JPH077736B2 - 摺動接点装置 - Google Patents

摺動接点装置

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JPH077736B2
JPH077736B2 JP15478387A JP15478387A JPH077736B2 JP H077736 B2 JPH077736 B2 JP H077736B2 JP 15478387 A JP15478387 A JP 15478387A JP 15478387 A JP15478387 A JP 15478387A JP H077736 B2 JPH077736 B2 JP H077736B2
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JP
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sliding contact
thick film
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pattern
contact device
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繁夫 水上
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Tanaka Kikinzoku Kogyo KK
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Tanaka Kikinzoku Kogyo KK
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Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は、計測器、各種機械等で、検出用、制御用、設
定用、発振器用などに使用されているボリュームスイッ
チ、ポテンシォメータ、トリマー(可変抵抗器の一種)
等で用いられる摺動接点装置の改良に関する。
(従来の技術とその問題点) 従来より上記のボリュームスイッチ、ポテンシォメー
タ、トリマー等で用いられる摺動接点装置は、セラミッ
クス基板上にカーボン(C)や酸化ルテニウム(RuO2)
などの抵抗ペーストを焼成して厚膜抵抗パターンを形成
して成る配線板と、この配線板の厚膜抵抗パターンに対
抗して摺動し得るようになされたスプリング端子材にAg
接点材をかしめ或いは溶接して成るすり接点とにより構
成されているが、この摺動接点装置は、ノイズが発生し
易く、又接触抵抗がやや高く且つ幾分ばらつきがあって
不安定であり、しかも摩耗し易くて寿命が短く、接触信
頼性にやや欠けるものであった。
この為、セラミックス基板上のカーボンや酸化ルテニウ
ムの厚膜抵抗パターンのすり接点と摺動する部分を、Ag
−Pb系の導体ペーストに置き換えて焼成するかあるいは
厚膜抵抗パターンのすり接点と摺動する部分にAg−Pd系
導体ペーストを重ねて焼成することにより、接触信頼性
を改善し、又すり接点のAg接点材を硫化防止の為、Ag−
Pd30〜50wt%に置き換えている。
然し乍ら、厚膜導体パターンと接点材が同種の組合せの
為、容易に凝着、剥離が起こり、摩耗が促進される。又
Ag−Pd30〜50wt%の接点材はHv160〜200で硬すぎるのに
対し、Ag−Pd系の導体ペーストの焼成物である厚膜導体
パターンが軟らかい為、摩耗が多くなり、早期に寿命と
なる。更にAg−Pd30〜50wt%接点材は、電気伝導度(IA
CS3.8〜5.5%)が低い為、発熱する等の問題点があっ
た。
(発明の目的) 本発明は、上記問題点を解決することのできる摺動接点
装置を提供することを目的とするものである。
(問題点を解決するための手段) 前記の問題点を解決するための本発明の摺動接点装置
は、セラミックス基板上に、抵抗ペーストを焼成して厚
膜抵抗パターンを形成し、この厚膜抵抗パターンに接続
してCu導体ペーストを焼成して厚膜導体パターンを形成
して成る配線板と、この配線板の厚膜導体パターンに対
向して摺動し得るようになされAg−Cu3〜20wt%の接点
材がスプリング端子材に取付けられて成るすり接点とに
より構成されていることを特徴とする。
本発明の摺動接点装置に於いて、すり接点の接点材をAg
−Cu3〜20wt%とした理由は、Ag中のCuが3wt%未満だと
潤滑効果が薄く、そのすり接点がセラミックス基板上の
Cuの厚膜導体パターンとの接触に於いて凝着、剥離が生
じ、20wt%を超えると、酸化物が生成されてノイズの発
生原因となるからである。
(作用) 上記の如く構成された摺動接点装置は、すり接点とセラ
ミックス基板上の厚膜導体パターンとの接触作用におい
て、すり接点のAg−Cu3〜20wt%接点材の硬さ(Hv110〜
150)が軟らかく滑りやすいので、接触抵抗が低く安定
していて、Cu厚膜導体パターンを損耗することが無く、
又凝着、剥離が殆んど無くなり、摩耗が減少するので、
良好な接触が得られる。更にすり接点のAg−Cu3〜20wt
%接点材の電気伝導度がIACS80〜95%と良好であるの
で、発熱しない。
(実施例) 本発明の摺動接点装置の実施例を説明すると、図に示す
如き板厚0.6mm、直径30mmの純度98%のAl2O3基板1上の
外周に幅3mmでRuO2の抵抗ペーストをスクリーン印刷
し、800℃で焼成して厚さ10μの厚膜抵抗パターン2を
形成し、この厚膜抵抗パターン2に接続して、周方向
に、Cu導体ペーストをスクリーン印刷し、800℃で焼成
して、0.2mm間隔に幅0.2mm、長さ7mm、厚さ10μの厚膜
導体パターン3を形成して配線板4とした。一方、この
配線板4の厚膜導体パターン3に対向して夫々摺動する
ようになされた2種のすり接点5は、Ag−Cu7.5wt%とA
g−Cu16.0wt%−ニッケル0.1wt%の2種の接点線材(直
径1.5m)から作製した頭部径3mm、頭部厚さ0.6mm、脚部
径1.5mm、脚部長1.5mmの2種のリベット接点6を、夫々
幅4mm、厚さ0.15mmのBe−Cuより成るスプリング端子材
7の接点取付穴に挿入しかしめて成るものである。
このように構成された実施例1、2の摺動接点装置と、
Ag−Pd30wt%接点材を有するすり接点を配線板のAg−Pd
30wt%の厚膜導体パターンと対向させて成る従来の摺動
接点装置とを、下記の試験条件にて摺動開閉試験を行っ
た処、下記の表に示すような結果を得た。
試験条件 接触力:10g、動作:回転往復型(55度)、駆動:60スト
ローク/min、通電:12V、100mA 上記の表で明らかなように実施例1、2の摺動接点装置
は、実施例の摺動装置に比し、寿命が大幅に増している
ことが判る。これはひとえにすり接点5のAg−Cu3〜20w
t%接点材の硬さが軟らかく滑りやすい為、対向するCu
の厚膜導体パターン3を損耗することが無く、又凝着、
剥離することが無く、摩耗が減少し、更にAg−Cu3〜20w
t%の接点材の電気伝導度が良好で発熱することが無い
からである。
尚、前記の寿命は、厚膜導体パターン3の摩耗により、
すり接点5がAl2O3基板との接触となって、オープン状
態(接触抵抗無限大)となった場合と、厚膜導体パター
ン3間のスリット部の目詰まりによりショートした場合
で判定した。
尚、上記実施例の摺動接点装置の配線板4は円形である
が、矩形でも良いものである。その場合、厚膜抵抗パタ
ーンは矩形の配線板の一側端に形成し、厚膜導体パター
ンは厚膜抵抗パターンに接続してその長手方向に一定間
隔に平行に形成すると良い。そしてすり接点は厚膜導体
パターンに対向して厚膜抵抗パターンの長手方向に摺動
し得るようにする。またセラミックス基板上にベローズ
形状に前後に往復させた厚膜抵抗パターンを形成し、そ
の上に厚膜導体パターンを一定間隔に並べて形成した配
線板と、この配線板の厚膜導体パターンに対向して摺動
するようにしたすり接点とより成る摺動接点装置として
も良い。
さらに実施例2のようにCuの一部を0.01〜1wt%の範囲
で鉄族元素で置き換えてもよいものである。
(発明の効果) 以上の説明で判るように本発明の摺動接点装置は、すり
接点のAg−Cu3〜20wt%が硬さ(Hv110〜150)が軟らか
く滑りやすいので、接触作用においてセラミックス基板
上のCu厚膜導体パターンが損耗することが無く、又凝
着、剥離が殆んど無くなり、摩耗が減少するので、良好
な接触が得られる。
従って、接触信頼性が向上し、摺動接点装置の寿命が著
しく増長する。更にすり接点のAg−Cu3〜20wt%接点材
の電気伝導度が良好であるので、接触作用において発熱
せず、溶着が起こりにくい。従って、摺動接点装置の耐
溶着性が著しく向上する。
【図面の簡単な説明】
図は本発明の摺動接点装置の一実施例を示す概略斜視図
である。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】セラミックス基板上に、抵抗ペーストを焼
    成して厚膜抵抗パターンを形成し、この厚膜抵抗パター
    ンに接続してCu導体ペーストを焼成して厚膜導体パター
    ンを形成して成る配線板と、この配線板の厚膜導体パタ
    ーンに対向して摺動し得るようになされAg−Cu3〜20wt
    %の接点材がスプリング端子材に取り付けられて成るす
    り接点とにより構成されていることを特徴とする摺動接
    点装置。
JP15478387A 1987-06-22 1987-06-22 摺動接点装置 Expired - Lifetime JPH077736B2 (ja)

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JPS63318708A JPS63318708A (ja) 1988-12-27
JPH077736B2 true JPH077736B2 (ja) 1995-01-30

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