JPH0779108B2 - マイクロ波集積回路モジュ−ル - Google Patents
マイクロ波集積回路モジュ−ルInfo
- Publication number
- JPH0779108B2 JPH0779108B2 JP62212022A JP21202287A JPH0779108B2 JP H0779108 B2 JPH0779108 B2 JP H0779108B2 JP 62212022 A JP62212022 A JP 62212022A JP 21202287 A JP21202287 A JP 21202287A JP H0779108 B2 JPH0779108 B2 JP H0779108B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- integrated circuit
- active element
- jig
- circuit module
- fet
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D30/00—Field-effect transistors [FET]
- H10D30/80—FETs having rectifying junction gate electrodes
- H10D30/87—FETs having Schottky gate electrodes, e.g. metal-semiconductor FETs [MESFET]
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
- Die Bonding (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、高周波で用いられるマイクロ波集積回路モジ
ュールに関するものである。
ュールに関するものである。
従来の技術 近年、半導体及びその関連技術の発展，衛星放送などに
代表される通信技術の発達により、利用される周波数は
ますます高くなる傾向にある。その中でも特に数GHzか
ら数十GHzにかけての周波数帯で、優れた半導体集積回
路装置の開発が切望されている。
代表される通信技術の発達により、利用される周波数は
ますます高くなる傾向にある。その中でも特に数GHzか
ら数十GHzにかけての周波数帯で、優れた半導体集積回
路装置の開発が切望されている。
以下図面を参照しながら従来の半導体集積回路装置の一
例ついて説明する。第２図は従来のマイクロ波半導体集
積回路装置、その中でも能動素子として電解効果トラン
ジスタ（以下、FETと略す）を、伝送線路としてマイク
ロストリップラインを用いたものについて示すものであ
る。ここで、１は真空蒸着法あるいはメッキ法により形
成された金属膜から成るマイクロストリップライン、２
はアルミナなどのセラミック基板、３は金属キャリヤ５
上にソース接地して装着されたFET、８はゲート（左
側）及びドレイン（右側）のボンディングパッド、９は
ボンディングワイヤ、10はインピーダンス変換用の並列
スタブ、11は前記FETにDCバイアスを付加するためのゲ
ート電源端子、12は同様にドレイン電源端子をそれぞれ
示す。
例ついて説明する。第２図は従来のマイクロ波半導体集
積回路装置、その中でも能動素子として電解効果トラン
ジスタ（以下、FETと略す）を、伝送線路としてマイク
ロストリップラインを用いたものについて示すものであ
る。ここで、１は真空蒸着法あるいはメッキ法により形
成された金属膜から成るマイクロストリップライン、２
はアルミナなどのセラミック基板、３は金属キャリヤ５
上にソース接地して装着されたFET、８はゲート（左
側）及びドレイン（右側）のボンディングパッド、９は
ボンディングワイヤ、10はインピーダンス変換用の並列
スタブ、11は前記FETにDCバイアスを付加するためのゲ
ート電源端子、12は同様にドレイン電源端子をそれぞれ
示す。
従来のマイクロ波半導体集積回路装置は上記のように構
成され、ゲート及びドレインからDCバイアスを付加する
ことによりFETを動作させ、マイクロストリップライン
を用いた回路により、外部回路との整合をとっていた。
すなわち、線路の幅を太くしたり細くしたり、あるいは
スタブを設けたりすることによってインピーダンス整合
を行っていた。
成され、ゲート及びドレインからDCバイアスを付加する
ことによりFETを動作させ、マイクロストリップライン
を用いた回路により、外部回路との整合をとっていた。
すなわち、線路の幅を太くしたり細くしたり、あるいは
スタブを設けたりすることによってインピーダンス整合
を行っていた。
発明が解決しようとする問題点 しかしながら上記のような構成では、FET3とマイクロス
トリップライン１の接続はボンディングワイヤ９によっ
て行われるため、高周波になるに従いワイヤの長さが無
視できなくなり、上記の整合のための条件にボンディン
グワイヤも考慮に入れる必要が生じる。しかし前記ワイ
ヤの長さや形状を正確に制御することは非常に困難であ
る。また、ボンディングワイヤを設けるためには多くの
作業時間を要し歩留りの低下にもなっていた。さらに
は、信頼性においても問題があった。
トリップライン１の接続はボンディングワイヤ９によっ
て行われるため、高周波になるに従いワイヤの長さが無
視できなくなり、上記の整合のための条件にボンディン
グワイヤも考慮に入れる必要が生じる。しかし前記ワイ
ヤの長さや形状を正確に制御することは非常に困難であ
る。また、ボンディングワイヤを設けるためには多くの
作業時間を要し歩留りの低下にもなっていた。さらに
は、信頼性においても問題があった。
本発明は上記問題点に鑑み、上記能動素子（FET）のボ
ンディングパッド面を上記伝送線路（マイクロストリッ
プライン）上に対面して接続し、しかも前記能動素子の
裏に形成した接地面と前記基板の裏に形成した接地面と
を低抵抗の金属を用いて作った治具により接続する際に
前記治具としてコ字型の低抵抗の金属を用い、しかも前
記治具と前記能動素子及び前記基板の接地面と接触する
部分に導電性のゴムを用いて挟み込むことにより接地す
ることによって、整合条件を容易にして高周波特性を改
善し、歩留りを向上させ、しかも信頼性をも向上させる
ことができるマイクロ波半導体集積回路装置を提供する
ものである。
ンディングパッド面を上記伝送線路（マイクロストリッ
プライン）上に対面して接続し、しかも前記能動素子の
裏に形成した接地面と前記基板の裏に形成した接地面と
を低抵抗の金属を用いて作った治具により接続する際に
前記治具としてコ字型の低抵抗の金属を用い、しかも前
記治具と前記能動素子及び前記基板の接地面と接触する
部分に導電性のゴムを用いて挟み込むことにより接地す
ることによって、整合条件を容易にして高周波特性を改
善し、歩留りを向上させ、しかも信頼性をも向上させる
ことができるマイクロ波半導体集積回路装置を提供する
ものである。
問題点を解決するための手段 上記問題点を解決するために本発明は、能動素子のボン
ディングパッド面を伝送線路上に対面して接続し、しか
も前記能動素子の裏に形成した接地面と前記基板の裏に
形成した接地面とを導電性ゴムのスプリング機構を利用
したコ字型の低抵抗の金属治具により接続するという構
成を備えたものである。
ディングパッド面を伝送線路上に対面して接続し、しか
も前記能動素子の裏に形成した接地面と前記基板の裏に
形成した接地面とを導電性ゴムのスプリング機構を利用
したコ字型の低抵抗の金属治具により接続するという構
成を備えたものである。
作用 本発明は上記した構成によって従来のボンディングワイ
ヤを用いた構成と異なり、能動素子のボンディングパッ
ド面を伝送線路上に直接的に接続できる構造のため、従
来の問題点を解決できるものである。
ヤを用いた構成と異なり、能動素子のボンディングパッ
ド面を伝送線路上に直接的に接続できる構造のため、従
来の問題点を解決できるものである。
実施例 以下、本発明の一実施例のマイクロ波集積回路モジュー
ルについて、図面を参照しながら説明する。第１図
（ａ）は本発明の一実施例を示す平面図である。この図
において１は真空蒸着法あるいはメッキ法により形成さ
れた金属膜（たとえばCr−Auなど）から成るマイクロス
トリップライン、２はアルミナなどのセラミック基板、
３はボンディングパッド面をマイクロストリップライン
１上に対面して接続したFET、４はFET3の裏にスルー・
ホールを用いて形成した接地面に接続し接地するという
構成を備えた低抵抗の金属を用いて作ったコ字型治具、
５は上記の基板２や、FET3を実装するために用いる金属
キャリヤである。第１図（ｂ）は第１図（ａ）のＡ−
Ａ′で示す破線で切った部分の断面図である。１〜５に
示した部分は上記のものと同一であり、６はマイクロス
トリップラインとFETのボンディングパッドとを接続す
るために用いた金属系材料で作ったバンプ、７はマイク
ロストリップラインにおける接地面に形成した接地導体
で、通常マイクロストリップラインと同じ材料を用い
る。８はFETの裏に形成した接地面とコ字型の低抵抗金
属治具及びセラミック基板の裏面に形成した接地導体と
治具を接続する導電性ゴムである。
ルについて、図面を参照しながら説明する。第１図
（ａ）は本発明の一実施例を示す平面図である。この図
において１は真空蒸着法あるいはメッキ法により形成さ
れた金属膜（たとえばCr−Auなど）から成るマイクロス
トリップライン、２はアルミナなどのセラミック基板、
３はボンディングパッド面をマイクロストリップライン
１上に対面して接続したFET、４はFET3の裏にスルー・
ホールを用いて形成した接地面に接続し接地するという
構成を備えた低抵抗の金属を用いて作ったコ字型治具、
５は上記の基板２や、FET3を実装するために用いる金属
キャリヤである。第１図（ｂ）は第１図（ａ）のＡ−
Ａ′で示す破線で切った部分の断面図である。１〜５に
示した部分は上記のものと同一であり、６はマイクロス
トリップラインとFETのボンディングパッドとを接続す
るために用いた金属系材料で作ったバンプ、７はマイク
ロストリップラインにおける接地面に形成した接地導体
で、通常マイクロストリップラインと同じ材料を用い
る。８はFETの裏に形成した接地面とコ字型の低抵抗金
属治具及びセラミック基板の裏面に形成した接地導体と
治具を接続する導電性ゴムである。
以上のように構成されたマイクロ波集積回路モジュール
は従来例として示した第２図と同様にゲート及びドレイ
ンからDCバイアスを付加することによりFETを動作させ
ている。また、線路の幅を太くしたり細くしたり、ある
いはスタブを設けたりすることによってインピーダンス
整合を行う点も従来通り適用できる。しかし、本発明で
は上記FET3のボンディングパッド面を上記マイクロスト
リップライン１上に対面して接続し、しかも前記FET表
面のソースパッドに穴開けした表と裏の接地面を導通さ
せるためのスルー・ホールを用いて前記FET3の裏に形成
した接地面に導電性ゴムのスプリング機構を利用した低
抵抗の金属を用いて作ったコ字型治具４を接続し接地す
ることによって、FET3のボンディングパッド面をマイク
ロストリップライン１に直接的に接続することが可能で
あり、回路部での整合条件を容易にして高周波特性を改
善し、ワイヤボンディングを行う作業が省かれるために
歩留りを向上させ、しかも信頼性をも向上させるマイク
ロ波半導体集積回路装置を提供することができる。
は従来例として示した第２図と同様にゲート及びドレイ
ンからDCバイアスを付加することによりFETを動作させ
ている。また、線路の幅を太くしたり細くしたり、ある
いはスタブを設けたりすることによってインピーダンス
整合を行う点も従来通り適用できる。しかし、本発明で
は上記FET3のボンディングパッド面を上記マイクロスト
リップライン１上に対面して接続し、しかも前記FET表
面のソースパッドに穴開けした表と裏の接地面を導通さ
せるためのスルー・ホールを用いて前記FET3の裏に形成
した接地面に導電性ゴムのスプリング機構を利用した低
抵抗の金属を用いて作ったコ字型治具４を接続し接地す
ることによって、FET3のボンディングパッド面をマイク
ロストリップライン１に直接的に接続することが可能で
あり、回路部での整合条件を容易にして高周波特性を改
善し、ワイヤボンディングを行う作業が省かれるために
歩留りを向上させ、しかも信頼性をも向上させるマイク
ロ波半導体集積回路装置を提供することができる。
実施例の他の構成例として、FETのソース接地の取り方
をスルー・ホール以外にも素子の側面を導体で覆うこと
により導通させたラップメッキの手法なども考えられ
る。さらには、ここでは能動素子としてFETを用いてい
るが、他にもHBT（ヘテロ・バイポーラ・トランジス
タ）やHEMT（高電子移動度トランジスタ）などの能動素
子が考えられる。
をスルー・ホール以外にも素子の側面を導体で覆うこと
により導通させたラップメッキの手法なども考えられ
る。さらには、ここでは能動素子としてFETを用いてい
るが、他にもHBT（ヘテロ・バイポーラ・トランジス
タ）やHEMT（高電子移動度トランジスタ）などの能動素
子が考えられる。
発明の効果 以上のように本発明は、能動素子のボンディングパッド
面を伝送線路上に対面して接続し、しかも前記能動素子
の裏に形成した接地面と前記基板の裏に形成した接地面
とを導電性ゴムのスプリング機構を利用した低抵抗の金
属を用いて作ったコ字型治具により接続するという構成
を備え、能動素子のボンディングパッド面を伝送線路上
に直接的に接続できる構造のため、回路部での整合条件
を容易にして高周波特性を改善し、ワイヤボンディング
を行う作業が省かれるために歩留りを向上させ、しかも
信頼性をも向上させるマイクロ波半導体集積回路装置を
提供することができる。
面を伝送線路上に対面して接続し、しかも前記能動素子
の裏に形成した接地面と前記基板の裏に形成した接地面
とを導電性ゴムのスプリング機構を利用した低抵抗の金
属を用いて作ったコ字型治具により接続するという構成
を備え、能動素子のボンディングパッド面を伝送線路上
に直接的に接続できる構造のため、回路部での整合条件
を容易にして高周波特性を改善し、ワイヤボンディング
を行う作業が省かれるために歩留りを向上させ、しかも
信頼性をも向上させるマイクロ波半導体集積回路装置を
提供することができる。
第１図は本発明のマイクロ波集積回路モジュールの一実
施例を示す図、第１図（ａ）はその平面図、第１図
（ｂ）はコ字型の低抵抗金属治具と各々の接地面との接
続を導電性ゴムを用いて行った第１図（ａ）のＡ−Ａ′
で示す破線で切った部分の断面図、第２図は従来のマイ
クロ波半導体集積回路装置の構成を示す平面図である。 １……マイクロストリップライン、２……基板、３……
FET、４……治具、５……金属キャリヤ、６……金属バ
ンプ、７……接地導体、８……導電性ゴム。
施例を示す図、第１図（ａ）はその平面図、第１図
（ｂ）はコ字型の低抵抗金属治具と各々の接地面との接
続を導電性ゴムを用いて行った第１図（ａ）のＡ−Ａ′
で示す破線で切った部分の断面図、第２図は従来のマイ
クロ波半導体集積回路装置の構成を示す平面図である。 １……マイクロストリップライン、２……基板、３……
FET、４……治具、５……金属キャリヤ、６……金属バ
ンプ、７……接地導体、８……導電性ゴム。
Claims (1)
- 【請求項１】マイクロ波回路基板上に形成した伝送線路
と、能動素子とを含むマイクロ波集積回路モジュールに
おいて、前記能動素子のボンディングパッド面を前記伝
送線路上に対面して接続し、しかも前記能動素子の裏に
形成した接地面と前記基板の裏に形成した接地面とを低
抵抗の金属を用いて作った治具により接続する際に前記
治具としてコ字型の低抵抗の金属を用い、しかも前記治
具と前記能動素子及び前記基板の接地面と接触する部分
に導電性のゴムを用いて挟み込むことにより接地するこ
とを特徴とするマイクロ波集積回路モジュール。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62212022A JPH0779108B2 (ja) | 1987-08-26 | 1987-08-26 | マイクロ波集積回路モジュ−ル |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62212022A JPH0779108B2 (ja) | 1987-08-26 | 1987-08-26 | マイクロ波集積回路モジュ−ル |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6454735A JPS6454735A (en) | 1989-03-02 |
| JPH0779108B2 true JPH0779108B2 (ja) | 1995-08-23 |
Family
ID=16615576
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62212022A Expired - Fee Related JPH0779108B2 (ja) | 1987-08-26 | 1987-08-26 | マイクロ波集積回路モジュ−ル |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0779108B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2807004B2 (ja) * | 1989-12-15 | 1998-09-30 | 松下電工株式会社 | 並列ｍｏｓｆｅｔ付きの抵抗器 |
| JPH04322502A (ja) * | 1991-04-22 | 1992-11-12 | Fukushima Nippon Denki Kk | 分布定数型整合回路 |
-
1987
- 1987-08-26 JP JP62212022A patent/JPH0779108B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6454735A (en) | 1989-03-02 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US3986196A (en) | Through-substrate source contact for microwave FET | |
| US3784883A (en) | Transistor package | |
| EP0018174B1 (en) | High frequency semiconductor device on an insulating substrate | |
| JPH09321175A (ja) | マイクロ波回路及びチップ | |
| US4996582A (en) | Field effect transistor for microstrip mounting and microstrip-mounted transistor assembly | |
| WO2020100219A1 (ja) | 高周波増幅器および高周波増幅器モジュール | |
| EP0015709B1 (en) | Constructional arrangement for semiconductor devices | |
| JP4215133B2 (ja) | 絶縁基板上に高周波バイポーラトランジスタを備える半導体装置 | |
| JPH0421203A (ja) | モノリシックマイクロ波ミリ波アレイアンテナモジュール | |
| JPH0779108B2 (ja) | マイクロ波集積回路モジュ−ル | |
| US6249013B1 (en) | Microwave-millimeter wave circuit device and method for manufacturing the same | |
| JP2991168B2 (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| JP2554672B2 (ja) | 電界効果型半導体装置 | |
| JPH01158801A (ja) | マイクロストリップライン | |
| EP0817275B1 (en) | High-frequency FET | |
| JPH01144804A (ja) | マイクロ波集積回路モジュール | |
| JPS63299350A (ja) | マイクロ波集積回路モジュ−ル | |
| JPH01273404A (ja) | 高周波半導体デバイス | |
| JPH07120906B2 (ja) | マイクロ波ミリ波高出力トランジスタ | |
| JP3631428B2 (ja) | フリップチップ実装構造を持つ半導体装置 | |
| JP2865099B1 (ja) | 半導体装置 | |
| JPH03286611A (ja) | 高周波増幅器 | |
| JP3168969B2 (ja) | 電界効果トランジスタおよび集積回路、電界効果トランジスタあるいは集積回路の製造方法 | |
| JPH0249733Y2 (ja) | ||
| JPH10200312A (ja) | マイクロ波集積回路 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |