工程は従来と同様
である。次いで、この基板１を図示していない別のステ
ージ上に移し、同様にその下面側から真空吸引して貫通
孔３内周面に形成された導体ペースト膜４が基板１の下
面側に真空吸引された状態を保ち、この状態で基板１を
加熱して導体ペースト膜４を導体ペースト膜２とともに
乾燥する。これを第１段階の乾燥とする。この第１段階
の乾燥は、導体ペースト中の溶剤がたとえばテネピネオ
ール系の場合には、約50℃の温度で約20秒間加熱するだ
けでよい。これにより、導体ペースト膜２、４の表面部
分の気化が進み、導体ペーストの表面張力が小さくな
る。したがって、この状態で真空吸引を解除しても貫通
孔３が導体ペーストでふさがることはない。次いで、基
板１をステージ上から乾燥炉中に移し、たとえば約150
℃の温度で約10分間加熱して第２段階の乾燥をおこな
う。この第２段階の乾燥工程により、導体ペースト膜
２、４は十分に乾燥される。なお、上記のような工程を
経て乾燥することが量産工程上好ましいことであるが、
たとえば印刷工程におけるステージ上で第１段階の乾燥
をおこなってもよいし、上記実施例における第１段階の
乾燥工程におけるステージ上で、第１段階の乾燥工程を
省略して真空吸引した状態で直接第２段階の乾燥をおこ
なうようにしてもよい。なお、それぞれの乾燥条件は、
導体ペースト中の溶剤の種類や導体材料の種類等により
適宜の値に設定される。次いで、導体ペースト膜２、４
が十分に乾燥された基板１を焼成炉中に移し、導体ペー
スト膜２、４を所定の条件で焼成する。これにより導体
ペースト膜２、４は第２図に示すようにそれぞれ導体膜
５、６となり、所定の配線パターンとスルーホールとが
形成される。次いで、基板１を配線パターンの形成され
ていない面を上に向けて再び印刷工程におけるステージ
上に置き、第３図に示すようにその下面側から矢印方向
に真空吸引する。この状態で基板１の上面に所定の配線
パターンを形成するための導体ペースト膜７をスクリー
ン印刷する。このとき、導体ペーストが真空吸引によっ
て貫通孔３中に引き込まれ、その内周面に形成された導
体膜６の上に導体ペースト膜８が形成される。その後、
上記と同様の乾燥工程および焼成工程を経て導体ペース
ト膜７、８は、第４図に示すようにそれぞれ導体膜９、
10となり、所定の配線パターンとスルーホールとが形成
される。その結果、基板１の両面に形成された配線パタ
ーンがスルーホールを介して接続されたものとなる。な
お、上記の実施例においては、基板１の両面に配線パタ
ーンを形成するにあたり、それぞれの面ごとに焼成する
ようにしているが、一方の面に導体ペースト膜を印刷し
て乾燥のみをおこない、その状態で他方の面に導体ペー
スト膜を印刷して乾燥し、その後に両面の導体ペースト
膜を同時に焼成するようにしてもよい。この場合、貫通
孔３内の２層の導体ペースト膜も当然のこと同時に焼成
されることになる。また、基板１の一方の面のみにしか
配線パターンを必要としない場合は、第２図に示す状態
でスルーホールの形成は完了することになる。
（発明の効果） 以上説明したことから明らかなように本発明によれば、
貫通孔の内周面に形成した導体ペースト膜を基板の下面
側から真空吸引した状態で加熱乾燥するようにしたの
で、貫通孔の径が小さい場合や貫通孔内に引き込まれる
導体ペースト量が多い場合でも正常な状態のスルーホー
ルを形成することができる。また、貫通孔の径を小さく
しても正常な状態のスルーホールが形成できるため、貫
通孔を径を小さくして基板の小型化を図ることが可能と
なる。
貫通孔の内周面に形成した導体ペースト膜を基板の下面
側から真空吸引した状態で加熱乾燥するようにしたの
で、貫通孔の径が小さい場合や貫通孔内に引き込まれる
導体ペースト量が多い場合でも正常な状態のスルーホー
ルを形成することができる。また、貫通孔の径を小さく
しても正常な状態のスルーホールが形成できるため、貫
通孔を径を小さくして基板の小型化を図ることが可能と
なる。
第１図ないし第４図は本発明の実施例のスルーホールの
形成方法を説明するための基板の要部断面図である。第
５図ないし第７図は従来例のスルーホールの形成方法を
説明するための基板の要部断面図である。 １……基板、２、４、７、８……導体ペースト膜、３…
…貫通孔、５、６、９、10、……導体膜。
形成方法を説明するための基板の要部断面図である。第
５図ないし第７図は従来例のスルーホールの形成方法を
説明するための基板の要部断面図である。 １……基板、２、４、７、８……導体ペースト膜、３…
…貫通孔、５、６、９、10、……導体膜。
Claims (1)
- 【請求項１】基板の上面側に供給した導体ペーストを基
板の下面側から真空吸引することにより、基板に形成し
た貫通孔の内周面に導体ペースト膜を形成し、この導体
ペースト膜を基板の下面側から真空吸引した状態で加熱
乾燥し、その後にその導体ペースト膜を焼成するように
したことを特徴とするスルーホールの形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2111041A JPH0777294B2 (ja) | 1990-04-25 | 1990-04-25 | スルーホールの形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2111041A JPH0777294B2 (ja) | 1990-04-25 | 1990-04-25 | スルーホールの形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH047894A JPH047894A (ja) | 1992-01-13 |
| JPH0777294B2 true JPH0777294B2 (ja) | 1995-08-16 |
Family
ID=14550913
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2111041A Expired - Lifetime JPH0777294B2 (ja) | 1990-04-25 | 1990-04-25 | スルーホールの形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0777294B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101532387B1 (ko) * | 2012-10-12 | 2015-07-09 | 주식회사 잉크테크 | 회로패턴 및 통홀 내 도통라인을 형성하는 인쇄회로기판 프린팅장치 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6074597A (ja) * | 1983-09-30 | 1985-04-26 | 富士通株式会社 | 厚膜印刷方法 |
| JP2558775B2 (ja) * | 1988-01-20 | 1996-11-27 | 松下電器産業株式会社 | スルーホール印刷装置 |
-
1990
- 1990-04-25 JP JP2111041A patent/JPH0777294B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH047894A (ja) | 1992-01-13 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5035939A (en) | Manufacture of printed circuit boards | |
| JPH0777294B2 (ja) | スルーホールの形成方法 | |
| JPH0242797A (ja) | 多層セラミック配線板の製造方法 | |
| JP2926982B2 (ja) | スルーホールの形成方法 | |
| JP3567640B2 (ja) | 厚膜回路基板の製造方法 | |
| JPH031594A (ja) | スルーホール導体形成方法 | |
| JPH04287392A (ja) | 厚膜印刷回路用基板の製造方法 | |
| JPH0311793A (ja) | 多層印刷基板の製造法 | |
| JPS5931880B2 (ja) | タソウハイセンキバンノセイゾウホウホウ | |
| JPH0463487A (ja) | プリント回路基板の製造方法 | |
| JPH04234196A (ja) | バンプ形成方法 | |
| JPH0730256A (ja) | セラミック多層電子部品の製造方法 | |
| JP2746774B2 (ja) | 回路基板の製造方法 | |
| JPH0534138Y2 (ja) | ||
| WO1991003375A1 (en) | Manufacture of printed circuit boards | |
| JPH0389590A (ja) | 厚膜抵抗体付回路基板の製造方法 | |
| JPH05167245A (ja) | プリント配線板の製造方法 | |
| JPH04139793A (ja) | 厚膜多層基板の製造方法 | |
| WO1979000860A1 (fr) | Condensateur en ceramique et methode pour sa fabrication | |
| JPH01287991A (ja) | クロスオーバ形成方法 | |
| JPH07202428A (ja) | 多層回路基板の製造方法 | |
| JPH05191051A (ja) | セラミック多層電子部品の製造方法 | |
| JPS61240667A (ja) | 厚膜電子回路形成方法 | |
| JPH07162153A (ja) | セラミック−多層の製法 | |
| JPH06508959A (ja) | 自立厚膜構造の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080816 Year of fee payment: 13 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080816 Year of fee payment: 13 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090816 Year of fee payment: 14 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090816 Year of fee payment: 14 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100816 Year of fee payment: 15 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term | ||
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100816 Year of fee payment: 15 |