JPH0790586A - 真空装置 - Google Patents
真空装置Info
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- JPH0790586A JPH0790586A JP23758293A JP23758293A JPH0790586A JP H0790586 A JPH0790586 A JP H0790586A JP 23758293 A JP23758293 A JP 23758293A JP 23758293 A JP23758293 A JP 23758293A JP H0790586 A JPH0790586 A JP H0790586A
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- vacuum
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 複数の薄膜を連続して形成できる技術を提供
することである。 【構成】 第１の真空槽と、第２の真空槽と、前記第１
の真空槽及び第２の真空槽に接続された第３の真空槽
と、前記第１の真空槽と第３の真空槽とを連絡する第１
の連絡部と、前記第２の真空槽と第３の真空槽とを連絡
する第２の連絡部とを備えた真空装置であって、前記第
１の連絡部と第２の連絡部とが対向していないよう構成
させた真空装置。
することである。 【構成】 第１の真空槽と、第２の真空槽と、前記第１
の真空槽及び第２の真空槽に接続された第３の真空槽
と、前記第１の真空槽と第３の真空槽とを連絡する第１
の連絡部と、前記第２の真空槽と第３の真空槽とを連絡
する第２の連絡部とを備えた真空装置であって、前記第
１の連絡部と第２の連絡部とが対向していないよう構成
させた真空装置。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、例えば金属磁性膜など
の形成に際して用いられる真空装置に関するものであ
る。
の形成に際して用いられる真空装置に関するものであ
る。
【０００２】
【発明の背景】磁気テープ等の磁気記録媒体において
は、高密度記録化の要請から、非磁性支持体上に設けら
れる磁性層として、バインダ樹脂を用いた塗布型のもの
ではなく、バインダ樹脂を用いない金属薄膜型のものが
提案されている。すなわち、真空蒸着、スパッタリング
あるいはイオンプレーティングといった乾式メッキ手段
により磁性層を構成した磁気記録媒体が提案されている
ことは周知の通りである。そして、この種の磁気記録媒
体は磁性体の充填密度が高いことから、高密度記録に適
したものである。
は、高密度記録化の要請から、非磁性支持体上に設けら
れる磁性層として、バインダ樹脂を用いた塗布型のもの
ではなく、バインダ樹脂を用いない金属薄膜型のものが
提案されている。すなわち、真空蒸着、スパッタリング
あるいはイオンプレーティングといった乾式メッキ手段
により磁性層を構成した磁気記録媒体が提案されている
ことは周知の通りである。そして、この種の磁気記録媒
体は磁性体の充填密度が高いことから、高密度記録に適
したものである。
【０００３】このような乾式メッキ手段による磁気記録
媒体の製造装置は、図４のように構成されているものが
一般的である。尚、図４中、２１は冷却キャン、２２ａ
はポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム２３
の供給側ロール、２２ｂはＰＥＴフィルム２３の巻取側
ロール、２４はルツボ、２５は磁性金属、２６は真空容
器である。そして、真空容器２６内を所定の真空度のも
のに排気した後、電子銃を作動させてルツボ２４内の磁
性金属２５を蒸発させ、ＰＥＴフィルム２３に対して磁
性金属２５の蒸発粒子を堆積（蒸着）させることによっ
て磁気記録媒体が製造されている。
媒体の製造装置は、図４のように構成されているものが
一般的である。尚、図４中、２１は冷却キャン、２２ａ
はポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム２３
の供給側ロール、２２ｂはＰＥＴフィルム２３の巻取側
ロール、２４はルツボ、２５は磁性金属、２６は真空容
器である。そして、真空容器２６内を所定の真空度のも
のに排気した後、電子銃を作動させてルツボ２４内の磁
性金属２５を蒸発させ、ＰＥＴフィルム２３に対して磁
性金属２５の蒸発粒子を堆積（蒸着）させることによっ
て磁気記録媒体が製造されている。
【０００４】ところで、このような装置により得られた
金属薄膜型の磁気記録媒体にあっても、走行性の観点か
ら表面に潤滑剤が塗布されている。そして、これまでに
あっては、真空容器２６内から巻取側ロール２２ｂを取
り出し、塗布型の磁気記録媒体の磁性塗料の塗布に際し
て用いられていた塗布手段と同様な手段、例えばダイ塗
工やグラビア塗工による手段が採用されて潤滑剤が塗布
されている。
金属薄膜型の磁気記録媒体にあっても、走行性の観点か
ら表面に潤滑剤が塗布されている。そして、これまでに
あっては、真空容器２６内から巻取側ロール２２ｂを取
り出し、塗布型の磁気記録媒体の磁性塗料の塗布に際し
て用いられていた塗布手段と同様な手段、例えばダイ塗
工やグラビア塗工による手段が採用されて潤滑剤が塗布
されている。
【０００５】
【発明の開示】しかしながら、上記のような潤滑剤塗布
手段は、磁性層の形成が真空槽内で行われる一方、潤滑
剤の塗布は大気中で行われているものであるから、製造
工程が複雑で、煩瑣なものとなり、コストが高く付いて
いることが次第に判って来た。このような問題点につい
ての検討が鋭意押し進められて行った結果、潤滑剤の塗
布も真空槽内で行われるようにすれば、磁性層の形成に
引き続いて潤滑剤の塗布を連続して実施できるようにな
り、製造工程をそれだけ簡略化でき、コストの低廉化が
図れるであろうとの啓示を得るに至った。
手段は、磁性層の形成が真空槽内で行われる一方、潤滑
剤の塗布は大気中で行われているものであるから、製造
工程が複雑で、煩瑣なものとなり、コストが高く付いて
いることが次第に判って来た。このような問題点につい
ての検討が鋭意押し進められて行った結果、潤滑剤の塗
布も真空槽内で行われるようにすれば、磁性層の形成に
引き続いて潤滑剤の塗布を連続して実施できるようにな
り、製造工程をそれだけ簡略化でき、コストの低廉化が
図れるであろうとの啓示を得るに至った。
【０００６】そこで、図５に示す如く、真空槽Ａ，Ｂを
二つ用意し、真空槽Ａと真空槽Ｂとを通路Ｃを介して接
続した装置を試作し、真空槽Ａで磁性膜を作成し、次い
で真空槽Ｂで潤滑剤の塗布を行った。しかしながら、こ
のものでは、磁性膜の形成が上手く出来ていなかった。
この原因についての検討を鋭意押し進めて行った結果、
これは、本来、磁性膜の形成が行われる真空槽Ａの真空
度は１０-4〜１０-6Ｔｏｒｒ程度、例えば２×１０-5Ｔ
ｏｒｒといったものでなければならないのに対して、潤
滑剤の塗布が行われる真空槽Ｂの真空度は１〜１０-4Ｔ
ｏｒｒ程度、例えば５×１０-2Ｔｏｒｒの真空度であ
り、この為真空槽Ｂから真空槽Ａに分子流の移動が起
き、真空槽Ａの真空度が低下し、かつ、雰囲気が汚染さ
れ、この為に磁性膜の形成が上手く出来ていないことが
判って来たのである。
二つ用意し、真空槽Ａと真空槽Ｂとを通路Ｃを介して接
続した装置を試作し、真空槽Ａで磁性膜を作成し、次い
で真空槽Ｂで潤滑剤の塗布を行った。しかしながら、こ
のものでは、磁性膜の形成が上手く出来ていなかった。
この原因についての検討を鋭意押し進めて行った結果、
これは、本来、磁性膜の形成が行われる真空槽Ａの真空
度は１０-4〜１０-6Ｔｏｒｒ程度、例えば２×１０-5Ｔ
ｏｒｒといったものでなければならないのに対して、潤
滑剤の塗布が行われる真空槽Ｂの真空度は１〜１０-4Ｔ
ｏｒｒ程度、例えば５×１０-2Ｔｏｒｒの真空度であ
り、この為真空槽Ｂから真空槽Ａに分子流の移動が起
き、真空槽Ａの真空度が低下し、かつ、雰囲気が汚染さ
れ、この為に磁性膜の形成が上手く出来ていないことが
判って来たのである。
【０００７】そして、さらなる検討が押し進められて行
った結果、真空槽Ａと真空槽Ｂとの連絡通路を段違いに
構成させておけば、真空槽Ｂから真空槽Ａに分子が直進
して侵入することは出来ず、真空槽Ａの真空度が低下せ
ず、かつ、雰囲気が汚染されることもなく、磁性膜の形
成は上手く出来るであろうと考えた。そして、このこと
を試験してみた処、予想以上の好成績を得たのである。
った結果、真空槽Ａと真空槽Ｂとの連絡通路を段違いに
構成させておけば、真空槽Ｂから真空槽Ａに分子が直進
して侵入することは出来ず、真空槽Ａの真空度が低下せ
ず、かつ、雰囲気が汚染されることもなく、磁性膜の形
成は上手く出来るであろうと考えた。そして、このこと
を試験してみた処、予想以上の好成績を得たのである。
【０００８】このような観点から本発明が達成されたも
のであり、本発明の目的は、複数の薄膜を連続して形成
できる技術を提供することである。この本発明の目的
は、第１の真空槽と、第２の真空槽と、前記第１の真空
槽及び第２の真空槽に接続された第３の真空槽と、前記
第１の真空槽と第３の真空槽とを連絡する第１の連絡部
と、前記第２の真空槽と第３の真空槽とを連絡する第２
の連絡部とを備えた真空装置であって、前記第１の連絡
部と第２の連絡部とが対向していないよう構成させたこ
とを特徴とする真空装置によって達成される。
のであり、本発明の目的は、複数の薄膜を連続して形成
できる技術を提供することである。この本発明の目的
は、第１の真空槽と、第２の真空槽と、前記第１の真空
槽及び第２の真空槽に接続された第３の真空槽と、前記
第１の真空槽と第３の真空槽とを連絡する第１の連絡部
と、前記第２の真空槽と第３の真空槽とを連絡する第２
の連絡部とを備えた真空装置であって、前記第１の連絡
部と第２の連絡部とが対向していないよう構成させたこ
とを特徴とする真空装置によって達成される。
【０００９】尚、この真空装置において、第１の連絡部
に対向して排気系が第３の真空槽に設けられてなること
が好ましく、又、第２の連絡部に対向して排気系が第３
の真空槽に設けられてなることが好ましい。又、支持体
上に金属薄膜型の磁性層を設け、この磁性層上に潤滑層
を設けた金属薄膜型の磁気記録媒体の作製に本発明の真
空装置を用いる場合には、走行する支持体上に金属薄膜
型の磁性層を設ける金属薄膜形成手段を第１の真空槽に
設け、この金属薄膜形成手段で形成された金属薄膜型の
磁性層に潤滑剤の蒸気を吹き付ける吹付手段を第２の真
空槽に設けておけば良い。
に対向して排気系が第３の真空槽に設けられてなること
が好ましく、又、第２の連絡部に対向して排気系が第３
の真空槽に設けられてなることが好ましい。又、支持体
上に金属薄膜型の磁性層を設け、この磁性層上に潤滑層
を設けた金属薄膜型の磁気記録媒体の作製に本発明の真
空装置を用いる場合には、走行する支持体上に金属薄膜
型の磁性層を設ける金属薄膜形成手段を第１の真空槽に
設け、この金属薄膜形成手段で形成された金属薄膜型の
磁性層に潤滑剤の蒸気を吹き付ける吹付手段を第２の真
空槽に設けておけば良い。
【００１０】又、金属磁性膜を複数層で構成する場合に
は、これに応じて真空槽を複数設け、そしてこれらの真
空槽の間の関係を上記のように構成させれば良い。以
下、具体的な実施例を挙げて説明する。
は、これに応じて真空槽を複数設け、そしてこれらの真
空槽の間の関係を上記のように構成させれば良い。以
下、具体的な実施例を挙げて説明する。
【００１１】
【実施例】図１〜図３は本発明に係る真空装置の一実施
例を示すもので、図１は磁気記録媒体製造装置全体の概
略図、図２及び図３は要部の概略図である。各図中、１
ａは磁性層（磁性薄膜）形成用の第１の真空槽、１ｂは
潤滑剤の塗布（吹き付け）が行われる第２の真空槽であ
り、これら第１の真空槽１ａと第２の真空槽１ｂとの間
には連絡室１ｃが設けられており、第１の真空槽１ａと
連絡室１ｃとが通路１ｄによってつながれており、第２
の真空槽１ｂと連絡室１ｃとが通路１ｅによってつなが
れている。そして、通路１ｄと通路１ｅとは、一直線上
にはないよう段違い構造となっている。又、図２に示す
如く、連絡室１ｃには、通路１ｄ及び通路１ｅに対向し
て排気系が設けられている。
例を示すもので、図１は磁気記録媒体製造装置全体の概
略図、図２及び図３は要部の概略図である。各図中、１
ａは磁性層（磁性薄膜）形成用の第１の真空槽、１ｂは
潤滑剤の塗布（吹き付け）が行われる第２の真空槽であ
り、これら第１の真空槽１ａと第２の真空槽１ｂとの間
には連絡室１ｃが設けられており、第１の真空槽１ａと
連絡室１ｃとが通路１ｄによってつながれており、第２
の真空槽１ｂと連絡室１ｃとが通路１ｅによってつなが
れている。そして、通路１ｄと通路１ｅとは、一直線上
にはないよう段違い構造となっている。又、図２に示す
如く、連絡室１ｃには、通路１ｄ及び通路１ｅに対向し
て排気系が設けられている。
【００１２】２は第１の真空槽１ａ内に配設された冷却
キャンロール、３は防着板、４はルツボ、５は磁性金
属、６は酸素ガス吐出用のノズルであり、このノズル６
のノズル口６ａは冷却キャンロール２の中心に向かって
配設されている。尚、ルツボ４に充填される磁性金属５
としては、例えばＦｅ，Ｃｏ，Ｎｉ等の金属の他に、Ｃ
ｏ−Ｎｉ合金、Ｃｏ−Ｐｔ合金、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｐｔ合
金、Ｆｅ−Ｃｏ合金、Ｆｅ−Ｎｉ合金、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｎ
ｉ合金、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｂ合金、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｆｅ−Ｂ合
金、Ｃｏ−Ｃｒ合金、あるいはこれらにＡｌ等の金属を
含有させたもの等が挙げられる。
キャンロール、３は防着板、４はルツボ、５は磁性金
属、６は酸素ガス吐出用のノズルであり、このノズル６
のノズル口６ａは冷却キャンロール２の中心に向かって
配設されている。尚、ルツボ４に充填される磁性金属５
としては、例えばＦｅ，Ｃｏ，Ｎｉ等の金属の他に、Ｃ
ｏ−Ｎｉ合金、Ｃｏ−Ｐｔ合金、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｐｔ合
金、Ｆｅ−Ｃｏ合金、Ｆｅ−Ｎｉ合金、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｎ
ｉ合金、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｂ合金、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｆｅ−Ｂ合
金、Ｃｏ−Ｃｒ合金、あるいはこれらにＡｌ等の金属を
含有させたもの等が挙げられる。
【００１３】７ａは第１の真空槽１ａ内に配設された供
給側ロール、７ｂは第２の真空槽１ｂ内に配設された巻
取側ロールであり、供給側ロール７ａに巻回されている
非磁性の支持体８が冷却キャンロール２に沿って巻か
れ、そしてガイドローラに添接案内され、通路１ｄから
連絡室１ｃ、そして通路１ｅを通って第２の真空槽１ｂ
側に案内され、第２の真空槽１ｂ内に配設された加熱キ
ャンロール９に沿って巻かれ、巻取側ロール７ｂに巻き
取られて行くようになっている。
給側ロール、７ｂは第２の真空槽１ｂ内に配設された巻
取側ロールであり、供給側ロール７ａに巻回されている
非磁性の支持体８が冷却キャンロール２に沿って巻か
れ、そしてガイドローラに添接案内され、通路１ｄから
連絡室１ｃ、そして通路１ｅを通って第２の真空槽１ｂ
側に案内され、第２の真空槽１ｂ内に配設された加熱キ
ャンロール９に沿って巻かれ、巻取側ロール７ｂに巻き
取られて行くようになっている。
【００１４】尚、支持体８は、例えばＰＥＴ等のポリエ
ステル、ポリアミド、ポリイミド、ポリスルフォン、ポ
リカーボネート、ポリプロピレン等のオレフィン系の樹
脂、セルロース系の樹脂、塩化ビニル系の樹脂といった
高分子材料、ガラスやセラミック等の無機系材料、アル
ミニウム合金などの金属材料が用いられる。そして、支
持体８面上には、必要に応じて磁性層（磁性薄膜）の密
着性を向上させる為のアンダーコート層が設けられてい
る。すなわち、表面の粗さを適度に粗すことにより、例
えば斜め蒸着法により構成される磁性薄膜の密着性を向
上させ、さらに磁気記録媒体表面の表面粗さを適度なも
のとして走行性を改善する為、例えばＳｉＯ2 等の粒子
を含有させた厚さが０．００５〜０．１μｍの塗膜を設
けることによってアンダーコート層が構成されている。
ステル、ポリアミド、ポリイミド、ポリスルフォン、ポ
リカーボネート、ポリプロピレン等のオレフィン系の樹
脂、セルロース系の樹脂、塩化ビニル系の樹脂といった
高分子材料、ガラスやセラミック等の無機系材料、アル
ミニウム合金などの金属材料が用いられる。そして、支
持体８面上には、必要に応じて磁性層（磁性薄膜）の密
着性を向上させる為のアンダーコート層が設けられてい
る。すなわち、表面の粗さを適度に粗すことにより、例
えば斜め蒸着法により構成される磁性薄膜の密着性を向
上させ、さらに磁気記録媒体表面の表面粗さを適度なも
のとして走行性を改善する為、例えばＳｉＯ2 等の粒子
を含有させた厚さが０．００５〜０．１μｍの塗膜を設
けることによってアンダーコート層が構成されている。
【００１５】１０は加熱キャンロール９に対向して配設
されたターボ分子ポンプ、１１はターボ分子ポンプ１０
端に接続された筒、１２は筒１１内に配置されたルツ
ボ、１３はルツボ１２内に充填された潤滑剤、１４はル
ツボ１２内に充填された潤滑剤１３を加熱するヒーター
である。尚、潤滑剤としては、例えば分子量２０００〜
５０００のパーフルオロポリエーテル、例えば-(C(R)F-
CF2-O)p - （但し、ＲはＦ，ＣＦ3 ，ＣＨ3 などの
基）、特にHOOC-CF2(O-C2F4)p (OCF2) q -OCF2-COOH ，
F-(CF2CF2CF2O)n -CF2CF2COOH といったようなカルボキ
シル基変性パーフロオロポリエーテル、HOCH2-CF2(O-C2
F4) p (OCF2) q -OCF2-CH2OH，HO-(C2H4-O) m -CH2-(O-
C2F4) p (OCF2) q -OCH2-(OCH2CH2)n -OH ，F-(CF2CF2C
F2O)n -CF2CF2CH2OHといったようなアルコール変性パー
フロオロポリエーテル等が挙げられる。具体的には、モ
ンテカチーニ社のＦＯＭＢＬＩＮ Ｚ ＤＩＡＣやＦＯ
ＭＢＬＩＮ Ｚ ＤＯＬ等がある。
されたターボ分子ポンプ、１１はターボ分子ポンプ１０
端に接続された筒、１２は筒１１内に配置されたルツ
ボ、１３はルツボ１２内に充填された潤滑剤、１４はル
ツボ１２内に充填された潤滑剤１３を加熱するヒーター
である。尚、潤滑剤としては、例えば分子量２０００〜
５０００のパーフルオロポリエーテル、例えば-(C(R)F-
CF2-O)p - （但し、ＲはＦ，ＣＦ3 ，ＣＨ3 などの
基）、特にHOOC-CF2(O-C2F4)p (OCF2) q -OCF2-COOH ，
F-(CF2CF2CF2O)n -CF2CF2COOH といったようなカルボキ
シル基変性パーフロオロポリエーテル、HOCH2-CF2(O-C2
F4) p (OCF2) q -OCF2-CH2OH，HO-(C2H4-O) m -CH2-(O-
C2F4) p (OCF2) q -OCH2-(OCH2CH2)n -OH ，F-(CF2CF2C
F2O)n -CF2CF2CH2OHといったようなアルコール変性パー
フロオロポリエーテル等が挙げられる。具体的には、モ
ンテカチーニ社のＦＯＭＢＬＩＮ Ｚ ＤＩＡＣやＦＯ
ＭＢＬＩＮ Ｚ ＤＯＬ等がある。
【００１６】尚、１５は支持体８の走行経路に設けられ
たガイドローラである。上記のように構成させた装置に
おいて、第１の真空槽１ａ内を１０-4〜１０-6Ｔｏｒｒ
程度、例えば２×１０-5Ｔｏｒｒの真空度に排気した
後、抵抗加熱、高周波加熱、電子ビーム加熱などにより
ルツボ４内の磁性金属５を蒸発させ、ＰＥＴフィルム等
の支持体８に対して０．０４〜２μｍ厚さ磁性金属５を
蒸着させて磁性薄膜を形成する。
たガイドローラである。上記のように構成させた装置に
おいて、第１の真空槽１ａ内を１０-4〜１０-6Ｔｏｒｒ
程度、例えば２×１０-5Ｔｏｒｒの真空度に排気した
後、抵抗加熱、高周波加熱、電子ビーム加熱などにより
ルツボ４内の磁性金属５を蒸発させ、ＰＥＴフィルム等
の支持体８に対して０．０４〜２μｍ厚さ磁性金属５を
蒸着させて磁性薄膜を形成する。
【００１７】この磁性薄膜の形成に際しては、ノズル６
のノズル口６ａから５０℃程度に加熱された酸素ガスが
磁性金属５の蒸着部分（磁性薄膜）に約１５０ｃｃ／ｍ
ｉｎ程度の割合で吹き付けられ、磁性薄膜の表層部分が
強制酸化させられる。尚、図１からも判る通り、磁性金
属が堆積して磁性薄膜が形成された瞬間から直後の間で
ある位置において酸素ガスが吹き付けられるよう、か
つ、その吹付角度（衝突角度）が９０°であるようノズ
ル６のノズル口６ａはセッティングされている。
のノズル口６ａから５０℃程度に加熱された酸素ガスが
磁性金属５の蒸着部分（磁性薄膜）に約１５０ｃｃ／ｍ
ｉｎ程度の割合で吹き付けられ、磁性薄膜の表層部分が
強制酸化させられる。尚、図１からも判る通り、磁性金
属が堆積して磁性薄膜が形成された瞬間から直後の間で
ある位置において酸素ガスが吹き付けられるよう、か
つ、その吹付角度（衝突角度）が９０°であるようノズ
ル６のノズル口６ａはセッティングされている。
【００１８】このようにして磁性薄膜が形成され、そし
て酸化処理が施され、この後所定の経路を通って第２の
真空槽１ｂ側に案内されて行く。１〜１０-4Ｔｏｒｒ程
度、例えば５×１０-2Ｔｏｒｒの真空度に排気されてい
る第２の真空槽１ｂ側に導かれて来た支持体８は加熱キ
ャンロール９に添接される。そして、この加熱キャンロ
ール９に対向してターボ分子ポンプ１０が設けられてお
り、このターボ分子ポンプ１０にはヒーター１４で２０
０℃程度に加熱されたルツボ１２内の潤滑剤が蒸気とし
て集められているから、潤滑剤の蒸気が支持体８の磁性
薄膜表面（酸化膜の表面）に乾燥後の厚さが２０Å程度
となるよう吹き付けられる。
て酸化処理が施され、この後所定の経路を通って第２の
真空槽１ｂ側に案内されて行く。１〜１０-4Ｔｏｒｒ程
度、例えば５×１０-2Ｔｏｒｒの真空度に排気されてい
る第２の真空槽１ｂ側に導かれて来た支持体８は加熱キ
ャンロール９に添接される。そして、この加熱キャンロ
ール９に対向してターボ分子ポンプ１０が設けられてお
り、このターボ分子ポンプ１０にはヒーター１４で２０
０℃程度に加熱されたルツボ１２内の潤滑剤が蒸気とし
て集められているから、潤滑剤の蒸気が支持体８の磁性
薄膜表面（酸化膜の表面）に乾燥後の厚さが２０Å程度
となるよう吹き付けられる。
【００１９】尚、潤滑剤は、２０℃で蒸気圧が１０-4〜
１０-5ｔｏｒｒ程度であって蒸発させにくく、かつ、２
５０℃程度の温度で分解してしまうといった性質を有し
ているものの、減圧下での加熱とターボ分子ポンプとを
用いることによって、潤滑剤の蒸気が磁性薄膜表面に効
率良く吹き付けられる。ところで、第１の真空槽１ａと
第２の真空槽１ｂとの間には連絡室１ｃが設けられ、第
１の真空槽１ａと連絡室１ｃとは通路１ｄによって、第
２の真空槽１ｂと連絡室１ｃとは通路１ｅによってつな
がれ、しかも通路１ｄと通路１ｅとは一直線上にはない
よう段違い構造となっていることから、高圧の第２の真
空槽１ｂ内部の気体分子が直進して第１の真空槽１ａ内
部に侵入し難いものとなっている。従って、第１の真空
槽１ａと第２の真空槽１ｂとが連結されていても、第１
の真空槽１ａの真空度が低下したり、汚染されたりする
ことがなく、第１の真空槽１ａがあたかも独立系のよう
な特長が奏される。すなわち、磁性膜の形成が綺麗に行
われる。
１０-5ｔｏｒｒ程度であって蒸発させにくく、かつ、２
５０℃程度の温度で分解してしまうといった性質を有し
ているものの、減圧下での加熱とターボ分子ポンプとを
用いることによって、潤滑剤の蒸気が磁性薄膜表面に効
率良く吹き付けられる。ところで、第１の真空槽１ａと
第２の真空槽１ｂとの間には連絡室１ｃが設けられ、第
１の真空槽１ａと連絡室１ｃとは通路１ｄによって、第
２の真空槽１ｂと連絡室１ｃとは通路１ｅによってつな
がれ、しかも通路１ｄと通路１ｅとは一直線上にはない
よう段違い構造となっていることから、高圧の第２の真
空槽１ｂ内部の気体分子が直進して第１の真空槽１ａ内
部に侵入し難いものとなっている。従って、第１の真空
槽１ａと第２の真空槽１ｂとが連結されていても、第１
の真空槽１ａの真空度が低下したり、汚染されたりする
ことがなく、第１の真空槽１ａがあたかも独立系のよう
な特長が奏される。すなわち、磁性膜の形成が綺麗に行
われる。
【００２０】特に、通路１ｄ及び通路１ｅに対向して排
気系が設けられていることから、第１の真空槽１ａと第
２の真空槽１ｂとの独立性が極めて高いものとなってお
り、磁性膜が綺麗に形成される。そして、潤滑剤の吹付
作業も、第１の真空槽１ａの雰囲気から独立して行われ
ているから、潤滑剤吹付作業も良好に行われ、磁性薄膜
の形成と潤滑剤の形成が良好に行われる。
気系が設けられていることから、第１の真空槽１ａと第
２の真空槽１ｂとの独立性が極めて高いものとなってお
り、磁性膜が綺麗に形成される。そして、潤滑剤の吹付
作業も、第１の真空槽１ａの雰囲気から独立して行われ
ているから、潤滑剤吹付作業も良好に行われ、磁性薄膜
の形成と潤滑剤の形成が良好に行われる。
【００２１】この後、所定の幅にスリットし、磁気テー
プなどにする。尚、上記の実施例では、通路１ｄと通路
１ｅとは一直線上にはないよう段違い構造のものとした
が、これは同一水平ライン上にあっても、向きが異なっ
たものであれば良い。すなわち、一直線上にないように
しておけば、高圧の第２の真空槽１ｂ内部の気体分子が
直進して第１の真空槽１ａ内部に侵入し難いものとな
る。
プなどにする。尚、上記の実施例では、通路１ｄと通路
１ｅとは一直線上にはないよう段違い構造のものとした
が、これは同一水平ライン上にあっても、向きが異なっ
たものであれば良い。すなわち、一直線上にないように
しておけば、高圧の第２の真空槽１ｂ内部の気体分子が
直進して第１の真空槽１ａ内部に侵入し難いものとな
る。
【００２２】
【効果】本発明によれば、例えば磁性薄膜の形成と潤滑
剤の形成とが作業性良く行われ、しかもこれらの膜は綺
麗に形成され、高性能で低廉な磁気記録媒体を作製でき
る。
剤の形成とが作業性良く行われ、しかもこれらの膜は綺
麗に形成され、高性能で低廉な磁気記録媒体を作製でき
る。
【図１】本発明になる真空装置（磁気記録媒体の製造装
置）の概略説明図
置）の概略説明図
【図２】本発明になる真空装置（磁気記録媒体の製造装
置）の要部の概略側面図
置）の要部の概略側面図
【図３】本発明になる真空装置（磁気記録媒体の製造装
置）の要部の概略平面図
置）の要部の概略平面図
【図４】従来の磁気記録媒体の製造装置の概略説明図
【図５】本発明に至る途中経過における磁気記録媒体製
造装置の概略説明図
造装置の概略説明図
１ａ 第１の真空槽 １ｂ 第２の真空槽 １ｃ 連絡室（第３の真空槽） １ｄ，１ｅ 通路 ２ 冷却キャンロール ４ ルツボ ５ 磁性金属 ８ 支持体 ９ 加熱キャンロール １０ ターボ分子ポンプ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 志賀 章 栃木県芳賀郡市貝町大字赤羽2606 花王株 式会社情報科学研究所内
Claims (3)
- 【請求項１】 第１の真空槽と、第２の真空槽と、前記
第１の真空槽及び第２の真空槽に接続された第３の真空
槽と、前記第１の真空槽と第３の真空槽とを連絡する第
１の連絡部と、前記第２の真空槽と第３の真空槽とを連
絡する第２の連絡部とを備えた真空装置であって、前記
第１の連絡部と第２の連絡部とが対向していないよう構
成させたことを特徴とする真空装置。 - 【請求項２】 第１の連絡部に対向して排気系が第３の
真空槽に設けられてなることを特徴とする請求項１の真
空装置。 - 【請求項３】 第２の連絡部に対向して排気系が第３の
真空槽に設けられてなることを特徴とする請求項１の真
空装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23758293A JPH0790586A (ja) | 1993-09-24 | 1993-09-24 | 真空装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23758293A JPH0790586A (ja) | 1993-09-24 | 1993-09-24 | 真空装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0790586A true JPH0790586A (ja) | 1995-04-04 |
Family
ID=17017460
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23758293A Pending JPH0790586A (ja) | 1993-09-24 | 1993-09-24 | 真空装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0790586A (ja) |
-
1993
- 1993-09-24 JP JP23758293A patent/JPH0790586A/ja active Pending
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