JPS6237714A - 温度制御装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （イ）産業上の利用分野 この発明は、たとえば一般家庭において使用される電気
コタツなどの発熱体の通電を制御する温度制御ｖｅ置に
関し、とくにその温度検出機構の改良に関する。

（ロ）従来の技術 一般に、家庭用の電気コタツなどに使用される温度制′
ｇｆＪ装置としては、たとえば特開昭５８−１５８７２
２号公報や特開昭５８−１６５１６６ンＪ公報に記載さ
れている発明が知られている。

前者は、半導体ヒータへの送風量を送風手段であるファ
ンを駆動するモータへの通電を制御ｌｌツることによっ
ておこない、その送風量によって間接的に半導体ヒータ
への発熱給を制御しようとするものである。また後右は
、ヒータへの通電をＯＮ−０ＦＦの制御にておこなうも
のである。

さらに第８図ａ）よび第９図に示ずものもよりり４！ら
れている。

第８図のものは、電子制御式コタツの回路図で、たとえ
ばコン］〜〇−ラ（５０）で「低」を設定すると、コン
トローラ（５０）内のトライアック＆４）の位相制御を
おこない、設定に対応した通電率（Ｗ教生）にてヒータ
（！ｉ１）を制御する。また第９図のものは、いわゆる
マイニ１ン制御式半導体温涌１〕タツの回路図で、半導
体ヒータ〈５２）を用い、マイクロコンピュータ（５３
）によって送風用のモータ（５４）と半導体ヒータ（５
２）とのそれぞれの通電率を制御覆るとともに、半導体
ヒータ（５２）自体のワット数の変化とを交じり合わせ
てコタツ内部の温度を制御するものである。１−なわら
第９図においで、温度設定用の可変抵抗器＜！ｉ５）と
抵抗（５Ｇ）　　（５７）とコタツ内に設けたサーミス
タ（５８）とでゾリッジ回路を構成し、温度検出手段と
して動作し、その出力信号はマイクロコンピュータ（５
３）のＡ／Ｄ入力端子に入力される。なお（５９）は？
４を検知するためのサーミスタで他のブリッジ回路を構
成している。上記出力信号により、すなわちＡ／Ｄ入力
によりコタツ内調度を判定し、コタツ内温度が設定温度
よりもかなり低い場合は、マイクロコンピュータ（５３
）の１〕２出力により１〜ランジスタク６０）を介して
ｉ−ライアック（６１）をトリガしてモータ（５４）に
　１００％通電をするとともに、［〕。出力によりｌ−
うンジスタ（６２）を介してトライアック（６３）をト
リガして￥導体ヒータ（５２）も１００％通電する。こ
の後コタツ内温度が設定温度に達すると、半導体ヒータ
（５２）の通電率は５０％に減少させられる。さらに設
定温度にコタツ内の温度が達すると、モータ（５４）の
通電率を５０％に、かつ半導体ヒータ（５２）の通電率
を１０％にそれぞれ減少ざぜ′Ｃ温度の制御をおこなう
ものである。したがって、設定温度に達するまで（以下
立ち上りと記す）の時間が短く、かつ設定温度に達して
から（以下安定と記す）のコタツ内温度変化幅が極めて
小さいＪタラの温麻制陣ができる。

（ハ）発明が解決しようとヂる問題点 しかしながら、７４１最によって温度制御をおこなうも
のにはランプじ−９は使用できず、あるいはヒータを０
Ｎ−ＯＦ−ＦＬ゛−Ｕ温度制御をおこなう場合には、コ
タツ内部の温度が安定した際にＯＮ時とＯＦ　Ｆ　ＩＩ
￥どの温度幅〈ディファレンシャル）が生じるとともに
、ヒータをランプ式とした場合ヒータＯＦＦにおいては
ランプが消灯してしまい、視覚的な暖かさを欠いた感じ
を°使用者に与えるものであった。

また第８図に示すものでは、立ち上り時に目標温度（設
定温度）にｆｆ１ｌ達するまでに時間がかかるという問
題点があった。

さらに、第９図に示すものでは、半導体ヒ〜りを用いて
いるので輻射熱がなく、ランプヒータに比べて通電初期
の体感的暖房感が劣るものであり、この回路にてランプ
ヒータを制御した場合には、位相制御の割合が１００％
、５０％、および１０％であるため、ランプに明暗が生
じてＯＮ時とＯＦＦ時における温度幅が大きくなるとい
った問題点があった。

この発明は上記の事情に鑑みてなされたもので発熱体に
ランプヒータを用いた場合に立ち上り時間が早く、かつ
安定時に発熱体周囲の湿度幅を極めて小さくできる温度
制御１１装置を提供しようとするものである。

（ニ）問題点を解決するための手段 この発明の構成は、発熱体と、発熱体による周囲温度の
変化を検知する感温手段とを具備し、感温手段の信号に
対応して発熱体の通電を制御する温度制御装置において
、一定周期で繰り返し充放電がなされるコンデンサと、
そのコンデンサへの充電開始後所定の時間が経過した時
点でその時点でのコンデンサの充電電圧と感温手段の信
号の電圧とを比較する判定手段と、判定のための前記所
定の時間を前記所定の時間経過後、１度前記充電電ＪＩ
が感温手段の信号の電圧と一致または小となった時点で
前記所定の時間をそれより短かい所定の時間に変更する
時間変更手段とを具備し、判定手段からの出力信号によ
って発熱体の通電率を制御する通電率制御手段を発熱体
に電気的に接続して設けることを特徴とする温度制御装
置である。

（ボ）作　用 この発明は上記のように構成されているので、コンデン
サの充電電圧と感温手段の信号電圧とが、所定の時間経
過後判定手段にて比較され、判定手段の出力信号が所定
時間杼過時に高電位レベルであるなら、通電率制御手段
は発熱体に約１００％の通電を、逆に低電位レベルであ
るなら、高電位レベルになるタイミングにて発熱体への
通電を、位相制御によっておこなう。そして１度所定時
間後充電電圧が感温手段の信号電圧と一致または小とな
った時点で、前記所定時間をそれより短かい所定の時間
に時間変更手段が変更し、判定する時点にヒステリシス
を設はランプヒータが明るくなったり暗くなったりする
のを防止するよう作用する。

（へ）実施例 以下この発明の実施例を図面にて詳述するが、この発明
が以下の実施例に限定されるものではない。

第１図において、（１）はゼロクロスパルス発生回路で
、交流電源（２の電圧（ａ）がＯＶになった際にパルス
信号＜ｂ＋を出力する。（３）はディレィ回路で、ゼロ
クロスパルス発生手段（１）に電気的に接続され、パル
ス信号（ｂ）を一定時間遅延さゼてのちパルス信号（Ｃ
１を出力する。（／４）は時間変更手段で、ディレィ回
路（３）に接続されてＪ５す、タイマ回路（４ａ）とタ
イマ回路（４ａ）の遅延信号（ｄ）の時間幅を制御する
ために接続されるコンデンサ（４ｂ）とそのコンデン（
、、Ｔｉ４ｂ）の充電時間を制御するトランジスタ（４
Ｃ）および抵抗（４ｄ）　　（４ｅ）とからなる。第１
図Ｂに示すものは、タイマ回路（４ａ）にタイマＩＣ５
５５を用いたもので、スレッショルド端子に接続された
コンデン（Ｊ１４ｂ）の充電時間を、トランジスタ（４
Ｃ）とトランジスタ（４ｃ）のコレクタに接続された抵
抗（４ｅ）と、トランジスタ（４ｃ）と抵抗（４ｅ）と
の直列回路に並列に接続される抵抗（４ｄ）とで可変づ
る。すなわち、トランジスタ（４Ｃ）がＯＮすることに
よって、抵抗（４ｄ）と抵抗（４ｅ）が並列接続どなり
、トランジスタ（４ｃ）がＯＦＦの場合より充電時間が
短かくなり、タイマ回路（４ａ）の出力する遅延信号（
小の時間幅が短かくなる。（５）はコンデンナで、トラ
ンジスタ（６）が並列に接続される。すなわち、コンデ
ン→ノ（５）の−万端にトランジスタ（６）のコレクタ
が、他方端にはエミッタがそれぞれ接続されるとともに
他方端はグラウンドに接続される。またコンデンサ（５
）の−万端には可変抵抗器（７）が直流電源ラインとの
間に接続される。可変抵抗器（７′）は温度調整用であ
る。

（８）は感温手段で、たとえば負特性のサーミスタで、
抵抗（９）に直列に接続されて、コンデンサ（５）と可
変抵抗器（′７）との直列回路とでブリッジ回路を構成
する。色は比較回路で、その十入力端はコンデンサ（５
）と可変抵抗器（刀の接続点に、−入力端は感温手段（
８）と抵抗（９）との接続点にそれぞれ接続されている
。０１）は判定手段で、たとえばＪ−にフリップフロッ
プで、そのＪ入力端は比較回路■の出力端に、またクロ
ック（以下ＣＬＫと記り）入力端は時間変更手段（４）
の出力端にそれぞれ接続さている。さらに判定手段（１
υのＱ出力端およびＱ出力端には抵抗面と発光ダイオー
ド（１３１との直列回路および抵抗（１４）と発光ダイ
オード０５１との直列回路とがそれぞれ接続されている
。発光ダイオード（１３＋は低温状態であることを、発
光ダイオード１１５）は適温状態であることをそれぞれ
発光して表示する。□は通電率゛制御手段で、２つのＡ
ＮＤ回路（１７）（１８）とそのそれぞれの出力端に接
続されるダイオードＩ８■およびそのそれぞれのダイオ
ード（至）■のカソードがベースに接続されるトランジ
スタ＆＋＋とで構成されるトリが手段のと、ランプヒー
タなどの発熱体内に直列に接続される半導体制御手段に
）とで構成される。半導体制御手段（２４）としてはト
ライアックが好適である。そして発熱体＠と半導体υＩ
Ｉ！１手段の）との直列回路が、交流電源（ａに並列に
接続されている。

またＡＮＤ回路０７′Ｉの一方の入力端は、判定手段ａ
υのＱ出力端に、他方の入力端はワンショットマルチバ
イブレータ（ハ）の出力端にそれぞれ接続される。また
ＡＮＤ回路（２）の一方の入力端は、判定手段（１υの
Ｑ出力端に、他方の入力端はワンショットマルチバイブ
レータ■の出力端にそれぞれ接続されている。ワンショ
ットマルチバイブレータ（ハ）の入力端はゼロクロスパ
ルス発生回路（１）の出力端に、またワンショットマル
チバイブレータ（ト）の入ノＥ　’ＩＡは比較回路００
）の出力端にそれぞれ接続されている。

つぎに第２図Ａ、Ｂを交えてこの実施例の動作について
説明する。

コンデンサ（５）はディレィ回路（３）が出力するパル
ス信号（Ｃ）によって、一定周期ひ充電と放電とが繰り
返しおこなわれる。すなわら、トランジスタ（６）がＯ
ＦＦの時に可変抵抗器（刀を介して充電がなされ、パル
ス信号（Ｃ）によってトランジスタ（８）がＯＮの時に
放電がおこなわれる。この充放電時のコンデンサ（５）
の充電電圧を（（Ｊ）とする。

いま、発熱体（至）の周囲温度が低いものとする。

比較回路（ト））は、充電電圧（９）と感温手段（８）
と抵抗（９）とで分圧された電圧＋ｆ＋とを比較し、そ
れぞれのＮＬＦが同一であれば高電位レベルの出力信号
山）を出力する。出力信号＋ｈ＋が、コンデンサ（５）
の充電開始後所定の時間が経過した時点でｔｆ１電位レ
ベルであるなら、判定手段（１１１のＱ出力端から出力
信号（１）が出力される。この出力信号＋ｉ＋によって
発光ダイオード（ロ）が発光し、低温状態であることを
表示する。また出力信号（ｉｔはＡＮＤ回路ａ力に入力
されて、ワンショットマルチバイブレータ（ハ）がゼロ
クロスパルス発生回路（１）からのパルス信号（ｂ〉の
侵縁でトリガされて出力づ゛るワンショットバルスイ＝
号（０１のパルス幅時間だけＡＮＤ回路０７］より出力
信号＋ｊ＋とじて出力され、１ヘランジスタ２＋＋をＯ
Ｎさせる。トランジスタ２＋）がＯＮすることによって
半導体制御手段＆４１がトリがされて発熱体■に通電さ
れる。半導体制御手段Ｑ４）がトリガされるタイミング
は、ワンショットパルス信号（ｅ）に依存しているため
、第２図Ａからもわかるように、発熱体内へは約１００
％の通電率（通電波形をｍとし通電を実線て示り）とな
る。なお上記の状態において、ＡＮＯ回′ｔＩｇ囚は、
その一方の入力端に入力される判定手段０１）からの出
力信号＋ｈ＋が°Ｌ″であるため、出力は°’　Ｈ”と
ならない。

この後周囲温度が高くなると、第２図Ｂに承りように、
比較回路（１０）の出力信号＜ｈ〉が、充電開始１ν所
定の時間を経過したのち高電位レベルとなる。

すなわち、温度が高くなる（適温）になることによって
、感温手段（８）の抵抗値がさがり、したがって比較回
路（ト））の−入力端へ印加される電圧＋ｆ＋が上界す
ることによって、充電電圧＋（］）が一致ケるまでに時
間がかかるものである。判定手段（１１）は、Ｊ入力端
に入力される出力信号＋ｈ〉が所定の時間経過した時点
で低電位レベルであるため、■出力端から出力信号＋に
＋を出力する。この時出力信号＋ｉ＋はＬ″となる。し
たがって時間変更手段（４）のトランジスタ（４Ｃ）は
ＯＮとなり、抵抗（４ｄ）と抵抗（４ｅ）とが並列接続
されてコンデンサ（４ｂ）への充電時間が短かくなる（
コンデンサ（４ｂ）の充電電圧波形を＋ｎ）として第２
図Ｂに示す）。これにより時間変更手段（４）の遅延信
号（小の時間幅は短かくなる。

ここで発熱体（至）の通電は、上記の１００％通電から
充１！電圧（９）と電圧（ｆ）との交点角度によって位
相制御による通電に切り換った時点においては、その直
前まで１００％通電していたものがほぼ５０％の通電に
変化するため、第３図Ａに点線αで示すように、急激に
発熱体（至）の周囲温度が低下してしまい、その後遅延
信号＋ｄ＋の時間幅を短かくしておかない場合には、再
度１００％通電の状態となり、１００％と５０％との通
電状態が繰り返されることになる。

しかしながらこの実施例では、遅延信号（ｄ）の時間幅
を短かくすることによって、充電電圧（９）と電圧＋ｊ
＋が一致する時間が早くなっても、充電開始から所定の
時間経過した時点で、一致しておらず、１００％通電に
は切り換らずに位相制御によって通電の制御がなされる
。

この点について第４図を用いて詳述する。

コンデンサ（５）の充電電圧（９）と感温手段（８）の
抵抗値変化に対応する電圧＋ｆ＋どのレベル比較結果を
読み取る時点は、コンデンサ（５）の充電開始後所定の
時間（以下ｔ、と記す）が経過した時点（以下１点と記
ず）に設定している。通電当所は感温手段（８）の温度
は低いので、１点で充電電圧（９）と電圧＋ｆ＋のレベ
ル比較結果を読み取ると（９）　＞　（ｆ）であるので
、この場合発熱体内に約１００％（たとえば約５００ｗ
　）通電させる。５００Ｗの通電により周囲温度は急激
に上昇し、これに伴なって電圧（ｆ）も上昇しやがて１
点において＋ｇ＋　＝　＋ｂとなる。この時点で１点を
検出ポイントＨ点に移１１させる。すなわちコンデンサ
゛（５）への充電開始後［２の時間が経過した時点で充
電電圧〈９）と電圧＋ｆ＋どのレベル比較結果を読み取
るように変更してしまう。電圧＋ｂが充電電圧（９〉に
達すると検出ポイントは■点に移るので（（Ｊｌ　＜　
＋ｒ＋となり発熱体（至）への通電は充電電圧（ｔＪ）
と電圧〈［）との交点角度（２５０ｗ）となり位相制御
となる。この０４点で周囲温度は一旦下がり、感温手段
（８）の温度も下がり電圧（［）は電圧（ｒ′）まで低
下する。しかしながらこの時点においても、検出ポイン
トが■点であるため、充電電圧（９）が電圧（［′）よ
り低く（＋ｑ＋＜　（ｆ　’　）　）　、位相制御の状
態が継続される。

したがって　１００％通電とはならず、電圧（［）から
電圧（ｔ′）に下がるのに反化例してＷ数は上昇し、電
圧（ｆ′　）では３５０Ｗの通電がなされ、温度に比例
しで電力がリニアに供給されるものである。ちなみに検
出ポイントを１点に固定した場合を考えると、１点を境
として周囲温度の変化、づなわら電圧（［）の移動に伴
なって、約　１００％の通電と約５０％の通電とが交豆
になされ、発熱体（ハ）にランプヒータを用いた場合に
は、明るくなったり暗くなったりを繰り返す結果となる
。

上記の動作を第１図Ａおよび第２図Ｂにて説明すると、
出力信号＜ｋ）によって発光ダイオード０５）が点灯し
適温表示がなされるとともに、出力信号＋ｋ）はＡＮＤ
回路叱１の一方の入力端に入力され、他方の入力端に入
力される出力信号面の前縁にて１〜リガされたワンシコ
ットマルチバイブレータ（８）が出力するワンショット
パルス信＠（１〉と論理積をとられて、ＡＮＤ回路から
出力信号（ｊ）を出力する。そして上記の低温時と同様
、出力信号＋ｊ＋によってトランジスタ（２＋１がＯＮ
し、このタイミングで半導体制御手段＆４）が位相制御
されて発熱体（至）の通電が制御される。

以上に述べたＪ、うにして発熱体（至）の通電が制御さ
れるが、さらに高い温度を必要とする場合あるいは温度
を低くしたい場合は、可変抵抗器（７）を操作して好み
の温度設定ができる。すなわち可変抵抗２！ｉ（刀を操
作することによって抵抗値が可変され、したがってコン
デンサ（５）の充電電圧の立ち上り方が変って設定温度
が変えられるものである。たとえば温度設定「高」の場
合には、可変抵抗器（力の抵抗値Ｖ　ＲをＶＲ＝Ｏとし
、逆に「低」の場合にはＶＲ−ＭＡＸとずれば、Ｆ高Ｊ
では急激に立ち上り、「低」では緩かに立ち上るもので
ある。

第３図Ａに示すものは、この実施例における発熱体（至
）の周囲温度の設定温度までの変化の状態を示すもので
、第３図Ｂに示す発熱体（ハ）のワット数の変化に伴な
って、急激な温度変化なしに設定温度にまで制御されて
いることを示している。

つぎにこの発明の信実側倒について第５〜７図にて説明
する。

第５図はこの発明の温度制御装置を使用した電子制御式
コタツの全体を示す回路図で、Ｑ？Ｉはマイクロコンピ
ュータである。この信実側倒では、判定手段、時間変更
手段６３よび通電率１１１１１手段にマイクロコンピュ
ータ弼を使用するものである。第６図は温度検知および
半導体制御手段の）のトリガ信号を制御するこの発明の
特徴的な回路を抜粋したものである。以下この信実側倒
の動作を第６図および第７図にて訂述する。

第７図に示す波形図は、第６図の制御回路のそれぞれの
入・出力端子ｄ３よび各部の電圧の波形を示したちので
ある。

マイクロコンピュータ弼がゼロクロスパルスＰＺを検出
し、その結果端子Ｒ４からリセットパルスｐｒを出力す
る。リセットパルスｐｒが“Ｌ　ＩＴレベルになると、
端子Ｒ１からの電圧により、可変抵抗器の、抵抗■を介
してコンデンサ（５）に充電が開始される。ここで可変
抵抗器のは上記実施例の可変抵抗器（７）同様、温度設
定用の可変ボリュームであり、コンデンサ（５）への充
電抵抗の値を変化さＩ！得るものである。この時の充電
電圧をＶＣとする。つぎにリセットパルスｐｒが“ト１
”レベルになると、トランジスタ（ト）がＯＮＬ、コン
デンサ（５）の充電電圧ＶＣは放電される。

一方コタツの内部温度を検出す゛るため、コタツ内の所
定の位置に設置された感温手段（８）のたとえば負特性
を有づるサーミスタ（以下サーミスタと記す）は、抵抗
（ｌと直列に接続されているとともに、その接続が比較
回路斑の一入力端に接続されている。したがってコタツ
内温度の上昇とともに上記接続点の電圧■１“ｈのレベ
ルが上昇する。

ここでコタツ温度が低い場合、すなりち温度設定「高」
の場合の動作について、第７図の第１部分を交えて説明
する。

充電電圧ＶＣと電圧ｖｒｈとは比較回路ω）にて比較さ
れる。この比較結果は、トランジスタ（至）を介してマ
イクロコンピュータ何の端子に４に入力される。マイク
ロコンピュータ弼は、交流電圧波形の９０°ごとに比較
結果が゛Ｈ″レベルであるかを判定し、この時点で比較
結果が゛シ″レベルであるなら、ずなわら充電電圧ＶＣ
＞電圧ＶＴｈならば、端子Ｒ２にパルス信号ＰＲＺを出
力する。このパルス信号Ｐａ２は発熱体（至）が約１０
０％通電されるタイミングにて出力される。ザなわら、
１０クロスパルスＰＺが出力された直後にこのパルス信
号Ｐｅｔを出力すれば、比較回路（至）からの比較出力
をコンデンサ（至）を介して得られる、トリがパルスＶ
Ｂより早いタイミングでトランジスタ因のベースに印加
できるためである。このトランジスタ（至）のコレクタ
は、抵抗（ト）を介して半導体制御手段−のゲートに接
続されており、上記パルス信号ＰＱｚのタイミングで半
導体制御ｆｌｆ一段２４＋はトリガされ、発熱体（至）
への通電がなされる。

つぎに温度設定「高１において、コタツ内温度が設定温
度に近づくと、第７図の第２部分おＪ：び第３部分に示
すように、交流電圧波形９０°の時点で充電電圧ＶＣ＜
電圧ＶＴｈとなり、したがってマイクロコンピュータ弼
の端子に４には°’　）−１”レベルの信号が入力され
る。よってマイクロコンピュータ弼は充電電圧ＶＣが電
圧Ｖｒｈに達していないため、端子Ｒ２からパルス信号
ＰＲ２を出力しない。しかしながら、充電電圧Ｖｃと電
圧Ｖｖｈが一致した時点で、比較手段（ト））は高電位
レベルの信号を出力し、端子Ｒ１の電圧がコンデンリ（
１′）と抵抗（１）によって微分されて、トリがパルス
ＶＢを得る。このトリガパルスＶｓによってトランジス
タ（至）がＯＮして、Ｖｃ＝Ｖ１゛ｈの交点角度にて半
導体制御手段２４１にゲート信号が流れ、発熱体■がＯ
ＮＬで位相制御される。この時点でマイクロコンピュー
タ弼は比較結果をマり定する時点を、交流電圧波形の９
０°ごとからたとえば６００ごとに移行させる。すなわ
ち所定の時間を短かくするものである。したがって前記
実施例同様、位相υ＋ｍにかわった時点で１００％通電
から５０％通電に変ることによる温度変化を最小にする
ことができる。そして一旦温度が下がった後、判定する
時点が前へずらされたことによって温度に対応した位相
制御が継続される。この時の通電率（Ｗ数）は、コタツ
内温度を維持安定させるＷ数よりも大きいので、コタツ
内温度は上昇しつづけ、したがって電圧ＶＴｈも増加し
つづける。その結果充１ｆ％ｆ圧Ｖｃと電圧ＶＴｈとの
交点（−数点）は、第７図の第２部分と第３部分とに示
すように、右側に移行するので通電率は徐々に低下する
。第７図第３部分は、温度設定「高」でコタツ内温度が
設定温度に達した場合で、通電率（Ｗ数）が減少してコ
タツ内温度を維持し得るＷ数まで下がると、コタツ内温
度の上昇がとまるものである。

また温度設定を「低」に変えた場合、第７図第３８１５
分に示すように、充電電圧ＶＣのピークが低下し、電圧
ＶＴｈとの交点すなわち一致点がなくなり、発熱体（至
）への通電はなくなる。すなわち発熱体内がランプヒー
タの場合には、ランプヒータは消灯状態となる。この場
合は、コタツ使用者が温度を下げたいために温度設定を
［低Ｊ側に変更したので、ランプヒータは消灯した方が
使用者にコタツ温度が下がったという感じを与え（実際
に温度も下がる）ので、消灯となるほうがよいものであ
る。そしてランプヒータが消灯しているのぐコタツ内温
度は徐々に低下し、「低」の設定温度に近づくと、充電
電圧Ｖｃと電圧ＶＴｈとは一致（交差）するが、この交
差角度は通電率０％に近いのでコタツ内温度はざらに低
下しつづける。コタツ内温度の低下に伴なっで充電電圧
Ｖｃと電圧Ｖｒｈとの交点は、第６図において、左側に
移行するので通電率が増加し、やがて「低」の設定設度
を維持するのに必要なワット数にて安定づる。

なおこの信実側倒では、端子に４の入ツノを９０″Ｊ′
３よび６０°で検出してるが、マイクロコンピュータ処
理しているため、コタツの大きさ、発熱体■のＷ数に応
じた検出角度に変えることで、約１００％の通電範囲を
コタツ使用に見合った範囲に容易に設定することができ
る。

（ト）発明の効果 この発明によれば、温度検出までの時間を短かく設定し
なおすことによるヒステリシスを設けることにより、発
熱体となるランプヒータが明るくなったり暗くなったり
するのを防止することができる温度制御袋２が得られる
。すなわち通電間が急激に変化する制御どならないため
に、コタツに使用された場合には、その内部温度の急激
な変化が防止されるものである。

【図面の簡単な説明】

第１図Ａはこの発明の実施例回路図、第１図Ｂは実施例
の要部回路図、第２図Ａ、Ｂはそれぞれ実施例の動作を
説明するための波形図、第３図ＡおよびＢはそれぞれ、
発熱体の周囲温度の変化を示すグラフおよび発熱体のワ
ット数の変化を示すグラフ、第４図は所定の時間の移行
に伴なう実施例のａＪ作を説明するグラフ、第５図およ
び第６図はそれぞれ他実施例の全体回路図および要部回
路図、第７図は他実施例の動作を説明Ｊるための波形図
、第８図および第９図はそれぞれ従来例回路図ぐある。 （４）・・・・・・時間変更手段、（５）・・・・・・
」ンデンリ、（８）・・・・・・感温手段、　　　（１
１）・・・・・・判定手段、Ｎ・・・・・・通電率制御
手段、奮・・・・・・発熱体。 第１図Ｂ 第２図Ｂ

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １、発熱体と、発熱体による周囲温度の変化を検知する
   感温手段とを具備し、感温手段の信号に対応して発熱体
   の通電を制御する温度制御装置において、一定周期で繰
   り返し充放電がなされるコンデンサと、そのコンデンサ
   への充電開始後所定の時間が経過した時点でその時点で
   のコンデンサの充電電圧と感温手段の信号の電圧とを比
   較する判定手段と、判定のための前記所定の時間を前記
   所定の時間経過後、１度前記充電電圧が感温手段の信号
   の電圧と一致または小となった時点で前記所定の時間を
   それより短かい所定の時間に変更する時間変更手段とを
   具備し、判定手段からの出力信号によって発熱体の通電
   率を制御する通電率制御手段を発熱体に電気的に接続し
   て設けることを特徴とする温度制御装置。