JPH081690B2 - 磁気ヘツドコア用部材 - Google Patents
磁気ヘツドコア用部材Info
- Publication number
- JPH081690B2 JPH081690B2 JP10915085A JP10915085A JPH081690B2 JP H081690 B2 JPH081690 B2 JP H081690B2 JP 10915085 A JP10915085 A JP 10915085A JP 10915085 A JP10915085 A JP 10915085A JP H081690 B2 JPH081690 B2 JP H081690B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetic
- film
- substrate
- fealsi
- vapor deposition
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Landscapes
- Magnetic Heads (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 ＜技術分野＞ 本発明は、非磁性基板あるいは磁性・非磁性材料から
なる複合基板等の下地基板と軟磁性膜との間に高融点材
料を形成して構成される磁気ヘッドコア用部材に関する
ものである。
なる複合基板等の下地基板と軟磁性膜との間に高融点材
料を形成して構成される磁気ヘッドコア用部材に関する
ものである。
＜従来技術＞ 最近、磁気記録密度の増大を求める要求が強く、磁気
ヘッドとしては高飽和磁束密度を有し、狭ギャップ，狭
トラック化が必要とされる。そのため、ビデオテープコ
ーダー（VTR）用ヘッド等の回転ヘッドにおいては、軟
磁性材料を蒸着あるいはスパッタ法などにより非磁性基
板上に作製する方法で狭トラック化が図られ、薄膜ヘッ
ドの場合は、集積化が進められている。しかし、蒸着あ
るいはスパッタ法により基板上に軟磁性膜を形成する場
合、（１）磁性膜と非磁性膜の熱膨張係数の差に起因す
る残留応力、（２）それ以外の理由で生じる成膜後の残
留応力が発生する。これらの残留応力は成膜された基板
全体に反りを生じさせる。これは回転ヘッドのような非
磁性基板で挾み込まれた磁気ヘッドコアを作製する過程
では、非磁性基板で軟磁性膜を挾み込む接着工程を困難
にしている。また、薄膜集積ヘッドを形成する際には、
フォトリソグラフィーによるパターン加工時の精度の劣
化を引き起こすことになる。
ヘッドとしては高飽和磁束密度を有し、狭ギャップ，狭
トラック化が必要とされる。そのため、ビデオテープコ
ーダー（VTR）用ヘッド等の回転ヘッドにおいては、軟
磁性材料を蒸着あるいはスパッタ法などにより非磁性基
板上に作製する方法で狭トラック化が図られ、薄膜ヘッ
ドの場合は、集積化が進められている。しかし、蒸着あ
るいはスパッタ法により基板上に軟磁性膜を形成する場
合、（１）磁性膜と非磁性膜の熱膨張係数の差に起因す
る残留応力、（２）それ以外の理由で生じる成膜後の残
留応力が発生する。これらの残留応力は成膜された基板
全体に反りを生じさせる。これは回転ヘッドのような非
磁性基板で挾み込まれた磁気ヘッドコアを作製する過程
では、非磁性基板で軟磁性膜を挾み込む接着工程を困難
にしている。また、薄膜集積ヘッドを形成する際には、
フォトリソグラフィーによるパターン加工時の精度の劣
化を引き起こすことになる。
＜発明の目的＞ 本発明は、軟磁性膜と下地基板の間に発生する残留応
力に起因する基板の反りを減少し得る磁気ヘッドコア用
部材を提供することを目的とする。
力に起因する基板の反りを減少し得る磁気ヘッドコア用
部材を提供することを目的とする。
＜発明の構成＞ 前記目的を達成するため、本発明は、下地基板とその
下地基板上に形成されるFeAlSiからなる軟磁性膜からな
る磁気ヘッドコア用部材において、前記下地基板と前記
軟磁性膜との間にハフニウムからなる膜を介在させたこ
とを特徴とする。
下地基板上に形成されるFeAlSiからなる軟磁性膜からな
る磁気ヘッドコア用部材において、前記下地基板と前記
軟磁性膜との間にハフニウムからなる膜を介在させたこ
とを特徴とする。
＜作用＞ 本発明の磁気ヘッドコア用部材は、下地基板とFeAlSi
からなる軟磁性膜との間にハフニウムからなる膜を介在
させたので、基板全体の反りを減少でき、以降の磁気ヘ
ッド加工工程を容易にできる。
からなる軟磁性膜との間にハフニウムからなる膜を介在
させたので、基板全体の反りを減少でき、以降の磁気ヘ
ッド加工工程を容易にできる。
＜実施例＞ 第１図は、本発明の１実施例において、FeAlSi蒸着膜
を製作する際に利用した電子ビーム蒸着装置の模式構成
図である。真空ベルジャー１内を高真空に保持し、この
真空ベルジャー１内の上部に蒸着膜が形成される下地基
板としての非磁性基板２と、この非磁性基板２を加熱す
るためのヒータ３が配置されている。前記非磁性基板２
としては、センダスト合金と熱膨張係数が近似する感光
性結晶化ガラス基板、非磁性フェライト、セラミックが
用いられる。本実施例では、非磁性基板として、熱膨張
係数が135×10-7/degの結晶化ガラス基板を用いた。
を製作する際に利用した電子ビーム蒸着装置の模式構成
図である。真空ベルジャー１内を高真空に保持し、この
真空ベルジャー１内の上部に蒸着膜が形成される下地基
板としての非磁性基板２と、この非磁性基板２を加熱す
るためのヒータ３が配置されている。前記非磁性基板２
としては、センダスト合金と熱膨張係数が近似する感光
性結晶化ガラス基板、非磁性フェライト、セラミックが
用いられる。本実施例では、非磁性基板として、熱膨張
係数が135×10-7/degの結晶化ガラス基板を用いた。
前記真空ベルジャー１内の下部には、ハース（るつ
ぼ）４が載置され、該ハース４内に蒸着源材料である合
金タブレット５が収納されており、フィラメント６で発
生した電子ビーム７は磁界によって屈曲され、合金タブ
レット５に照射される。ハース４と非磁性基板２の間に
はシャッタ８が介設されており、合金タブレット５より
蒸着した物質がこのシャッタ８の開閉動作に応じて通過
または遮断される。合金タブレット５としては、Al（ア
ルミニウム）が4wt％、Si（硅素）が27.5wt％、残部がF
e（鉄）の組成のものを使用した。
ぼ）４が載置され、該ハース４内に蒸着源材料である合
金タブレット５が収納されており、フィラメント６で発
生した電子ビーム７は磁界によって屈曲され、合金タブ
レット５に照射される。ハース４と非磁性基板２の間に
はシャッタ８が介設されており、合金タブレット５より
蒸着した物質がこのシャッタ８の開閉動作に応じて通過
または遮断される。合金タブレット５としては、Al（ア
ルミニウム）が4wt％、Si（硅素）が27.5wt％、残部がF
e（鉄）の組成のものを使用した。
なお、非磁性基板２上に形成されるFeAlSi蒸着膜の膜
厚方向の組成分布をAl1〜10wt％、Si6〜12wt％の範囲と
し、膜全体の組成をAl3〜6wt％、Si8〜12wt％の範囲と
すれば、非磁性基板２との間に生じる残留応力に対して
は、磁気特性が受ける影響が少ないFeAlSi蒸着膜が得ら
れる。
厚方向の組成分布をAl1〜10wt％、Si6〜12wt％の範囲と
し、膜全体の組成をAl3〜6wt％、Si8〜12wt％の範囲と
すれば、非磁性基板２との間に生じる残留応力に対して
は、磁気特性が受ける影響が少ないFeAlSi蒸着膜が得ら
れる。
FeAlSi蒸着膜、すなわち軟磁性膜の蒸着前に、非磁性
基板２上に高融点材料であるHf（ハフニウム）を基板温
度400℃で厚さ500Å蒸着した。この400℃はFeAlSi蒸着
膜の蒸着工程と同じ温度である。このような非磁性基板
２の加熱はHfの蒸着膜の密着性を向上させることを意図
するもので、ヒータ３により行われる。
基板２上に高融点材料であるHf（ハフニウム）を基板温
度400℃で厚さ500Å蒸着した。この400℃はFeAlSi蒸着
膜の蒸着工程と同じ温度である。このような非磁性基板
２の加熱はHfの蒸着膜の密着性を向上させることを意図
するもので、ヒータ３により行われる。
次に、FeAlSi蒸着膜の蒸着工程に際しては、フィラメ
ント６への投入電力を10kwに設定し、電子ビームをハー
ス４内全体に掃射する。そうすると、Hfが蒸着された非
磁性基板２上にFeAlSi蒸着膜が形成される。このFeAlSi
蒸着膜を真空中600℃で熱処理を施す。このようにHfを
形成した非磁性基板にFeAlSi蒸着膜を蒸着した磁気ヘッ
ドコア部材と、反りおよび磁気特性を比較するために、
Hfを形成しない上述と同質の非磁性基板にも全く同じ組
成で同じ厚さのFeAlSi蒸着膜を蒸着した磁気ヘッドコア
部材を作製した。この両者のFeAlSi蒸着膜の磁気特性を
比べると、下記の表１のようになった。それ以外のFeAl
Si蒸着膜の特性は、飽和磁束密度Bs＝11000G、電気抵抗
ρ＝70μΩcmで差は生じなかった。
ント６への投入電力を10kwに設定し、電子ビームをハー
ス４内全体に掃射する。そうすると、Hfが蒸着された非
磁性基板２上にFeAlSi蒸着膜が形成される。このFeAlSi
蒸着膜を真空中600℃で熱処理を施す。このようにHfを
形成した非磁性基板にFeAlSi蒸着膜を蒸着した磁気ヘッ
ドコア部材と、反りおよび磁気特性を比較するために、
Hfを形成しない上述と同質の非磁性基板にも全く同じ組
成で同じ厚さのFeAlSi蒸着膜を蒸着した磁気ヘッドコア
部材を作製した。この両者のFeAlSi蒸着膜の磁気特性を
比べると、下記の表１のようになった。それ以外のFeAl
Si蒸着膜の特性は、飽和磁束密度Bs＝11000G、電気抵抗
ρ＝70μΩcmで差は生じなかった。
また、このときの第２図に示すような反りの状態を、
反りの量（ｂ）としてタリサーフを用いて測定した。そ
の結果は、非磁性基板２上にHfを蒸着し、さらにFeAlSi
蒸着膜を形成した基板の反りの量（ｂ）は、FeAlSi膜を
直接非磁性基板２に形成したものに比べて1/3になって
いた。また、そのときの磁気特性は、表１に示すように
損なわれていない。
反りの量（ｂ）としてタリサーフを用いて測定した。そ
の結果は、非磁性基板２上にHfを蒸着し、さらにFeAlSi
蒸着膜を形成した基板の反りの量（ｂ）は、FeAlSi膜を
直接非磁性基板２に形成したものに比べて1/3になって
いた。また、そのときの磁気特性は、表１に示すように
損なわれていない。
ここでFeAlSi蒸着膜の組成は、前述の如く、膜厚方向
の組成分布をAl1〜10wt％、Si6〜12wt％の範囲で変化さ
せ、膜全体の組成はAl3〜6wt％、Si8〜12wt％の範囲に
制御されており、磁気特性に対する残留応力の影響が少
なくなるようにしてある。
の組成分布をAl1〜10wt％、Si6〜12wt％の範囲で変化さ
せ、膜全体の組成はAl3〜6wt％、Si8〜12wt％の範囲に
制御されており、磁気特性に対する残留応力の影響が少
なくなるようにしてある。
＜発明の効果＞ 以上、詳細に説明した如く、本発明によれば、下地基
板と前記軟磁性膜との間にハフニウムからなる膜を介在
させたので、残留応力に起因する下地基板の反りが少な
い磁気ヘッドコア用部材を作製でき、かつ、軟磁性膜へ
の悪影響を極力少なくできる。このことは、以降の回転
ヘッド加工プロセスにおいて基板間の接着を容易に、ま
た、矯正による歪を多く加えないで接着できることか
ら、接着の強度が改善され、従って、狭ギャップ形成に
対して信頼性の高い高磁気記録密度対応の磁気ヘッドを
実現することができる。また、集積度の高い薄膜ヘッド
の場合においても、以降の加工プロセスにおいて加工精
度が向上され、より高い集積度の薄膜ヘッドを実現させ
ることができる。
板と前記軟磁性膜との間にハフニウムからなる膜を介在
させたので、残留応力に起因する下地基板の反りが少な
い磁気ヘッドコア用部材を作製でき、かつ、軟磁性膜へ
の悪影響を極力少なくできる。このことは、以降の回転
ヘッド加工プロセスにおいて基板間の接着を容易に、ま
た、矯正による歪を多く加えないで接着できることか
ら、接着の強度が改善され、従って、狭ギャップ形成に
対して信頼性の高い高磁気記録密度対応の磁気ヘッドを
実現することができる。また、集積度の高い薄膜ヘッド
の場合においても、以降の加工プロセスにおいて加工精
度が向上され、より高い集積度の薄膜ヘッドを実現させ
ることができる。
第１図は本発明の１実施例に供する電子ビーム蒸着装置
の構成説明図である。第２図は基板の反りの測定法を示
す図である。 １……真空ベルジャー、２……基板、３……ヒータ、４
……ハース、５……合金タブレット、６……フィラメン
ト、８……シャッタ、９……軟磁性膜。
の構成説明図である。第２図は基板の反りの測定法を示
す図である。 １……真空ベルジャー、２……基板、３……ヒータ、４
……ハース、５……合金タブレット、６……フィラメン
ト、８……シャッタ、９……軟磁性膜。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 村松 哲郎 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シ ヤープ株式会社内 (72)発明者 吉川 光彦 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シ ヤープ株式会社内
Claims (1)
- 【請求項１】下地基板とその下地基板上に形成されるFe
AlSiからなる軟磁性膜からなる磁気ヘッドコア用部材に
おいて、 前記下地基板と前記軟磁性膜との間にハフニウムからな
る膜を介在させたことを特徴とする磁気ヘッドコア用部
材。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10915085A JPH081690B2 (ja) | 1985-05-20 | 1985-05-20 | 磁気ヘツドコア用部材 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10915085A JPH081690B2 (ja) | 1985-05-20 | 1985-05-20 | 磁気ヘツドコア用部材 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61265715A JPS61265715A (ja) | 1986-11-25 |
| JPH081690B2 true JPH081690B2 (ja) | 1996-01-10 |
Family
ID=14502886
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10915085A Expired - Lifetime JPH081690B2 (ja) | 1985-05-20 | 1985-05-20 | 磁気ヘツドコア用部材 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH081690B2 (ja) |
-
1985
- 1985-05-20 JP JP10915085A patent/JPH081690B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61265715A (ja) | 1986-11-25 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH081690B2 (ja) | 磁気ヘツドコア用部材 | |
| JPH02430B2 (ja) | ||
| JPS6157025A (ja) | 磁気ヘツドコアの製造方法 | |
| JPS6062105A (ja) | 高透磁率合金膜の製造方法 | |
| US4592923A (en) | Production method of a high magnetic permeability film | |
| JPS62111485A (ja) | 薄膜製造装置 | |
| US4702935A (en) | Production method of a high magnetic permeability alloy film | |
| JPH0584566B2 (ja) | ||
| JPS6091617A (ja) | 磁性合金膜の製造方法 | |
| JPS58100412A (ja) | 軟質磁性材料の製法 | |
| JPS6252907A (ja) | 軟磁性薄膜 | |
| JPH0320810B2 (ja) | ||
| JPH04142719A (ja) | 磁性体薄膜の製造方法 | |
| JP2604372B2 (ja) | 軟磁性非晶質合金の製法 | |
| JPS59121629A (ja) | 高透磁率合金膜の製造方法 | |
| JPS61260412A (ja) | 磁気ヘツド用部材 | |
| JPS62140226A (ja) | 磁気ヘツド | |
| JP2546275B2 (ja) | 軟磁性薄膜 | |
| JPS6095714A (ja) | 磁気ヘツドの製造方法 | |
| JPH08129752A (ja) | 磁気記録媒体の製造方法 | |
| JPS61260612A (ja) | 軟磁性積層膜 | |
| JPS633406A (ja) | 結晶質軟磁性薄膜 | |
| JPH079689B2 (ja) | 磁気ヘッドコア用Ｆｅ―Ａｌ―Ｓｉ膜の製造方法 | |
| JPH01146312A (ja) | 軟磁性薄膜 | |
| JPH04246805A (ja) | 薄膜の形成方法 |