JPH0794769A - 太陽電池の製造法 - Google Patents
太陽電池の製造法Info
- Publication number
- JPH0794769A JPH0794769A JP5237821A JP23782193A JPH0794769A JP H0794769 A JPH0794769 A JP H0794769A JP 5237821 A JP5237821 A JP 5237821A JP 23782193 A JP23782193 A JP 23782193A JP H0794769 A JPH0794769 A JP H0794769A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- cdte
- solar cell
- cds
- glass substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/543—Solar cells from Group II-VI materials
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 ＣｄＳ／ＣｄＴｅ太陽電池において、ＣｄＴ
ｅ膜の成膜法を改善することにより、生産性および光電
特性の優れた太陽電池製造法を提供する。 【構成】 ＣｄＳ／ＣｄＴｅ太陽電池において、ＣｄＴ
ｅ膜の成膜を、ＣｄＴｅペーストを塗布・乾燥すること
によりＣｄＴｅ乾燥膜を形成したガラス基板と、ＣｄＳ
膜を成膜したガラス基板とを、ＣｄＴｅ乾燥膜とＣｄＳ
膜が相対する向きに向かい合わせて密着させて熱処理す
ることにより行う。
ｅ膜の成膜法を改善することにより、生産性および光電
特性の優れた太陽電池製造法を提供する。 【構成】 ＣｄＳ／ＣｄＴｅ太陽電池において、ＣｄＴ
ｅ膜の成膜を、ＣｄＴｅペーストを塗布・乾燥すること
によりＣｄＴｅ乾燥膜を形成したガラス基板と、ＣｄＳ
膜を成膜したガラス基板とを、ＣｄＴｅ乾燥膜とＣｄＳ
膜が相対する向きに向かい合わせて密着させて熱処理す
ることにより行う。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ＣｄＳ膜を光入射側に
用い、ＣｄＴｅ膜を光吸収層とする太陽電池の製造法に
関するものである。
用い、ＣｄＴｅ膜を光吸収層とする太陽電池の製造法に
関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、ＣｄＳ膜を窓層に用いＣｄＴｅ膜
を吸収層としている太陽電池のＣｄＴｅ膜の成膜は塗布
・焼結法、近接昇華法、真空蒸着法あるいはスパッタ法
などで行われていた。
を吸収層としている太陽電池のＣｄＴｅ膜の成膜は塗布
・焼結法、近接昇華法、真空蒸着法あるいはスパッタ法
などで行われていた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】塗布・焼結法とは、Ｃ
ｄＳ膜上にＣｄＴｅ乾燥膜を形成後焼結を行うという製
法で、設備が安価で生産性も高く大面積化も容易であ
る。しかしＣｄＳ膜上に形成される緻密なＣｄＴｅ膜上
に高抵抗な多孔質ＣｄＴｅ膜も同時に形成されてしま
い、この高抵抗な多孔質ＣｄＴｅ膜が太陽電池の内部抵
抗を増大させ高効率化の妨げとなっていた。
ｄＳ膜上にＣｄＴｅ乾燥膜を形成後焼結を行うという製
法で、設備が安価で生産性も高く大面積化も容易であ
る。しかしＣｄＳ膜上に形成される緻密なＣｄＴｅ膜上
に高抵抗な多孔質ＣｄＴｅ膜も同時に形成されてしま
い、この高抵抗な多孔質ＣｄＴｅ膜が太陽電池の内部抵
抗を増大させ高効率化の妨げとなっていた。
【０００４】また、近接昇華法、真空蒸着法あるいはス
パッタ法などの真空成膜法では比較的高品質な膜を成膜
できるが、いずれの製法も設備費が高く生産性は低く大
面積化も難しいなど、低コスト化の妨げとなっていた。
パッタ法などの真空成膜法では比較的高品質な膜を成膜
できるが、いずれの製法も設備費が高く生産性は低く大
面積化も難しいなど、低コスト化の妨げとなっていた。
【０００５】そこで、本発明はＣｄＴｅ膜の成膜法を改
善することにより、生産性が高く大面積化も容易な方法
で、高効率な太陽電池を作製することを目的とするもの
である。
善することにより、生産性が高く大面積化も容易な方法
で、高効率な太陽電池を作製することを目的とするもの
である。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、ＣｄＳ膜上へ
のＣｄＴｅ膜の成膜を、ＣｄＴｅ乾燥膜を形成したガラ
ス基板とＣｄＳ膜を形成したガラス基板を、ＣｄＴｅ乾
燥膜とＣｄＳ膜が相対する向きに向かい合わせに密着さ
せて熱処理を加え、ＣｄＳ膜上に緻密なＣｄＴｅ膜のみ
を形成するというものである。
のＣｄＴｅ膜の成膜を、ＣｄＴｅ乾燥膜を形成したガラ
ス基板とＣｄＳ膜を形成したガラス基板を、ＣｄＴｅ乾
燥膜とＣｄＳ膜が相対する向きに向かい合わせに密着さ
せて熱処理を加え、ＣｄＳ膜上に緻密なＣｄＴｅ膜のみ
を形成するというものである。
【０００７】
【作用】この製造法では、塗布・焼結法で形成される高
抵抗な多孔質ＣｄＴｅ膜がＣｄＴｅ乾燥膜を形成した太
陽電池を作製しないガラス基板上にのみ形成され、Ｃｄ
Ｓ膜上には緻密なＣｄＴｅ膜のみが形成されるようにな
る。これにより太陽電池の内部抵抗が減少し、曲線因子
が向上する。
抵抗な多孔質ＣｄＴｅ膜がＣｄＴｅ乾燥膜を形成した太
陽電池を作製しないガラス基板上にのみ形成され、Ｃｄ
Ｓ膜上には緻密なＣｄＴｅ膜のみが形成されるようにな
る。これにより太陽電池の内部抵抗が減少し、曲線因子
が向上する。
【０００８】さらには熱処理の際、ＣｄＴｅ乾燥膜を形
成したガラス基板とＣｄＳ膜を成膜したガラス基板を、
ＣｄＴｅ乾燥膜とＣｄＳ膜が相対する向きに向かい合わ
せに隙間を開けずに密着させることにより、設備コスト
が低く生産性の優れた大気圧での熱処理でも成膜速度を
落とさずに成膜することが可能となる。
成したガラス基板とＣｄＳ膜を成膜したガラス基板を、
ＣｄＴｅ乾燥膜とＣｄＳ膜が相対する向きに向かい合わ
せに隙間を開けずに密着させることにより、設備コスト
が低く生産性の優れた大気圧での熱処理でも成膜速度を
落とさずに成膜することが可能となる。
【０００９】
【実施例】（実施例１）以下、本発明の一実施例につい
て説明する。まず、Ｃｄ粉末およびＴｅ粉末を粉砕する
ことにより作製したＣｄ，ＴｅおよびＣｄＴｅの微粉末
にプロピレングリコールを溶媒として加え、混練してＣ
ｄＴｅペーストを作製する。ガラス基板１上に前記Ｃｄ
Ｔｅペーストを塗布し、１２０℃で約１時間乾燥して膜
厚１５μｍのＣｄＴｅ乾燥膜２を得る。図１に示すよう
にＣｄＴｅ乾燥膜２を形成したガラス基板１と膜厚２０
μｍのＣｄＳ膜３を成膜している１０cm角ガラス（コー
ニング♯７０５９）基板４を前記ＣｄＴｅ乾燥膜とＣｄ
Ｓ膜が相対する向きに密着させる。そして大気圧下の窒
素雰囲気中で、保持温度６６０℃で６０分熱処理するこ
とによって、前記ＣｄＳ膜３上に緻密なＣｄＴｅ膜５を
形成する。その後、塗布・焼結法でカーボン電極７、Ａ
ｇ電極８、Ａｇ・Ｉｎ電極９を形成し、図２に示す構造
の太陽電池を作製した。
て説明する。まず、Ｃｄ粉末およびＴｅ粉末を粉砕する
ことにより作製したＣｄ，ＴｅおよびＣｄＴｅの微粉末
にプロピレングリコールを溶媒として加え、混練してＣ
ｄＴｅペーストを作製する。ガラス基板１上に前記Ｃｄ
Ｔｅペーストを塗布し、１２０℃で約１時間乾燥して膜
厚１５μｍのＣｄＴｅ乾燥膜２を得る。図１に示すよう
にＣｄＴｅ乾燥膜２を形成したガラス基板１と膜厚２０
μｍのＣｄＳ膜３を成膜している１０cm角ガラス（コー
ニング♯７０５９）基板４を前記ＣｄＴｅ乾燥膜とＣｄ
Ｓ膜が相対する向きに密着させる。そして大気圧下の窒
素雰囲気中で、保持温度６６０℃で６０分熱処理するこ
とによって、前記ＣｄＳ膜３上に緻密なＣｄＴｅ膜５を
形成する。その後、塗布・焼結法でカーボン電極７、Ａ
ｇ電極８、Ａｇ・Ｉｎ電極９を形成し、図２に示す構造
の太陽電池を作製した。
【００１０】（比較例１）図３に示すように、前記ガラ
ス基板４に成膜した前記ＣｄＳ膜３上に、ＣｄＴｅペー
ストを塗布・乾燥する。アルミナ製の熱処理容器１１内
に前記ガラス基板４をＣｄＴｅ乾燥膜１０を形成してい
る面を上にして置き、石英の熱処理容器の蓋１２をかぶ
せ、窒素雰囲気中大気圧で保持温度６６０℃で６０分熱
処理し、ＣｄＳ膜上にＣｄＴｅ膜を得る。その後、塗布
・焼結法でカーボン電極７、Ａｇ電極８、Ａｇ・Ｉｎ電
極９を形成し、図２に示す構造の太陽電池を作製した。
ス基板４に成膜した前記ＣｄＳ膜３上に、ＣｄＴｅペー
ストを塗布・乾燥する。アルミナ製の熱処理容器１１内
に前記ガラス基板４をＣｄＴｅ乾燥膜１０を形成してい
る面を上にして置き、石英の熱処理容器の蓋１２をかぶ
せ、窒素雰囲気中大気圧で保持温度６６０℃で６０分熱
処理し、ＣｄＳ膜上にＣｄＴｅ膜を得る。その後、塗布
・焼結法でカーボン電極７、Ａｇ電極８、Ａｇ・Ｉｎ電
極９を形成し、図２に示す構造の太陽電池を作製した。
【００１１】（比較例２）図１に示すようにＣｄＴｅ乾
燥膜２を形成した前記ガラス基板１と前記ＣｄＳ膜３を
成膜している前記ガラス基板４をＣｄＴｅ乾燥膜とＣｄ
Ｓ膜が相対する向きに密着させる。そして窒素雰囲気中
大気圧で、保持温度７５０℃で６０分熱処理することに
よって、前記ＣｄＳ膜３上に緻密なＣｄＴｅ膜５を形成
する。その後、塗布・焼結法でカーボン電極７、Ａｇ電
極８、Ａｇ・Ｉｎ電極９を形成し、図２に示す構造と同
じ太陽電池を作製した。
燥膜２を形成した前記ガラス基板１と前記ＣｄＳ膜３を
成膜している前記ガラス基板４をＣｄＴｅ乾燥膜とＣｄ
Ｓ膜が相対する向きに密着させる。そして窒素雰囲気中
大気圧で、保持温度７５０℃で６０分熱処理することに
よって、前記ＣｄＳ膜３上に緻密なＣｄＴｅ膜５を形成
する。その後、塗布・焼結法でカーボン電極７、Ａｇ電
極８、Ａｇ・Ｉｎ電極９を形成し、図２に示す構造と同
じ太陽電池を作製した。
【００１２】（比較例３）図１に示すように前記ＣｄＴ
ｅ乾燥膜２を形成した前記ガラス基板１と前記ＣｄＳ膜
３を成膜している前記ガラス基板４をＣｄＴｅ乾燥膜と
ＣｄＳ膜が相対する向きに密着させる。そして大気圧下
の窒素雰囲気中で、保持温度４５０℃で６０分熱処理す
ることによって、前記ＣｄＳ膜３上に緻密なＣｄＴｅ膜
５を形成する。その後、塗布・焼結法でカーボン電極
７、Ａｇ電極８、Ａｇ・Ｉｎ電極９を形成して図２に示
す構造と同じ太陽電池を作製した。
ｅ乾燥膜２を形成した前記ガラス基板１と前記ＣｄＳ膜
３を成膜している前記ガラス基板４をＣｄＴｅ乾燥膜と
ＣｄＳ膜が相対する向きに密着させる。そして大気圧下
の窒素雰囲気中で、保持温度４５０℃で６０分熱処理す
ることによって、前記ＣｄＳ膜３上に緻密なＣｄＴｅ膜
５を形成する。その後、塗布・焼結法でカーボン電極
７、Ａｇ電極８、Ａｇ・Ｉｎ電極９を形成して図２に示
す構造と同じ太陽電池を作製した。
【００１３】（比較例４）図４に示すように前記ＣｄＴ
ｅ乾燥膜２を形成した前記ガラス基板１と前記ＣｄＳ膜
３を成膜している前記ガラス基板４をＣｄＴｅ乾燥膜と
ＣｄＳ膜が相対する向きに１mmの隙間をあけて配置す
る。そして大気圧下の窒素雰囲気中で、保持温度６６０
℃で６０分熱処理することによって、前記ＣｄＳ膜３上
に緻密なＣｄＴｅ膜５を形成する。その後、塗布・焼結
法でカーボン電極７、Ａｇ電極８、Ａｇ・Ｉｎ電極９を
形成して図２に示す構造と同じ太陽電池を作製した。
ｅ乾燥膜２を形成した前記ガラス基板１と前記ＣｄＳ膜
３を成膜している前記ガラス基板４をＣｄＴｅ乾燥膜と
ＣｄＳ膜が相対する向きに１mmの隙間をあけて配置す
る。そして大気圧下の窒素雰囲気中で、保持温度６６０
℃で６０分熱処理することによって、前記ＣｄＳ膜３上
に緻密なＣｄＴｅ膜５を形成する。その後、塗布・焼結
法でカーボン電極７、Ａｇ電極８、Ａｇ・Ｉｎ電極９を
形成して図２に示す構造と同じ太陽電池を作製した。
【００１４】これらの各太陽電池の諸特性の比較を表１
に示す。
に示す。
【００１５】
【表１】
【００１６】
【発明の効果】以上のように本発明の太陽電池では、Ｃ
ｄＴｅ膜の成膜をＣｄＴｅ乾燥膜を形成したガラス基板
とＣｄＳ膜を形成したガラス基板を、ＣｄＴｅ乾燥膜と
ＣｄＳ膜が相対する向きに向かい合わせて密着させ、熱
処理を加えることによりＣｄＳ膜上にＣｄＴｅ膜を成膜
するという方法で行っているため、生産性に優れ緻密な
ＣｄＴｅ膜のみを成膜できる。しかも従来の塗布・焼結
法に比べ、高抵抗な多孔質ＣｄＴｅ膜は存在しないの
で、セル特性は内部抵抗の減少により曲線因子が向上し
た。この方法は近接昇華法、真空蒸着法あるいはスパッ
タ法などの真空成膜と比べると、設備費が安く大面積化
も行いやすいなど低コスト化が容易である。
ｄＴｅ膜の成膜をＣｄＴｅ乾燥膜を形成したガラス基板
とＣｄＳ膜を形成したガラス基板を、ＣｄＴｅ乾燥膜と
ＣｄＳ膜が相対する向きに向かい合わせて密着させ、熱
処理を加えることによりＣｄＳ膜上にＣｄＴｅ膜を成膜
するという方法で行っているため、生産性に優れ緻密な
ＣｄＴｅ膜のみを成膜できる。しかも従来の塗布・焼結
法に比べ、高抵抗な多孔質ＣｄＴｅ膜は存在しないの
で、セル特性は内部抵抗の減少により曲線因子が向上し
た。この方法は近接昇華法、真空蒸着法あるいはスパッ
タ法などの真空成膜と比べると、設備費が安く大面積化
も行いやすいなど低コスト化が容易である。
【図１】本発明の実施例における太陽電池素子の製法を
示す構造断面図
示す構造断面図
【図２】本発明および比較例における太陽電池の構造断
面図
面図
【図３】比較例１における素子の製法を示す構造断面図
【図４】比較例４における素子の製法を示す構造断面図
１ ガラス基板 ２ ＣｄＴｅ乾燥膜 ３ ＣｄＳ膜 ４ ガラス基板
Claims (3)
- 【請求項１】 ＣｄＳ膜を光入射側に用い、ＣｄＴｅ膜
を光吸収層とする太陽電池において、前記ＣｄＴｅ膜を
形成する際Ｃｄ，Ｔｅ，ＣｄＴｅおよび有機溶媒からな
るペーストをガラス上に塗布・乾燥することにより得た
ＣｄＴｅ乾燥膜を形成したガラス基板と前記ＣｄＳ膜を
形成したガラス基板を、前記ＣｄＴｅ乾燥膜と前記Ｃｄ
Ｓ膜が相対する向きに向かい合わせて密着させ熱処理す
ることにより前記ＣｄＳ膜上にＣｄＴｅ膜を形成するこ
とを特徴とする太陽電池の製造法。 - 【請求項２】 前記熱処理が少なくとも５００〜７００
℃での熱処理である請求項１記載の太陽電池の製造法。 - 【請求項３】 前記熱処理が大気圧下の不活性雰囲気中
で行われる請求項１記載の太陽電池の製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5237821A JPH0794769A (ja) | 1993-09-24 | 1993-09-24 | 太陽電池の製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5237821A JPH0794769A (ja) | 1993-09-24 | 1993-09-24 | 太陽電池の製造法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0794769A true JPH0794769A (ja) | 1995-04-07 |
Family
ID=17020905
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5237821A Pending JPH0794769A (ja) | 1993-09-24 | 1993-09-24 | 太陽電池の製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0794769A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1997045880A1 (fr) * | 1996-05-28 | 1997-12-04 | Matsushita Battery Industrial Co., Ltd. | Procede de formation d'un film au tellure de cadmium et d'une photopile mettant en oeuvre ce film |
| CN102339903A (zh) * | 2011-07-26 | 2012-02-01 | 友达光电股份有限公司 | 形成光电转换层的方法 |
-
1993
- 1993-09-24 JP JP5237821A patent/JPH0794769A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1997045880A1 (fr) * | 1996-05-28 | 1997-12-04 | Matsushita Battery Industrial Co., Ltd. | Procede de formation d'un film au tellure de cadmium et d'une photopile mettant en oeuvre ce film |
| US5994642A (en) * | 1996-05-28 | 1999-11-30 | Matsushita Battery Industrial Co., Ltd. | Method for preparing CdTe film and solar cell using the same |
| EP0853345A4 (en) * | 1996-05-28 | 1999-12-08 | Matsushita Battery Ind Co Ltd | METHOD FOR FORMING CdTe FILM AND SOLAR BATTERY USING THE FILM |
| CN102339903A (zh) * | 2011-07-26 | 2012-02-01 | 友达光电股份有限公司 | 形成光电转换层的方法 |
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