JPH0786969B2 - 磁気抵抗効果型磁気ヘッドの製造方法 - Google Patents
磁気抵抗効果型磁気ヘッドの製造方法Info
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- JPH0786969B2 JPH0786969B2 JP59105139A JP10513984A JPH0786969B2 JP H0786969 B2 JPH0786969 B2 JP H0786969B2 JP 59105139 A JP59105139 A JP 59105139A JP 10513984 A JP10513984 A JP 10513984A JP H0786969 B2 JPH0786969 B2 JP H0786969B2
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- magnetoresistive effect
- magnetic head
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- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
- G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
- G11B5/3906—Details related to the use of magnetic thin film layers or to their effects
- G11B5/3916—Arrangements in which the active read-out elements are coupled to the magnetic flux of the track by at least one magnetic thin film flux guide
- G11B5/3919—Arrangements in which the active read-out elements are coupled to the magnetic flux of the track by at least one magnetic thin film flux guide the guide being interposed in the flux path
- G11B5/3922—Arrangements in which the active read-out elements are coupled to the magnetic flux of the track by at least one magnetic thin film flux guide the guide being interposed in the flux path the read-out elements being disposed in magnetic shunt relative to at least two parts of the flux guide structure
- G11B5/3925—Arrangements in which the active read-out elements are coupled to the magnetic flux of the track by at least one magnetic thin film flux guide the guide being interposed in the flux path the read-out elements being disposed in magnetic shunt relative to at least two parts of the flux guide structure the two parts being thin films
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- G11B5/313—Disposition of layers
- G11B5/3133—Disposition of layers including layers not usually being a part of the electromagnetic transducer structure and providing additional features, e.g. for improving heat radiation, reduction of power dissipation, adaptations for measurement or indication of gap depth or other properties of the structure
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Description
【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 この発明は磁気抵抗効果型磁気ヘツドの製造方法、特に
耐摩耗性が高く且つ製造工程中における磁気抵抗効果の
劣化を防止することができる磁気ヘツドの製造方法に関
するものである。
耐摩耗性が高く且つ製造工程中における磁気抵抗効果の
劣化を防止することができる磁気ヘツドの製造方法に関
するものである。
第１図は従来の磁気抵抗効果型磁気ヘツドを示す縦断面
図であり、図において、（１）はサフアイア、Al2O3−T
iC等でなる基板、（２）はパーマロイ、センダスト等の
金属磁性薄膜、（３）はパーマロイ等の磁気抵抗効果
（以下簡単のためMR効果と称す）を有するMR効果磁性薄
膜、（４）はエポキシ樹脂等の樹脂接着層、（５）は前
記基板（１）と同材料の保護板である。なお、第１図に
おいて符号（Ａ）で示した部分が磁気テープ等の磁気媒
体と摺接する摺接面である。
図であり、図において、（１）はサフアイア、Al2O3−T
iC等でなる基板、（２）はパーマロイ、センダスト等の
金属磁性薄膜、（３）はパーマロイ等の磁気抵抗効果
（以下簡単のためMR効果と称す）を有するMR効果磁性薄
膜、（４）はエポキシ樹脂等の樹脂接着層、（５）は前
記基板（１）と同材料の保護板である。なお、第１図に
おいて符号（Ａ）で示した部分が磁気テープ等の磁気媒
体と摺接する摺接面である。
以上の構成を有する所謂磁束引込型のMR効果型磁気ヘツ
ドにおいては、摺接面（Ａ）に摺接する磁気媒体からの
磁束が金属磁性薄膜（２）内に導入され、その一部がMR
効果磁性薄膜（３）を横切ることになる。この磁束によ
つて、MR効果磁性薄膜（３）の電気抵抗が変化し、その
抵抗変化を検出することにより、磁気媒体に磁気記録さ
れた情報を再生することができる。
ドにおいては、摺接面（Ａ）に摺接する磁気媒体からの
磁束が金属磁性薄膜（２）内に導入され、その一部がMR
効果磁性薄膜（３）を横切ることになる。この磁束によ
つて、MR効果磁性薄膜（３）の電気抵抗が変化し、その
抵抗変化を検出することにより、磁気媒体に磁気記録さ
れた情報を再生することができる。
ところで、前記従来の磁気ヘツドを製造するには、基板
（１）上に磁気ヘツドを構成する薄膜材料を順次スパツ
タ、メツキ等で積層することによつて製造するようにし
ているので、最終的に保護板（５）をエポキシ樹脂等の
接着剤で接合する際に温度を上げると、MR効果磁性薄膜
（３）の特性が劣化する問題点があり、このため、低温
度で硬化するエポキシ樹脂等の接着剤のみしか使用でき
ず、磁気媒体と摺接する摺接面（Ａ）の耐摩耗性を向上
させることができない欠点があつた。また、同様の理由
でガラスを溶融させて融着するというガラスボンデイン
グプロセスも採用することができないものであつた。
（１）上に磁気ヘツドを構成する薄膜材料を順次スパツ
タ、メツキ等で積層することによつて製造するようにし
ているので、最終的に保護板（５）をエポキシ樹脂等の
接着剤で接合する際に温度を上げると、MR効果磁性薄膜
（３）の特性が劣化する問題点があり、このため、低温
度で硬化するエポキシ樹脂等の接着剤のみしか使用でき
ず、磁気媒体と摺接する摺接面（Ａ）の耐摩耗性を向上
させることができない欠点があつた。また、同様の理由
でガラスを溶融させて融着するというガラスボンデイン
グプロセスも採用することができないものであつた。
この発明は係る欠点を改善するためになされたもので、
予め磁気媒体と摺接してその磁束引込部となる金属磁性
薄膜を一対の非磁性の基板上に成膜し、これをガラスボ
ンディング、切断、研磨等を行うことによって磁束引込
コア部を内蔵する磁束引込コア内蔵基板を作製した後、
当該基板上に磁気抵抗効果を有する金属薄膜を成膜する
ことにより、磁気ヘツド製造工程中における磁気抵抗効
果の劣化を防止すると共に、高精度なトラック幅規制が
でき、且つ、耐摩耗性の優れた磁気ヘツドを得ることが
できる磁気抵抗効果型磁気ヘツドの製造方法を提案する
ものである。
予め磁気媒体と摺接してその磁束引込部となる金属磁性
薄膜を一対の非磁性の基板上に成膜し、これをガラスボ
ンディング、切断、研磨等を行うことによって磁束引込
コア部を内蔵する磁束引込コア内蔵基板を作製した後、
当該基板上に磁気抵抗効果を有する金属薄膜を成膜する
ことにより、磁気ヘツド製造工程中における磁気抵抗効
果の劣化を防止すると共に、高精度なトラック幅規制が
でき、且つ、耐摩耗性の優れた磁気ヘツドを得ることが
できる磁気抵抗効果型磁気ヘツドの製造方法を提案する
ものである。
第２図（イ）及び（ロ）は夫々この発明により製造した
磁気ヘツドの１実施例を示すものであり、（1a），（1
b）はサフアイア、Al2O3−TiC等でなる一対の非磁性基
板、（2a），（2b）は非磁性基板（1a），（1b）の対向
面に形成された磁束引込部となる金属磁性薄膜、（３）
は磁性薄膜（2a），（2b）の後端に連設されたパーマロ
イ等の磁気抵抗効果（MR効果）を有する磁性薄膜、
（４）は非磁性基板（1a），（1b）をその金属磁性薄膜
（2a），（2b）側で接合するガラス、（6a），（6b）は
アルミニウム等の金属導電体による磁性薄膜（３）のリ
ード線である。
磁気ヘツドの１実施例を示すものであり、（1a），（1
b）はサフアイア、Al2O3−TiC等でなる一対の非磁性基
板、（2a），（2b）は非磁性基板（1a），（1b）の対向
面に形成された磁束引込部となる金属磁性薄膜、（３）
は磁性薄膜（2a），（2b）の後端に連設されたパーマロ
イ等の磁気抵抗効果（MR効果）を有する磁性薄膜、
（４）は非磁性基板（1a），（1b）をその金属磁性薄膜
（2a），（2b）側で接合するガラス、（6a），（6b）は
アルミニウム等の金属導電体による磁性薄膜（３）のリ
ード線である。
次に、以上の構成を有する磁気ヘツドを製造するための
この発明による製造方法を第３図乃至第７図について説
明する。
この発明による製造方法を第３図乃至第７図について説
明する。
まず、第３図（イ）及び（ロ）に示すように、長方形の
板状非磁性基板（1a）の上面にセンダスト等の耐熱性を
有する金属磁性薄膜（2a）をスパツタ等で形成し、次い
でスパツタエツチ等の写真製版技術を利用して所定の磁
気媒体のトラツク幅に応じた形にパターンニングする。
板状非磁性基板（1a）の上面にセンダスト等の耐熱性を
有する金属磁性薄膜（2a）をスパツタ等で形成し、次い
でスパツタエツチ等の写真製版技術を利用して所定の磁
気媒体のトラツク幅に応じた形にパターンニングする。
また、他方の非磁性基板（1b）の上面に、第４図（イ）
及び（ロ）に示く如く所定間隔でＶ字状溝（７）を形成
し、これにセンダスト等の耐熱性を有する金属磁性薄膜
（2b）をスパツタ等で形成し、次いでスパツタエツチ等
の写真製版技術を利用して所定の形にパターンニングす
る。
及び（ロ）に示く如く所定間隔でＶ字状溝（７）を形成
し、これにセンダスト等の耐熱性を有する金属磁性薄膜
（2b）をスパツタ等で形成し、次いでスパツタエツチ等
の写真製版技術を利用して所定の形にパターンニングす
る。
その後、両非磁性基板（1a），（1b）を、それらに形成
した金属磁性薄膜（2a），（2b）を対向させて配置し、
ガラスボンデイング等の接合手段で第５図に示すように
接合する。
した金属磁性薄膜（2a），（2b）を対向させて配置し、
ガラスボンデイング等の接合手段で第５図に示すように
接合する。
次いで、接合した基板（1a），（1b）を、第５図で１点
鎖線で示す位置で切断し、その端面を研摩して第６図に
示す磁束引込コア部内蔵基板（８）を得る。
鎖線で示す位置で切断し、その端面を研摩して第６図に
示す磁束引込コア部内蔵基板（８）を得る。
次いで、磁束引込コア部内蔵基板（８）の裏面に、パー
マロイ等のMR効果を有する磁性薄膜（３）を蒸着等によ
り形成し、次いで磁性薄膜（３）にリード線（6a），
（6b）をボンデイングして第７図に示すように目的とす
る磁気ヘツドを製造する。
マロイ等のMR効果を有する磁性薄膜（３）を蒸着等によ
り形成し、次いで磁性薄膜（３）にリード線（6a），
（6b）をボンデイングして第７図に示すように目的とす
る磁気ヘツドを製造する。
なお、上記実施例においては、２チヤンネルの磁気ヘツ
ドを製造する場合について説明したが、これに限定され
るものではなく、第３図及び第４図における金属磁性薄
膜（2a），（2b）の幅及び数を任意に選定することによ
り、１チヤンネル以上任意数チヤンネルの磁気ヘツドを
製造することができる。
ドを製造する場合について説明したが、これに限定され
るものではなく、第３図及び第４図における金属磁性薄
膜（2a），（2b）の幅及び数を任意に選定することによ
り、１チヤンネル以上任意数チヤンネルの磁気ヘツドを
製造することができる。
この発明は以上説明したとおり、予め一対の非磁性基板
上に耐熱性を有する金属磁性薄膜を成膜して成る磁束引
込コアを内蔵した磁束引込コア内蔵基板を作製した後、
この磁束引込コア内蔵基板上にパーマロイ等の耐熱性の
低い磁気抵抗効果を有する磁性薄膜を成膜するようにし
たので、磁気媒体と摺接する磁束引込コア部内蔵基板を
ガラスボンデイング等の加熱を必要とする接合によつて
形成することが可能となり、磁気媒体との摺接部の耐摩
耗性を確保することができ、しかも磁気抵抗効果を有す
る磁性薄膜の熱による劣化を確実に防止して高精度で耐
摩耗性の高い磁気ヘツドを製造することができるという
効果がある。
上に耐熱性を有する金属磁性薄膜を成膜して成る磁束引
込コアを内蔵した磁束引込コア内蔵基板を作製した後、
この磁束引込コア内蔵基板上にパーマロイ等の耐熱性の
低い磁気抵抗効果を有する磁性薄膜を成膜するようにし
たので、磁気媒体と摺接する磁束引込コア部内蔵基板を
ガラスボンデイング等の加熱を必要とする接合によつて
形成することが可能となり、磁気媒体との摺接部の耐摩
耗性を確保することができ、しかも磁気抵抗効果を有す
る磁性薄膜の熱による劣化を確実に防止して高精度で耐
摩耗性の高い磁気ヘツドを製造することができるという
効果がある。
また、磁気媒体上の記録情報を再生するトラツク幅は、
磁束引込部となる磁性薄膜の幅で規制することができ、
これらは写真製版による高精度な加工を期待できるの
で、高精度の磁気ヘツドを製造することができる効果が
ある。
磁束引込部となる磁性薄膜の幅で規制することができ、
これらは写真製版による高精度な加工を期待できるの
で、高精度の磁気ヘツドを製造することができる効果が
ある。
第１図は従来の磁気抵抗効果型磁気ヘツドを示す断面
図、第２図（イ）及び（ロ）は夫々この発明により製造
した磁気抵抗効果型磁気ヘツドを示す断面図及び平面
図、第３図（イ）及び（ロ）はこの発明による製造工程
の途中状態を示す側面図及び平面図、第４図（イ）及び
（ロ）は同様に製造工程の途中状態を示す側面図及び平
面図、第５図、第６図及び第７図も夫々この発明による
製造工程を示す側面図、斜視図及び最終段階の斜視図で
ある。 図において、（1a），（1b）は非磁性基板、（2a），
（2b）は金属磁性薄膜、（３）は磁気抵抗効果を有する
磁性薄膜、（４）は樹脂接着層、（6a），（6b）はリー
ド線、（８）は磁束引込コア部内蔵基板である。 なお、各図中同一符号は同一または相当部分を示すもの
とする。
図、第２図（イ）及び（ロ）は夫々この発明により製造
した磁気抵抗効果型磁気ヘツドを示す断面図及び平面
図、第３図（イ）及び（ロ）はこの発明による製造工程
の途中状態を示す側面図及び平面図、第４図（イ）及び
（ロ）は同様に製造工程の途中状態を示す側面図及び平
面図、第５図、第６図及び第７図も夫々この発明による
製造工程を示す側面図、斜視図及び最終段階の斜視図で
ある。 図において、（1a），（1b）は非磁性基板、（2a），
（2b）は金属磁性薄膜、（３）は磁気抵抗効果を有する
磁性薄膜、（４）は樹脂接着層、（6a），（6b）はリー
ド線、（８）は磁束引込コア部内蔵基板である。 なお、各図中同一符号は同一または相当部分を示すもの
とする。
Claims (1)
- 【請求項１】一対の金属磁性薄膜の間に非磁性部材を挟
み接合してなる磁束引込コア部と、当該磁束引込コア部
上に設けられた磁気抵抗効果を有する金属磁性薄膜とか
ら成る磁気ヘッドの製造方法において、一対の非磁性基
板上に夫々耐熱性を有する金属磁性薄膜をスパッタ等で
成膜し、当該金属磁性薄膜を写真製版した後に両者の成
膜面を対向させてガラスボンディングを用いて接合して
から切断して磁束引込コア部内蔵基板を作製し、該磁束
引込コア部内蔵基板上に上記金属磁性薄膜に連設させて
磁気抵抗効果を有する金属磁性薄膜を成膜することを特
徴とする磁気抵抗効果型磁気ヘッドの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59105139A JPH0786969B2 (ja) | 1984-05-24 | 1984-05-24 | 磁気抵抗効果型磁気ヘッドの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59105139A JPH0786969B2 (ja) | 1984-05-24 | 1984-05-24 | 磁気抵抗効果型磁気ヘッドの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60247818A JPS60247818A (ja) | 1985-12-07 |
| JPH0786969B2 true JPH0786969B2 (ja) | 1995-09-20 |
Family
ID=14399416
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59105139A Expired - Lifetime JPH0786969B2 (ja) | 1984-05-24 | 1984-05-24 | 磁気抵抗効果型磁気ヘッドの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0786969B2 (ja) |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS50133818A (ja) * | 1974-04-09 | 1975-10-23 | ||
| JPS5758222A (en) * | 1980-09-25 | 1982-04-07 | Fujitsu Ltd | Magnetic head |
-
1984
- 1984-05-24 JP JP59105139A patent/JPH0786969B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60247818A (ja) | 1985-12-07 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |