JPH0779073B2 - ウエハーアライメントマーク - Google Patents
ウエハーアライメントマークInfo
- Publication number
- JPH0779073B2 JPH0779073B2 JP60142590A JP14259085A JPH0779073B2 JP H0779073 B2 JPH0779073 B2 JP H0779073B2 JP 60142590 A JP60142590 A JP 60142590A JP 14259085 A JP14259085 A JP 14259085A JP H0779073 B2 JPH0779073 B2 JP H0779073B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mark
- alignment mark
- edge
- layer
- pattern
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 20
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 13
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 13
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） この発明は、半導体装置（LSI）製造プロセスでのホト
リソグフイ工程で、マスクとウエハーの重ね合わせ（ア
ライメント）を行う際に、精度良くアライメントを可能
とする重ね合わせ用マーク（アライメントマーク）に関
するものである。
リソグフイ工程で、マスクとウエハーの重ね合わせ（ア
ライメント）を行う際に、精度良くアライメントを可能
とする重ね合わせ用マーク（アライメントマーク）に関
するものである。
（従来の技術） 従来、アライメントマークは凸形状のパターンまたは凹
形状のパターンで形成されているが、Al配線パターンを
作成するホトリソグラフイ工程に使用する、それ以前で
作られたアライメントマークは、位置検出の際照射する
アライメント光に対しAl膜（配線材料）が高い反射率を
有し、殆どアライメント光が透過しないために、直接、
目視により位置検出（アライメントマークのエツジ認
識）を行うことが困難である。そのため、このアライメ
ントマークについては、その上に層間絶縁膜を介してAl
膜を形成した際、アライメントマークによつて生じるAl
膜上の段差を検出して、Al膜の下に存在するアライメン
トマークのエツジ認識を行つている。しかるに、その場
合、従来は、エツジ認識が著しく困難であるという問題
点があつた。
形状のパターンで形成されているが、Al配線パターンを
作成するホトリソグラフイ工程に使用する、それ以前で
作られたアライメントマークは、位置検出の際照射する
アライメント光に対しAl膜（配線材料）が高い反射率を
有し、殆どアライメント光が透過しないために、直接、
目視により位置検出（アライメントマークのエツジ認
識）を行うことが困難である。そのため、このアライメ
ントマークについては、その上に層間絶縁膜を介してAl
膜を形成した際、アライメントマークによつて生じるAl
膜上の段差を検出して、Al膜の下に存在するアライメン
トマークのエツジ認識を行つている。しかるに、その場
合、従来は、エツジ認識が著しく困難であるという問題
点があつた。
（発明が解決しようとする問題点） すなわち、従来は、凸形状のパターンまたは凹形状のパ
ターンでアライメントマークを形成しており、したがつ
てAl膜にも凸形もしくは凹形のパターン形状が現われ、
そのパターン形状の段差をアライメントマークのエツジ
として検出している。この時、段差は、Al膜上のホトレ
ジストを通して検出される。しかるに、ホトレジスト
は、段差の上部と下部、つまり段差の両側で膜厚が異な
り、したがつて、段差検出の際の明るさも段差の上部と
下部（段差の両側）で異なり、これにより段差の検出、
つまりエツジ認識が非常に困難になつていた。また、従
来は、ホトレジストの膜厚の微少のバラツキなどの影響
を大きく受けて、段差全体の見え方が非常に不安定であ
り、これによつてもエツジの認識を困難にしていた。
ターンでアライメントマークを形成しており、したがつ
てAl膜にも凸形もしくは凹形のパターン形状が現われ、
そのパターン形状の段差をアライメントマークのエツジ
として検出している。この時、段差は、Al膜上のホトレ
ジストを通して検出される。しかるに、ホトレジスト
は、段差の上部と下部、つまり段差の両側で膜厚が異な
り、したがつて、段差検出の際の明るさも段差の上部と
下部（段差の両側）で異なり、これにより段差の検出、
つまりエツジ認識が非常に困難になつていた。また、従
来は、ホトレジストの膜厚の微少のバラツキなどの影響
を大きく受けて、段差全体の見え方が非常に不安定であ
り、これによつてもエツジの認識を困難にしていた。
（問題点を解決するための手段） そこで、この発明では、凸形状パターンの第１のマーク
より凹形状パターンの第２のマークを僅かに小さくし
て、これら２つのマークをそれぞれ別の層を用いて重ね
合わせて形成するようにする。
より凹形状パターンの第２のマークを僅かに小さくし
て、これら２つのマークをそれぞれ別の層を用いて重ね
合わせて形成するようにする。
（作用） このようにすると、第１のマークのエツジにおいての
み、そのエツジと、第２のマークを形成した層の端部が
重なり、その部分のみ凸形形状となる。すなわち、この
発明では、エツジのみ凸形形状のウエハーアライメント
マークが得られる。
み、そのエツジと、第２のマークを形成した層の端部が
重なり、その部分のみ凸形形状となる。すなわち、この
発明では、エツジのみ凸形形状のウエハーアライメント
マークが得られる。
（実施例） 以下この発明の実施例を図面を参照して説明する。第１
図はこの発明の第１の実施例を示す斜視図である。この
図において、１は下地層であり、この下地層１上に第１
ゲートに用いられるポリシリコン層（第１の層）を用い
て凸形状パターンの第１のマーク２が形成される。さら
に、この第１のマーク２の形成後、第２ゲートに用いる
ポリシリコン層（第２の層）３を用いて凹形状パターン
の第２のマーク４が前記第１のマーク２上に重ね合わせ
て形成されている。ここで、第２のマーク４は、前記第
１のマーク２より僅か小さく形成される。すると、第１
のマーク２のエツジ上に、第２のマーク４を形成したポ
リシリコン層３の端部が重なるようになり、その部分の
みが凸形形状となる。すなわち、この発明の第１の実施
例では、第１のマーク２のエツジ上にポリシリコン層３
の端部が重なつて、エツジ部５のみ凸形形状のアライメ
ントマークが得られる。
図はこの発明の第１の実施例を示す斜視図である。この
図において、１は下地層であり、この下地層１上に第１
ゲートに用いられるポリシリコン層（第１の層）を用い
て凸形状パターンの第１のマーク２が形成される。さら
に、この第１のマーク２の形成後、第２ゲートに用いる
ポリシリコン層（第２の層）３を用いて凹形状パターン
の第２のマーク４が前記第１のマーク２上に重ね合わせ
て形成されている。ここで、第２のマーク４は、前記第
１のマーク２より僅か小さく形成される。すると、第１
のマーク２のエツジ上に、第２のマーク４を形成したポ
リシリコン層３の端部が重なるようになり、その部分の
みが凸形形状となる。すなわち、この発明の第１の実施
例では、第１のマーク２のエツジ上にポリシリコン層３
の端部が重なつて、エツジ部５のみ凸形形状のアライメ
ントマークが得られる。
そして、このアライメントマークによれば、エツジ部５
のみが凸形形状（凸形部）となり、その内側と外側の高
さが第１のマーク２とポリシリコン層３によりほぼ等し
くなるので、その上に層間絶縁膜を介してAl膜が形成さ
れ（Al膜はアライメントマークの形状を反映する）、そ
のAl膜上にホトレジストが形成された場合、そのホトレ
ジストは、Al膜の凸形部の両側においてほぼ等しい厚さ
となる。したがつて、Al膜上で凸形部を検出してエツジ
認識を行う際、凸形部の両側の明るさが同じとなり、こ
れによりエツジ認識が容易になる。
のみが凸形形状（凸形部）となり、その内側と外側の高
さが第１のマーク２とポリシリコン層３によりほぼ等し
くなるので、その上に層間絶縁膜を介してAl膜が形成さ
れ（Al膜はアライメントマークの形状を反映する）、そ
のAl膜上にホトレジストが形成された場合、そのホトレ
ジストは、Al膜の凸形部の両側においてほぼ等しい厚さ
となる。したがつて、Al膜上で凸形部を検出してエツジ
認識を行う際、凸形部の両側の明るさが同じとなり、こ
れによりエツジ認識が容易になる。
また、この場合のAl膜上の凸形部は、第１図のエツジ部
５の形状から分るように両側に斜面を有し、一対の斜面
で光の散乱を起す。したがつて、片側しか斜面を有しな
い従来の段差に比較して、第３図に示すように全体が太
く明確に検出されるものであり、ホトレジスト膜厚の微
少のバラツキなどの影響を受けなくなる。これによつて
もエツジ認識が容易になる。
５の形状から分るように両側に斜面を有し、一対の斜面
で光の散乱を起す。したがつて、片側しか斜面を有しな
い従来の段差に比較して、第３図に示すように全体が太
く明確に検出されるものであり、ホトレジスト膜厚の微
少のバラツキなどの影響を受けなくなる。これによつて
もエツジ認識が容易になる。
第２図はこの発明の第２の実施例を示す。この第２の実
施例は、凸形状パターンの第１のマークと凹形状パター
ンの第２のマークの形成順序が第１の実施例と逆になつ
ている。すなわち、下地層11上の、第１ゲートに用いら
れるポリシリコン層（第２の層）12に凹形状パターンの
第２のマーク13が形成されており、その後に、その第２
のマーク13に重ね合わせて凸形状パターンの第１のマー
ク14が、第２ゲートに用いるポリシリコン層を用いて形
成されている。ここで、第１のマーク14は、第２のマー
ク13より僅か大きく形成される（換言すれば、第２のマ
ーク13は、第１のマーク14より僅か小さい）。すると、
第２のマーク13を形成したポリシリコン層12の端部上に
第１のマーク14のエツジが重なるようになり、第１の実
施例と同様にその部分のみ、すなわちエツジ部15のみ凸
形形状のアライメントマークが得られる。
施例は、凸形状パターンの第１のマークと凹形状パター
ンの第２のマークの形成順序が第１の実施例と逆になつ
ている。すなわち、下地層11上の、第１ゲートに用いら
れるポリシリコン層（第２の層）12に凹形状パターンの
第２のマーク13が形成されており、その後に、その第２
のマーク13に重ね合わせて凸形状パターンの第１のマー
ク14が、第２ゲートに用いるポリシリコン層を用いて形
成されている。ここで、第１のマーク14は、第２のマー
ク13より僅か大きく形成される（換言すれば、第２のマ
ーク13は、第１のマーク14より僅か小さい）。すると、
第２のマーク13を形成したポリシリコン層12の端部上に
第１のマーク14のエツジが重なるようになり、第１の実
施例と同様にその部分のみ、すなわちエツジ部15のみ凸
形形状のアライメントマークが得られる。
このような第２の実施例においても、前述した第１の実
施例と同様の効果が得られることは言うまでもない。
施例と同様の効果が得られることは言うまでもない。
なお、第１図の第１の実施例および第２図の第２の実施
例において、6,16は、下地とポリシリコン層間、ポリシ
リコン層の表面などに形成された酸化膜である。
例において、6,16は、下地とポリシリコン層間、ポリシ
リコン層の表面などに形成された酸化膜である。
また、以上は、Al配線パターンを作成するホトリソグラ
フイ工程において、Al膜上に現われたパターンからアラ
イメントマークのエッジを認識する場合について説明し
たが、この発明のアライメントマークは、その他のホト
リソグラフイ工程において直接目視によりエツジを認識
する場合にも同様の効果を得ることができる。
フイ工程において、Al膜上に現われたパターンからアラ
イメントマークのエッジを認識する場合について説明し
たが、この発明のアライメントマークは、その他のホト
リソグラフイ工程において直接目視によりエツジを認識
する場合にも同様の効果を得ることができる。
（発明の効果） 以上詳述したように、この発明によれば、エツジ部のみ
凸形形状のアライメントマークが得られ、そのエツジ部
の両側の高さ、延いては明るさが等しくなるので、エツ
ジ認識が容易になる。また、エツジ部は全体が太く明確
に見えるようになるもので、これによつてもエツジ認識
が容易になり、延いてはアライメント精度を向上させる
ことができる。また、この発明のアライメントマーク
は、従来用いられている露光装置，ウエハー製造プロセ
ス，アライメント方法を何ら変化させることなしに、マ
スクの内部にアライメントマークのパターンを加えるこ
とだけで形成できるものであり、しかも、縮小プロジエ
クション，反射プロジエクシヨン露光装置のいずれのア
ライメントにも適用できる。
凸形形状のアライメントマークが得られ、そのエツジ部
の両側の高さ、延いては明るさが等しくなるので、エツ
ジ認識が容易になる。また、エツジ部は全体が太く明確
に見えるようになるもので、これによつてもエツジ認識
が容易になり、延いてはアライメント精度を向上させる
ことができる。また、この発明のアライメントマーク
は、従来用いられている露光装置，ウエハー製造プロセ
ス，アライメント方法を何ら変化させることなしに、マ
スクの内部にアライメントマークのパターンを加えるこ
とだけで形成できるものであり、しかも、縮小プロジエ
クション，反射プロジエクシヨン露光装置のいずれのア
ライメントにも適用できる。
（図面） 第１図はこの発明のウエハーアライメントマークの第１
の実施例を示す斜視図、第２図はこの発明の第２の実施
例を示す斜視図、第３図はアライメントマークのエツジ
部に対応するAl膜上の凸形部の検出状態を示す平面図で
ある。 ２……第１のマーク、３……ポリシリコン層、４……第
２のマーク、５……エツジ部、12……ポリシリコン層、
13……第２のマーク、14……第１のマーク。
の実施例を示す斜視図、第２図はこの発明の第２の実施
例を示す斜視図、第３図はアライメントマークのエツジ
部に対応するAl膜上の凸形部の検出状態を示す平面図で
ある。 ２……第１のマーク、３……ポリシリコン層、４……第
２のマーク、５……エツジ部、12……ポリシリコン層、
13……第２のマーク、14……第１のマーク。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 田口 隆 東京都港区虎ノ門１丁目７番12号 沖電気 工業株式会社内 (72)発明者 西室 直 東京都港区虎ノ門１丁目７番12号 沖電気 工業株式会社内 (56)参考文献 特開 昭60−35515（ＪＰ，Ａ) 特開 昭57−37851（ＪＰ，Ａ)
Claims (1)
- 【請求項１】下地層と、 この下地層上に形成された複数の層とを有し、この複数
の層によって構成されるウエハーアライメントマークに
おいて、 前記複数の層は、 所定の厚さを持ち、略長方形状の第１のパターンを有す
る下地層上の第１の層と、 この第１の層の厚さとほぼ等しい厚さを持ち、前記第１
のパターンよりわずかに小さい略長方形状の除去部分か
らなる第２のパターンを有する下地層上の第２の層とか
ら構成され、 前記ウエハーアライメントマークは、前記第１の層と、
前記第２の層との重なり合った部分によって形成された
両側に斜面を有する凸型形状であることを特徴とするウ
エハーアライメントマーク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60142590A JPH0779073B2 (ja) | 1985-07-01 | 1985-07-01 | ウエハーアライメントマーク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60142590A JPH0779073B2 (ja) | 1985-07-01 | 1985-07-01 | ウエハーアライメントマーク |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS624321A JPS624321A (ja) | 1987-01-10 |
| JPH0779073B2 true JPH0779073B2 (ja) | 1995-08-23 |
Family
ID=15318843
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60142590A Expired - Lifetime JPH0779073B2 (ja) | 1985-07-01 | 1985-07-01 | ウエハーアライメントマーク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0779073B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5662729A (en) * | 1994-10-04 | 1997-09-02 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Shaped body of hydrogen absorbing alloy and container packed with hydrogen absorbing alloy |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5737851A (en) * | 1980-08-20 | 1982-03-02 | Nec Corp | Semiconductor device |
| JPS6035515A (ja) * | 1983-08-08 | 1985-02-23 | Hitachi Micro Comput Eng Ltd | 半導体装置の製造法 |
-
1985
- 1985-07-01 JP JP60142590A patent/JPH0779073B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS624321A (ja) | 1987-01-10 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |