JPH081794B2 - イオンビーム加工方法 - Google Patents
イオンビーム加工方法Info
- Publication number
- JPH081794B2 JPH081794B2 JP60182465A JP18246585A JPH081794B2 JP H081794 B2 JPH081794 B2 JP H081794B2 JP 60182465 A JP60182465 A JP 60182465A JP 18246585 A JP18246585 A JP 18246585A JP H081794 B2 JPH081794 B2 JP H081794B2
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- Japan
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- ion beam
- scanning
- workpiece
- processing method
- scanning direction
- Prior art date
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Description
【発明の詳細な説明】 Ａ 産業上の利用分野 本発明はイオンビームを被加工物に走査しながら照射
して、微小領域の観察加工を行なうイオンビーム照射加
工方法に関する。具体的には例えば半導体製造用マスク
の欠陥補修加工方法が挙げられるがこれに限られない。
して、微小領域の観察加工を行なうイオンビーム照射加
工方法に関する。具体的には例えば半導体製造用マスク
の欠陥補修加工方法が挙げられるがこれに限られない。
Ｂ 発明の概要 本発明はイオンビームを走査しながら被加物に照射
し、微細観察微細加工を行なうイオンビーム照射装置に
おいて、被加工物パタンの配置関係に応じてイオンビー
ムの走査方向を適宜選択できる構成とすることにより、
微細パタンの観察像を鮮明にし、微細加工精度を高める
ことができる。
し、微細観察微細加工を行なうイオンビーム照射装置に
おいて、被加工物パタンの配置関係に応じてイオンビー
ムの走査方向を適宜選択できる構成とすることにより、
微細パタンの観察像を鮮明にし、微細加工精度を高める
ことができる。
Ｃ 従来の技術 従来のイオンビーム照射装置には常に一定方向（例え
ば左上から右に向って順次下に移動するからイオンビー
ムのラスタスキヤン走査を行なうものが知られていた。
そしてイオンビームの走査に対応して被加工物表面から
発する２次荷電粒子を逐時検出しコンピュータ処理をし
て被加物表面の微細パタン画像再生を行なうのである。
ば左上から右に向って順次下に移動するからイオンビー
ムのラスタスキヤン走査を行なうものが知られていた。
そしてイオンビームの走査に対応して被加工物表面から
発する２次荷電粒子を逐時検出しコンピュータ処理をし
て被加物表面の微細パタン画像再生を行なうのである。
Ｄ 発明が解決しようとする問題点 しかしながら従来の走査方向が固定されたイオンビー
ム照射装置では被加工物表面の微細パタンの再生を正確
に行なうことができないという問題点がある。
ム照射装置では被加工物表面の微細パタンの再生を正確
に行なうことができないという問題点がある。
例えば第４図（Ａ）において、イオンビーム走査範囲
１のパタンが左半分の基板面２と右半分の金属面３より
構成されている場合がある。今イオンビームの走査が常
に左から右に向って行なわれているとする。イオンビー
ムが絶縁物たる基板面２を通過している間に絶縁物表面
が帯電する。その結果イオンビーム４が境界線５を通過
する際２次荷電粒子の検出がさまたげられ境界線の再生
画像が不鮮明になってしまう。
１のパタンが左半分の基板面２と右半分の金属面３より
構成されている場合がある。今イオンビームの走査が常
に左から右に向って行なわれているとする。イオンビー
ムが絶縁物たる基板面２を通過している間に絶縁物表面
が帯電する。その結果イオンビーム４が境界線５を通過
する際２次荷電粒子の検出がさまたげられ境界線の再生
画像が不鮮明になってしまう。
又第４図（Ｂ）に示すようにイオンビーム４が検出器
６から遠ざかる方向に走査される場合、金属面３と基板
面２の境界線５から発する２次荷電粒子が効果的に検出
されず再生画像が不鮮明になってしまう場合がある。
６から遠ざかる方向に走査される場合、金属面３と基板
面２の境界線５から発する２次荷電粒子が効果的に検出
されず再生画像が不鮮明になってしまう場合がある。
Ｅ 問題点を解決するための手段 本発明は上記した従来技術の問題点を解決することを
目的とする。
目的とする。
すなわちイオンビーム照射装置において観察すべき微
細パタンの形状や方位に合わせて、イオンビームの走査
方向を適宜選択することのできるイオンビーム走査制御
手段を備えたのである。
細パタンの形状や方位に合わせて、イオンビームの走査
方向を適宜選択することのできるイオンビーム走査制御
手段を備えたのである。
Ｆ 作用 再び第４図を用いて本発明の作用を説明する。第４図
（Ａ）においてイオンビーム４の走査方向を右から左と
なるように選択する。初め金属面３をイオンビームが照
射するがイオンビームによりもたらされた電荷は金属表
面３を移動するため帯電しない。従って境界線５をイオ
ンビームが通過する際、帯電の影響は無く検出器による
２次荷電粒子の検出はさまたげられない。
（Ａ）においてイオンビーム４の走査方向を右から左と
なるように選択する。初め金属面３をイオンビームが照
射するがイオンビームによりもたらされた電荷は金属表
面３を移動するため帯電しない。従って境界線５をイオ
ンビームが通過する際、帯電の影響は無く検出器による
２次荷電粒子の検出はさまたげられない。
又第４図（Ｂ）の場合、イオンビーム４の走査方向を
検出器６に向って右から左へと選ぶようにし、２次荷電
粒子の検出効率を増大させる。
検出器６に向って右から左へと選ぶようにし、２次荷電
粒子の検出効率を増大させる。
Ｇ 実施例 以下図面に基いて本発明の実施例を詳細に説明する。
第１図は本発明にかかるイオンビーム照射装置の全体
構成図である。
構成図である。
７はイオン源でありイオンビーム４を発する。８は走
査電極でありイオンビーム４をＸ及びＹ方向にラスタ走
査するため二組のＸ及びＹ電極からなっている。９は対
物レンズでありイオンビームの焦点を被加工物10の平面
上に合わせるものである。11はXYステージであり被加工
物10を載置して所望の位置に被加工物を移動させる。12
はガス銃であり所望により被加工物表面に有酸化合物蒸
気を吹きつけ、イオンビーム４で焼き付けて膜を形成す
るためのものである。13は検出器であって、イオンビー
ム４の照射により被加工物10表面から放出された２次荷
電粒子14（例えば２次電子又は２次イオン）の強度を検
出する。
査電極でありイオンビーム４をＸ及びＹ方向にラスタ走
査するため二組のＸ及びＹ電極からなっている。９は対
物レンズでありイオンビームの焦点を被加工物10の平面
上に合わせるものである。11はXYステージであり被加工
物10を載置して所望の位置に被加工物を移動させる。12
はガス銃であり所望により被加工物表面に有酸化合物蒸
気を吹きつけ、イオンビーム４で焼き付けて膜を形成す
るためのものである。13は検出器であって、イオンビー
ム４の照射により被加工物10表面から放出された２次荷
電粒子14（例えば２次電子又は２次イオン）の強度を検
出する。
さて15はイオンビーム走査制御回路であって走査電極
８の作動を制御する回路である。
８の作動を制御する回路である。
イオンビーム走査制御回路15には走査方向指定回路16
と走査範囲指定回路17の出力が入力されている。走査方
向指定回路16はマニアル操作によりイオンビームの走査
方向を設定するものである。本実施例では後に述べるよ
うに８つの異なった走査方向が選べる被加工物のパタン
配置、検出器との相対的位置関係に従って適宜選ばれ
る。走査範囲指定回路17は被加工物10の所望微少範囲を
マニアル操作により特定し、イオンビーム走査により観
察又は加工される範囲を設定する。
と走査範囲指定回路17の出力が入力されている。走査方
向指定回路16はマニアル操作によりイオンビームの走査
方向を設定するものである。本実施例では後に述べるよ
うに８つの異なった走査方向が選べる被加工物のパタン
配置、検出器との相対的位置関係に従って適宜選ばれ
る。走査範囲指定回路17は被加工物10の所望微少範囲を
マニアル操作により特定し、イオンビーム走査により観
察又は加工される範囲を設定する。
18はイオンビーム走査回路であり、イオンビーム走査
制御回路により制御され且、オアゲート19を介して走査
電極８に作動電圧を供給する。イオンビーム走査回路18
にはａからｈまでの８つの端子があり、各々第２図に示
すような作動電圧を選択的にオアゲート19に供給する。
第２図ａの波形は最も基本的なラスタスキヤン用のもの
で、イオンビームのスポツトをXY平面上において、左か
ら右へ走査し、かつ走査線は順次上から下に移動する。
同ｂはａと比してＹ電極に加わる電圧（以下Ｙ波形とい
う）の傾きが逆になっている。従ってイオンビームのス
ポツトはXY平面上において左から右へ移動し、かつ走査
線は順次下から上に移動する。同様にしてＣではイオン
ビームスポツトはａと逆に右から左へ移動し、かつスポ
ツトの軌跡たる走査線は上から下に移動する。ｄではス
ポツトはＣと同様右から左へ移動しかつ走査線は下から
上に移動する。e,f,g及びｈはa,b,c及びｄに対してＸ波
形とＹ波形が入れかわったもので、イオンビームスポツ
トは上下に移動し、かつスポツトの軌跡たる走査線は順
次左右のいずれかの方向に移動する。イオンビーム走査
制御回路15の出力に応じて、イオンビーム走査回路18は
ａからｈまでのXY波形の組の一組をオアゲート19を介し
て、走査電極８に供給する。しかしてイオンビーム４の
操作方向を適宜選択することが可能となる。
制御回路により制御され且、オアゲート19を介して走査
電極８に作動電圧を供給する。イオンビーム走査回路18
にはａからｈまでの８つの端子があり、各々第２図に示
すような作動電圧を選択的にオアゲート19に供給する。
第２図ａの波形は最も基本的なラスタスキヤン用のもの
で、イオンビームのスポツトをXY平面上において、左か
ら右へ走査し、かつ走査線は順次上から下に移動する。
同ｂはａと比してＹ電極に加わる電圧（以下Ｙ波形とい
う）の傾きが逆になっている。従ってイオンビームのス
ポツトはXY平面上において左から右へ移動し、かつ走査
線は順次下から上に移動する。同様にしてＣではイオン
ビームスポツトはａと逆に右から左へ移動し、かつスポ
ツトの軌跡たる走査線は上から下に移動する。ｄではス
ポツトはＣと同様右から左へ移動しかつ走査線は下から
上に移動する。e,f,g及びｈはa,b,c及びｄに対してＸ波
形とＹ波形が入れかわったもので、イオンビームスポツ
トは上下に移動し、かつスポツトの軌跡たる走査線は順
次左右のいずれかの方向に移動する。イオンビーム走査
制御回路15の出力に応じて、イオンビーム走査回路18は
ａからｈまでのXY波形の組の一組をオアゲート19を介し
て、走査電極８に供給する。しかしてイオンビーム４の
操作方向を適宜選択することが可能となる。
次にイオンビームの走査により順次発生した２次荷電
粒子14の強度が検出器13により検出される。検出データ
はA/D変換器20によってビツトデータに変換され、パタ
ン記憶回路21にビツトマツプとして記憶される。このビ
ツトマツプに従って表示装置22に被加工物10の所定範囲
の微少パタン画像が再生される。この際表示装置22は電
子線ラスタスキヤン方式のブラウン管が使われている。
そしてこの電子線をラスタスキヤンするための表示駆動
回路23は、イオンビーム走査回路18の出力と同期してい
る。しかして被加工物10の実際のパタンと拡大相似のパ
タン画像が、同一のスキヤン方式により忠実に再現され
るのである。
粒子14の強度が検出器13により検出される。検出データ
はA/D変換器20によってビツトデータに変換され、パタ
ン記憶回路21にビツトマツプとして記憶される。このビ
ツトマツプに従って表示装置22に被加工物10の所定範囲
の微少パタン画像が再生される。この際表示装置22は電
子線ラスタスキヤン方式のブラウン管が使われている。
そしてこの電子線をラスタスキヤンするための表示駆動
回路23は、イオンビーム走査回路18の出力と同期してい
る。しかして被加工物10の実際のパタンと拡大相似のパ
タン画像が、同一のスキヤン方式により忠実に再現され
るのである。
第３図は本発明の他の実施例を表わす全体構成図であ
る。第１図と同一の番号の付された部分は同一の機能を
果たす さて検出器13により検出された２次荷電粒子14の強度
アナログデータは増幅器24により増幅された後A/Dコン
バータによりデジタルビツトデータに変換される。この
デジタルビツトデータは、時系列に従って、CPU25に取
り込まれ次いでビデオRAM26のビツトマツプ上に記憶さ
れる。次にCPU25は走査方向指定回路16に入力されたら
指示に従って該ビツトマツプからデジタルビツトデータ
を読みだし、表示装置22に供給し、パタン画像を再生す
る。この際仮にイオンビーム走査が左から右に行なわれ
かつイオンビームの軌跡たる走査ラインが上から下に移
動するよう指示されている場合には、ビツトマツプから
のデジタルドツトデータの読み出しは、ビツトマツプ上
で左上の点から始まり右に移動する。そして順次下段に
移動する。このようにすれば、被加工物10のパタンは、
イオンビームの走査方向にかかわらず常に忠実に相似固
形として再生されることとなる。なおCPU25は走査方向
指定回路16の入力に応じたデジタル走査波形を作りだ
し、データレジスタ27に供給する。データレジスタ27の
デジタルデータはD/Aコンバータ28によりアナログ電圧
値に変換され、作動電圧として、走査電極８に印加され
る。その結果所望のイオンビーム走査方向が設定でき
る。
る。第１図と同一の番号の付された部分は同一の機能を
果たす さて検出器13により検出された２次荷電粒子14の強度
アナログデータは増幅器24により増幅された後A/Dコン
バータによりデジタルビツトデータに変換される。この
デジタルビツトデータは、時系列に従って、CPU25に取
り込まれ次いでビデオRAM26のビツトマツプ上に記憶さ
れる。次にCPU25は走査方向指定回路16に入力されたら
指示に従って該ビツトマツプからデジタルビツトデータ
を読みだし、表示装置22に供給し、パタン画像を再生す
る。この際仮にイオンビーム走査が左から右に行なわれ
かつイオンビームの軌跡たる走査ラインが上から下に移
動するよう指示されている場合には、ビツトマツプから
のデジタルドツトデータの読み出しは、ビツトマツプ上
で左上の点から始まり右に移動する。そして順次下段に
移動する。このようにすれば、被加工物10のパタンは、
イオンビームの走査方向にかかわらず常に忠実に相似固
形として再生されることとなる。なおCPU25は走査方向
指定回路16の入力に応じたデジタル走査波形を作りだ
し、データレジスタ27に供給する。データレジスタ27の
デジタルデータはD/Aコンバータ28によりアナログ電圧
値に変換され、作動電圧として、走査電極８に印加され
る。その結果所望のイオンビーム走査方向が設定でき
る。
Ｈ 発明の効果 以上述べたように本発明によれば、被加工物表面のパ
タンの配置関係（すなわち絶縁物パタンと金属面パタン
の組合わせ）や、被加工物表面と検出器との相対的位置
関係に応じて、適宜イオンビームの走査方向を選択でき
る構成としたため、イオンビームによる被加工物帯電の
悪影響が除け、又検出器の感度を増大させ、その結果、
微細パターンの観察像が鮮明となり又微細加工精度が高
まるという効果がある。
タンの配置関係（すなわち絶縁物パタンと金属面パタン
の組合わせ）や、被加工物表面と検出器との相対的位置
関係に応じて、適宜イオンビームの走査方向を選択でき
る構成としたため、イオンビームによる被加工物帯電の
悪影響が除け、又検出器の感度を増大させ、その結果、
微細パターンの観察像が鮮明となり又微細加工精度が高
まるという効果がある。
又パタンの再生画像はイオンビームの走査方向の違い
にかかわらず、常に実際の被加工物パタンの方位に対応
しているため、像解析が極めて容易に行なえるという効
果がある。
にかかわらず、常に実際の被加工物パタンの方位に対応
しているため、像解析が極めて容易に行なえるという効
果がある。
第１図は本発明にかかるイオンビーム照射装置の全体構
成図、第２図はイオンビーム走査電極印加波形図、第３
図は他の実施例の全体構成図、第４図は従来のイオン走
査方法を示す図である。 ７……イオン源 ８……走査電極 13……検出器 15……イオンビーム走査制御回路 16……走査方向指定回路 18……イオンビーム走査回路 22……表示装置
成図、第２図はイオンビーム走査電極印加波形図、第３
図は他の実施例の全体構成図、第４図は従来のイオン走
査方法を示す図である。 ７……イオン源 ８……走査電極 13……検出器 15……イオンビーム走査制御回路 16……走査方向指定回路 18……イオンビーム走査回路 22……表示装置
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 相田 和男 東京都江東区亀戸６丁目31番１号 セイコ ー電子工業株式会社内 (56)参考文献 特開 昭52−55374（ＪＰ，Ａ)
Claims (3)
- 【請求項１】表面に絶縁物と導電物が形成されている被
加工物表面に、イオンビーム走査回路によりラスタ走査
させながらイオンビームを照射し、 前記イオンビーム照射により被加工物表面から発生する
２次電荷粒子を検出器により検出し、 前記検出器からの出力に応じて被加工物のパタンを表示
装置に表示し、 前記被加工物の表面の絶縁物と導電物の配置により、前
記ラスタ走査の走査方向を選択することを特徴とするイ
オンビーム加工方法。 - 【請求項２】前記選択されたラスタ走査の走査方向は、
導電物方向から絶縁物方向の走査方向である特許請求の
範囲第１項記載のイオンビーム加工方法。 - 【請求項３】前記被加工物は半導体製造用のマスクであ
る特許請求の範囲第１項記載のイオンビーム加工方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60182465A JPH081794B2 (ja) | 1985-08-20 | 1985-08-20 | イオンビーム加工方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60182465A JPH081794B2 (ja) | 1985-08-20 | 1985-08-20 | イオンビーム加工方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6243055A JPS6243055A (ja) | 1987-02-25 |
| JPH081794B2 true JPH081794B2 (ja) | 1996-01-10 |
Family
ID=16118734
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60182465A Expired - Lifetime JPH081794B2 (ja) | 1985-08-20 | 1985-08-20 | イオンビーム加工方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH081794B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2015025552A1 (ja) | 2013-08-23 | 2015-02-26 | 国立大学法人神戸大学 | 油脂成分を産生する方法、及び高級不飽和脂肪酸の製造方法 |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0664338B2 (ja) * | 1988-02-02 | 1994-08-22 | 三菱電機株式会社 | 薄膜パターンの修正方法およびその方法によって修正された露光用マスク |
| CA2020903C (en) * | 1989-07-13 | 1994-04-12 | Hirofumi Ohuchi | Engine revolution control apparatus for vehicle |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5255374A (en) * | 1975-10-31 | 1977-05-06 | Hitachi Ltd | Monitor unit |
-
1985
- 1985-08-20 JP JP60182465A patent/JPH081794B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2015025552A1 (ja) | 2013-08-23 | 2015-02-26 | 国立大学法人神戸大学 | 油脂成分を産生する方法、及び高級不飽和脂肪酸の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6243055A (ja) | 1987-02-25 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
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