JPH0797597B2 - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

Info

Publication number
JPH0797597B2
JPH0797597B2 JP1141682A JP14168289A JPH0797597B2 JP H0797597 B2 JPH0797597 B2 JP H0797597B2 JP 1141682 A JP1141682 A JP 1141682A JP 14168289 A JP14168289 A JP 14168289A JP H0797597 B2 JPH0797597 B2 JP H0797597B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
semiconductor element
conductor wiring
protruding electrode
resin
wiring
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP1141682A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH036828A (ja
Inventor
秀二 井田
知彦 鈴木
泉 岡本
伸介 中本
賢造 畑田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority to JP1141682A priority Critical patent/JPH0797597B2/ja
Publication of JPH036828A publication Critical patent/JPH036828A/ja
Publication of JPH0797597B2 publication Critical patent/JPH0797597B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/071Connecting or disconnecting
    • H10W72/072Connecting or disconnecting of bump connectors
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/20Bump connectors, e.g. solder bumps or copper pillars; Dummy bumps; Thermal bumps
    • H10W72/241Dispositions, e.g. layouts
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/20Bump connectors, e.g. solder bumps or copper pillars; Dummy bumps; Thermal bumps
    • H10W72/29Bond pads specially adapted therefor
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/90Bond pads, in general
    • H10W72/931Shapes of bond pads
    • H10W72/934Cross-sectional shape, i.e. in side view
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W74/00Encapsulations, e.g. protective coatings
    • H10W74/10Encapsulations, e.g. protective coatings characterised by their shape or disposition
    • H10W74/15Encapsulations, e.g. protective coatings characterised by their shape or disposition on active surfaces of flip-chip devices, e.g. underfills
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W90/00Package configurations
    • H10W90/701Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
    • H10W90/721Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bump connectors
    • H10W90/724Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bump connectors between a chip and a stacked insulating package substrate, interposer or RDL
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W90/00Package configurations
    • H10W90/701Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
    • H10W90/731Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of die-attach connectors
    • H10W90/734Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of die-attach connectors between a chip and a stacked insulating package substrate, interposer or RDL

Landscapes

  • Electronic Switches (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、各種電子機器に利用される半導体装置に関す
るものである。
従来の技術 従来の技術を第2図(a),(b)とともに説明する。
まず第2図(a)に示すように、セラミック,ガラス,
ガラスエポキシ等よりなる配線基板1の導体配線2を有
する面に絶縁性の樹脂5を塗布する。導体配線2はCr−
Au,Al,Cu,ito等であり、樹脂5は熱硬化型又は紫外線硬
化型のエポキシ,シリコーン,アクリル等である。
次に、半導体素子3の突起電極4と導体配線2とを一致
させ、半導体素子3を加圧体6によって加圧し、配線基
板1に押し当てる。突起電極4はAl,Au,Cu等である。
この時、導体配線2上の樹脂5は周囲に押し出され、半
導体素子3の突起電極4と導体配線2は電気的に接触す
る。次に半導体素子3を加圧した状態で上部より紫外線
7を照射することにより、半導体素子3の周縁の樹脂5
を硬化させ仮固定する。更に半導体素子3を加圧しなが
ら加熱することにより樹脂5全体を硬化させる。この
時、第2図(b)の様に半導体素子3の突起電極4と導
体配線2は樹脂5の接着力により電気的接続がなされ、
同時に半導体素子3を配線基板1に固着することができ
る。
発明が解決しようとする課題 上記のように従来の技術では、半導体素子3の突起電極
4を配線基板1の導体配線2に直接接触させる方法であ
るため、多端子,狭ピッチの半導体素子3の実装に有利
な方法である。しかしながら、加圧を開放した時に突起
電極4の部分的弾性回復の差により半導体素子3の突起
電極4の先端形状が0.1〜0.5μm程度凸状となる。
そしてこれにより、半導体素子3の凸起電極4と配線基
板1の半導体配線2との接触点が減少し、接続の信頼性
が低下する。
課題を解決するための手段 上記課題を解決するために本発明は、配線基板の導体配
線の表面を粗面としたものである。
作用 上記手段によれば、導体配線の表面を粗面としたので、
半導体素子の突起電極の先端形状が凸となっても半導体
素子の突起電極と導体配線との十分な接触点を確保する
ことができ接続に対する信頼性の高いものとなる。
実施例 以下、本発明の一実施例を第1図(a),(b)ととも
に説明する。
第1図(a)に示す様に、セラミック,ガラス,エポキ
シ等よりなる配線基板11上に表面粗さの大きい導体配線
12を形成し、半導体素子13を固着する部分に(導体配線
12上を含んで)絶縁性の樹脂15を塗布する。導体配線12
はCr−Au,Al,Cu,ito等よりなりその表面粗さは、RMAX
0.1〜1.0μm程度にする。絶縁性の樹脂15は熱硬化型又
は紫外線硬化型のエポキシ,シリコーン,アクリル等で
ある。次に半導体素子13の突起電極14と導体配線12を一
致させる。突起電極14はAl,Au,Cu等である。さらに加圧
体16により半導体素子13を配線気板11に加圧する。この
時、導体配線12上の樹脂15は周囲に押し出され半導体素
子3の突起電極4と導体配線2は電気的に接触する。次
に半導体素子3を加圧した状態で、上部より紫外線17を
照射することによって半導体素子13の周縁部の樹脂15を
硬化させ、仮固定する。さらに、これを加熱することに
よって樹脂15を完全に硬化させ、その接着力により、第
1図(b)の様に半導体素子13の突起電極14と導体配線
12との電気的接続と半導体素子13の機械的接続が完了さ
れる。この時、導体配線12は突起電極4の先端形状の凸
量(0.1〜0.5μm程度)よりもその表面が大きく粗てい
るため、半導体素子13の突起電極14との十分な接触点が
確保される。
なお、導体配線12の表面粗さが大きいことにより、加圧
後半導体素子13の突起電極14と導体配線12の間の樹脂を
凹部へ流し、両者間に介在するのを防止できることとな
る。
発明の効果 以上のように本発明は、突起電極の部分的弾性回復の差
による先端形状の凸量よりも表面粗さの大きい導体配線
を用いることによって、半導体素子の凸起電極との十分
な接触点を確保し、また、半導体素子の突起電極と導体
配線との間の樹脂の介在を防止できるので、接続の信頼
性を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
第1図(a),(b)は、本発明の半導体装置の製造方
法の一実施例を示す断面図と要部拡大断面図、第2図
(a),(b)は従来の技術を示す断面図と要部拡大断
面図である。 11……配線基板、12……導体配線、13……半導体素子、
14……突起電極、15……樹脂。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 中本 伸介 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 畑田 賢造 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】半導体素子の突起電極を、配線基板に設け
    た表面を粗面とした導体配線に圧接させ、この状態で樹
    脂により半導体素子と配線基板を固着した半導体装置。
JP1141682A 1989-06-02 1989-06-02 半導体装置 Expired - Fee Related JPH0797597B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1141682A JPH0797597B2 (ja) 1989-06-02 1989-06-02 半導体装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1141682A JPH0797597B2 (ja) 1989-06-02 1989-06-02 半導体装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH036828A JPH036828A (ja) 1991-01-14
JPH0797597B2 true JPH0797597B2 (ja) 1995-10-18

Family

ID=15297758

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP1141682A Expired - Fee Related JPH0797597B2 (ja) 1989-06-02 1989-06-02 半導体装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH0797597B2 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN100353533C (zh) * 2003-05-16 2007-12-05 夏普株式会社 半导体器件及其制造方法

Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0567761A (ja) * 1991-09-10 1993-03-19 Matsushita Electric Ind Co Ltd イメージセンサ
JPH0535293U (ja) * 1991-10-09 1993-05-14 アルプス電気株式会社 サ−マルヘツド
US5545589A (en) * 1993-01-28 1996-08-13 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Method of forming a bump having a rugged side, a semiconductor device having the bump, and a method of mounting a semiconductor unit and a semiconductor device
FR2704691B1 (fr) * 1993-04-30 1995-06-02 Commissariat Energie Atomique Procédé d'enrobage de composants électroniques hybrides par billes sur un substrat.
AU6418998A (en) 1997-03-21 1998-10-20 Seiko Epson Corporation Semiconductor device, film carrier tape, and method for manufacturing them
EP1030354A1 (en) * 1997-08-29 2000-08-23 Hitachi, Ltd. Compression bonded semiconductor device and power converter using the same
US10388626B2 (en) 2000-03-10 2019-08-20 STATS ChipPAC Pte. Ltd. Semiconductor device and method of forming flipchip interconnect structure
ATE459099T1 (de) 2000-03-10 2010-03-15 Chippac Inc Flipchip-verbindungsstruktur und dessen herstellungsverfahren
JP5176500B2 (ja) * 2007-11-22 2013-04-03 大日本印刷株式会社 部品内蔵配線板、部品内蔵配線板の製造方法
CN102612265B (zh) * 2007-11-01 2016-05-11 大日本印刷株式会社 内置元件电路板、内置元件电路板的制造方法
JP6419006B2 (ja) * 2015-03-27 2018-11-07 京セラ株式会社 サーマルヘッドおよびサーマルプリンタ
CN108493200A (zh) * 2018-05-28 2018-09-04 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种阵列基板的制作方法、阵列基板及显示装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN100353533C (zh) * 2003-05-16 2007-12-05 夏普株式会社 半导体器件及其制造方法

Also Published As

Publication number Publication date
JPH036828A (ja) 1991-01-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH0797597B2 (ja) 半導体装置
JPH05175280A (ja) 半導体装置の実装構造および実装方法
JP2978390B2 (ja) フレキシブルプリント基板と配線基板との接続体の製造方法
JPH0777227B2 (ja) 半導体装置の製造方法
JPH0558660B2 (ja)
JPH11103158A (ja) プリント配線板へのフリップチップ実装方法および実装構造
JPH01160029A (ja) 半導体装置
JPH1117050A (ja) 回路基板及び回路基板の製造方法
JPH02122531A (ja) 電子部品の実装装置
JPH0232559A (ja) 電子部品実装体
JPH02155257A (ja) 半導体実装装置
JP2780499B2 (ja) 半導体装置の実装方法
JP3319269B2 (ja) 電子部品接合方法
JPH0429339A (ja) 半導体装置
JPH10107072A (ja) 半導体素子の接続構造および接続方法
JPH0274092A (ja) 実装体の製造方法
JP2841663B2 (ja) 半導体装置の実装構造及び実装方法
JPH06235928A (ja) 液晶表示装置
JPH02110950A (ja) 半導体装置
JP2712757B2 (ja) ボンディングツール
JP2646543B2 (ja) 電極の接続方法
JP3031134B2 (ja) 電極の接続方法
KR100188707B1 (ko) 이방성 도전막을 이용한 칩형소자의 실장방법
JPH01236588A (ja) 異方導電性接着体
JPH0379063A (ja) 半導体装置及びその製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
LAPS Cancellation because of no payment of annual fees