JPH0783053B2 - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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JPH0783053B2
JPH0783053B2 JP62154104A JP15410487A JPH0783053B2 JP H0783053 B2 JPH0783053 B2 JP H0783053B2 JP 62154104 A JP62154104 A JP 62154104A JP 15410487 A JP15410487 A JP 15410487A JP H0783053 B2 JPH0783053 B2 JP H0783053B2
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JP
Japan
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wiring
bridge
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semiconductor device
portions
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JP62154104A
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JPS63318141A (ja
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敬 松岡
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Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Publication date
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Priority to GB8814297A priority patent/GB2207808B/en
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    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W20/00—Interconnections in chips, wafers or substrates
    • H10W20/40—Interconnections external to wafers or substrates, e.g. back-end-of-line [BEOL] metallisations or vias connecting to gate electrodes
    • H10W20/41—Interconnections external to wafers or substrates, e.g. back-end-of-line [BEOL] metallisations or vias connecting to gate electrodes characterised by their conductive parts
    • H10W20/43—Layouts of interconnections
    • H10W20/432—Layouts of interconnections comprising crossing interconnections

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  • Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、半導体基板上に形成するエアーブリッジ配
線の構造に関するものである。
〔従来の技術〕
第２図（ａ），（ｂ）は従来のエアーブリッジ構造を有
する半導体装置の平面図および側面図である。第２図に
おいて、１は第１層配線で複数形成される。２は前記第
１層配線１の幅広部分1aにそれぞれ形成されたエアーブ
リッジ配線を形成するための橋杭部分、３は前記橋杭部
分２にまたがって形成されたエアーブリッジ配線の橋板
部分を示している。４は半導体基板である。また、図中
のW1はプロセス上および設計上必要な余裕配線間隔、W2
aは主配線間の配線間隔である。
次に動作について説明する。
従来、半導体基板４上にエアーブリッジ配線を形成する
際には、まず、主配線となる第１層配線１をリフトオフ
法、あるいはエッチング法によって形成する。次いで、
エアーブリッジ配線を形成するために必要な橋杭部分２
はリフトオフ法によって形成する。そして最後に、エア
ーブリッジ配線の橋板部分３をリフトオフ法、またはメ
ッキ法により形成し、エアーブリッジ配線が形成され
る。
〔発明が解決しようとする問題点〕
従来のエアーブリッジ配線の形成方法は、エアーブリッ
ジの橋杭部分２が一直線上に並ぶように設計されてい
た。第１層配線１のうち、エアーブリッジの橋杭部分２
が形成される幅広部分1aは橋杭部分２を形成するための
マスク合せ余裕，パターンシフト量を考慮して、主配線
幅に比べて寸法を大きくしなければならず、自動的に主
配線間の配線間隔W2aが大きくなってしまう。特に、橋
杭部分２の高さが高い場合、橋杭部分２を形成するため
のレジストを厚くしなければならないので、橋杭部分２
の寸法が大きくなってしまい、主配線間の配線間隔W2a
がさらに大きくなる。また、主配線の本数が多い場合
は、その影響は顕著であり、チップサイズの縮小、さら
に低コスト化には非常に不利であった。
この発明は、上記のような問題点を解決するためになさ
れたもので、エアーブリッジの橋杭部分の大きさおよび
高さが高くなっても主配線間隔が大きくならず、また、
主配線の本数が多くなってもその影響を大きく受けず
に、チップサイズの縮小、さらに低コスト化をはかった
半導体装置を得ることを目的とする。
〔問題点を解決するための手段〕
この発明に係る半導体装置は、第１層配線の複数の橋杭
部分が形成されるそれぞれの幅広部分を互いにずらした
位置に形成したものである。
〔作用〕
この発明においては、主配線が形成される橋杭部分を互
いにずらした位置にして第１層配線を形成したことか
ら、主配線間の配線間隔が広がらず、チップサイズの縮
小が可能となる。
〔実施例〕
以下、この発明の一実施例を第１図について説明する。
第１図において、１は主配線となる第１層配線、２はエ
アーブリッジ配線を形成するための橋杭部分、３はエア
ーブリッジ配線の橋板部分を示している。４は半導体基
板である。エアーブリッジ配線の形成要領については従
来法とまったく同じで良い。ただし、第１層配線１を形
成する際に、エアーブリッジ配線の橋杭部分２が一直線
上に並ばないようにずらして、例えば千鳥状に並ぶよう
に形成する。このようにすると、第１層配線１で橋杭部
分２が形成される幅広部分1aは、主配線幅に比べて大き
くなっているが、横方向の突出部分の寸法が相殺されて
余裕配線間隔W1を同じ程度にとったとしても第１層配線
１の配線間隔W2が狭く形成できる。
なお、上記実施例では、エアーブリッジ配線の橋杭部分
２を互いにずらして形成する一例として千鳥状にずらし
た場合について説明したが、これに限らず斜め一方向だ
けずらしても同じ効果が得られる。また、第１配線層1,
橋杭部分2,橋板部分３の形成方法についてもリフトオフ
法，メッキ法による形成またはRIBE,イオンシリング等
によるドライエッチング、または薬品によるウエットエ
ッチングのいずれを組み合せて使用しても、上記実施例
と同様の効果を奏する。
〔発明の効果〕
以上説明したように、この発明は、半導体基板上の複数
の第１層配線のそれぞれの幅広部分に形成された橋杭部
分にまたがったエアーブリッジ配線により隣り同士の前
記第１層配線が接続された半導体装置において、第１層
配線の複数の橋杭部分が形成される幅広部分を互いにず
らした位置に形成したので、主配線の配線間隔を小さく
することが可能になり、エアーブリッジ配線の問題点、
つまり橋杭部分の高さが高くなりそのためその太さも大
きくなってても、第１層配線の隣り同士の間隔が必然的
に大きくなることがなく、全体が大型化するのを避ける
ことができ、チップサイズの縮小，さらには低コスト化
が図られる。また、プロセス方式を従来方法から変更す
る必要もない。
【図面の簡単な説明】
第１図（ａ），（ｂ）はこの発明の一実施例を示す半導
体装置の平面図および側面図、第２図（ａ），（ｂ）は
従来の半導体装置の平面図および側面図である。 図において、１は第１層配線、1aは幅広部分、２はエア
ーブリッジ配線の橋杭部分、３はエアーブリッジ配線の
橋板部分、４は半導体基板である。 なお、各図中の同一符号は同一または相当部分を示す。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】半導体基板上の複数の第１層配線のそれぞ
    れの幅広部分に形成された橋杭部分にまたがったエアー
    ブリッジ配線により隣り同士の前記第１層配線が接続さ
    れた半導体装置において、前記各橋杭部分が形成された
    第１層配線の幅広部分を互いにずらした位置に形成した
    ことを特徴とする半導体装置。
JP62154104A 1987-06-19 1987-06-19 半導体装置 Expired - Lifetime JPH0783053B2 (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP62154104A JPH0783053B2 (ja) 1987-06-19 1987-06-19 半導体装置
GB8814297A GB2207808B (en) 1987-06-19 1988-06-16 A semiconductor device having an air bridge wiring structure
FR8808159A FR2616965A1 (fr) 1987-06-19 1988-06-17 Interconnexion par montage en pont exterieur sur un substrat semi-conducteur
US07/208,083 US4924289A (en) 1987-06-19 1988-06-17 Air bridge wiring for semiconductor devices

Applications Claiming Priority (1)

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JP62154104A JPH0783053B2 (ja) 1987-06-19 1987-06-19 半導体装置

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Publication Number Publication Date
JPS63318141A JPS63318141A (ja) 1988-12-27
JPH0783053B2 true JPH0783053B2 (ja) 1995-09-06

Family

ID=15577008

Family Applications (1)

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US (1) US4924289A (ja)
JP (1) JPH0783053B2 (ja)
FR (1) FR2616965A1 (ja)
GB (1) GB2207808B (ja)

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Also Published As

Publication number Publication date
JPS63318141A (ja) 1988-12-27
FR2616965B1 (ja) 1994-04-22
GB2207808B (en) 1990-07-11
GB8814297D0 (en) 1988-07-20
US4924289A (en) 1990-05-08
FR2616965A1 (fr) 1988-12-23
GB2207808A (en) 1989-02-08

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