JPH08174433A

JPH08174433A - 研磨テープおよびハードディスク用Ａｌ基板

Info

Publication number: JPH08174433A
Application number: JP32341094A
Authority: JP
Inventors: Minoru Kanazawa; 實金澤; Masaaki Fujiyama; 正昭藤山; Katsumi Ryomo; 克己両毛
Original assignee: Fuji Photo Film Co Ltd
Current assignee: Fujifilm Holdings Corp
Priority date: 1994-12-26
Filing date: 1994-12-26
Publication date: 1996-07-09

Abstract

(57)【要約】【目的】大きなスクラッチを生じることなくハードデ
ィスク基板表面に微細なスジを形成することができる研
磨テープを得る。【構成】主に研磨剤粒子22とバインダー21からなる研
磨層20を支持体10上に有してなるハードディスク研磨用
の研磨テープにおいて、研磨剤粒子22どうしの平均距離
を、該研磨剤の平均粒子サイズの０．２〜３．０倍に調
整する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、主にハードディスク用
基板の表面を研磨するために用いられる研磨テープ、お
よびそれによって研磨されたハードディスク用Ａｌ基板
に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】ハードディスク（以下、「ＨＤ」と称す
る）は、通常Ａｌからなる基板の表面に磁性層を設けて
作製されるが、一般に基板表面には、ＨＤ使用時のヘッ
ド吸着を防止するために、研磨によって適度に細かい
「スジ」が形成される。

【０００３】このような表面処理は一般にテクスチャー
処理と称されており、大別して２つの方法が知られてい
る。一つは遊離砥粒を用いる方法で、アルミナやダイヤ
モンドのような研磨剤を水等に溶かしてなる溶液によっ
て研磨する方法である。この方法は溶液を使用するため
テクスチャー機を汚し、また研磨用パッドがすり減って
研磨の再現性が得にくく、かつ研磨粒子が動くために力
がかかりにくく、研削力が弱いという欠点がある。

【０００４】もう一つの方法は、主に研磨剤粒子とバイ
ンダーからなる研磨層を支持体上に有してなる研磨テー
プにより研磨する方法である。この方法は常に新しい研
磨テープの面が接触し、研磨をコントロールし易く、か
つ研削力が強く、溶液を使用しないため操作性がよいと
いう利点がある。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかしこの研磨テープ
を用いる方法には、研磨粒子が固定していて研削力が強
いために、本来所望される細かいスジよりも大きな傷、
すなわちスクラッチを生じやすいという欠点がある。Ｈ
Ｄ基板の表面に付いたこのようなスクラッチは、該基板
上に磁性層を形成した後もＨＤ表面に反映するものとな
る。ＨＤ表面にこのようなスクラッチがあると、ディス
ク使用時にドロップアウトが多くなり、また出力も低く
なって、そのＨＤは高密度記録には不適なものとなって
しまう。

【０００６】特に最近はＨＤの記録密度が大幅に高めら
れており、そのような高密度記録用のＨＤに対しては、
従来の研磨テープでは満足できる結果が得られなくなっ
ている。このことを詳しく説明する前に、表面粗さを示
す指標であるＲａ（中心線平均粗さ）とＲｙ（最大粗
さ）とについて説明する。

【０００７】Ｒａ（中心線平均粗さ）とは、図２に示す
ように粗さ曲線からその平均線ｍの方向に基準長さだけ
抜き取り、この抜き取り部分の平均線の方向にｘ軸を、
縦倍率の方向にｙ軸を取り、粗さ曲線をｙ＝ｆ（ｘ）で
表したとき、次の式によって求められる値をマイクロメ
ートル（μｍ）で表したものをいう。

【０００８】

【数１】

【０００９】またＲｙ（最大粗さ）とは、図３に示すよ
うに粗さ曲線からその平均線ｍの方向に基準長さだけ抜
き取り、この抜き取り部分の山頂線と谷底線との間隔を
粗さ曲線の縦倍率の方向に測定し、この値をマイクロメ
ートル（μｍ）で表したものをいう。

【００１０】前述したスクラッチの発生が抑えられれ
ば、ＨＤ基板表面のＲａは小さくなるので、このＲａが
小さいこと（勿論、ヘッド吸着防止効果が得られないほ
ど極端に小さくはなく、例えば０．００５μｍ≦Ｒａ≦
０．００９μｍ程度）は当然必要であるが、上述のよう
にＨＤの記録密度向上を図る場合は、ＨＤからのヘッド
浮上高を下げる必要があり、そのようにしたときＨＤ表
面に大きな凹凸があるとそこにヘッドが接触してしまう
ので、Ｒａだけでなく同時にＲｙも下げる必要がある。

【００１１】つまり、ＨＤの記録密度向上を図る場合
は、ＨＤ基板表面のＲｙ／Ｒａの値が小さいこと（具体
的には例えば５〜１１程度）が求められるが、従来の研
磨テープによってテクスチャー処理されたＨＤ基板はこ
のＲｙ／Ｒａの値がすべて１１より大きくて、従来の研
磨テープではスクラッチを生じやすいことが裏付けられ
ていた。

【００１２】本発明は上記の事情に鑑みてなされたもの
であり、特に高密度記録用のＨＤのテクスチャー処理に
最適な研磨テープ、つまり、大きなスクラッチを生じる
ことなくＨＤ基板表面に微細なスジを形成することがで
きる研磨テープを提供することを目的とするものであ
る。

【００１３】また本発明は、十分な高密度記録が可能な
ＨＤを得ることができるＨＤ用Ａｌ基板を提供すること
を目的とする。

【００１４】

【課題を解決するための手段】本発明による研磨テープ
は、請求項１に記載のように、主に研磨剤粒子とバイン
ダーからなる研磨層を支持体上に有してなるハードディ
スク研磨用の研磨テープにおいて、研磨剤粒子どうしの
平均距離が、該研磨剤の平均粒子サイズの０．２〜３．
０倍（特に好ましくは０．５〜３．０倍）となっている
ことを特徴とするものである。

【００１５】なお研磨剤粒子どうしの「距離」とは、研
磨剤粒子の中心間距離のようなものではなく、粒子間の
間隙の大きさを指すものとする。

【００１６】上記のように研磨剤粒子どうしの平均距離
を設定するためには、請求項２に記載の通り、研磨層中
に研磨剤よりも平均粒子サイズが小さい粉末を含ませて
おくと特に効果的である。

【００１７】上記の粉末としては、請求項３に記載の通
り、カーボンブラック粉末が好適に用いられる。そして
このカーボンブラック粉末が用いられる場合、請求項４
に記載の通り、研磨層中にカーボンブラックが、研磨剤
１００重量部に対して１〜２０重量部含まれるのが望ま
しい。

【００１８】なお、上記カーボンブラック等の粉末の平
均粒子サイズが研磨剤の粒子サイズよりも大きいと、そ
の粉末が軟らかい場合は研磨力が落ちてしまい、その粉
末が固い場合はＨＤ基板にスクラッチが生じる。

【００１９】また研磨剤としては、アルミナ、酸化クロ
ム、α−アルミナ、炭化珪素、ダイヤモンド、γ−アル
ミナ、熔融アルミナ、コランダム、人造ダイヤモンド、
ザクロ石、エメリ−（主成分：コランダムと磁鉄鉱）、
ガーネット等の、主としてモース硬度の高い材料を単独
または組合わせで使用することができる。

【００２０】そして上記のカーボンブラックとしては、
ゴム用ファーネス、ゴム用サーマル、カラー用ブラッ
ク、アセチレンブラック等を用いることができる。その
比表面積は５〜５００ｍ²／ｇ、ＤＢＰ給油量は１０〜
４００ｍｌ／１００ｇ、ｐＨは２〜１０、含水率は０．
１〜１０％、タップ密度は０．１〜１ｇ／ｃｍ²である
のが好ましい。このカーボンブラックの具体的な例とし
ては、キャボット社製：ＢＬＡＣＫＰＥＡＲＬＳ２０
００、１３００、１０００、９００、８００、７００、
ＶＵＬＣＡＮＸＣ−７２、旭カーボン社製：＃８０、
＃６０、＃５５、＃５０、＃３５、三菱化成工業社製：
＃２４００Ｂ、＃２３００、＃１０００、＃９００、＃
４０、＃３０、＃１０Ｂ、コロンビアカーボン社製：Ｃ
ＯＮＤＵＣＴＥＸＳＣ、ＲＡＶＥＮ１５０、５０、
４０、１５等が挙げられる。また、カーボンブラックを
分散剤等で表面処理したり、樹脂でグラファイト化した
ものを用いることもできる。

【００２１】さらに本発明においては、上記カーボンブ
ラックの代わりに、例えば酸化チタン、酸化鉄、酸化カ
ルシウム、硫酸バリウムの粉末等を用いることもでき
る。

【００２２】また前記バインダーとしては、従来公知の
熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂、反応型樹脂、電子線硬化
型樹脂、紫外線硬化型樹脂、可視光線硬化型樹脂やこれ
らの混合物を使用することができる。

【００２３】そして上記の熱可塑性樹脂としては、軟化
温度が１５０℃以下、平均分子量が１００００〜３００
０００、重合度が約５０〜２０００程度のものでより好
ましくは２００〜７００程度であり、例えば塩化ビニル
酢酸ビニル共重合体、塩化ビニル共重合体、塩化ビニル
酢酸ビニルビニルアルコール共重合体、塩化ビニルビニ
ルアルコール共重合体、塩化ビニル塩化ビニリデン共重
合体、塩化ビニルアクリロニトリル共重合体、アクリル
酸エステルアクリロニトリル共重合体、アクリル酸エス
テル塩化ビニリデン共重合体、アクリル酸エステルスチ
レン共重合体、メタクリル酸エステルアクリロニトリル
共重合体、メタクリル酸エステル塩化ビニリデン共重合
体、メタクリル酸エステルスチレン共重合体、ウレタン
エラストマー、ナイロン−シリコン系樹脂、ニトロセル
ロース−ポリアミド樹脂、ポリフッカビニル、塩化ビニ
リデンアクリロニトリル共重合体、ブタジエンアクリロ
ニトリル共重合体、ポリアミド樹脂、ポリビニルブチラ
ール、セルロース誘導体（セルロースアセテートブチレ
ート、セルロースダイアセテート、セルローストリアセ
テート、セルロースプロピオネート、ニトロセルロー
ス、エチルセルロース、メチルセルロース、プロピルセ
ルロース、メチルエチルセルロース、カルボキシメチル
セルロース、アセチルセルロース等）、スチレンブタジ
エン共重合体、ポリエステル樹脂、ポリカーボネート樹
脂、クロロビニルエーテルアクリル酸エステル共重合
体、アミノ酸樹脂、各種の合成ゴム系の熱可塑性樹脂お
よびこれらの混合物等が使用される。

【００２４】また、上記熱硬化性樹脂あるいは反応型樹
脂としては、塗布液の状態では２０００００以下の分子
量であり、塗布、乾燥後に加熱加湿することにより、縮
合、付加等の反応により分子量は無限大となるものが好
適に用いられる。また、これらの樹脂の中で、樹脂が熱
分解するまでの間に軟化または溶融しないものが特に好
ましい。具体的には例えばフェノール樹脂、フェノキシ
樹脂、エポキシ樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリエステル
樹脂、ポリウレタンポリカーボネート樹脂、尿素樹脂、
メラミン樹脂、アルキッド樹脂、シリコン樹脂、アクリ
ル系反応樹脂（電子線硬化樹脂）、エポキシ−ポリアミ
ド樹脂、ニトロセルロースメラミン樹脂、高分子量ポリ
エステル樹脂とイソシアネートプレポリマーの混合物、
メタクリル酸塩共重合体とジイソシアネートプレポリマ
ーの混合物、ポリエステルポリオールとポリイソシアネ
ートとの混合物、尿素ホルムアルデヒド樹脂、低分子量
グリコール／高分子量ジオール／トリフェニルメタント
リイソシアネートの混合物、ポリアミン樹脂、ポリイミ
ン樹脂およびこれらの混合物等である。

【００２５】これらの熱可塑、熱硬化性樹脂、反応型樹
脂は、主たる官能基以外に官能基としてカルボン酸（Ｃ
ＯＯＭ）、スルフィン酸、スルフェン酸、スルホン酸
（ＳＯ₃Ｍ）、燐酸（ＰＯ（ＯＭ）（ＯＭ））、ホスホ
ン酸、硫酸（ＯＳＯ₃Ｍ）、およびこれらのエステル基
等の酸性基（ＭはＨ、アルカリ金属、アルカリ土類金
属、炭化水素基）、アミノ酸類；アミノスルホン酸類、
アミノアルコールの硫酸または燐酸エステル類、スルフ
ォベタイン、ホスホベタイン、アルキルベタイン型等の
両性類基、アミノ基、イミノ基、イミド基、アミド基等
また、水酸基、アルコキシル基、チオール基、アルキル
チオ基、ハロゲン基（Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ）、シリル
基、シロキサン基、エポキシ基、イソシアナト基、シア
ノ基、ニトリル基、オキソ基、アクリル基、フォスフィ
ン基を通常１種以上６種以内含み、各々の官能基は樹脂
１ｇあたり１×１０^-6〜１×１０^-2ｅｑ含むことが好ま
しい。

【００２６】本発明の研磨テープにおいては、これらの
バインダーが単独で、あるいはそれらが組み合わされた
ものが使われ、他に必要あれば添加剤として分散剤、潤
滑剤、帯電防止剤、酸化防止剤、防黴剤、着色剤、溶剤
等が加えられる。

【００２７】本発明の研磨層に硬化剤として用いるポリ
イソシアネートとしては、トリレンジイソシアネート、
４，４’−ジフェニルメタンジイソシアネート、ヘキサ
メチレンジイソシアネート、キシリレンジイソシアネー
ト、ナフチレン−１、５−ジイソシアネート、ｏ−トル
イジンジイソシアネート、イソホロンジイソシアネー
ト、トリフェニルメタントリイソシアネート、イソホロ
ンジイソシアネート等のイソシアネート類、また当該イ
ソシアネート類とポリアルコールとの生成物、またイソ
シアネート類の縮合によって生成した２〜１０量体のポ
リイソシアネート、またポリイソシアネートとポリウレ
タンとの生成物で末端官能基がイソシアネートであるも
の等を使用することができる。これらポリイソシアネー
ト類の平均分子量は１００〜２００００のものが好適で
ある。

【００２８】これらポリイソシアネートの市販されてい
る商品名としては、コロネートＬ、コロネートＨＬ、コ
ロネート２０３０、コロネート２０３１、ミリオネート
ＭＲ、ミリオネートＭＴＬ（日本ポリウレタン株製）、
タケネートＤ−１０２、タケネートＤ−１１０Ｎ、タケ
ネートＤ−２００、タケネートＤ−２０２、タケネート
３００Ｓ、タケネート５００（武田薬品株製）、スミジ
ュールＴ−８０、スミジュール４４Ｓ、スミジュールＰ
Ｆ、スミジュールＬ、スミジュールＮ、デスモジュール
Ｌ、デスモジュールＩＬ、デスモジュールＮ、デスモジ
ュールＨＬ、デスモジュールＴ６５、デスモジュール１
５、デスモジュールＲ、デスモジュールＲＦ、デスモジ
ュールＳＬ、デスモジュールＺ４２７３（住友バイエル
社製）等があり、これらを単独、もしくは硬化反応性の
差を利用して二つもしくはそれ以上の組み合わせによっ
て使用することができる。

【００２９】また、硬化反応を促進する目的で、水酸基
（ブタンジオール、ヘキサンジオール、分子量が１００
０〜１００００のポリウレタン、水等）、アミノ基（モ
ノメチルアミン、ジメチルアミン、トリメチルアミン
等）を有する化合物や、金属酸化物の触媒や鉄アセチル
アセトネート等の触媒を併用することもできる。これら
の水酸基やアミノ基を有する化合物は、多官能であるこ
とが望ましい。これらポリイソシアネートはバインダー
樹脂とポリイソシアネートの総量１００重量部あたり２
〜７０重量部で使用することが好ましく、より好ましく
は５〜５０重量部である。

【００３０】研磨層成分の分散、混練の方法には特に制
限はなく、また各成分の添加順序（樹脂、粉体、潤滑
剤、溶媒等）、分散・混練中の添加位置、分散温度（０
〜８０°Ｃ）などは適宜設定することができる。そして
研磨層塗料の調製には通常の混練機を用いることができ
る。

【００３１】支持体上へ上記の研磨層用塗布液を塗布す
る方法としては、塗布液の粘度を１〜２００００センチ
ストークス（２５°Ｃ）に調整した上で、エアードクタ
ーコーター、ブレードコーター、エアナイフコーター、
スクイズコーター、含浸コーター、リバースロールコー
ター、トランスファーロールコーター、グラビアコータ
ー、キスコーター、キヤストコーター、スプレイコータ
ー、ロッドコーター、正回転ロールコーター、カーテン
コーター、押出コーター、バーコーター、リップコータ
ー等が利用でき、さらにその他の方法も使用可能であ
り、これらの具体的説明は朝倉書店発行の『コーティン
グ工学』（昭和４６．３．２０．発行）２５３頁〜２７
７頁等に詳細に記載されている。これら塗布液の塗布の
順番は任意に選択でき、また所望の液の塗布の前に下塗
り層あるいは支持体との密着力向上のためにコロナ放電
処理等を行なってもよい。

【００３２】一方、本発明によるＨＤ用Ａｌ基板は、請
求項５に記載のように、上記請求項１に記載の研磨テー
プにより基板表面がテクスチャー処理されたことを特徴
とするものである。

【００３３】この本発明によるＨＤ用Ａｌ基板において
は、請求項６に記載の通り、基板表面の最大粗さＲｙと
中心線平均粗さＲａとの比Ｒｙ／Ｒａが５〜１１である
のが望ましい。

【００３４】また、この本発明によるＨＤ用Ａｌ基板
は、請求項７に記載の通り、Ｎｉ−ＰめっきされたＡｌ
からなり、基板表面の最大粗さＲｙと中心線平均粗さＲ
ａとの比Ｒｙ／Ｒａが５〜１１であるのがさらに望まし
い。

【００３５】

【発明の効果】上記構成の本発明の研磨テープの一例の
顕微鏡写真を図５と図６に、また従来の研磨テープの研
磨層表面の顕微鏡写真を図７と図８に示す。なお図５と
図６は同じ研磨テープについてのものであるが、倍率が
それぞれ５０００倍、１００００倍と異なる。また図７
と図８も同じ研磨テープについてのものであるが、倍率
がそれぞれ５０００倍、１００００倍と異なる。

【００３６】図７、図８に示されている通り、従来の研
磨テープにおいては、ほとんど全ての研磨剤粒子（写真
中では大きな白い塊状に見えるもの）が他の研磨剤粒子
と接触する状態となっている。そのため、研磨剤粒子ど
うしがバインダーによって結合されて、いわば立体的に
積み上げられた形となっている。このようになっている
と、いくつかの研磨剤粒子が高く突出するので、その研
磨テープでＨＤ基板をテクスチャー処理した際に、高く
突出した研磨剤粒子に掻かれてＨＤ基板にスクラッチが
生じやすくなる。

【００３７】それに対して、図５、図６に示されている
本発明の研磨テープにおいては、ほとんど全ての研磨剤
粒子が他の研磨剤粒子から離れた状態となっている。そ
のため、研磨剤粒子が立体的に積み上げられることがな
く、したがって、いくつかの研磨剤粒子が高く突出する
ことがなくなる。そこで、この本発明の研磨テープでＨ
Ｄ基板をテクスチャー処理すれば、高く突出した研磨剤
粒子に掻かれてＨＤ基板にスクラッチが付くことが防止
される。

【００３８】なお、研磨剤粒子どうしの平均距離が該研
磨剤の平均粒子サイズの０．２倍未満であると、ＨＤ基
板にスクラッチが生じやすくなり、反対に３．０倍より
も大であると、十分な研磨力が得られない。

【００３９】また、カーボンブラック等の微粒子粉末を
過剰に添加すると、研磨剤粒子の表面を微粒子粉末が覆
って研磨テープ表面が平滑化し、スクラッチの減少効果
はあるものの、研削力が低下してしまう。そこで、ＨＤ
基板のテクスチャー後のＲａが前述したように例えばＲ
ａ≦０．００９μｍで、なおかつＲｔ／Ｒａが５〜１１
の範囲にあるようにするためには、例えばカーボンブラ
ック粉末を使用する場合は、研磨層中においてカーボン
ブラック粉末が、研磨剤１００重量部に対し１〜２０重
量部（望ましくは５〜１０重量部）含まれることが必要
である。カーボンブラック等の粉末の添加量が１重量部
未満であると、粉末のバインダー吸い寄せ効果が小さく
なり、研磨剤の分散効果が小さくなる。反対にこの粉末
の添加量が２０重量部より大であると、研磨剤の表面ま
で粉末が覆う形となり、研磨力が低下する。

【００４０】また、研磨層中に上記のようなカーボンブ
ラック粉末が含まれていると、テクスチャー処理の際に
ＨＤ基板からの削れ物（汚れ）が少なくなり、さらに
は、研磨テープからの汚れが少なくなるという効果も得
られる。

【００４１】以上のような効果を奏する本発明の研磨テ
ープによりＡｌ基板表面をテクスチャー処理すると、基
板表面の最大粗さＲｙと中心線平均粗さＲａとの比Ｒｙ
／Ｒａが５〜１１である、高密度記録に適したＨＤ用Ａ
ｌ基板を得ることができる。このＲｙ／Ｒａの理論値は
４であって、実現可能な最小値は５である。一方、Ｒｙ
／Ｒａの値が１１より大きいと、スペーシングロスが大
きくなって、電磁変換特性が劣化しやすい。

【００４２】また、上記本発明の研磨テープによりＮｉ
−ＰめっきされたＡｌ基板表面をテクスチャー処理する
と、基板表面の最大粗さＲｙと中心線平均粗さＲａとの
比Ｒｙ／Ｒａが５〜１１である、さらに高密度記録に適
したＨＤ用Ａｌ基板を得ることができる。

【００４３】なお本発明の研磨テープは、以上説明した
ＨＤ基板のテクスチャー処理のみならず、このような基
板に磁性層を形成して得られたＨＤの表面をポリッシン
グ仕上げするいわゆるＦＴＰ（ファイナル・テープ・ポ
リッシング）処理にも使用可能であって、スクラッチを
付けることのない良好なポリッシング処理を実現するも
のとなる。

【００４４】

【実施例】以下、図面に示す実施例に基づいて本発明を
さらに詳細に説明する。なお、以下に示す成分、割合、
操作順序等は、本発明の精神から逸脱しない範囲におい
て変更しうるものであることは当業者にとっては容易に
理解されることであり、本発明が下記の実施例に限定さ
れないことは勿論である。

【００４５】Ａ．基本的な実施例（１）実施例の構成について厚さ２５μｍで幅３００ｍｍのポリエチレンテレフタレ
ート（ＰＥＴ）支持体上にポリエステルポリウレタン樹
脂からなる下塗り層を０．１μｍ厚に塗布し、その上に
下記（表１）の組成で調整した研磨層用塗布液を、乾燥
後の厚さが８μｍとなるようにオーバーコート塗布、乾
燥し、１．５インチ幅にスリットして研磨テープのサン
プルを作成した。

【００４６】

【表１】

【００４７】なお本発明による実施例および比較例にお
いて、研磨剤としては粒状のアルミナ（平均粒子サイズ
１．５μｍ、モース硬度９）を用い、バインダーとして
は、ポリウレタン、スルホン酸ナトリウム２×１０^-3当
量／ｇ樹脂含有Ｍｗ７００００およびポリイソシアネー
ト（トリメチロールプロパン（１モル）ＴＤＩ（３モ
ル）付加物）を用いた。また本発明の実施例では、添加
粉末であるカーボンブラックとしてケッチェンブラック
ＥＣ（平均粒子サイズ０．０２８μｍ、比表面積２３４
ｍ²／ｇ、ＤＢＰ給油量１６２ｍｌ／１００ｇ）を用い
た。

【００４８】以上のようにして作製された実施例の研磨
テープの構造を、図１に概略的に示す。図示の通りこの
研磨テープは、支持体10上に研磨層20が形成されたもの
であり、該研磨層20はバインダー21中に研磨剤粒子22
と、それよりも平均粒子サイズが小さい粉末であるカー
ボンブラック粒子23とが分散されてなる。

【００４９】なお上記研磨剤およびカーボンブラックの
平均粒子サイズは、日立製作所製電子顕微鏡Ｈ−９００
０ＴＥＭで撮影し、コントロン社製画像解析装置ＩＢＡ
Ｓ−１を用い、研磨剤粒子およびカーボンブラック粒子
をそれぞれ５００個測定して求めた。

【００５０】また、上記実施例の研磨テープの研磨層表
面の顕微鏡写真を図５と図６に、比較例の研磨テープの
研磨層表面の顕微鏡写真を図７と図８に示す。なお図５
と図６は同じ研磨テープについてのものであるが、倍率
がそれぞれ５０００倍、１００００倍と異なる。また図
７と図８も同じ研磨テープについてのものであるが、倍
率がそれぞれ５０００倍、１００００倍と異なる。

【００５１】図７と図８に示されている通り、比較例の
研磨テープにおいては、ほとんど全ての研磨剤粒子（写
真中では白くて大きな塊状に見えるもの）が他の研磨剤
粒子と接触する状態となっている。そのため、研磨剤粒
子どうしがバインダーによって結合されて、いわば立体
的に積み上げられた形となっている。

【００５２】それに対して、図５と図６に示される本発
明の実施例である研磨テープにおいては、研磨剤粒子と
研磨剤粒子との間にカーボンブラック粒子（写真中では
黒ずんで小さな粒状に見えるもの）が満たされて、ほと
んど全ての研磨剤粒子が他の研磨剤粒子から、研磨剤の
平均粒子サイズの０．２倍以上離れた状態となってい
る。そのため、研磨剤粒子が立体的に積み上げられるこ
とがなくなっている。

【００５３】（２）評価結果について、まず、研磨テープ表面の粗さ（中心線平均粗さＲａ）お
よび表面電気抵抗ＲＳは、下記の（表２）に示す通りで
あった。

【００５４】

【表２】

【００５５】なお研磨テープ表面のＲａは小坂製作所
（株）製の三次元表面検査機を用い、下記の条件で測定
した。

【００５６】針径；φ２μｍ針先荷重；３０ｍｇ掃引速度；０．１ｍｍ／ｓｅｃ掃引距離；０．２ｍｍを２０箇所測定した後、平均して
求めた。

【００５７】研磨テープの表面電気抵抗ＲＳは、タケダ
理研製のDigital Megohm Meter（TR-8611A）を用い、測
定環境は温度23℃、相対湿度50％、試料サイズ３ｃｍ×
３ｃｍで測定した。

【００５８】次にテクスチャー効果について説明する。
Ｎｉ−ＰめっきされたＡｌからなるＨＤ基板を、上記実
施例および比較例の各研磨テープを用いてテクスチャー
機によりテクスチャー処理し、処理したＨＤ基板の表面
の粗さをタリステップで測定した。ここで、研磨テープ
によりＨＤ基板をテクスチャー処理する様子を図４に示
す。図示の通りこのテクスチャー処理は、ＨＤ基板１を
回転させ、その表面に研磨テープ２の研磨層側をゴムロ
ーラ３を介して軽く圧接させ、そしてこの研磨テープ２
をＨＤ基板１の径方向に揺動させつつ送ることによって
なされる。なおＨＤ基板１と研磨テープ２との間には、
クーラント４が滴下される。

【００５９】テクスチャー処理条件は下記の通りであ
る。

【００６０】ＨＤ基板回転スピード；１００ｒｐｍテープ送りスピード；８ｍｍ／ｓｅｃ揺動；クロスハッチの交差角を３０度とした。

【００６１】処理時間；２０秒間またタリステップ処理条件は下記の通りである。

【００６２】装置；ＴＡＹＬＯＲ−ＨＯＢＳＯＮ社製タ
リステップ計測長；０．２５ｍｍ計測速度；０．０２５ｍｍ／秒カットオフ；２５Ｈｚ高さ倍率；２０万倍ＨＤ基板の中心線平均粗さＲａ、最大粗さＲｙ、および
それらの比Ｒｙ／Ｒａの測定結果は、下記の（表３）の
通りである。

【００６３】

【表３】

【００６４】また、ＨＤ基板表面の研磨量およびスクラ
ッチの発生状況は下記の（表４）の通りである。

【００６５】

【表４】

【００６６】なおＨＤ基板表面の研磨量に関しては、タ
リステップで測定したＲａ、およびＨＤ基板の表面を微
分干渉顕微鏡で観察した写真より求めた。また、ＨＤ基
板表面のスクラッチに関しては、ＨＤ基板の表面を800
倍の微分干渉顕微鏡で観察した写真をランダムに１２視
野取り、その中に存在する大きな傷の数により評価し
た。

【００６７】ここで、上記（表４）中の各項目の評価基
準は、下記の通りである。

【００６８】（ａ）ＨＤ基板の研磨量 ○……ＨＤ基板のＲａが０．００５μｍ以上 ×……ＨＤ基板のＲａが０．００３５μｍ未満（ｂ）ＨＤ基板表面のスクラッチ ○……大きな傷が０〜３個 ×……大きな傷が11個以上（ｃ）研磨テープの総合判定 ○……良好なレベル ×……実用不可のレベル。

【００６９】Ｂ．より詳しい実施例次に、研磨剤粒子どうしの平均距離を実際に測定した実
施例について説明する。（１）実施例の構成について支持体や、バインダー、研磨剤、添加粉末であるカーボ
ンブラック等はすべて前記（Ａ．基本的な実施例）の場
合と同様にして、本発明の実施例−１〜４の研磨テープ
と、比較例−１の研磨テープのサンプルを作成した。こ
の場合の研磨剤とカーボンブラックとの重量比、無機粉
末（研磨剤およびカーボンブラック）とバインダーとの
重量比、そして研磨剤粒子間平均距離と研磨剤粒子径と
の比は、下の（表５）の通りである。

【００７０】

【表５】

【００７１】なお研磨剤粒子間平均距離と研磨剤粒子径
との比は、日立製作所製走査型電子顕微鏡Ｓ−８００に
より研磨層表面を、試料傾斜角度３０°、撮影倍率１０
０００倍にしてそれぞれ５視野撮影し、その写真から測
定した。

【００７２】（２）評価結果について、各研磨テープの評価結果は、下の（表６）に示す通りで
あった。

【００７３】

【表６】

【００７４】ここで、上記（表６）中の各項目の評価基
準は、下記の通りである。

【００７５】（ａ）ＨＤ基板の研磨量 ○……ＨＤ基板のＲａが０．００５μｍ以上 △……ＨＤ基板のＲａが０．００３５μｍ以上０．００
５μｍ未満 ×……ＨＤ基板のＲａが０．００３５μｍ未満（ｂ）ＨＤ基板表面のスクラッチテクスチャー処理後のＨＤ基板の表面を、日本光学株式
会社製の微分干渉顕微鏡により倍率800 倍でランダムに
１２視野撮影し、各写真の中に存在する大きなスクラッ
チの数により評価した。

【００７６】○……大きな傷が０〜３本 △……大きな傷が４〜10本 ×……大きな傷が11本以上（ｃ）研磨テープの総合判定 ○……良好なレベル △……実用可のレベル ×……実用不可のレベル。

【００７７】以上実施例に基づいて詳しく説明した通
り、本発明の研磨テープによれば、スクラッチの発生を
防止した上で、ＨＤ基板を極めて良好にテクスチャー処
理することができる。

【００７８】なお本発明において、バインダー用の溶剤
としてＭＥＫ／アノン溶剤を用いると、研磨剤粒子およ
びカーボンブラック粉末等の粉末が極めて均等に分散す
るようになり、より好ましい結果が得られる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施例による研磨テープの構造を示
す概略図

【図２】中心線平均粗さＲａを説明する説明図

【図３】最大粗さＲｙを説明する説明図

【図４】研磨テープによりＨＤ基板をテクスチャー処理
する様子を示す概略図

【図５】本発明による研磨テープの研磨層表面の、倍率
５０００倍の顕微鏡写真

【図６】本発明による研磨テープの研磨層表面の、倍率
１００００倍の顕微鏡写真

【図７】従来の研磨テープの研磨層表面の、倍率５００
０倍の顕微鏡写真

【図８】従来の研磨テープの研磨層表面の、倍率１００
００倍の顕微鏡写真

【符号の説明】

１ＨＤ基板２研磨テープ 10 支持体 20 研磨層 21 バインダー 22 研磨剤粒子 23 カーボンブラック粒子

フロントページの続き (51)Int.Cl.⁶ 識別記号庁内整理番号ＦＩ技術表示箇所Ｇ１１Ｂ 5/84 Ａ 7303−5Ｄ

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】主に研磨剤粒子とバインダーからなる研
磨層を支持体上に有してなるハードディスク研磨用の研
磨テープにおいて、前記研磨剤粒子どうしの平均距離
が、該研磨剤の平均粒子サイズの０．２〜３．０倍とな
っていることを特徴とする研磨テープ。
【請求項２】前記研磨層中に、前記研磨剤よりも平均
粒子サイズが小さい粉末を含むことを特徴とする請求項
１に記載の研磨テープ。
【請求項３】前記粉末がカーボンブラック粉末である
ことを特徴とする請求項２に記載の研磨テープ。
【請求項４】前記研磨層中にカーボンブラック粉末
が、研磨剤１００重量部に対して１〜２０重量部含まれ
ていることを特徴とする請求項３に記載の研磨テープ。
【請求項５】請求項１に記載の研磨テープにより基板
表面がテクスチャー処理されたことを特徴とするハード
ディスク用Ａｌ基板。
【請求項６】基板表面の最大粗さＲｙと中心線平均粗
さＲａとの比Ｒｙ／Ｒａが５〜１１であることを特徴と
する請求項５に記載のハードディスク用Ａｌ基板。
【請求項７】Ｎｉ−ＰめっきされたＡｌからなり、基
板表面の最大粗さＲｙと中心線平均粗さＲａとの比Ｒｙ
／Ｒａが５〜１１であることを特徴とする請求項６に記
載のハードディスク用Ａｌ基板。