JPH08179338A - 液晶表示パネルのめっき方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】製造コストを低減した液晶表示パネルのめっき
方法。 【構成】順次下記Ａ〜Ｆの工程から成ることを特徴とす
る液晶表示パネルのめっき方法。Ａ．ガラス基板２、３
の各主面にＩＴＯ透明電極パターン７、８を形成すると
ともに、その一部を表示領域６と成す。Ｂ．各ガラス基
板２、３を表示領域６の周囲に設けたシール部４を介し
て張り合わせる。Ｃ．上記張り合わせたガラス基板２、
３間に液晶材５を注入して、液晶表示パネル１３とな
す。Ｄ．液晶表示パネル１３を水１４に浸漬し、超音波
処理をおこなう。Ｅ．液晶表示パネル１３をめっき液中
に浸漬して、ガラス基板３の非表示領域９に形成したＩ
ＴＯ透明電極パターン１０上を無電解めっきする。Ｆ．
上記液晶表示パネルを水に浸漬し、再度超音波処理をお
こなう。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、液晶表示パネルの透明
基板上の非液晶表示領域に形成した透明電極パターン上
に無電解めっきをおこなうようにした液晶表示パネルの
めっき方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】液晶表示パネルにおいて、透明基板にイ
ンジウム・スズ・オキサイド（ＩＴＯ）薄膜等の透明電
極パターンを形成して、表示領域を成すとともに、非表
示領域にも透明電極パターンを延在させて、透明基板上
に実装した駆動ＩＣと接続させた構成が提案され、すで
に実用化されている。この構成は、チップ・オン・グラ
ス（Ｃｈｉｐ ｏｎ Ｇｌａｓｓ）方式、またはＣＯＧ
方式と呼ばれて、高密度実装性に優れており、更に装置
の小型軽量化及び薄型化がはかれるという利点がある。

【０００３】しかしながら、上記ＣＯＧ方式液晶表示パ
ネルによれば、ＩＴＯ薄膜の透明電極は、その自体大き
な抵抗を有しており（１０Ω／□〜２００Ω／□）、こ
れにより、ＩＣの駆動に必要な電流量を確保できないと
いう問題点があった。

【０００４】かかる問題点を解決するために、その非表
示領域の透明電極パターン上にクロム−金、ニッケル−
金もしくはクロム−アルミ等の積層をスパッタリングも
しくは蒸着により形成したり、あるいは無電解めっき等
により形成し、これにより、その透明電極パターン全体
の配線抵抗を下げ、ＩＣに十分な電流量が確保されるよ
うにしている。上記の成膜方法のうち、特に無電解めっ
きが低コスト、製造行程の簡便性、並びにＩＴＯ薄膜パ
ターン上に選択的に膜付けができるという諸点で望まし
い。

【０００５】

【発明が解決しようとする問題点】しかしながら、上記
ＣＯＧ方式液晶表示パネルの非表示領域にある透明電極
パターン上に無電解めっきする場合には、ブリッジショ
ートが生じるという問題点があり、この問題点を図４に
より説明する。

【０００６】同図において、ＡとＢは液晶表示パネル１
の要部構成におけるそれぞれの拡大断面図および拡大平
面図である。

【０００７】２は走査側基板、３は信号側基板であり、
両基板２、３の間にシール部４を介して液晶材５を封入
して表示領域６を形成している。また、両基板２、３の
各内面には透明電極パターン７、８を形成し、透明電極
パターン８を信号側基板３の非表示領域９にまで延在さ
せる。この延在された透明電極パターン１０上に無電解
めっきにより金属層１１を積層する。金属層１１はたと
えばニッケル−リン（Ｎｉ−Ｐ）層と金（Ａｕ）層との
積層構造である。

【０００８】しかしながら、上記構成の液晶表示パネル
１によれば、走査側基板２と信号側基板３との隙間１２
にまでめっき液が侵入して、その隙間１２に滞留し、同
図Ｂに示すように各金属層１１間を金属層でもって接続
し、これによって、所謂ブリッジショートが生じるとい
う問題点がある。

【０００９】上記問題点を解決するために、隙間１２に
樹脂やレジストを塗布して、めっき液が侵入しないよう
にしたマスキング技術が提案されているが、塗布工程お
よびその樹脂の除去工程が加わり、更に設備が増加し、
その結果、製造コストが高くなるという問題点があっ
た。

【００１０】したがって、本発明は上記事情に鑑みて完
成されたものであり、その目的は液晶表示パネルに対し
て無電解めっきをおこなうことで、製造歩留りを改善す
ることにある。

【００１１】本発明の他の目的は樹脂やレジストを塗布
するマスキング技術を用いないで、製造コストを低減さ
せることにある。

【００１２】

【問題点を解決するための手段】本発明の液晶表示パネ
ルのめっき方法は、順次下記Ａ〜Ｆの工程から成ること
を特徴とする。 Ａ．寸法の異なる２種類の透明基板の各主面に透明電極
パターンを形成するとともに、その一部を表示領域と成
す。 Ｂ．各透明基板を表示領域の周囲に設けたシール部を介
して張り合わせる。 Ｃ．上記張り合わせた透明基板間に液晶材を注入して、
液晶表示パネルとなす。 Ｄ．上記液晶表示パネルを水に浸漬し、超音波処理をお
こなう。 Ｅ．液晶表示パネルをめっき液中に浸漬して、透明基板
の非表示領域に形成した透明電極パターン上を無電解め
っきする。 Ｆ．上記液晶表示パネルを水に浸漬し、再度超音波処理
をおこなう。

【００１３】

【作用】上記構成の液晶表示パネルのめっき方法によれ
ば、液晶材が注入された液晶表示パネルの非表示領域に
形成した透明電極パターン上を無電解めっきするに当た
って、その前後に超音波処理をおこなうことで洗浄した
り、あるいは不純物の除去をおこなって、ブリッジショ
ートの発生原因を除去し、これにより、液晶表示パネル
に対してブリッジショートのない無電解めっきができ、
その結果、製造歩留りが向上し、製造コストが低減でき
る。

【００１４】その上、従来のようにブリッジショートが
生じないようにするための樹脂やレジストの塗布工程お
よびその除去工程を不要し、これによっても製造コスト
が低減できる。

【００１５】

【実施例】以下、本発明をＣＯＧ方式液晶表示パネルを
例にとって詳細に説明する。図１と図２はＣＯＧ方式液
晶表示パネル１３の正面図であり、図２は図１に示す切
断面線Ｘ−Ｘによる断面図である。なお、図４に示す液
晶表示パネル１と同一箇所には同一符号を付す。

【００１６】液晶表示パネル１３は、２枚のソーダライ
ムガラスから成るガラス基板２、３をシール部４でもっ
て貼り合わせた構造であり、そのシール部４によって囲
まれた内部領域に液晶材５が封入され、表示領域６をな
す。各ガラス基板２、３のそれぞれの内主面にＩＴＯ透
明電極パターン７、８（シート抵抗：１０Ω／□）が配
列されている。これらＩＴＯ透明電極パターン７、８は
相互に直交するように配列され、その上に配向膜（図示
せず）を形成し、更にこの配向膜の表面をラビング処理
して液晶分子の向きを所定の方向に設定する。

【００１７】次に上記構成の液晶表示パネル１３を作製
する工程を詳述する。Ａ工程 ガラス基板３の一主面にＩＴＯ膜を形成し、フォトエッ
チングにより表示領域６に複数のＩＴＯ透明電極パター
ン８をライン状に配列するとともに、ＩＴＯ透明電極パ
ターン８をガラス基板３の非表示領域９にまで延在させ
る。そして、表示領域６のＩＴＯ透明電極パターン８上
に配向膜（図示せず）を形成し、更にこの配向膜の表面
をラビング処理する。他方のガラス基板２のＩＴＯ透明
電極パターン７をガラス基板３上に導電するための銀ペ
ーストを塗布する。

【００１８】他方のガラス基板２においても、一方主面
上にＩＴＯ膜を形成し、フォトエッチングにより表示領
域６に複数のＩＴＯ透明電極パターン７をライン状に配
列し、表示領域６のＩＴＯ透明電極パターン７上に配向
膜（図示せず）を形成し、更にこの配向膜の表面をラビ
ング処理する。

【００１９】Ｂ工程 各ガラス基板２、３を各ＩＴＯ透明電極パターン７、８
が交差するように、かつ対向するように配置し、表示領
域６の周囲をシール部４でもって封止する。

【００２０】Ｃ工程 上記張り合わせ基板間の表示領域６に液晶材５を注入す
る。

【００２１】Ｄ工程 本工程は、次のニッケルめっき前におこなう超音波処理
である。

【００２２】この超音波処理をおこなう前に先ずアルカ
リ脱脂をおこなうことで、表面の洗浄、特にガラス基板
３の非表示領域９の表面を洗浄する。

【００２３】そして、超音波処理は図３に示すようなイ
オン交換水１４が入った容器１５内に液晶表示パネルを
浸漬し、容器１５の外周囲より超音波を印加する。イオ
ン交換水１４に変えて水道水を用いてもよい。上記超音
波処理によりアルカリ脱脂液の除去およびガラス基板
２、３のギャップ内部の洗浄ができる。

【００２４】その後、約３０秒間の酸を用いたエッチン
グ（ＨＣｌ）による表面活性化（プレディップ）、Ｐｄ
／Ｓｎコロイドによる触媒付与（キャタライズ）、アク
セレレート（触媒の活性化）という通常の一連の無電解
めっきのための処理を順次おこなう。

【００２５】Ｅ工程 液晶表示パネル１３をＮｉめっき液中に浸漬して、ガラ
ス基板３の非表示領域９の透明電極パターン１０上を無
電解めっきによりＮｉめっきする。このＮｉめっきは、
たとえば厚み０．８〜１．２μｍのニッケル−リン（Ｎ
ｉ−Ｐ）層にする。

【００２６】Ｆ工程 本工程は、前段階のＮｉめっき後におこなう超音波処理
であり、Ｄ工程と同じ処理である。ギャップ内部に若干
のＮｉが析出する場合があり、その除去のために、ある
いはギャップ内に侵入したＮｉめっき液の除去のために
超音波処理をおこなう。

【００２７】かくして上述しためっき方法によれば、ガ
ラス基板３の非表示領域９の透明電極パターン１０上に
無電解めっきでもってＮｉめっき層を形成することがで
きたが、これら一連の工程によってブリッジショートが
生じなかった。

【００２８】本実施例においては、上記Ｎｉめっき層の
上に更にＡｕめっき層を形成する。このＡｕめっき方法
も本発明であって、この発明を以下の〔Ｄ〕工程〜
〔Ｆ〕工程により詳述する。

【００２９】〔Ｄ〕工程 金めっき層前の超音波処理であり、前記Ｆ工程に相当す
る。その後に透明電極パターン１０とＮｉめっき層との
間の密着性を高めるために、オーブンを用いてたとえば
２００℃の温度で１時間加熱し、アニールをおこなう。
更に必要に応じて、アルカリ脱脂をおこなうことで、ガ
ラス基板３の表面を洗浄する。

【００３０】〔Ｅ〕工程 上記Ｎｉめっき層の上に無電解めっきにより厚み０．５
〜１．５μｍのＡｕめっき層を形成した。このＡｕめっ
き層は置換Ａｕめっき層と厚付けＡｕめっき層とを順次
積層したものである。

【００３１】置換Ａｕめっき層は、その下地にあるＮｉ
めっき層との置換反応によりＡｕが析出することで形成
されるものであって、通常、膜厚０．１μｍ以下であ
る。また、厚付けＡｕめっき層は自己触媒タイプであっ
て、置換Ａｕめっき層の上に自己触媒作用によりＡｕが
析出することで形成されるものであり、これによって、
その膜厚を大きくすることができるとともに、配線抵抗
が小さくできる。

【００３２】また、置換Ａｕめっき層を形成した後に上
述した超音波処理をおこなうことがブリッジショートの
発生を防止するために望ましい。すなわち、置換Ａｕめ
っき層を形成すると、ガラス基板２、３のギャップには
透明電極パターン１０が露出し、このギャップに置換Ａ
ｕめっき液が侵入し易くなり、そのため、その後の厚付
けＡｕめっき層が透明電極パターン１０上に析出し、透
明電極パターン１０間にも析出して、ショートの原因に
なるので、超音波処理でもって置換Ａｕめっき液を除去
するのがよい。

【００３３】〔Ｆ〕工程 本工程は、前段階のＡｕめっき後におこなう超音波処理
であり、置換Ａｕが完全に除去されていない場合がある
ので、析出したＡｕの除去のためにＤ工程と同じ処理を
おこなった後に乾燥させる。

【００３４】かくして上述したＡｕめっき方法によりＮ
ｉめっき層の上に無電解めっきによりＡｕめっき層を形
成することができたが、これら一連の工程によってブリ
ッジショートが生じなかった。

【００３５】なお、本発明は上記実施例に限定されるも
のではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内で種々の
変更や改良等は何ら差し支えない。

【００３６】

【発明の効果】以上の通り、本発明の液晶表示パネルの
めっき方法によれば、液晶表示パネルの非表示領域に形
成した透明電極パターン上を無電解めっきする際に、そ
の前後に超音波処理をおこなうことで洗浄したり、ある
いは不純物の除去をおこなってブリッジショートのない
無電解めっきができ、これにより、製造歩留りが向上
し、その上、樹脂やレジストを塗布するマスキング技術
を不要とし、その結果、製造コストが低減できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】実施例の液晶表示パネルの正面図である。

【図２】実施例の液晶表示パネルの断面図である。

【図３】超音波処理の構成を示す概略説明図である。

【図４】Ａ、Ｂはそれぞれ従来の液晶表示パネルの要部
拡大断面図および要部拡大平面図である。

【符号の説明】

１、１３ 液晶表示パネル ２、３ ガラス基板 ４ シール部 ５ 液晶材 ６ 表示領域 ７、８ ＩＴＯ透明電極パターン ９ 非表示領域 １０ ＩＴＯ透明電極パターン １１ 金属層 １４ イオン交換水 １５ 容器

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】順次下記Ａ〜Ｆの工程から成ることを特徴
   とする液晶表示パネルのめっき方法。 Ａ．寸法の異なる２種類の透明基板の各主面に透明電極
   パターンを形成するとともに、その一部を表示領域と成
   す。 Ｂ．各透明基板を表示領域の周囲に設けたシール部を介
   して張り合わせる。 Ｃ．上記張り合わせた透明基板間に液晶材を注入して、
   液晶表示パネルとなす。 Ｄ．上記液晶表示パネルを水に浸漬し、超音波処理をお
   こなう。 Ｅ．液晶表示パネルをめっき液中に浸漬して、透明基板
   の非表示領域に形成した透明電極パターン上を無電解め
   っきする。 Ｆ．上記液晶表示パネルを水に浸漬し、再度超音波処理
   をおこなう。