JPH08190200A - Ｓｉ含有薄膜の形成方法および該薄膜のパターン形成方法 - Google Patents
Ｓｉ含有薄膜の形成方法および該薄膜のパターン形成方法Info
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- JPH08190200A JPH08190200A JP7001134A JP113495A JPH08190200A JP H08190200 A JPH08190200 A JP H08190200A JP 7001134 A JP7001134 A JP 7001134A JP 113495 A JP113495 A JP 113495A JP H08190200 A JPH08190200 A JP H08190200A
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- film
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- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 高価な成膜装置を用いずに、よりＯ2 −ＲＩ
Ｅ耐性に優れたＳｉ含有の薄膜を形成する方法を提供す
る。 【構成】 下地１０上にアルコキシ基を有するポリ（シ
ロキサン）誘導体と露光により酸を発生する酸発生剤と
を含む感光性樹脂組成物の膜１２を形成する。この膜１
２を露光する。露光済の膜１２ａに対し加熱処理を行
う。
Ｅ耐性に優れたＳｉ含有の薄膜を形成する方法を提供す
る。 【構成】 下地１０上にアルコキシ基を有するポリ（シ
ロキサン）誘導体と露光により酸を発生する酸発生剤と
を含む感光性樹脂組成物の膜１２を形成する。この膜１
２を露光する。露光済の膜１２ａに対し加熱処理を行
う。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、半導体装置等の製造
に用いられるＳｉ含有薄膜の形成方法および該薄膜のパ
ターン形成方法に関するものである。
に用いられるＳｉ含有薄膜の形成方法および該薄膜のパ
ターン形成方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】例えば半導体装置を製造する場合、その
層間絶縁膜等としてＳｉ（珪素）含有の薄膜（理想的に
はＳｉＯ2 膜）が多用されている。ここで、層間絶縁膜
等として使用されるＳｉ含有薄膜は、従来一般には、プ
ラズマＣＶＤ法やスパッタリング法などによって形成さ
れていた。また、多層レジストプロセスにおいても、Ｓ
ｉ含有の薄膜は利用されている。例えば３層レジストプ
ロセスでは中間層としてスパッタリング法によるＳｉ含
有薄膜が用いられている（文献Ｉ（J.Vac.Scl.Techno
l.,Vol.16,Nov./Dec.1979 ）。また、半導体装置の製造
技術の１つである例えば２層レジストプロセスにおいて
は、その上層レジストパターンとしてＳｉ（珪素）含有
の薄膜（理想的にはＳｉＯ2 膜）のパターンが使用され
る。この薄膜にＳｉ含有の感光性樹脂を用いて上層レジ
ストパターンを形成した例として、文献ＩＩ（Journal
of Electrochemical Society(シ゛ャーナル オフ゛ エレクトロケミカル ソサ
エティ)：SOLID-STATE SCIENCE AND TECHNOLOGY,VOL.132,N
o.5,1985,pp.1178〜1182）に開示されたものがある。こ
の文献ＩＩには、２層レジストプロセスの上層レジスト
としてポリ（トリメチルシリルメチルメタクリレート−
３−オキシミノ−２−ブタノン）共重合体を用いる例が
報告されている。
層間絶縁膜等としてＳｉ（珪素）含有の薄膜（理想的に
はＳｉＯ2 膜）が多用されている。ここで、層間絶縁膜
等として使用されるＳｉ含有薄膜は、従来一般には、プ
ラズマＣＶＤ法やスパッタリング法などによって形成さ
れていた。また、多層レジストプロセスにおいても、Ｓ
ｉ含有の薄膜は利用されている。例えば３層レジストプ
ロセスでは中間層としてスパッタリング法によるＳｉ含
有薄膜が用いられている（文献Ｉ（J.Vac.Scl.Techno
l.,Vol.16,Nov./Dec.1979 ）。また、半導体装置の製造
技術の１つである例えば２層レジストプロセスにおいて
は、その上層レジストパターンとしてＳｉ（珪素）含有
の薄膜（理想的にはＳｉＯ2 膜）のパターンが使用され
る。この薄膜にＳｉ含有の感光性樹脂を用いて上層レジ
ストパターンを形成した例として、文献ＩＩ（Journal
of Electrochemical Society(シ゛ャーナル オフ゛ エレクトロケミカル ソサ
エティ)：SOLID-STATE SCIENCE AND TECHNOLOGY,VOL.132,N
o.5,1985,pp.1178〜1182）に開示されたものがある。こ
の文献ＩＩには、２層レジストプロセスの上層レジスト
としてポリ（トリメチルシリルメチルメタクリレート−
３−オキシミノ−２−ブタノン）共重合体を用いる例が
報告されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、プラズ
マＣＶＤ法やスパッタリング法によりＳｉ含有の薄膜を
形成する場合、高価な成膜装置が必要であり、また例え
ば成膜室を減圧するための時間がかかる等の問題点があ
った。
マＣＶＤ法やスパッタリング法によりＳｉ含有の薄膜を
形成する場合、高価な成膜装置が必要であり、また例え
ば成膜室を減圧するための時間がかかる等の問題点があ
った。
【０００４】また、Ｓｉ含有薄膜のパターンを形成する
ための文献ＩＩの方法では、上層レジストに用いる感光
性樹脂組成物の珪素含有率が９．６重量％と低いため
（例えば文献ＩＩのTable II参照）、形成されたパター
ンは、Ｏ2 −ＲＩＥによるエッチング速度が１５ｎｍ／
分と速く、Ｏ2 −ＲＩＥ耐性の点で必ずしも満足のゆく
ものではなかった。
ための文献ＩＩの方法では、上層レジストに用いる感光
性樹脂組成物の珪素含有率が９．６重量％と低いため
（例えば文献ＩＩのTable II参照）、形成されたパター
ンは、Ｏ2 −ＲＩＥによるエッチング速度が１５ｎｍ／
分と速く、Ｏ2 −ＲＩＥ耐性の点で必ずしも満足のゆく
ものではなかった。
【０００５】そこで、高価な成膜装置を用いずに、より
優れたＯ2 −ＲＩＥ耐性を有するＳｉ含有の薄膜及びそ
のパターンを形成する方法が望まれていた。
優れたＯ2 −ＲＩＥ耐性を有するＳｉ含有の薄膜及びそ
のパターンを形成する方法が望まれていた。
【０００６】
【課題を解決するための手段】このため、この出願の第
１発明によれば、下地上にＳｉ（珪素）含有薄膜を形成
する方法において、下地上にアルコキシ基を有するポリ
（シロキサン）誘導体と露光により酸を発生する酸発生
剤とを含む感光性樹脂組成物の膜を形成する工程と、こ
の膜を露光する工程と、この露光済みの膜に対し加熱処
理を行う工程とを含むことを特徴とする。
１発明によれば、下地上にＳｉ（珪素）含有薄膜を形成
する方法において、下地上にアルコキシ基を有するポリ
（シロキサン）誘導体と露光により酸を発生する酸発生
剤とを含む感光性樹脂組成物の膜を形成する工程と、こ
の膜を露光する工程と、この露光済みの膜に対し加熱処
理を行う工程とを含むことを特徴とする。
【０００７】また、この出願の第２発明によれば、下地
上にＳｉ（珪素）含有薄膜のパターンを形成する方法に
おいて、下地上にアルコキシ基を有するポリ（シロキサ
ン）誘導体と露光により酸を発生する酸発生剤とを含む
感光性樹脂組成物の膜を形成する工程と、この膜の残存
させたい部分を選択的に露光する工程と、この露光済み
の膜を加熱処理する工程と、この加熱処理済みの膜を現
像する工程とを含むことを特徴とする。
上にＳｉ（珪素）含有薄膜のパターンを形成する方法に
おいて、下地上にアルコキシ基を有するポリ（シロキサ
ン）誘導体と露光により酸を発生する酸発生剤とを含む
感光性樹脂組成物の膜を形成する工程と、この膜の残存
させたい部分を選択的に露光する工程と、この露光済み
の膜を加熱処理する工程と、この加熱処理済みの膜を現
像する工程とを含むことを特徴とする。
【０００８】また、第１及び第２発明でいうアルコキシ
基を有するポリ（シロキサン）誘導体とは、例えば、上
述の（１）式で示されるもの、上述の（２）式で示され
るもの及び上述の（１）式で示されるものと上述の
（２）式で示されるものとの共重合体から選ばれる１ま
たは複数のものであることができる。ただし、（１）
式、（２）式中のＲ1 、Ｒ2 、Ｒ5 及びＲの6 各々はア
ルキル基を表し、同一でも異なっていても良い。また、
ｍ，ｎは重合度を示す正の整数である。このようなポリ
（シロキサン）誘導体の具体例として、例えばこの出願
に係る出願人によって特願平４−１７５８８号（特開平
５−２１６２３７号）に提案している化合物が挙げられ
る。この化合物は、重合条件を変えることにより重量平
均分子量が５００〜１００，０００程度のものまで制御
性良く得ることができる。
基を有するポリ（シロキサン）誘導体とは、例えば、上
述の（１）式で示されるもの、上述の（２）式で示され
るもの及び上述の（１）式で示されるものと上述の
（２）式で示されるものとの共重合体から選ばれる１ま
たは複数のものであることができる。ただし、（１）
式、（２）式中のＲ1 、Ｒ2 、Ｒ5 及びＲの6 各々はア
ルキル基を表し、同一でも異なっていても良い。また、
ｍ，ｎは重合度を示す正の整数である。このようなポリ
（シロキサン）誘導体の具体例として、例えばこの出願
に係る出願人によって特願平４−１７５８８号（特開平
５−２１６２３７号）に提案している化合物が挙げられ
る。この化合物は、重合条件を変えることにより重量平
均分子量が５００〜１００，０００程度のものまで制御
性良く得ることができる。
【０００９】また、酸発生剤は露光により酸を発生する
物質であるならば特定されない。例えば、下記の（３）
式で表されるスルホニウム塩および（４）式で表される
ヨードニウム塩などのオニウム塩、（５）式で表される
ｐ−トルエンスルホナート、（６）式で表されるトリク
ロロメチル置換トリアジン、（７）式で表されるトリク
ロロメチル置換ベンゼンは、酸発生剤として用い得る。
物質であるならば特定されない。例えば、下記の（３）
式で表されるスルホニウム塩および（４）式で表される
ヨードニウム塩などのオニウム塩、（５）式で表される
ｐ−トルエンスルホナート、（６）式で表されるトリク
ロロメチル置換トリアジン、（７）式で表されるトリク
ロロメチル置換ベンゼンは、酸発生剤として用い得る。
【００１０】
【化３】
【００１１】
【化４】
【００１２】これら酸発生剤は、市販されているか、ま
たは、Ｊ．Ｖ．Ｃｒｉｖｅｌｌｏ等による合成方法（例
えば文献III ：ジャーナル オブ ポリマー サイエン
ス，ポリマー ケミストリー エディション（Ｊ．Ｐｏ
ｌｙｍｅｒ Ｓｃｉ．，Ｐｏｌｙｍｅｒ Ｃｈｅｍ．Ｅ
ｄ．，１８，２６７７（１９８０））や、Ｔ．Ｅｎｄｏ
等による合成方法（例えば文献IV：ジャーナル オブ
ポリマー サイエンス，ポリマー ケミストリー エデ
ィション（Ｊ．Ｐｏｌｙｍｅｒ Ｓｃｉ．，Ｐｏｌｙｍ
ｅｒ Ｃｈｅｍ．Ｅｄ．，２３，３５９（１９８５））
に従って合成することが出来る。
たは、Ｊ．Ｖ．Ｃｒｉｖｅｌｌｏ等による合成方法（例
えば文献III ：ジャーナル オブ ポリマー サイエン
ス，ポリマー ケミストリー エディション（Ｊ．Ｐｏ
ｌｙｍｅｒ Ｓｃｉ．，Ｐｏｌｙｍｅｒ Ｃｈｅｍ．Ｅ
ｄ．，１８，２６７７（１９８０））や、Ｔ．Ｅｎｄｏ
等による合成方法（例えば文献IV：ジャーナル オブ
ポリマー サイエンス，ポリマー ケミストリー エデ
ィション（Ｊ．Ｐｏｌｙｍｅｒ Ｓｃｉ．，Ｐｏｌｙｍ
ｅｒ Ｃｈｅｍ．Ｅｄ．，２３，３５９（１９８５））
に従って合成することが出来る。
【００１３】これら酸発生剤を適当に選択することによ
り種々の露光源に容易に対応することが出来る。この酸
発生剤は、ポリ（シロキサン）の重量に対し、その下限
を０．０１％、好ましくは０．０５％、上限を５０％、
好ましくは３０％の範囲で添加するのが良い。この範囲
を外れると、当該放射線感応性樹脂組成物の成膜に高温
を必要としたり、塗布膜が脆弱になったりする恐れがあ
るからである。
り種々の露光源に容易に対応することが出来る。この酸
発生剤は、ポリ（シロキサン）の重量に対し、その下限
を０．０１％、好ましくは０．０５％、上限を５０％、
好ましくは３０％の範囲で添加するのが良い。この範囲
を外れると、当該放射線感応性樹脂組成物の成膜に高温
を必要としたり、塗布膜が脆弱になったりする恐れがあ
るからである。
【００１４】また、これら第１及び第２の発明に用いる
感光性樹脂組成物は、架橋剤を更にに含むものであって
も良い。架橋剤としては、例えば下記の（８）式で示さ
れるものが好適である。この架橋剤はケイ素を含むの
で、そうでないものを用いる場合に比べ、感光性樹脂組
成物のケイ素含有率が架橋剤を含む構成としたことで低
下するのを抑制できるからである。ただし、（８）式に
おいて、ｊ，ｋ，ｌ（エル）おのおのは、ｊ≧１、２≦
ｋ≦２（ｊ＋１）、ｌ＝２（ｊ＋１）−ｋを満足する正
の整数を表す。ＲA は水素、アルキル基、アリール基ま
たはアルケニル基を表し、ｋ個のＲA は同一でも異なっ
ても良い。ＲB は１価の炭化水素基または水素を表し、
ｌ（エル）個のＲB は同じでも異なっても良い。
感光性樹脂組成物は、架橋剤を更にに含むものであって
も良い。架橋剤としては、例えば下記の（８）式で示さ
れるものが好適である。この架橋剤はケイ素を含むの
で、そうでないものを用いる場合に比べ、感光性樹脂組
成物のケイ素含有率が架橋剤を含む構成としたことで低
下するのを抑制できるからである。ただし、（８）式に
おいて、ｊ，ｋ，ｌ（エル）おのおのは、ｊ≧１、２≦
ｋ≦２（ｊ＋１）、ｌ＝２（ｊ＋１）−ｋを満足する正
の整数を表す。ＲA は水素、アルキル基、アリール基ま
たはアルケニル基を表し、ｋ個のＲA は同一でも異なっ
ても良い。ＲB は１価の炭化水素基または水素を表し、
ｌ（エル）個のＲB は同じでも異なっても良い。
【００１５】 （ＲA Ｏ）k ＲB lＳｉj Ｏ(j-l) ・・・（８） また、架橋剤は用いるポリ（シロキサン）誘導体の重量
に対し、その下限を０．０５％、上限を５０％好ましく
は３０％の範囲で添加するのが良い。この範囲を外れる
と、当該放射線感応性樹脂組成物の成膜に高温を必要と
したり、塗布膜が脆弱になったりするからである。架橋
剤を用いると、ポリ（シロキサン）誘導体および酸発生
剤の二成分系では達成出来ない高感度の感光性樹脂組成
物が得られる。
に対し、その下限を０．０５％、上限を５０％好ましく
は３０％の範囲で添加するのが良い。この範囲を外れる
と、当該放射線感応性樹脂組成物の成膜に高温を必要と
したり、塗布膜が脆弱になったりするからである。架橋
剤を用いると、ポリ（シロキサン）誘導体および酸発生
剤の二成分系では達成出来ない高感度の感光性樹脂組成
物が得られる。
【００１６】なお、感光性樹脂組成物の使用にあたって
スピンコート法により当該組成物を基板上に塗布しこの
皮膜を基板上に形成する場合は、そのための塗布溶液調
製のための溶剤が必要になる。この溶剤としては、例え
ば、２−メトキシ酢酸エチル、モノクロロベンゼン、キ
シレン、ジオキサン、メチルイソブチルケトン（ＭＩＢ
Ｋ）、酢酸イソアミル等を挙げることが出来る。
スピンコート法により当該組成物を基板上に塗布しこの
皮膜を基板上に形成する場合は、そのための塗布溶液調
製のための溶剤が必要になる。この溶剤としては、例え
ば、２−メトキシ酢酸エチル、モノクロロベンゼン、キ
シレン、ジオキサン、メチルイソブチルケトン（ＭＩＢ
Ｋ）、酢酸イソアミル等を挙げることが出来る。
【００１７】また、第１発明において露光済のＳｉ含有
薄膜であって現像前の薄膜に対しなされる加熱処理での
加熱温度は、その下限を４０℃好ましくは６０℃とする
のが良い。また、上限温度は下地への影響がなければ特
に特定されず設計に応じた任意の温度とできる。下限４
０℃としているのは、加熱温度が４０℃より低いと酸発
生剤から発生した酸と樹脂との反応が効率良く進まず、
また、４０℃より低い温度で効率良く樹脂と反応する酸
発生剤では感光性樹脂組成物の保存安定性自体が問題と
なるからである。
薄膜であって現像前の薄膜に対しなされる加熱処理での
加熱温度は、その下限を４０℃好ましくは６０℃とする
のが良い。また、上限温度は下地への影響がなければ特
に特定されず設計に応じた任意の温度とできる。下限４
０℃としているのは、加熱温度が４０℃より低いと酸発
生剤から発生した酸と樹脂との反応が効率良く進まず、
また、４０℃より低い温度で効率良く樹脂と反応する酸
発生剤では感光性樹脂組成物の保存安定性自体が問題と
なるからである。
【００１８】また、第２発明において露光済のＳｉ含有
薄膜であって現像前の薄膜に対しなされる加熱処理での
加熱温度は、好ましくは４０〜３００℃とするのが良
い。なぜなら、既に説明したように加熱温度が４０℃よ
り低いと酸発生剤から発生した酸と樹脂との反応が効率
良く進まず、また、４０℃より低い温度で効率良く樹脂
と反応する酸発生剤では感光性樹脂組成物の保存安定性
自体が問題となるからである。また、加熱温度が３００
℃より高いと酸発生剤が熱分解する危険があり、このた
めパターンが劣化する若しくはパターン形成ができない
恐れがあるからである。
薄膜であって現像前の薄膜に対しなされる加熱処理での
加熱温度は、好ましくは４０〜３００℃とするのが良
い。なぜなら、既に説明したように加熱温度が４０℃よ
り低いと酸発生剤から発生した酸と樹脂との反応が効率
良く進まず、また、４０℃より低い温度で効率良く樹脂
と反応する酸発生剤では感光性樹脂組成物の保存安定性
自体が問題となるからである。また、加熱温度が３００
℃より高いと酸発生剤が熱分解する危険があり、このた
めパターンが劣化する若しくはパターン形成ができない
恐れがあるからである。
【００１９】
【作用】この出願の第１及び第２発明によれば、アルコ
キシ基を有するポリ（シロキサン）誘導体と露光により
酸を発生する酸発生剤とを含む感光性樹脂組成物の膜を
形成する。この膜を露光加熱することにより露光された
部分においてポリ（シロキサン）誘導体が有しているア
ルコキシ基のＣ−Ｏ−Ｓｉ結合が切断されシラノールが
生成される。そして、シラノールは縮合し易いので、こ
の感光性樹脂組成物の露光された部分はゲル化される。
このため、第１発明ではＳｉＯ2 化された薄膜が形成さ
れる。
キシ基を有するポリ（シロキサン）誘導体と露光により
酸を発生する酸発生剤とを含む感光性樹脂組成物の膜を
形成する。この膜を露光加熱することにより露光された
部分においてポリ（シロキサン）誘導体が有しているア
ルコキシ基のＣ−Ｏ−Ｓｉ結合が切断されシラノールが
生成される。そして、シラノールは縮合し易いので、こ
の感光性樹脂組成物の露光された部分はゲル化される。
このため、第１発明ではＳｉＯ2 化された薄膜が形成さ
れる。
【００２０】また、第２発明では、上記組成物に対し選
択的に露光をし、その後この試料に対して加熱処理を行
う。この一連の処理により感光性樹脂組成物の膜の内の
選択露光された部分が現像液に対し不溶化する。また、
この第２発明では加熱処理済の膜を現像するので、感光
性樹脂組成物の膜内の不溶化された部分以外の部分は除
去させる。このため、下地上にＳｉＯ2 化された薄膜の
パターンが形成される。
択的に露光をし、その後この試料に対して加熱処理を行
う。この一連の処理により感光性樹脂組成物の膜の内の
選択露光された部分が現像液に対し不溶化する。また、
この第２発明では加熱処理済の膜を現像するので、感光
性樹脂組成物の膜内の不溶化された部分以外の部分は除
去させる。このため、下地上にＳｉＯ2 化された薄膜の
パターンが形成される。
【００２１】
【実施例】以下、この出願の第１発明であるＳｉ含有薄
膜の形成方法及び第２発明であるＳｉ含有薄膜のパター
ン形成方法の各実施例についてそれぞれ説明する。な
お、図１、図２及び図３はこの発明が理解できる程度に
各構成成分の形状、大きさ及び配置関係を概略的に示し
てあるに過ぎない。従って、これらの実施例に何ら限定
されるものではない。また、以下の説明中で述べる、使
用材料及び材料の使用量、処理時間、温度、膜厚等の数
値的条件は、この発明の範囲内の好適例にすぎない。従
って、この発明がこれら条件にのみ限定されるものでな
いことは理解されたい。
膜の形成方法及び第２発明であるＳｉ含有薄膜のパター
ン形成方法の各実施例についてそれぞれ説明する。な
お、図１、図２及び図３はこの発明が理解できる程度に
各構成成分の形状、大きさ及び配置関係を概略的に示し
てあるに過ぎない。従って、これらの実施例に何ら限定
されるものではない。また、以下の説明中で述べる、使
用材料及び材料の使用量、処理時間、温度、膜厚等の数
値的条件は、この発明の範囲内の好適例にすぎない。従
って、この発明がこれら条件にのみ限定されるものでな
いことは理解されたい。
【００２２】［第１発明のＳｉ含有薄膜の形成方法］ 第１発明の第１実施例 第１発明の第１実施例について図１の（Ａ）〜（Ｃ）の
断面図をもって示した工程図を参照して説明する。
断面図をもって示した工程図を参照して説明する。
【００２３】先ず、下地１０としてシリコン（Ｓｉ）ウ
エハを用いる。以下、下地１０をＳｉウエハと称する。
このＳｉウエハ１０上にアルコキシ基を有するポリ（シ
ロキサン）誘導体と露光により酸を発生する酸発生剤と
を含む感光性樹脂組成物の膜１２を形成する。この第１
実施例では、感光性樹脂組成物の膜１２の形成に用いる
塗布液を以下のように調製した。末端がすべて水酸基で
あり側鎖がアルコキシ基の一種としてのｔ−ブトキシ基
（ｔ−Ｂｕ基）であるポリ（ジ−ｔ−ブトキシシロキサ
ン）［下記（９）式参照］であって重量平均分子量が１
０，０００のもの１９０ｇと、酸発生剤の一種である下
記（１０）式で表されるトリフェニルスルホニウムトリ
フレート（ＰＨ3 Ｓ+ ＯＴｆ- ）８．２５ｇ（０．０２
ｍｏｌ）とを、モノクロロベンゼン１７８０ｇに溶解
し、この溶液を穴径０．２μｍの孔を有するメンブレン
フィルタで濾過することにより感光性樹脂組成物の塗布
溶液を調製する。
エハを用いる。以下、下地１０をＳｉウエハと称する。
このＳｉウエハ１０上にアルコキシ基を有するポリ（シ
ロキサン）誘導体と露光により酸を発生する酸発生剤と
を含む感光性樹脂組成物の膜１２を形成する。この第１
実施例では、感光性樹脂組成物の膜１２の形成に用いる
塗布液を以下のように調製した。末端がすべて水酸基で
あり側鎖がアルコキシ基の一種としてのｔ−ブトキシ基
（ｔ−Ｂｕ基）であるポリ（ジ−ｔ−ブトキシシロキサ
ン）［下記（９）式参照］であって重量平均分子量が１
０，０００のもの１９０ｇと、酸発生剤の一種である下
記（１０）式で表されるトリフェニルスルホニウムトリ
フレート（ＰＨ3 Ｓ+ ＯＴｆ- ）８．２５ｇ（０．０２
ｍｏｌ）とを、モノクロロベンゼン１７８０ｇに溶解
し、この溶液を穴径０．２μｍの孔を有するメンブレン
フィルタで濾過することにより感光性樹脂組成物の塗布
溶液を調製する。
【００２４】
【化５】
【００２５】次に、この塗布溶液を回転塗布法によって
Ｓｉウエハ１０上に０．２μｍの膜厚に塗布し、感光性
樹脂組成物の膜１２を形成する（図１の（Ａ））。
Ｓｉウエハ１０上に０．２μｍの膜厚に塗布し、感光性
樹脂組成物の膜１２を形成する（図１の（Ａ））。
【００２６】次に、この図１の（Ａ）の構造体をホット
プレート上で８０℃の温度で１分間プリベークする。そ
の後、プリベーク後の感光性樹脂組成物の膜１２を露光
する。このときの露光にはＸｅ−Ｈｇランプ（ＣＭ２５
０コールドミラー装着のもの）を用い、比較的広い範囲
に渡って露光する。ここで比較的広い範囲に渡って露光
するとは、後にＩＲスペクトルの測定が出来る程度に大
面積に露光する意味であり、もちろん、ウエハ全面を露
光しても良いし、ウエハ表面の一部分を露光しても良
い。ただし、第１実施例ではウエハ全面を露光してい
る。そのときの露光量は９ｍＪ／ｃｍ2 とした。
プレート上で８０℃の温度で１分間プリベークする。そ
の後、プリベーク後の感光性樹脂組成物の膜１２を露光
する。このときの露光にはＸｅ−Ｈｇランプ（ＣＭ２５
０コールドミラー装着のもの）を用い、比較的広い範囲
に渡って露光する。ここで比較的広い範囲に渡って露光
するとは、後にＩＲスペクトルの測定が出来る程度に大
面積に露光する意味であり、もちろん、ウエハ全面を露
光しても良いし、ウエハ表面の一部分を露光しても良
い。ただし、第１実施例ではウエハ全面を露光してい
る。そのときの露光量は９ｍＪ／ｃｍ2 とした。
【００２７】次に、露光済の膜１２に対して加熱処理を
行う。この第１実施例では、１００℃、２分の加熱処理
で行った。
行う。この第１実施例では、１００℃、２分の加熱処理
で行った。
【００２８】次に、加熱済の構造体をアニソールにより
２０秒間の現像行い、続いてキシレンにより２０秒間リ
ンスする。続いて、Ｓｉ含有薄膜（ＳｉＯ2 膜）を含む
構造体をホットプレート上で３００℃、５分間の加熱処
理を行う。現像後に行ったこの加熱処理は、薄膜のＳｉ
Ｏ2 化の促進並びに残存溶液の除去をより図ることがで
きるので好ましい。なお、現像後に行うこの加熱処理の
温度は下地への影響がなければ高温の方が好ましい。具
体的には設計に応じて決定すれば良い。
２０秒間の現像行い、続いてキシレンにより２０秒間リ
ンスする。続いて、Ｓｉ含有薄膜（ＳｉＯ2 膜）を含む
構造体をホットプレート上で３００℃、５分間の加熱処
理を行う。現像後に行ったこの加熱処理は、薄膜のＳｉ
Ｏ2 化の促進並びに残存溶液の除去をより図ることがで
きるので好ましい。なお、現像後に行うこの加熱処理の
温度は下地への影響がなければ高温の方が好ましい。具
体的には設計に応じて決定すれば良い。
【００２９】得られた薄膜１２ａについてＩＲスペクト
ルを取ったところ、そのスペクトル中には、アルキル基
やシラノール基に由来のピークは全くなくＳｉＯ2 のピ
ークのみであり、当該薄膜がＳｉＯ2 となっていること
が確認された。
ルを取ったところ、そのスペクトル中には、アルキル基
やシラノール基に由来のピークは全くなくＳｉＯ2 のピ
ークのみであり、当該薄膜がＳｉＯ2 となっていること
が確認された。
【００３０】また、得られた薄膜１２ａに対しＤＥＭ４
５１平行平板型ドライエッチャー（日電アネルバ（株）
社製）を用いてＯ2 −ＲＩＥを１５分間行なった。但
し、このエッチングは、Ｏ2 ガス圧を１．０Ｐａ、Ｏ2
ガス流量を２０ｓｃｃｍ、ＲＦパワー密度を０．１２Ｗ
／ｃｍ2 とした条件で行なった。このエッチングにおけ
るエッチング量は１３ｎｍ（エッチング速度で示せば１
３／１５≒０．８６（ｎｍ／分））であった。
５１平行平板型ドライエッチャー（日電アネルバ（株）
社製）を用いてＯ2 −ＲＩＥを１５分間行なった。但
し、このエッチングは、Ｏ2 ガス圧を１．０Ｐａ、Ｏ2
ガス流量を２０ｓｃｃｍ、ＲＦパワー密度を０．１２Ｗ
／ｃｍ2 とした条件で行なった。このエッチングにおけ
るエッチング量は１３ｎｍ（エッチング速度で示せば１
３／１５≒０．８６（ｎｍ／分））であった。
【００３１】（比較例）また、比較例としてプラズマＣ
ＶＤ法により形成したＮＳＧ（ノンドープシリケートガ
ラス）膜に対し、上記Ｏ2 −ＲＩＥ条件によりエッチン
グを行なったところ、そのエッチング量は１１ｎｍ（エ
ッチング速度で示せば１１／１５≒０．７３（ｎｍ／
分））であった。
ＶＤ法により形成したＮＳＧ（ノンドープシリケートガ
ラス）膜に対し、上記Ｏ2 −ＲＩＥ条件によりエッチン
グを行なったところ、そのエッチング量は１１ｎｍ（エ
ッチング速度で示せば１１／１５≒０．７３（ｎｍ／
分））であった。
【００３２】従って、この実施例で形成した薄膜１２ａ
は、Ｏ2 −ＲＩＥを行った場合においてもエッチングレ
ートが、プラズマＣＶＤ法で形成したＮＳＧ膜でのそれ
と大差ないことからも、第１発明の形成方法によればＳ
ｉＯ2 膜が形成されているものと考えられる。
は、Ｏ2 −ＲＩＥを行った場合においてもエッチングレ
ートが、プラズマＣＶＤ法で形成したＮＳＧ膜でのそれ
と大差ないことからも、第１発明の形成方法によればＳ
ｉＯ2 膜が形成されているものと考えられる。
【００３３】第１発明の第２実施例 第１実施例の構成においてアニソールによる現像処理を
行わない以外は第１実施例と同様な手順でＳｉ含有薄膜
の形成及びそのＯ2 −ＲＩＥによるエッチングを行う。
このエッチングにおけるエッチング量は１３ｎｍであっ
た。現像液の使用の有無による大きな差異はこの場合認
められなかった。但し、現像液に接触させると、膜１２
中の炭素分が除去できるので、Ｏ2 −ＲＩＥ耐性は向上
すると考えられる。
行わない以外は第１実施例と同様な手順でＳｉ含有薄膜
の形成及びそのＯ2 −ＲＩＥによるエッチングを行う。
このエッチングにおけるエッチング量は１３ｎｍであっ
た。現像液の使用の有無による大きな差異はこの場合認
められなかった。但し、現像液に接触させると、膜１２
中の炭素分が除去できるので、Ｏ2 −ＲＩＥ耐性は向上
すると考えられる。
【００３４】第１発明の第３実施例 第１実施例の構成において露光後の加熱処理を４０℃で
行った以外は第１実施例と同様な手順でＳｉ含有薄膜の
形成及びそのＯ2 −ＲＩＥによるエッチングを行う。フ
ィルムのＩＲスペクトルにおいてＳｉＯ2 のピークのみ
が観測され、このフィルムが完全にＳｉＯ2 となってい
ることを確認した。
行った以外は第１実施例と同様な手順でＳｉ含有薄膜の
形成及びそのＯ2 −ＲＩＥによるエッチングを行う。フ
ィルムのＩＲスペクトルにおいてＳｉＯ2 のピークのみ
が観測され、このフィルムが完全にＳｉＯ2 となってい
ることを確認した。
【００３５】（比較例）第１実施例の構成において露光
後に加熱処理を行わないでＳｉ含有薄膜を形成を行っ
た。この場合、フィルムのＩＲスペクトルにおいてＳｉ
Ｏ2 とシラノールのピークが観察され、ＳｉＯ2 化が不
完全であることを確認した。
後に加熱処理を行わないでＳｉ含有薄膜を形成を行っ
た。この場合、フィルムのＩＲスペクトルにおいてＳｉ
Ｏ2 とシラノールのピークが観察され、ＳｉＯ2 化が不
完全であることを確認した。
【００３６】［第２発明のＳｉ含有薄膜のパターン形成
方法］次に、第２発明の実施例について図２および図３
を参照して説明する。ここで、図２の（Ａ）〜（Ｃ）お
よび図３の（Ａ）〜（Ｂ）は、この第２発明を２層レジ
スト法における上層レジストの形成に適用した例を断面
図によって示す。
方法］次に、第２発明の実施例について図２および図３
を参照して説明する。ここで、図２の（Ａ）〜（Ｃ）お
よび図３の（Ａ）〜（Ｂ）は、この第２発明を２層レジ
スト法における上層レジストの形成に適用した例を断面
図によって示す。
【００３７】第２発明の第１実施例 シリコン基板１１ａ上にフォトレジスト（シプレー社製
ＭＰ２４００）を回転塗布し、次いでこの試料を２００
℃の温度のオーブン中で加熱硬化させて膜厚が１．５μ
ｍの下層レジスト層１１ｂを形成する。ここで、シリコ
ン基板１１ａおよび該基板１１ａ上に形成された下層レ
ジスト層１１ｂで構成されるこの構造体がこの実施例で
はこの発明で言う下地１３に相当する（図２の
（Ａ））。
ＭＰ２４００）を回転塗布し、次いでこの試料を２００
℃の温度のオーブン中で加熱硬化させて膜厚が１．５μ
ｍの下層レジスト層１１ｂを形成する。ここで、シリコ
ン基板１１ａおよび該基板１１ａ上に形成された下層レ
ジスト層１１ｂで構成されるこの構造体がこの実施例で
はこの発明で言う下地１３に相当する（図２の
（Ａ））。
【００３８】次に、この下層レジスト１１ｂ上に既に説
明した第１発明の実施例で調製した感光性樹脂組成物の
塗布液を回転塗布法により膜厚０．２μｍに塗布して感
光性樹脂組成物の膜１２を形成する（図２の（Ｂ））。
明した第１発明の実施例で調製した感光性樹脂組成物の
塗布液を回転塗布法により膜厚０．２μｍに塗布して感
光性樹脂組成物の膜１２を形成する（図２の（Ｂ））。
【００３９】次に、第１発明の実施例と同様な条件でプ
リベークを行い、次いで、第１実施例では、感光性樹脂
組成物の膜１２の残存させたい部分を電子線露光装置に
より選択的に露光する。膜１２の露光された部分を符号
１２ｘとし、露光されない部分を１２ｙとする。次い
で、第１発明の実施例と同様な手順で露光済の膜１２
ｘ，１２ｙを１００℃の温度で２分間加熱処理する（図
２の（Ｃ））。
リベークを行い、次いで、第１実施例では、感光性樹脂
組成物の膜１２の残存させたい部分を電子線露光装置に
より選択的に露光する。膜１２の露光された部分を符号
１２ｘとし、露光されない部分を１２ｙとする。次い
で、第１発明の実施例と同様な手順で露光済の膜１２
ｘ，１２ｙを１００℃の温度で２分間加熱処理する（図
２の（Ｃ））。
【００４０】その後、第１実施例と同様にしてアニソー
ルで２０秒間現像し、引き続いてキシレンにより２０秒
間リンスする（図３の（Ａ））。その後、この試料をホ
ットプレート上で３００℃、５分間の加熱処理を行な
う。なお、現像済の加熱温度は、既に説明したＳｉＯ2
含有薄膜の形成のときと同様、薄膜のＳｉＯ2 化の促進
並びに残存溶液の除去をより図れる温度とするのが良
い。従って、このときの加熱温度は、下地への影響がな
ければ高温の方が好ましいと考える。具体的には設計に
応じて決定する。これにより、第２発明の第１実施例に
係るＳｉ含有薄膜のパターン１２ｚを得る。ここで用い
た感光性樹脂組成物の感度（Ｄn 0.5）は１．５μＣ／ｃ
ｍ2 であり、またこの第１実施例の方法によれば０．３
μｍラインアンドスペース（Ｌ／Ｓ）のＳｉ含有薄膜の
パターンを解像できることが分かった。また、ここで形
成されたＳｉ含有薄膜のパターン１２ｚは、微細である
のでＩＲスペクトルの測定はできないが、第１発明の結
果からみて、ＳｉＯ2 パターンになっていると考えられ
る（以下の各実施例において同じ。）。
ルで２０秒間現像し、引き続いてキシレンにより２０秒
間リンスする（図３の（Ａ））。その後、この試料をホ
ットプレート上で３００℃、５分間の加熱処理を行な
う。なお、現像済の加熱温度は、既に説明したＳｉＯ2
含有薄膜の形成のときと同様、薄膜のＳｉＯ2 化の促進
並びに残存溶液の除去をより図れる温度とするのが良
い。従って、このときの加熱温度は、下地への影響がな
ければ高温の方が好ましいと考える。具体的には設計に
応じて決定する。これにより、第２発明の第１実施例に
係るＳｉ含有薄膜のパターン１２ｚを得る。ここで用い
た感光性樹脂組成物の感度（Ｄn 0.5）は１．５μＣ／ｃ
ｍ2 であり、またこの第１実施例の方法によれば０．３
μｍラインアンドスペース（Ｌ／Ｓ）のＳｉ含有薄膜の
パターンを解像できることが分かった。また、ここで形
成されたＳｉ含有薄膜のパターン１２ｚは、微細である
のでＩＲスペクトルの測定はできないが、第１発明の結
果からみて、ＳｉＯ2 パターンになっていると考えられ
る（以下の各実施例において同じ。）。
【００４１】次に、図３の（Ａ）の構造体に対し、平行
平板型ドライエッチャー（例えば日電アネルバ社製、型
名ＤＥＭ４５１）を用いてＯ2 −ＲＩＥの処理を行い図
３の（Ｂ）の構造体を得る。ここで、エッチングして残
存した下層レジスト部分が下層レジストパターン１１ｃ
となる。また、下層レジストパタン１１ｃとＳｉ含有薄
膜のパタン１２ｚとを総称して２層レジストパタン１４
と称する。但し、このエッチングは、既に説明した第１
実施例のときと同様、Ｏ2 ガス圧を１．０Ｐａ、Ｏ2 ガ
ス流量を２０ｓｃｃｍ、ＲＦパワー密度を０．１２Ｗ／
ｃｍ2 とした。このエッチングにより、０．３μｍＬ／
Ｓの２層レジストパターン１４がアスペクト比５で形成
されていることが確認できた。
平板型ドライエッチャー（例えば日電アネルバ社製、型
名ＤＥＭ４５１）を用いてＯ2 −ＲＩＥの処理を行い図
３の（Ｂ）の構造体を得る。ここで、エッチングして残
存した下層レジスト部分が下層レジストパターン１１ｃ
となる。また、下層レジストパタン１１ｃとＳｉ含有薄
膜のパタン１２ｚとを総称して２層レジストパタン１４
と称する。但し、このエッチングは、既に説明した第１
実施例のときと同様、Ｏ2 ガス圧を１．０Ｐａ、Ｏ2 ガ
ス流量を２０ｓｃｃｍ、ＲＦパワー密度を０．１２Ｗ／
ｃｍ2 とした。このエッチングにより、０．３μｍＬ／
Ｓの２層レジストパターン１４がアスペクト比５で形成
されていることが確認できた。
【００４２】第２発明の第２実施例 上記第２発明の第１実施例の構成において露光源を電子
線の代わりにＸｅ−Ｈｇランプ（ＣＭ２５０コールドミ
ラー装着のもの）とし、かつ、露光をテストマスクを介
しての露光としたこと以外は第１実施例と同様にして、
Ｓｉ含有薄膜のパターンを形成する。ただし、露光量は
９ｍＪ／ｃｍ2 としている。この第２実施例の方法によ
ればテストマスクの最少寸法である０．５μｍＬ／Ｓの
Ｓｉ含有薄膜のパターンを解像できることが分かった。
線の代わりにＸｅ−Ｈｇランプ（ＣＭ２５０コールドミ
ラー装着のもの）とし、かつ、露光をテストマスクを介
しての露光としたこと以外は第１実施例と同様にして、
Ｓｉ含有薄膜のパターンを形成する。ただし、露光量は
９ｍＪ／ｃｍ2 としている。この第２実施例の方法によ
ればテストマスクの最少寸法である０．５μｍＬ／Ｓの
Ｓｉ含有薄膜のパターンを解像できることが分かった。
【００４３】第２発明の第３実施例 上記第１発明の第１実施例で用いた樹脂の代わりに、末
端がｔ−ブトキシ化されているポリ（ジ−ｔ−ブトキシ
シロキサン）［下記（１１）式参照］であって重量平均
分子量が１０，０００のものを用いる。
端がｔ−ブトキシ化されているポリ（ジ−ｔ−ブトキシ
シロキサン）［下記（１１）式参照］であって重量平均
分子量が１０，０００のものを用いる。
【００４４】
【化６】
【００４５】それ以外は第２発明の第１実施例と同様に
して感光性樹脂組成物の塗布溶液を調製し、更にこれを
用いＳｉ含有薄膜のパターン形成を行なう。ここで用い
た感光性樹脂組成物の感度（Ｄn 0.5）は８μＣ／ｃｍ2
であり、またこの第３実施例の方法によれば０．３μｍ
ラインアンドスペース（Ｌ／Ｓ）のＳｉ含有薄膜のパタ
ーンを解像できることが分かった。
して感光性樹脂組成物の塗布溶液を調製し、更にこれを
用いＳｉ含有薄膜のパターン形成を行なう。ここで用い
た感光性樹脂組成物の感度（Ｄn 0.5）は８μＣ／ｃｍ2
であり、またこの第３実施例の方法によれば０．３μｍ
ラインアンドスペース（Ｌ／Ｓ）のＳｉ含有薄膜のパタ
ーンを解像できることが分かった。
【００４６】第２発明の第４実施例 上記第１発明の第１実施例で用いた樹脂の代わりに、ラ
ダー構造を有したポリ（シロキサン）の一種であるポリ
（ジ−ｔ−ブトキシルセスキオキサン）［下記（１２）
式参照］であって重量平均分子量が１０，０００のもの
を用いる。
ダー構造を有したポリ（シロキサン）の一種であるポリ
（ジ−ｔ−ブトキシルセスキオキサン）［下記（１２）
式参照］であって重量平均分子量が１０，０００のもの
を用いる。
【００４７】
【化７】
【００４８】それ以外は第２発明の第１実施例と同様に
して感光性樹脂組成物の塗布溶液を調製し、更にこれを
用いｉ含有薄膜のパターン形成を行なう。ここで用いた
感光性樹脂組成物の感度（Ｄn 0.5）は３μＣ／ｃｍ2 で
あり、またこの第４実施例の方法によれば０．３μｍラ
インアンドスペース（Ｌ／Ｓ）のＳｉ含有薄膜のパター
ンを解像できることが分かった。
して感光性樹脂組成物の塗布溶液を調製し、更にこれを
用いｉ含有薄膜のパターン形成を行なう。ここで用いた
感光性樹脂組成物の感度（Ｄn 0.5）は３μＣ／ｃｍ2 で
あり、またこの第４実施例の方法によれば０．３μｍラ
インアンドスペース（Ｌ／Ｓ）のＳｉ含有薄膜のパター
ンを解像できることが分かった。
【００４９】第２発明の第５実施例 第２発明の第１実施例の構成に対し架橋剤としてテトラ
フェノキシシラン［（ＰｈＯ）4 Ｓｉ］を８．０ｇ
（０．０２ｍｏｌ）さらに加えたこと以外は第１実施例
と同様にして第５実施例にて使用する樹脂組成物の塗布
溶液を調製する。そして、この感光性樹脂組成物による
パターニング実験を第１実施例と同様な手順で行なう。
ここで用いた第３実施例の感光性樹脂組成物は、その感
度が７．２μＣ／ｃｍ2 のものであり、また、０．３μ
ｍＬ／Ｓのパターンを解像できることが分かった。
フェノキシシラン［（ＰｈＯ）4 Ｓｉ］を８．０ｇ
（０．０２ｍｏｌ）さらに加えたこと以外は第１実施例
と同様にして第５実施例にて使用する樹脂組成物の塗布
溶液を調製する。そして、この感光性樹脂組成物による
パターニング実験を第１実施例と同様な手順で行なう。
ここで用いた第３実施例の感光性樹脂組成物は、その感
度が７．２μＣ／ｃｍ2 のものであり、また、０．３μ
ｍＬ／Ｓのパターンを解像できることが分かった。
【００５０】なお、上述の第２発明の各実施例では第２
発明を２層レジストプロセスに適用する例を示した。し
かしこの第２発明は単層のＳｉ含有薄膜のパターンを形
成する場合に適用出来ることは勿論のことである。
発明を２層レジストプロセスに適用する例を示した。し
かしこの第２発明は単層のＳｉ含有薄膜のパターンを形
成する場合に適用出来ることは勿論のことである。
【００５１】
【発明の効果】上述した説明からも明らかなように、こ
の出願の第１発明及び第２発明によれば、下地上に所定
の感光性樹脂組成物の膜を形成し、次いでこの膜に対し
第１発明にあっては露光処理および加熱処理を少なくと
も実施し、第２発明にあっては選択露光、加熱および現
像の各処理を少なくとも実施する。このため、膜の露光
された部分で発生したシラノールが確実に縮合するの
で、第１発明にあってはＳｉＯ2 化された薄膜が得ら
れ、第２発明にあってはＳｉＯ2 化された薄膜のパター
ンが得られる。従って、従来のような高価な真空スパッ
タリング装置やＣＶＤ装置による複雑な条件設定を必要
としないので、作業工程が極めて簡単になる。
の出願の第１発明及び第２発明によれば、下地上に所定
の感光性樹脂組成物の膜を形成し、次いでこの膜に対し
第１発明にあっては露光処理および加熱処理を少なくと
も実施し、第２発明にあっては選択露光、加熱および現
像の各処理を少なくとも実施する。このため、膜の露光
された部分で発生したシラノールが確実に縮合するの
で、第１発明にあってはＳｉＯ2 化された薄膜が得ら
れ、第２発明にあってはＳｉＯ2 化された薄膜のパター
ンが得られる。従って、従来のような高価な真空スパッ
タリング装置やＣＶＤ装置による複雑な条件設定を必要
としないので、作業工程が極めて簡単になる。
【００５２】また、珪素含有率が従来より高いＳｉ含有
薄膜或はそのパターンを簡便な方法で得ることが出来る
ので、このＳｉ含有薄膜或いはそのパターンをマスクと
して用いれば高いＯ2 −ＲＩＥ耐性が得られる。
薄膜或はそのパターンを簡便な方法で得ることが出来る
ので、このＳｉ含有薄膜或いはそのパターンをマスクと
して用いれば高いＯ2 −ＲＩＥ耐性が得られる。
【図１】（Ａ）〜（Ｃ）は、第１発明の実施例の工程を
説明するための工程図である。
説明するための工程図である。
【図２】（Ａ）〜（Ｃ）は、第２発明の実施例の工程を
説明するための工程図である。
説明するための工程図である。
【図３】（Ａ）〜（Ｂ）は、図２に続く工程を説明する
ための工程図である。
ための工程図である。
１０：下地 １１ａ：シリコン基板 １１ｂ：下層レジスト層 １１ｃ：下層レジストパターン １２：感光性樹脂組成物の膜 １２ａ：Ｓｉ含有薄膜 １２ｘ：露光部分 １２ｙ：未露光部分 １２ｚ：Ｓｉ含有薄膜のパターン １３：下地 １４：２層レジストパターン
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/027
Claims (6)
- 【請求項１】 下地上にＳｉ（珪素）含有薄膜を形成す
る方法において、 （ａ）下地上にアルコキシ基を有するポリ（シロキサ
ン）誘導体と露光により酸を発生する酸発生剤とを含む
感光性樹脂組成物の膜を形成する工程と、 （ｂ）該膜を露光する工程と、 （ｃ）該露光済みの膜に対し加熱処理を行う工程とを含
むことを特徴とするＳｉ含有薄膜の形成方法。 - 【請求項２】 請求項１に記載のＳｉ含有薄膜の形成方
法において、 前記アルコキシ基を有するポリ（シロキサン）誘導体
を、下記の（１）式で示されるもの、下記の（２）式で
示されるもの及び下記（１）式で示されるものと下記
（２）式で示されるものとの共重合体から選ばれる、１
または複数のものとしたことを特徴とするＳｉ含有薄膜
の形成方法（ただし、（１）式、（２）式中のＲ1 、Ｒ
2 、Ｒ5 及びＲ6 の各々はアルキル基を表し、同一でも
異なっていても良い。また、ｍ，ｎは重合度を示す正の
整数である。）。 【化１】 - 【請求項３】 請求項１に記載のＳｉ含有薄膜の形成方
法において、 前記（ｃ）に記載の前記加熱処理温度を最低限４０℃以
上の温度としたことを特徴とするＳｉ薄膜の形成方法。 - 【請求項４】 下地上にＳｉ（珪素）含有薄膜のパター
ンを形成する方法において、 （ａ）下地上にアルコキシ基を有するポリ（シロキサ
ン）誘導体と露光により酸を発生する酸発生剤とを含む
感光性樹脂組成物の膜を形成する工程と、 （ｂ）該膜の残存させたい部分を選択的に露光する工程
と、 （ｃ）該露光済みの膜を加熱処理する工程と、 （ｄ）該加熱処理済みの膜を現像する工程とを含むこと
を特徴とするＳｉ含有薄膜のパターンの形成方法。 - 【請求項５】 請求項４に記載のＳｉ含有薄膜のパター
ン形成方法において、 前記アルコキシ基を有するポリ（シロキサン）誘導体
を、下記の（１）式で示されるもの、下記の（２）式で
示されるもの及び下記（１）式で示されるものと下記
（２）式で示されるものとの共重合体から選ばれる、１
または複数のものとしたことを特徴とするＳｉ含有薄膜
のパターン形成方法（ただし、（１）式、（２）式中の
Ｒ1 、Ｒ2 、Ｒ5 及びＲ6 の各々はアルキル基を表し、
同一でも異なっていても良い。また、ｍ，ｎは重合度を
示す正の整数である。）。 【化２】 - 【請求項６】 請求項４に記載のＳｉ含有薄膜のパター
ン形成方法において、 前記（ｃ）工程に記載の加熱処理温度を、４０〜３００
℃の温度範囲としたことを特徴とするＳｉ含有薄膜のパ
ターン形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7001134A JPH08190200A (ja) | 1995-01-09 | 1995-01-09 | Ｓｉ含有薄膜の形成方法および該薄膜のパターン形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7001134A JPH08190200A (ja) | 1995-01-09 | 1995-01-09 | Ｓｉ含有薄膜の形成方法および該薄膜のパターン形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08190200A true JPH08190200A (ja) | 1996-07-23 |
Family
ID=11492981
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7001134A Pending JPH08190200A (ja) | 1995-01-09 | 1995-01-09 | Ｓｉ含有薄膜の形成方法および該薄膜のパターン形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08190200A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2017170167A1 (ja) * | 2016-03-30 | 2017-10-05 | 東京応化工業株式会社 | 表面処理方法、及び表面処理液 |
| US11884839B2 (en) * | 2016-08-29 | 2024-01-30 | Nissan Chemical Corporation | Acetal-protected silanol group-containing polysiloxane composition |
-
1995
- 1995-01-09 JP JP7001134A patent/JPH08190200A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2017170167A1 (ja) * | 2016-03-30 | 2017-10-05 | 東京応化工業株式会社 | 表面処理方法、及び表面処理液 |
| JPWO2017170167A1 (ja) * | 2016-03-30 | 2019-03-07 | 東京応化工業株式会社 | 表面処理方法、及び表面処理液 |
| US11884839B2 (en) * | 2016-08-29 | 2024-01-30 | Nissan Chemical Corporation | Acetal-protected silanol group-containing polysiloxane composition |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20031007 |