JPH0817123B2 - 電圧非直線抵抗体の製造法 - Google Patents
電圧非直線抵抗体の製造法Info
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- JPH0817123B2 JPH0817123B2 JP1278692A JP27869289A JPH0817123B2 JP H0817123 B2 JPH0817123 B2 JP H0817123B2 JP 1278692 A JP1278692 A JP 1278692A JP 27869289 A JP27869289 A JP 27869289A JP H0817123 B2 JPH0817123 B2 JP H0817123B2
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Landscapes
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Description
【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は酸化亜鉛を主成分とする電圧非直線抵抗体の
製造法に関するものである。
製造法に関するものである。
(従来の技術及び発明が解決しようとする課題) 酸化亜鉛を主成分とする電圧非直線抵抗体は、そのす
ぐれた非直線電圧−電流特性から電圧安定化あるいはサ
ージ吸収を目的とした避雷器やサージアブソーバに広く
利用されている。この電圧非直線抵抗体は、主成分の酸
化亜鉛に電圧非直線性を発現する少量のビスマス、アン
チモン、コバルト、マンガン等の金属酸化物を添加し、
混合、造粒、成形したのち焼成し、側面高抵抗層を形成
するため無機物質を側面に塗布した後焼成し、その焼成
体の両端面に電極を取り付けることにより構成されてい
る。
ぐれた非直線電圧−電流特性から電圧安定化あるいはサ
ージ吸収を目的とした避雷器やサージアブソーバに広く
利用されている。この電圧非直線抵抗体は、主成分の酸
化亜鉛に電圧非直線性を発現する少量のビスマス、アン
チモン、コバルト、マンガン等の金属酸化物を添加し、
混合、造粒、成形したのち焼成し、側面高抵抗層を形成
するため無機物質を側面に塗布した後焼成し、その焼成
体の両端面に電極を取り付けることにより構成されてい
る。
このようにして得られた電圧非直線抵抗体を大きなサ
ージ吸収を目的とする避雷器に適用する場合には、電圧
非直線抵抗体の開閉サージ、雷サージ放電耐量は大きい
ことが望ましく、また側面高抵抗層の素子本体に対する
付着強度が高いことが望まれる。
ージ吸収を目的とする避雷器に適用する場合には、電圧
非直線抵抗体の開閉サージ、雷サージ放電耐量は大きい
ことが望ましく、また側面高抵抗層の素子本体に対する
付着強度が高いことが望まれる。
特開昭60−74403号公報では、ビスマス、コバルト、
マンガン、アンチモン、ニッケル、ホウ素、アルミニウ
ムがそれぞれBi2O3,Co2O3,MnO,Sb2O3,NiO,B2O3,Al3+に
換算して、 Bi2O3 0.1〜5モル%,Co2O3 0.1〜5モル%, MnO 0.1〜5モル%,Sb2O3 0.1〜5モル%, NiO 0.1〜5モル%,B2O3 0.002〜0.2モル%, Al3+ 0.001〜0.05モル% 含まれる混合物を成形した後焼結させ、この焼結体に熱
処理を施す方法が開示されてい。しかしこの電圧非直線
抵抗体はギャップ間放電特性が低く、開閉サージ(2m
S)耐量が低いため、特性的に満足できるものではな
い。
マンガン、アンチモン、ニッケル、ホウ素、アルミニウ
ムがそれぞれBi2O3,Co2O3,MnO,Sb2O3,NiO,B2O3,Al3+に
換算して、 Bi2O3 0.1〜5モル%,Co2O3 0.1〜5モル%, MnO 0.1〜5モル%,Sb2O3 0.1〜5モル%, NiO 0.1〜5モル%,B2O3 0.002〜0.2モル%, Al3+ 0.001〜0.05モル% 含まれる混合物を成形した後焼結させ、この焼結体に熱
処理を施す方法が開示されてい。しかしこの電圧非直線
抵抗体はギャップ間放電特性が低く、開閉サージ(2m
S)耐量が低いため、特性的に満足できるものではな
い。
また、特開昭61−204902号公報では、所定のガラスフ
リットを抵抗体素子の側面に施し、加熱により側面高抵
抗層の形成と酸化ビスマスの体心立方晶への転化とを同
時に行う方法が開示されている。しかし、この電圧非直
線抵抗体は雷サージ放電耐量が低く、側面高抵抗層の付
着強度が低い。
リットを抵抗体素子の側面に施し、加熱により側面高抵
抗層の形成と酸化ビスマスの体心立方晶への転化とを同
時に行う方法が開示されている。しかし、この電圧非直
線抵抗体は雷サージ放電耐量が低く、側面高抵抗層の付
着強度が低い。
本発明の課題は、大電流領域の制限電圧を低減でき、
避雷装置として使用したときのギャップ間放電特性を向
上させることができ、抵抗体素子のサージに対する安定
化、長寿命化を図ることができ、かつサージ耐量を向上
させられるような電圧非直線抵抗体を製造することであ
る。
避雷装置として使用したときのギャップ間放電特性を向
上させることができ、抵抗体素子のサージに対する安定
化、長寿命化を図ることができ、かつサージ耐量を向上
させられるような電圧非直線抵抗体を製造することであ
る。
(課題を解決するための手段) 本発明は、酸化亜鉛を主成分として含有し、添加成分
として酸化ビスマスをBi2O3に換算して0.1〜2.0モル
%、非晶質シリカをSiO2に換算して0.5〜9モル%、硝
酸アルミニウムをAl2O3に換算して0.001〜0.05モル%、
及びホウケイ酸ビスマスガラスをB2O3に換算して0.005
〜0.1モル%を少なくとも含む混合物を成形、仮焼して
仮焼体を作成し、この仮焼体に酸化物ペーストを塗布
し、焼成を行って側面高抵抗層が形成された焼成体を作
成し、この焼成体に最高温度520〜650℃,昇温速度200
℃/時間以下、降温速度20〜150℃/時間の熱処理を施
すことを特徴とする電圧非直線抵抗体の製造法に係るも
のである。
として酸化ビスマスをBi2O3に換算して0.1〜2.0モル
%、非晶質シリカをSiO2に換算して0.5〜9モル%、硝
酸アルミニウムをAl2O3に換算して0.001〜0.05モル%、
及びホウケイ酸ビスマスガラスをB2O3に換算して0.005
〜0.1モル%を少なくとも含む混合物を成形、仮焼して
仮焼体を作成し、この仮焼体に酸化物ペーストを塗布
し、焼成を行って側面高抵抗層が形成された焼成体を作
成し、この焼成体に最高温度520〜650℃,昇温速度200
℃/時間以下、降温速度20〜150℃/時間の熱処理を施
すことを特徴とする電圧非直線抵抗体の製造法に係るも
のである。
(作 用) 本発明においては、添加成分を限定し、なおかつ本焼
成後に特定の条件で熱処理を行うことにより、大電流領
域での制限電圧比の低減、雷サージ放電耐量の向上、サ
ージに対する安定性の飛躍的向上を実現できた。
成後に特定の条件で熱処理を行うことにより、大電流領
域での制限電圧比の低減、雷サージ放電耐量の向上、サ
ージに対する安定性の飛躍的向上を実現できた。
酸化ビスマスの添加量をBi2O3に換算して0.1〜2.0モ
ル%(更に好ましくは0.5〜1.5モル%)としたことによ
り、雷サージ放電耐量が向上し、制限電圧比の低減、課
電寿命特性の向上が可能となる。これが0.1モル%未満
では雷サージ放電耐量、課電寿命特性が低下し、2モル
%を超えると制限電圧比が増大する。
ル%(更に好ましくは0.5〜1.5モル%)としたことによ
り、雷サージ放電耐量が向上し、制限電圧比の低減、課
電寿命特性の向上が可能となる。これが0.1モル%未満
では雷サージ放電耐量、課電寿命特性が低下し、2モル
%を超えると制限電圧比が増大する。
非晶質シリカの添加量を0.5モル%〜9モル%(更に
好ましくは1.0〜3.0モル%)としたことにより、雷サー
ジ放電耐量の向上、制限電圧比の低減が可能となる。こ
れが0.5モル%未満では雷サージ放電耐量が低下し、制
限電圧比が増大し、9モル%を超えるとやはり雷サージ
放電耐量が低下する。
好ましくは1.0〜3.0モル%)としたことにより、雷サー
ジ放電耐量の向上、制限電圧比の低減が可能となる。こ
れが0.5モル%未満では雷サージ放電耐量が低下し、制
限電圧比が増大し、9モル%を超えるとやはり雷サージ
放電耐量が低下する。
硝酸アルミニウム(水溶液として添加するのが好まし
い)の添加量をAl2O3に換算して0.001〜0.05モル%(更
に好ましくは0.002〜0.02モル%)とすることで、制限
電圧比の低減、課電寿命特性の向上が可能となる。これ
が0.001モル%未満では制限電圧比が増大し、0.05モル
%を超えると漏洩電流が増えて課電寿命特性が低下す
る。
い)の添加量をAl2O3に換算して0.001〜0.05モル%(更
に好ましくは0.002〜0.02モル%)とすることで、制限
電圧比の低減、課電寿命特性の向上が可能となる。これ
が0.001モル%未満では制限電圧比が増大し、0.05モル
%を超えると漏洩電流が増えて課電寿命特性が低下す
る。
ホウケイ酸ビスマスガラスの添加量をB2O3に換算して
0.005〜0.1モル%(更に好ましくは0.01〜0.08モル%)
とすることで制限電圧比の低減、雷サージ印加後のV1mA
の変化率の低減が可能になる。この値が0.005モル未満
になると制限電圧比が増大し課電寿命特性も低下する。
また、0.1モル%を越えると電サージ放電耐量が低下し
制限電圧比も増大する。
0.005〜0.1モル%(更に好ましくは0.01〜0.08モル%)
とすることで制限電圧比の低減、雷サージ印加後のV1mA
の変化率の低減が可能になる。この値が0.005モル未満
になると制限電圧比が増大し課電寿命特性も低下する。
また、0.1モル%を越えると電サージ放電耐量が低下し
制限電圧比も増大する。
焼成体の熱処理温度を520℃〜650℃(更に好ましくは
550〜600℃)とすることも重要であり、熱処理温度が52
0℃未満では粒界の酸化ビスマスが相転移をほとんどし
ないため、課電寿命特性が向上せず熱処理の効果が現れ
ず、650℃を超えると酸化ビスマスがすべて体心立方晶
となって雷サージ放電耐量が低下する。
550〜600℃)とすることも重要であり、熱処理温度が52
0℃未満では粒界の酸化ビスマスが相転移をほとんどし
ないため、課電寿命特性が向上せず熱処理の効果が現れ
ず、650℃を超えると酸化ビスマスがすべて体心立方晶
となって雷サージ放電耐量が低下する。
熱処理時の昇温速度は200℃/時間以下とするが、50
〜150℃/時間とすると更に好ましい。昇温速度が200℃
/時間を超えると抵抗体素子に熱歪みが生じて雷サージ
放電耐量が低下する。
〜150℃/時間とすると更に好ましい。昇温速度が200℃
/時間を超えると抵抗体素子に熱歪みが生じて雷サージ
放電耐量が低下する。
また、熱処理時の降温速度は20〜150℃/時間とする
が50〜100℃/時間とすると更に好ましい。降温速度が2
0℃/時間未満では酸化ビスマスの結晶のほとんどが体
心立方晶となって雷サージ放電耐量が低下し、150℃/
時間を超えると酸化ビスマスが単斜晶系となり、課電寿
命特性が向上せず、雷サージ放電耐量も低下する。
が50〜100℃/時間とすると更に好ましい。降温速度が2
0℃/時間未満では酸化ビスマスの結晶のほとんどが体
心立方晶となって雷サージ放電耐量が低下し、150℃/
時間を超えると酸化ビスマスが単斜晶系となり、課電寿
命特性が向上せず、雷サージ放電耐量も低下する。
(実施例) 酸化亜鉛を主成分とする電圧非直線抵抗体を得るに
は、まず所定の粒度に調整した酸化亜鉛原料を主成分と
して含有し、添加成分として酸化ビスマスをBi2O3に換
算して0.1〜2.0モル%、非晶質シリカをSiO2に換算して
0.5〜9モル%、硝酸アルミニウムをAl2O3に換算して0.
001〜0.05モル%、ホウケイ酸ビスマスガラスをB2O3に
換算して0.005〜0.1モル%を少なくとも含む混合物を調
整する。この混合物中には、他に酸化コバルト、酸化マ
ンガン、酸化アンチモン、酸化クロム、酸化ニッケル、
酸化銀、硝酸銀等を含有させてもよい。また、上記の添
加物を800〜1000℃で仮焼した後粉砕し、所定粒度に調
整したものと酸化亜鉛原料を混合してもよい。この際、
これらの原料粉末に対して所定量のポリビニルアルコー
ル水溶液等を加える。
は、まず所定の粒度に調整した酸化亜鉛原料を主成分と
して含有し、添加成分として酸化ビスマスをBi2O3に換
算して0.1〜2.0モル%、非晶質シリカをSiO2に換算して
0.5〜9モル%、硝酸アルミニウムをAl2O3に換算して0.
001〜0.05モル%、ホウケイ酸ビスマスガラスをB2O3に
換算して0.005〜0.1モル%を少なくとも含む混合物を調
整する。この混合物中には、他に酸化コバルト、酸化マ
ンガン、酸化アンチモン、酸化クロム、酸化ニッケル、
酸化銀、硝酸銀等を含有させてもよい。また、上記の添
加物を800〜1000℃で仮焼した後粉砕し、所定粒度に調
整したものと酸化亜鉛原料を混合してもよい。この際、
これらの原料粉末に対して所定量のポリビニルアルコー
ル水溶液等を加える。
次に好ましくは200mmHg以下の真空度で減圧脱気を行
い。混合泥漿の水分量は30〜35wt%程度に、またその混
合泥漿の粘度は100±50cpとするのが好ましい。次に得
られた混合泥漿を噴霧乾燥装置に供給して平均粒径50〜
150μm、好ましくは80〜120μmで、水分量が0.5〜2.0
wt%、より好ましくは0.9〜1.5wt%の造粒粉を造粒す
る。次に得られた造粒粉を、成形工程において、成形圧
力800〜1000kg/cm2の下で所定の形状に成形する。
い。混合泥漿の水分量は30〜35wt%程度に、またその混
合泥漿の粘度は100±50cpとするのが好ましい。次に得
られた混合泥漿を噴霧乾燥装置に供給して平均粒径50〜
150μm、好ましくは80〜120μmで、水分量が0.5〜2.0
wt%、より好ましくは0.9〜1.5wt%の造粒粉を造粒す
る。次に得られた造粒粉を、成形工程において、成形圧
力800〜1000kg/cm2の下で所定の形状に成形する。
次に、その成形体を昇降温速度50〜70℃/時間、温度
800〜1000℃、保持時間1〜5時間という条件で仮焼成
する。なお、仮焼成の前に成形体を昇降温速度10〜100
℃/hrで400〜600℃、保持時間1〜10時間で結合剤を飛
散除去することが好ましい。
800〜1000℃、保持時間1〜5時間という条件で仮焼成
する。なお、仮焼成の前に成形体を昇降温速度10〜100
℃/hrで400〜600℃、保持時間1〜10時間で結合剤を飛
散除去することが好ましい。
次に、仮焼体の側面に高抵抗層を形成する。本例では
Bi2O3,Sb2O3,ZnO,SiO2等の所定量に有機結合剤としてエ
チルセルロース、ブチルカルビトール、酢酸nブチル等
を加えた絶縁被覆用混合物ペーストを、60〜300μmの
厚さに仮焼体の側面に塗布する。
Bi2O3,Sb2O3,ZnO,SiO2等の所定量に有機結合剤としてエ
チルセルロース、ブチルカルビトール、酢酸nブチル等
を加えた絶縁被覆用混合物ペーストを、60〜300μmの
厚さに仮焼体の側面に塗布する。
次に、これを昇降温速度20〜100℃/時間、最高保持
温度1000〜1300℃、好ましくは1050〜1250℃、3〜7時
間という条件で本焼成する。
温度1000〜1300℃、好ましくは1050〜1250℃、3〜7時
間という条件で本焼成する。
本焼成後、得られた焼成体に、最高温度520〜650℃、
昇温速度200℃/時間以下、降温速度20〜150℃/時間の
熱処理を行う。
昇温速度200℃/時間以下、降温速度20〜150℃/時間の
熱処理を行う。
なお、この時ガラス粉末に有機結合剤としてエチルセ
ルロース、ブチルカルビトール、酢酸nブチル等を加え
たガラスペーストを前記側面の高抵抗層上に100〜300μ
mの厚さに塗布し、熱処理することによりガラス層を形
成することが更に好ましい。
ルロース、ブチルカルビトール、酢酸nブチル等を加え
たガラスペーストを前記側面の高抵抗層上に100〜300μ
mの厚さに塗布し、熱処理することによりガラス層を形
成することが更に好ましい。
その後、得られた電圧非直線抵抗体の両端面をSiC,Al
2O3,ダイヤモンド等の#400〜#2000相当の研磨剤によ
り水、好ましくは油を研磨液として使用して研磨する。
次に、研磨面を洗浄後、研磨した両端面に例えばアルミ
ニウム等によて電極を例えば溶射により設けて電圧非直
線抵抗体を得る。
2O3,ダイヤモンド等の#400〜#2000相当の研磨剤によ
り水、好ましくは油を研磨液として使用して研磨する。
次に、研磨面を洗浄後、研磨した両端面に例えばアルミ
ニウム等によて電極を例えば溶射により設けて電圧非直
線抵抗体を得る。
以下、実際に本発明の範囲内および範囲外の電圧非直
線抵抗体において、各種特性を測定した結果について説
明する。
線抵抗体において、各種特性を測定した結果について説
明する。
実施例1 酸化ビスマス、非晶質シリカ、硝酸アルミニウム及び
ホウケイ酸ビスマスガラスをそれぞれBi2O3,SiO2,Al
2O3,B2O3に換算して下記表1に示す添加量だけ含有し、
かつCo3O40.66モル%,MnO20.5モル%,Sb2O31.0モル%,C
r2O30.5モル%,NiO 1.0モル%を添加物として含有し、
残部がZnOからなる原料を上述した方法に従って混合、
造粒、成形、仮焼し、高抵抗層を形成し、本焼成を行っ
た。次いで、昇温速度150℃/時間で昇温し、500℃で熱
処理し、降温速度100℃/時間で降温しV1A=6.8kV(直
径47mm、厚さ22.5mmの素子の直径47mmの面積に1Aの電流
を流すのに必要な両端面にかかる電圧)、直径47mm、厚
さ22.5mmの形状を有する本発明例および比較例の電圧非
直線抵抗体を準備した。そして、得られた電圧非直線抵
抗体に対し、制限電圧比(V40KA/V1A)、雷サージ放電
耐量及び雷サージ印加後のV1mA変化率を測定し、その結
果を表1に示した。
ホウケイ酸ビスマスガラスをそれぞれBi2O3,SiO2,Al
2O3,B2O3に換算して下記表1に示す添加量だけ含有し、
かつCo3O40.66モル%,MnO20.5モル%,Sb2O31.0モル%,C
r2O30.5モル%,NiO 1.0モル%を添加物として含有し、
残部がZnOからなる原料を上述した方法に従って混合、
造粒、成形、仮焼し、高抵抗層を形成し、本焼成を行っ
た。次いで、昇温速度150℃/時間で昇温し、500℃で熱
処理し、降温速度100℃/時間で降温しV1A=6.8kV(直
径47mm、厚さ22.5mmの素子の直径47mmの面積に1Aの電流
を流すのに必要な両端面にかかる電圧)、直径47mm、厚
さ22.5mmの形状を有する本発明例および比較例の電圧非
直線抵抗体を準備した。そして、得られた電圧非直線抵
抗体に対し、制限電圧比(V40KA/V1A)、雷サージ放電
耐量及び雷サージ印加後のV1mA変化率を測定し、その結
果を表1に示した。
電圧比直線抵抗体の雷サージ放電耐量破壊率は、n=
50の試験体を準備し、4/10μsの波形のインパルス電流
(90KA,100KA,110KA,120KA)を2回繰り返し印加し印加
によって破壊した素子の数を試験した個数(50)で除し
た比率(%)で求めた。
50の試験体を準備し、4/10μsの波形のインパルス電流
(90KA,100KA,110KA,120KA)を2回繰り返し印加し印加
によって破壊した素子の数を試験した個数(50)で除し
た比率(%)で求めた。
表1の結果から、酸化ビスマス、非晶質シリカ硝酸アル
ミニウム、ホウケイ酸ビスマスガラスの添加量を本発明
に従って限定することにより、大電流領域での制限電圧
比を低減でき、雷サージ放電耐量も向上し、雷サージに
対する安定性も向上することが解る。
ミニウム、ホウケイ酸ビスマスガラスの添加量を本発明
に従って限定することにより、大電流領域での制限電圧
比を低減でき、雷サージ放電耐量も向上し、雷サージに
対する安定性も向上することが解る。
実施例2 実施例1と同様にして実施例、比較例の各電圧非直線
抵抗体を作成した。但し、酸化ビスマスの添加量はBi2O
3に換算して1.0モル%、非晶質シリカの添加量はSiO2に
換算して2.0モル%、硝酸アルミニウムの添加量はAl2O3
に換算して0.005モル%、ホウケイ酸ビスマスガラスの
添加量はBi2O3に換算して0.02モル%とした。また、本
焼成後の熱処理において、昇温速度はすべて150℃/時
間とし、最高温度、降温速度は種々変更した。そして、
各実施例、比較例の電圧非直線抵抗体について課電寿命
特性パターン、雷サージ放電耐量破壊率、雷サージ印加
後のV1mA変化率を測定した。結果を表2に示す。
抵抗体を作成した。但し、酸化ビスマスの添加量はBi2O
3に換算して1.0モル%、非晶質シリカの添加量はSiO2に
換算して2.0モル%、硝酸アルミニウムの添加量はAl2O3
に換算して0.005モル%、ホウケイ酸ビスマスガラスの
添加量はBi2O3に換算して0.02モル%とした。また、本
焼成後の熱処理において、昇温速度はすべて150℃/時
間とし、最高温度、降温速度は種々変更した。そして、
各実施例、比較例の電圧非直線抵抗体について課電寿命
特性パターン、雷サージ放電耐量破壊率、雷サージ印加
後のV1mA変化率を測定した。結果を表2に示す。
また課電寿命特性として、課電率95%、温度150℃で
の加速劣化試験を行い酸化亜鉛素子に流れる抵抗分電流
を測定した結果、試験開始直後より電流値が増加し熱暴
走するパターンa、試験開始後数時間〜数十時間後より
電流値が増加し始め熱暴走に至るパターンb、試験開始
後数十時間のあいだ電流値が増加したのち低下傾向を示
しその後安定的に推移するパターンc、試験開始後すぐ
に電流値の低下傾向を示し、その後も安定的に推移する
最も好ましいパターンdの4種類のパターンに課電寿命
特性を大別することが出来る。
の加速劣化試験を行い酸化亜鉛素子に流れる抵抗分電流
を測定した結果、試験開始直後より電流値が増加し熱暴
走するパターンa、試験開始後数時間〜数十時間後より
電流値が増加し始め熱暴走に至るパターンb、試験開始
後数十時間のあいだ電流値が増加したのち低下傾向を示
しその後安定的に推移するパターンc、試験開始後すぐ
に電流値の低下傾向を示し、その後も安定的に推移する
最も好ましいパターンdの4種類のパターンに課電寿命
特性を大別することが出来る。
このように、課電寿命特性パターンを図面に示すa,b,
c,dの4パターンに分類し、この分類を表2に記載し
た。
c,dの4パターンに分類し、この分類を表2に記載し
た。
表2から解るように、熱処理時の最高温度を520〜650
℃とし、また降温速度を20〜150℃/時間とすれば、課
電寿命特性パターンはc,dとなって抵抗分電流の増大、
暴走が起こらず、雷サージ放電耐量破壊率を低くでき、
雷サージに対する素子の安定性も向上する。
℃とし、また降温速度を20〜150℃/時間とすれば、課
電寿命特性パターンはc,dとなって抵抗分電流の増大、
暴走が起こらず、雷サージ放電耐量破壊率を低くでき、
雷サージに対する素子の安定性も向上する。
実施例3 実施例2と同様にして電圧非直線抵抗体を作成した。
但し、熱処理時の最高温度は560℃、降温速度は100℃/
時間とし、昇温速度を種々変化させて実施例、比較例の
各電圧非直線抵抗体を作成し、それぞれについて雷サー
ジ放電耐量破壊率を測定した。結果を表3に示す。
但し、熱処理時の最高温度は560℃、降温速度は100℃/
時間とし、昇温速度を種々変化させて実施例、比較例の
各電圧非直線抵抗体を作成し、それぞれについて雷サー
ジ放電耐量破壊率を測定した。結果を表3に示す。
表3の結果から解るように、昇温速度を200℃/時間
以下とすることにより、雷サージ放電耐量は大幅に向上
する。
以下とすることにより、雷サージ放電耐量は大幅に向上
する。
(発明の効果) 上記したように、本発明の電圧非直線抵抗体の製造法
によれば、課電寿命特性、雷サージ放電耐量、雷サージ
に対する素子の安定性が著しく向上し、また大電流領域
における制限電圧比の低減が可能となる。
によれば、課電寿命特性、雷サージ放電耐量、雷サージ
に対する素子の安定性が著しく向上し、また大電流領域
における制限電圧比の低減が可能となる。
図面は課電寿命特性パターン例を示すグラフである。
Claims (1)
- 【請求項1】酸化亜鉛を主成分として含有し、添加成分
として酸化ビスマスをBi2O3に換算して0.1〜2.0モル
%、非晶質シリカをSiO2に換算して0.5〜9モル%、硝
酸アルミニウムをAl2O3に換算して0.001〜0.05モル%、
及びホウケイ酸ビスマスガラスをB2O3に換算して0.005
〜0.1モル%を少なくとも含む混合物を成形、仮焼して
仮焼体を作成し、この仮焼体に酸化物ペーストを塗布
し、焼成を行って側面高抵抗層が形成された焼成体を作
成し、この焼成体に最高温度520〜650℃,昇温速度200
℃/時間以下、降温速度20〜150℃/時間の熱処理を施
すことを特徴とする電圧非直線抵抗体の製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1278692A JPH0817123B2 (ja) | 1989-10-27 | 1989-10-27 | 電圧非直線抵抗体の製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1278692A JPH0817123B2 (ja) | 1989-10-27 | 1989-10-27 | 電圧非直線抵抗体の製造法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03142801A JPH03142801A (ja) | 1991-06-18 |
| JPH0817123B2 true JPH0817123B2 (ja) | 1996-02-21 |
Family
ID=17600846
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1278692A Expired - Lifetime JPH0817123B2 (ja) | 1989-10-27 | 1989-10-27 | 電圧非直線抵抗体の製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0817123B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106082996B (zh) * | 2016-06-21 | 2019-12-10 | 华南理工大学 | 一种铋基光热转换材料及其制备方法 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59903A (ja) * | 1982-06-25 | 1984-01-06 | 株式会社東芝 | 電圧非直線抵抗体 |
| JPS62177901A (ja) * | 1986-01-31 | 1987-08-04 | 株式会社東芝 | 非直線抵抗体の製造方法 |
| JPS62237706A (ja) * | 1986-04-09 | 1987-10-17 | 日本碍子株式会社 | 電圧非直線抵抗体の製造法 |
-
1989
- 1989-10-27 JP JP1278692A patent/JPH0817123B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH03142801A (ja) | 1991-06-18 |
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