JPH08174432A

JPH08174432A - 研磨テープおよびハードディスク用Ａｌ基板

Info

Publication number: JPH08174432A
Application number: JP32340994A
Authority: JP
Inventors: Minoru Kanazawa; 實金澤; Masaaki Fujiyama; 正昭藤山; Katsumi Ryomo; 克己両毛; Keisuke Yamada; 圭介山田
Original assignee: Fuji Photo Film Co Ltd
Current assignee: Fujifilm Holdings Corp
Priority date: 1994-12-26
Filing date: 1994-12-26
Publication date: 1996-07-09

Abstract

(57)【要約】【目的】大きなスクラッチを生じることなくハードデ
ィスク基板表面に微細なスジを形成することができる研
磨テープを得る。【構成】主に研磨剤粒子22とバインダー21からなる研
磨層20を支持体10上に有してなるハードディスク研磨用
の研磨テープにおいて、上記研磨層中20に、研磨剤粒子
22よりも平均粒子サイズが小さいカーボンブラック粒子
23等の粉末を含ませる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、主にハードディスク用
基板の表面を研磨するために用いられる研磨テープ、お
よびそれによって研磨されたハードディスク用Ａｌ基板
に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】ハードディスク（以下、「ＨＤ」と称す
る）は、通常Ａｌからなる基板の表面に磁性層を設けて
作製されるが、一般に基板表面には、ＨＤ使用時のヘッ
ド吸着を防止するために、研磨によって適度に細かい
「スジ」が形成される。

【０００３】このような表面処理は一般にテクスチャー
処理と称されており、大別して２つの方法が知られてい
る。一つは遊離砥粒を用いる方法で、アルミナやダイヤ
モンドのような研磨剤を水等に溶かしてなる溶液によっ
て研磨する方法である。この方法は溶液を使用するため
テクスチャー機を汚し、また研磨用パッドがすり減って
研磨の再現性が得にくく、かつ研磨粒子が動くために力
がかかりにくく、研削力が弱いという欠点がある。

【０００４】もう一つの方法は、主に研磨剤粒子とバイ
ンダーからなる研磨層を支持体上に有してなる研磨テー
プにより研磨する方法である。この方法は常に新しい研
磨テープの面が接触し、研磨をコントロールし易く、か
つ研削力が強く、溶液を使用しないため操作性がよいと
いう利点がある。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかしこの研磨テープ
を用いる方法には、研磨粒子が固定していて研削力が強
いために、本来所望される細かいスジよりも大きな傷、
すなわちスクラッチを生じやすいという欠点がある。Ｈ
Ｄ基板の表面に付いたこのようなスクラッチは、該基板
上に磁性層を形成した後もＨＤ表面に反映するものとな
る。ＨＤ表面にこのようなスクラッチがあると、ディス
ク使用時にドロップアウトが多くなり、また出力も低く
なって、そのＨＤは高密度記録には不適なものとなって
しまう。

【０００６】特に最近はＨＤの記録密度が大幅に高めら
れており、そのような高密度記録用のＨＤに対しては、
従来の研磨テープでは満足できる結果が得られなくなっ
ている。このことを詳しく説明する前に、表面粗さを示
す指標であるＲａ（中心線平均粗さ）とＲｙ（最大粗
さ）とについて説明する。

【０００７】Ｒａ（中心線平均粗さ）とは、図２に示す
ように粗さ曲線からその平均線ｍの方向に基準長さだけ
抜き取り、この抜き取り部分の平均線の方向にｘ軸を、
縦倍率の方向にｙ軸を取り、粗さ曲線をｙ＝ｆ（ｘ）で
表したとき、次の式によって求められる値をマイクロメ
ートル（μｍ）で表したものをいう。

【０００８】

【数１】

【０００９】またＲｙ（最大粗さ）とは、図３に示すよ
うに粗さ曲線からその平均線ｍの方向に基準長さだけ抜
き取り、この抜き取り部分の山頂線と谷底線との間隔を
粗さ曲線の縦倍率の方向に測定し、この値をマイクロメ
ートル（μｍ）で表したものをいう。

【００１０】前述したスクラッチの発生が抑えられれ
ば、ＨＤ基板表面のＲａは小さくなるので、このＲａが
小さいこと（勿論、ヘッド吸着防止効果が得られないほ
ど極端に小さくはなく、例えば０．００５μｍ≦Ｒａ≦
０．００９μｍ程度）は当然必要であるが、上述のよう
にＨＤの記録密度向上を図る場合は、ＨＤからのヘッド
浮上高を下げる必要があり、そのようにしたときＨＤ表
面に大きな凹凸があるとそこにヘッドが接触してしまう
ので、Ｒａだけでなく同時にＲｙも下げる必要がある。

【００１１】つまり、ＨＤの記録密度向上を図る場合
は、ＨＤ基板表面のＲｙ／Ｒａの値が小さいこと（具体
的には例えば５〜１１程度）が求められるが、従来の研
磨テープによってテクスチャー処理されたＨＤ基板はこ
のＲｙ／Ｒａの値がすべて１１より大きくて、従来の研
磨テープではスクラッチを生じやすいことが裏付けられ
ていた。

【００１２】なお、特開平３−１８８１８７号公報に
は、研磨層の中にカーボンブラックの凝集体を含ませた
木材用の導電性研磨具が記載されている。この研磨具は
上述のようなスクラッチを生じ難いと考えられるが、そ
の半面、研磨層の上にバインダー層を設けて研磨層が直
接表面に出ないようにしているために研磨力が弱く、Ｈ
Ｄのテクスチャーに必要な研削量を得ることは難しい。

【００１３】本発明は上記の事情に鑑みてなされたもの
であり、特に高密度記録用のＨＤのテクスチャー処理に
最適な研磨テープ、つまり、大きなスクラッチを生じる
ことなくＨＤ基板表面に微細なスジを形成することがで
きる研磨テープを提供することを目的とするものであ
る。

【００１４】また本発明は、十分な高密度記録が可能な
ＨＤを得ることができるＨＤ用Ａｌ基板を提供すること
を目的とする。

【００１５】

【課題を解決するための手段】本発明による研磨テープ
は、請求項１に記載のように、主に研磨剤粒子とバイン
ダーからなる研磨層を支持体上に有してなるハードディ
スク研磨用の研磨テープにおいて、研磨層中に研磨剤よ
りも平均粒子サイズが小さい粉末を含むことを特徴とす
るものである。

【００１６】なお本発明において、好ましくは請求項２
に記載の通り、上記研磨剤の平均粒子サイズは０．５〜
３μｍ、特に好ましくは１〜３μｍ、かつその最大粒径
は１２μｍ以下とされ、また上記粉末の平均粒子サイズ
は０．００５μｍ以上で０．５μｍ未満とされる。

【００１７】また上記の粉末としては、請求項３に記載
の通り、カーボンブラック粉末が好適に用いられる。

【００１８】そしてこのカーボンブラック粉末が用いら
れる場合、請求項４に記載の通り、研磨層中にカーボン
ブラックが、研磨剤１００重量部に対して１〜２０重量
部含まれるのが望ましい。

【００１９】一方本発明において、上記研磨剤として
は、請求項５に記載のようにアルミナが好適に用いられ
る。

【００２０】さらに上記研磨層の表面電気抵抗ＲＳは、
請求項６に記載のように５×１０⁵Ω以下であるのが望
ましく、本発明による研磨テープにおいては、そのよう
な条件を十分に満足させることができる。

【００２１】また、上記研磨層の表面の中心線平均粗さ
Ｒａは、請求項７に記載のように、０．０５〜０．４５
μｍであるのが望ましい。

【００２２】さらに、研磨テープの走行系における摩擦
係数を低減するために、研磨層が存在する可撓性支持体
の裏面にカーボンブラックとバインダーとからなるバッ
クコート層を塗設してもよい。

【００２３】一方、研磨テープの研磨層に含まれる研磨
剤粉末およびカーボンブラック１００重量部当たりのバ
インダー量は、５〜７０重量部で、支持体の厚みは５０
μｍ以下であることが望ましい。

【００２４】また研磨剤として、上に挙げたアルミナの
他に酸化クロム、α−アルミナ、炭化珪素、ダイヤモン
ド、γ−アルミナ、熔融アルミナ、コランダム、人造ダ
イヤモンド、ザクロ石、エメリ−（主成分：コランダム
と磁鉄鉱）、ガーネット等の、主としてモース硬度の高
い材料を単独または組合わせで使用することもできる。

【００２５】そして上記のカーボンブラックとしては、
ゴム用ファーネス、ゴム用サーマル、カラー用ブラッ
ク、アセチレンブラック等を用いることができる。その
比表面積は５〜５００ｍ²／ｇ、ＤＢＰ給油量は１０〜
４００ｍｌ／１００ｇ、ｐＨは２〜１０、含水率は０．
１〜１０％、タップ密度は０．１〜１ｇ／ｃｍ²である
のが好ましい。このカーボンブラックの具体的な例とし
ては、キャボット社製：ＢＬＡＣＫＰＥＡＲＬＳ２０
００、１３００、１０００、９００、８００、７００、
ＶＵＬＣＡＮＸＣ−７２、旭カーボン社製：＃８０、
＃６０、＃５５、＃５０、＃３５、三菱化成工業社製：
＃２４００Ｂ、＃２３００、＃１０００、＃９００、＃
４０、＃３０、＃１０Ｂ、コロンビアカーボン社製：Ｃ
ＯＮＤＵＣＴＥＸＳＣ、ＲＡＶＥＮ１５０、５０、
４０、１５等が挙げられる。また、カーボンブラックを
分散剤等で表面処理したり、樹脂でグラファイト化した
ものを用いることもできる。

【００２６】さらに本発明においては、上記カーボンブ
ラックの代わりに、例えば酸化チタン、酸化鉄、酸化カ
ルシウム、硫酸バリウムの粉末等を用いることもでき
る。

【００２７】また前記バインダーとしては、従来公知の
熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂、反応型樹脂、電子線硬化
型樹脂、紫外線硬化型樹脂、可視光線硬化型樹脂やこれ
らの混合物を使用することができる。

【００２８】そして上記の熱可塑性樹脂としては、軟化
温度が１５０℃以下、平均分子量が１００００〜３００
０００、重合度が約５０〜２０００程度のものでより好
ましくは２００〜７００程度であり、例えば塩化ビニル
酢酸ビニル共重合体、塩化ビニル共重合体、塩化ビニル
酢酸ビニルビニルアルコール共重合体、塩化ビニルビニ
ルアルコール共重合体、塩化ビニル塩化ビニリデン共重
合体、塩化ビニルアクリロニトリル共重合体、アクリル
酸エステルアクリロニトリル共重合体、アクリル酸エス
テル塩化ビニリデン共重合体、アクリル酸エステルスチ
レン共重合体、メタクリル酸エステルアクリロニトリル
共重合体、メタクリル酸エステル塩化ビニリデン共重合
体、メタクリル酸エステルスチレン共重合体、ウレタン
エラストマー、ナイロン−シリコン系樹脂、ニトロセル
ロース−ポリアミド樹脂、ポリフッカビニル、塩化ビニ
リデンアクリロニトリル共重合体、ブタジエンアクリロ
ニトリル共重合体、ポリアミド樹脂、ポリビニルブチラ
ール、セルロース誘導体（セルロースアセテートブチレ
ート、セルロースダイアセテート、セルローストリアセ
テート、セルロースプロピオネート、ニトロセルロー
ス、エチルセルロース、メチルセルロース、プロピルセ
ルロース、メチルエチルセルロース、カルボキシメチル
セルロース、アセチルセルロース等）、スチレンブタジ
エン共重合体、ポリエステル樹脂、ポリカーボネート樹
脂、クロロビニルエーテルアクリル酸エステル共重合
体、アミノ酸樹脂、各種の合成ゴム系の熱可塑性樹脂お
よびこれらの混合物等が使用される。

【００２９】また、上記熱硬化性樹脂あるいは反応型樹
脂としては、塗布液の状態では２０００００以下の分子
量であり、塗布、乾燥後に加熱加湿することにより、縮
合、付加等の反応により分子量は無限大となるものが好
適に用いられる。また、これらの樹脂の中で、樹脂が熱
分解するまでの間に軟化または溶融しないものが特に好
ましい。具体的には例えばフェノール樹脂、フェノキシ
樹脂、エポキシ樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリエステル
樹脂、ポリウレタンポリカーボネート樹脂、尿素樹脂、
メラミン樹脂、アルキッド樹脂、シリコン樹脂、アクリ
ル系反応樹脂（電子線硬化樹脂）、エポキシ−ポリアミ
ド樹脂、ニトロセルロースメラミン樹脂、高分子量ポリ
エステル樹脂とイソシアネートプレポリマーの混合物、
メタクリル酸塩共重合体とジイソシアネートプレポリマ
ーの混合物、ポリエステルポリオールとポリイソシアネ
ートとの混合物、尿素ホルムアルデヒド樹脂、低分子量
グリコール／高分子量ジオール／トリフェニルメタント
リイソシアネートの混合物、ポリアミン樹脂、ポリイミ
ン樹脂およびこれらの混合物等である。

【００３０】これらの熱可塑、熱硬化性樹脂、反応型樹
脂は、主たる官能基以外に官能基としてカルボン酸（Ｃ
ＯＯＭ）、スルフィン酸、スルフェン酸、スルホン酸
（ＳＯ₃Ｍ）、燐酸（ＰＯ（ＯＭ）（ＯＭ））、ホスホ
ン酸、硫酸（ＯＳＯ₃Ｍ）、およびこれらのエステル基
等の酸性基（ＭはＨ、アルカリ金属、アルカリ土類金
属、炭化水素基）、アミノ酸類；アミノスルホン酸類、
アミノアルコールの硫酸または燐酸エステル類、スルフ
ォベタイン、ホスホベタイン、アルキルベタイン型等の
両性類基、アミノ基、イミノ基、イミド基、アミド基等
また、水酸基、アルコキシル基、チオール基、アルキル
チオ基、ハロゲン基（Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ）、シリル
基、シロキサン基、エポキシ基、イソシアナト基、シア
ノ基、ニトリル基、オキソ基、アクリル基、フォスフィ
ン基を通常１種以上６種以内含み、各々の官能基は樹脂
１ｇあたり１×１０^-6〜１×１０^-2ｅｑ含むことが好ま
しい。

【００３１】本発明の研磨テープにおいては、これらの
バインダーが単独で、あるいはそれらが組み合わされた
ものが使われ、他に必要あれば添加剤として分散剤、潤
滑剤、帯電防止剤、酸化防止剤、防黴剤、着色剤、溶剤
等が加えられる。

【００３２】本発明の研磨層に硬化剤として用いるポリ
イソシアネートとしては、トリレンジイソシアネート、
４，４’−ジフェニルメタンジイソシアネート、ヘキサ
メチレンジイソシアネート、キシリレンジイソシアネー
ト、ナフチレン−１、５−ジイソシアネート、ｏ−トル
イジンジイソシアネート、イソホロンジイソシアネー
ト、トリフェニルメタントリイソシアネート、イソホロ
ンジイソシアネート等のイソシアネート類、また当該イ
ソシアネート類とポリアルコールとの生成物、またイソ
シアネート類の縮合によって生成した２〜１０量体のポ
リイソシアネート、またポリイソシアネートとポリウレ
タンとの生成物で末端官能基がイソシアネートであるも
の等を使用することができる。これらポリイソシアネー
ト類の平均分子量は１００〜２００００のものが好適で
ある。

【００３３】これらポリイソシアネートの市販されてい
る商品名としては、コロネートＬ、コロネートＨＬ、コ
ロネート２０３０、コロネート２０３１、ミリオネート
ＭＲ、ミリオネートＭＴＬ（日本ポリウレタン株製）、
タケネートＤ−１０２、タケネートＤ−１１０Ｎ、タケ
ネートＤ−２００、タケネートＤ−２０２、タケネート
３００Ｓ、タケネート５００（武田薬品株製）、スミジ
ュールＴ−８０、スミジュール４４Ｓ、スミジュールＰ
Ｆ、スミジュールＬ、スミジュールＮ、デスモジュール
Ｌ、デスモジュールＩＬ、デスモジュールＮ、デスモジ
ュールＨＬ、デスモジュールＴ６５、デスモジュール１
５、デスモジュールＲ、デスモジュールＲＦ、デスモジ
ュールＳＬ、デスモジュールＺ４２７３（住友バイエル
社製）等があり、これらを単独、もしくは硬化反応性の
差を利用して二つもしくはそれ以上の組み合わせによっ
て使用することができる。

【００３４】また、硬化反応を促進する目的で、水酸基
（ブタンジオール、ヘキサンジオール、分子量が１００
０〜１００００のポリウレタン、水等）、アミノ基（モ
ノメチルアミン、ジメチルアミン、トリメチルアミン
等）を有する化合物や、金属酸化物の触媒や鉄アセチル
アセトネート等の触媒を併用することもできる。これら
の水酸基やアミノ基を有する化合物は、多官能であるこ
とが望ましい。これらポリイソシアネートはバインダー
樹脂とポリイソシアネートの総量１００重量部あたり２
〜７０重量部で使用することが好ましく、より好ましく
は５〜５０重量部である。

【００３５】本発明の研磨テープにおいて、支持体の表
面のＲａ（中心線平均粗さ）は０．００１〜１．５μｍ
（カットオフ値０．２５ｍｍ）が好ましい。

【００３６】研磨層成分の分散、混練の方法には特に制
限はなく、また各成分の添加順序（樹脂、粉体、潤滑
剤、溶媒等）、分散・混練中の添加位置、分散温度（０
〜８０°Ｃ）などは適宜設定することができる。そして
研磨層塗料の調製には通常の混練機を用いることができ
る。

【００３７】支持体上へ上記の研磨層用塗布液を塗布す
る方法としては、塗布液の粘度を１〜２００００センチ
ストークス（２５°Ｃ）に調整した上で、エアードクタ
ーコーター、ブレードコーター、エアナイフコーター、
スクイズコーター、含浸コーター、リバースロールコー
ター、トランスファーロールコーター、グラビアコータ
ー、キスコーター、キヤストコーター、スプレイコータ
ー、ロッドコーター、正回転ロールコーター、カーテン
コーター、押出コーター、バーコーター、リップコータ
ー等が利用でき、さらにその他の方法も使用可能であ
り、これらの具体的説明は朝倉書店発行の『コーティン
グ工学』（昭和４６．３．２０．発行）２５３頁〜２７
７頁等に詳細に記載されている。これら塗布液の塗布の
順番は任意に選択でき、また所望の液の塗布の前に下塗
り層あるいは支持体との密着力向上のためにコロナ放電
処理等を行なってもよい。

【００３８】一方、本発明によるＨＤ用Ａｌ基板は、請
求項８に記載のように、上記請求項１に記載の研磨テー
プにより基板表面がテクスチャー処理されたことを特徴
とするものである。

【００３９】この本発明によるＨＤ用Ａｌ基板において
は、請求項９に記載の通り、基板表面の最大粗さＲｙと
中心線平均粗さＲａとの比Ｒｙ／Ｒａが５〜１１である
のが望ましい。

【００４０】また、この本発明によるＨＤ用Ａｌ基板
は、請求項１０に記載の通り、Ｎｉ−ＰめっきされたＡ
ｌからなり、基板表面の最大粗さＲｙと中心線平均粗さ
Ｒａとの比Ｒｙ／Ｒａが５〜１１であるのがさらに望ま
しい。

【００４１】

【発明の効果】上記構成の本発明の研磨テープにおいて
は、研磨層中に塩基性のカーボンブラック等の粉末を含
有することにより、ＨＤをテクスチャー処理した際にＨ
Ｄ表面のＲａを余りに下げることなく、Ｒｙを下げるこ
とができる。これはテクスチャー処理のために必要なＲ
ａを確保し、かつＨＤ表面のスクラッチを減少させる効
果を持つものである。以下、この点について詳しく説明
する。

【００４２】本発明の研磨テープは、研磨層中に研磨剤
よりも平均粒子サイズが小さいカーボンブラック等の粉
末を含むことにより、ＨＤ基板のテクスチャー処理の
際、クッション効果のあるバインダーを減らすことな
く、ＨＤ基板の研削に必要な研磨層表面の研磨剤を浮き
上がらせる効果を持つ。これは研磨剤粒子周辺の余分の
バインダーが、微粒子粉末の周囲に付着するからであ
る。このため、軟らかいバインダー中にテクスチャーに
必要な研磨剤粒子の先端のみが突出するような状態とな
り、ＨＤ基板のテクスチャーに必要な研削力を持ちなが
ら、スクラッチを減少させる効果が生じる。

【００４３】なお、上記カーボンブラック等の粉末の平
均粒子サイズが研磨剤の粒子サイズよりも大きいと、そ
の粉末が軟らかい場合は研磨力が落ちてしまい、その粉
末が固い場合はＨＤ基板にスクラッチが生じる。

【００４４】また研磨層中にカーボンブラック等の粉末
を添加することで、研磨層の表面電気抵抗ＲＳを５×１
０⁵Ω以下と、従来に比べて非常に低くすることができ
る。そのため、研磨テープの帯電による外部粉塵の付着
を防止することができ、外部粉塵によって発生するＨＤ
基板表面のスクラッチを防止することができる。

【００４５】なお、研磨剤の平均粒子サイズが０．５μ
ｍ未満であると研磨力が落ちてしまい、３μｍより大き
いとＨＤ基板に大きなスクラッチが生じ、１２μｍを超
えると特に大きいスクラッチが生じる。

【００４６】他方、カーボンブラック等の微粒子粉末の
平均粒子サイズが０．００５μｍ未満であると粉末その
ものの分散性が悪くなり、フィルターを通り難くなる等
の生産工程上の問題が生じる。反対にこの粉末の平均粒
子サイズが０．５μｍより大きいと、該粉末のバインダ
ー吸い寄せ効果が小さくなる。

【００４７】またカーボンブラック等の微粒子粉末は固
形潤滑剤としての効果があり、ＨＤ基板と研磨テープと
の必要以上の摩擦を防いで、スクラッチの発生を防ぐこ
とができる。そして、研磨層中に上記のようなカーボン
ブラック粉末が含まれていると、テクスチャー処理の際
にＨＤ基板からの削れ物（汚れ）が少なくなり、さらに
は、研磨テープからの汚れが少なくなるという効果も得
られる。

【００４８】しかし、カーボンブラック等の微粒子粉末
を過剰に添加すると、研磨剤粒子の表面を微粒子粉末が
覆って研磨テープ表面が平滑化し、スクラッチの減少お
よび研磨層の表面電気抵抗ＲＳの低下という効果はある
ものの、研削力が低下してしまう。そこで、ＨＤ基板の
テクスチャー後のＲａが前述したように例えばＲａ≦
０．００９μｍで、なおかつＲｔ／Ｒａが５〜１１の範
囲にあるようにするためには、研磨層中において微粒子
粉末が、研磨剤１００重量部に対し１〜２０重量部（望
ましくは５〜１０重量部）含まれることが必要である。
カーボンブラック等の粉末の添加量が１重量部未満であ
ると、表面電気抵抗ＲＳについては良い結果が得られる
が、粉末のバインダー吸い寄せ効果が小さくなり、研磨
剤の分散効果が小さくなる。反対にこの粉末の添加量が
２０重量部より大であると、研磨剤の表面まで粉末が覆
う形となり、研磨力が低下する。

【００４９】一方、研磨層の表面電気抵抗ＲＳが５×１
０⁵Ωより大であると、ゴミの吸い寄せ効果が小さくな
る。

【００５０】また本発明の研磨テープにおいては、同じ
量のバインダーを使用しても、添加した微粒子粉末がバ
インダーにくるまれて相対的にバインダー量が減少す
る。そこで、研磨剤の頭はバインダーには覆われなくな
り、微粒子の研磨剤を使用しても、突き出した研磨剤の
頭によって強い研削力が得られるものとなる。

【００５１】研磨層の表面の中心線平均粗さＲａは、研
磨層成分の分散時間の調整、分散用バインダーの種類に
よって調整することができる。例えば、分散時間を延長
すればＲａは低下する。また、分散性に適した極性基を
有したバインダーを選定すると、同一分散時間でも研磨
層のＲａを下げることができる。この研磨層のＲａは、
０．０５μｍよりも低いとテクスチャー処理の際に必要
な研削力が得られず、他方研磨層のＲａが０．４５μｍ
を上回るとスクラッチ発生の原因となってしまう。そこ
で、ＨＤ基板のテクスチャー後のＲａが前述したように
例えばＲａ≦０．００９μｍで、なおかつＲｔ／Ｒａが
１１以下であるようにするためには、研磨層の表面の中
心線平均粗さＲａが０．０５〜０．４μｍであることが
必要である。

【００５２】以上のような効果を奏する本発明の研磨テ
ープによりＡｌ基板表面をテクスチャー処理すると、基
板表面の最大粗さＲｙと中心線平均粗さＲａとの比Ｒｙ
／Ｒａが５〜１１である、高密度記録に適したＨＤ用Ａ
ｌ基板を得ることができる。このＲｙ／Ｒａの理論値は
４であって、実現可能な最小値は５である。一方、Ｒｙ
／Ｒａの値が１１より大きいと、スペーシングロスが大
きくなって、電磁変換特性が劣化しやすい。

【００５３】また、上記本発明の研磨テープによりＮｉ
−ＰめっきされたＡｌ基板表面をテクスチャー処理する
と、基板表面の最大粗さＲｙと中心線平均粗さＲａとの
比Ｒｙ／Ｒａが５〜１１である、さらに高密度記録に適
したＨＤ用Ａｌ基板を得ることができる。

【００５４】なお本発明の研磨テープは、以上説明した
ＨＤ基板のテクスチャー処理のみならず、このような基
板に磁性層を形成して得られたＨＤの表面をポリッシン
グ仕上げするいわゆるＦＴＰ（ファイナル・テープ・ポ
リッシング）処理にも使用可能であって、スクラッチを
付けることのない良好なポリッシング処理を実現するも
のとなる。

【００５５】

【実施例】以下、図面に示す実施例に基づいて本発明を
さらに詳細に説明する。なお、以下に示す成分、割合、
操作順序等は、本発明の精神から逸脱しない範囲におい
て変更しうるものであることは当業者にとっては容易に
理解されることであり、本発明が下記の実施例に限定さ
れないことは勿論である。

【００５６】（１）実施例の構成について厚さ２５μｍで幅３００ｍｍのポリエチレンテレフタレ
ート（ＰＥＴ）支持体上にポリエステルポリウレタン樹
脂からなる下塗り層を０．１μｍ厚に塗布し、その上に
下記（表１）の組成で調整した研磨層用塗布液を、乾燥
後の厚さが８μｍとなるようにオーバーコート塗布、乾
燥し、１．５インチ幅にスリットして研磨テープのサン
プルを作成した。

【００５７】

【表１】

【００５８】なお本発明による実施例−１〜７および比
較例−１，２において、研磨剤としては粒状のアルミナ
（平均粒子サイズ１．５μｍ、モース硬度９）を用い、
バインダーとしては、ポリウレタン、スルホン酸ナトリ
ウム２×１０^-3当量／ｇ樹脂含有Ｍｗ７００００および
ポリイソシアネート（トリメチロールプロパン（１モ
ル）ＴＤＩ（３モル）付加物）を用い、添加粉末である
カーボンブラックとしてはケッチェンブラックＥＣ（平
均粒子サイズ０．０２８μｍ、比表面積２３４ｍ²／
ｇ、ＤＢＰ給油量１６２ｍｌ／１００ｇ）を用いた。

【００５９】以上のようにして作製された本発明による
研磨テープの構造を、図１に概略的に示す。図示の通り
この研磨テープは、支持体10上に研磨層20が形成された
ものであり、該研磨層20はバインダー21中に研磨剤粒子
22と、それよりも平均粒子サイズが小さい粉末であるカ
ーボンブラック粒子23とが分散されてなる。

【００６０】なお上記研磨剤およびカーボンブラックの
平均粒子サイズは、日立製作所製電子顕微鏡Ｈ−９００
０ＴＥＭで撮影し、コントロン社製画像解析装置ＩＢＡ
Ｓ−１を用い、研磨剤粒子およびカーボンブラック粒子
をそれぞれ５００個測定して求めた。

【００６１】（２）評価結果について、まず、研磨テープ表面の粗さ（中心線平均粗さＲａ）お
よび表面電気抵抗ＲＳは、下記の（表２）に示す通りで
あった。

【００６２】

【表２】

【００６３】なお研磨テープ表面のＲａは小坂製作所
（株）製の三次元表面検査機を用い、下記の条件で測定
した。

【００６４】針径；φ２μｍ針先荷重；３０ｍｇ掃引速度；０．１ｍｍ／ｓｅｃ掃引距離；０．２ｍｍを２０箇所測定した後、平均して
求めた。

【００６５】研磨テープの表面電気抵抗ＲＳは、タケダ
理研製のDigital Megohm Meter（TR-8611A）を用い、測
定環境は温度23℃、相対湿度50％、試料サイズ３ｃｍ×
３ｃｍで測定した。

【００６６】次にテクスチャー効果について説明する。
Ｎｉ−ＰめっきされたＡｌからなるＨＤ基板を、上記実
施例および比較例の各研磨テープを用いてテクスチャー
機によりテクスチャー処理し、処理したＨＤ基板の表面
の粗さをタリステップで測定した。ここで、研磨テープ
によりＨＤ基板をテクスチャー処理する様子を図４に示
す。図示の通りこのテクスチャー処理は、ＨＤ基板１を
回転させ、その表面に研磨テープ２の研磨層側をゴムロ
ーラ３を介して軽く圧接させ、そしてこの研磨テープ２
をＨＤ基板１の径方向に揺動させつつ送ることによって
なされる。なおＨＤ基板１と研磨テープ２との間には、
クーラント４が滴下される。

【００６７】テクスチャー処理条件は下記の通りであ
る。

【００６８】ＨＤ基板回転スピード；１００ｒｐｍテープ送りスピード；８ｍｍ／ｓｅｃ揺動；クロスハッチの交差角を３０度とした。

【００６９】処理時間；２０秒間またタリステップ処理条件は下記の通りである。

【００７０】装置；ＴＡＹＬＯＲ−ＨＯＢＳＯＮ社製タ
リステップ計測長；０．２５ｍｍ計測速度；０．０２５ｍｍ／秒カットオフ；２５Ｈｚ高さ倍率；２０万倍ＨＤ基板の中心線平均粗さＲａ、最大粗さＲｙ、および
それらの比Ｒｙ／Ｒａの測定結果は、下記の（表３）の
通りである。

【００７１】

【表３】

【００７２】また、ＨＤ基板表面の研磨量およびスクラ
ッチの発生状況は下記の（表４）の通りである。

【００７３】

【表４】

【００７４】なおＨＤ基板表面の研磨量に関しては、タ
リステップで測定したＲａ、およびＨＤ基板の表面を微
分干渉顕微鏡で観察した写真より求めた。また、ＨＤ基
板表面のスクラッチに関しては、ＨＤ基板の表面を800
倍の微分干渉顕微鏡で観察した写真をランダムに１２視
野取り、その中に存在する大きな傷の数により評価し
た。

【００７５】ここで、上記（表４）中の各項目の評価基
準は、下記の通りである。

【００７６】（ａ）ＨＤ基板の研磨量 ○……ＨＤ基板のＲａが０．００５μｍ以上 △……ＨＤ基板のＲａが０．００３５μｍ以上０．００
５μｍ未満 ×……ＨＤ基板のＲａが０．００３５μｍμｍ未満（ｂ）ＨＤ基板表面のスクラッチ ○……大きな傷が０〜３個 △……大きな傷が４〜10個 ×……大きな傷が11個以上（ｃ）研磨テープの総合判定 ○……良好なレベル △……実用可のレベル ×……実用不可のレベル以上実施例に基づいて詳しく説明した通り、本発明の研
磨テープによれば、スクラッチの発生を防止した上で、
ＨＤ基板を極めて良好にテクスチャー処理することがで
きる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明による研磨テープの構造を示す概略図

【図２】中心線平均粗さＲａを説明する説明図

【図３】最大粗さＲｙを説明する説明図

【図４】研磨テープによりＨＤ基板をテクスチャー処理
する様子を示す概略図

【符号の説明】

１ＨＤ基板２研磨テープ 10 支持体 20 研磨層 21 バインダー 22 研磨剤粒子 23 カーボンブラック粒子

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁶ 識別記号庁内整理番号ＦＩ技術表示箇所Ｇ１１Ｂ 5/84 Ａ 7303−5Ｄ (72)発明者山田圭介神奈川県小田原市扇町２丁目12番１号富士写真フイルム株式会社内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】主に研磨剤粒子とバインダーからなる研
磨層を支持体上に有してなるハードディスク研磨用の研
磨テープにおいて、前記研磨層中に研磨剤よりも平均粒
子サイズが小さい粉末を含むことを特徴とする研磨テー
プ。
【請求項２】前記研磨剤の平均粒子サイズが０．５〜
３μｍ、かつその最大粒径が１２μｍ以下であり、前記
粉末の平均粒子サイズが０．００５μｍ以上で０．５μ
ｍ未満であることを特徴とする請求項１に記載の研磨テ
ープ。
【請求項３】前記粉末がカーボンブラック粉末である
ことを特徴とする請求項１または２に記載の研磨テー
プ。
【請求項４】前記研磨層中にカーボンブラックが、研
磨剤１００重量部に対して１〜２０重量部含まれている
ことを特徴とする請求項３に記載の研磨テープ。
【請求項５】前記研磨層中の研磨剤がアルミナである
ことを特徴とする請求項１から４いずれか１項に記載の
研磨テープ。
【請求項６】前記研磨層の表面電気抵抗ＲＳが５×１
０⁵Ω以下であることを特徴とする請求項１から５いず
れか１項に記載の研磨テープ。
【請求項７】前記研磨層の表面の中心線平均粗さＲａ
が０．０５〜０．４５μｍであることを特徴とする請求
項１から６いずれか１項に記載の研磨テープ。
【請求項８】請求項１に記載の研磨テープにより基板
表面がテクスチャー処理されたことを特徴とするハード
ディスク用Ａｌ基板。
【請求項９】基板表面の最大粗さＲｙと中心線平均粗
さＲａとの比Ｒｙ／Ｒａが５〜１１であることを特徴と
する請求項８に記載のハードディスク用Ａｌ基板。
【請求項１０】Ｎｉ−ＰめっきされたＡｌからなり、
基板表面の最大粗さＲｙと中心線平均粗さＲａとの比Ｒ
ｙ／Ｒａが５〜１１であることを特徴とする請求項９に
記載のハードディスク用Ａｌ基板。