JPH081966B2 - Ｌｅｄ表示素子の製造方法 - Google Patents
Ｌｅｄ表示素子の製造方法Info
- Publication number
- JPH081966B2 JPH081966B2 JP9173090A JP9173090A JPH081966B2 JP H081966 B2 JPH081966 B2 JP H081966B2 JP 9173090 A JP9173090 A JP 9173090A JP 9173090 A JP9173090 A JP 9173090A JP H081966 B2 JPH081966 B2 JP H081966B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- led chip
- metallized film
- glass substrate
- display element
- conductive adhesive
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/531—Shapes of wire connectors
- H10W72/536—Shapes of wire connectors the connected ends being ball-shaped
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/531—Shapes of wire connectors
- H10W72/5363—Shapes of wire connectors the connected ends being wedge-shaped
Landscapes
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
- Led Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、ガラス製品（眼鏡、窓ガラス、ビューファ
インダーなど）に取付けるLED表示素子の製造方法に関
するものである。
インダーなど）に取付けるLED表示素子の製造方法に関
するものである。
ガラス製品にLED（発光ダイオード）表示素子を取付
ける場合には、ガラスの透明性を損なわないために、基
板に透明なガラス板を用いており、その一例を第２図に
示す。
ける場合には、ガラスの透明性を損なわないために、基
板に透明なガラス板を用いており、その一例を第２図に
示す。
図中、21はガラス基板、22はこの基板21上に所定パタ
ーンとなるように形成したメタライズ膜、23はこのメタ
ライズ膜22の所定箇所に装着したLEDチップ、24はこのL
EDチップ23と前記メタライズ膜22を接続するAlワイヤ
ー、25は前記LEDチップ23とAlワイヤー24の部分を覆っ
ているジャンクションコーティング剤である。
ーンとなるように形成したメタライズ膜、23はこのメタ
ライズ膜22の所定箇所に装着したLEDチップ、24はこのL
EDチップ23と前記メタライズ膜22を接続するAlワイヤ
ー、25は前記LEDチップ23とAlワイヤー24の部分を覆っ
ているジャンクションコーティング剤である。
しかし、このような構造では、LEDチップ23とメタラ
イズ膜22の間の接続にAlワイヤー24を用いているため、
熱ストレスに弱く断線の恐れがある。また、ジャンクシ
ョンコーティング剤25を平らなガラス基板21上に厚くコ
ーティングすることが難しいので、耐湿性に劣るといっ
た欠点がある。
イズ膜22の間の接続にAlワイヤー24を用いているため、
熱ストレスに弱く断線の恐れがある。また、ジャンクシ
ョンコーティング剤25を平らなガラス基板21上に厚くコ
ーティングすることが難しいので、耐湿性に劣るといっ
た欠点がある。
本発明の目的は、熱ストレスに強く、かつ耐湿性に優
れたLED表示素子の製造方法を提供することにある。
れたLED表示素子の製造方法を提供することにある。
本発明は、ガラス基板上に所定パターンのメタライズ
膜を形成する工程と、ガラス基板のメタライズ膜上に導
電性接着剤を塗布する工程と、導電性接着剤塗布面に一
方の電極面にAuバンプが形成されたLEDチップをその他
方の電極面が接着剤塗布面と接合するようにマウントす
る工程と、前記LEDチップのAuバンプ上にUV硬化樹脂を
塗布する工程と、メタライズ膜が形成された他のガラス
基板を前記LEDチップに載せ、加圧しならがUV光を照射
してUV硬化樹脂を硬化させた後、加圧状態に保ちながら
導電性接着剤を加熱硬化させる工程とを含むことを特徴
とするものである。
膜を形成する工程と、ガラス基板のメタライズ膜上に導
電性接着剤を塗布する工程と、導電性接着剤塗布面に一
方の電極面にAuバンプが形成されたLEDチップをその他
方の電極面が接着剤塗布面と接合するようにマウントす
る工程と、前記LEDチップのAuバンプ上にUV硬化樹脂を
塗布する工程と、メタライズ膜が形成された他のガラス
基板を前記LEDチップに載せ、加圧しならがUV光を照射
してUV硬化樹脂を硬化させた後、加圧状態に保ちながら
導電性接着剤を加熱硬化させる工程とを含むことを特徴
とするものである。
以下、本発明を図面に示す実施例に基づいて詳細に説
明する。
明する。
第１図（Ａ）〜（Ｆ）は本発明の一実施例を示すもの
で、まず第１図（Ａ）のようにガラス基板１上に所定パ
ターンのメタライズ膜２を形成する。メタライズ膜２に
は、ITO,ITO＋Ni・P,ITO＋Ni・Ｐ＋Auなどを用いる。
で、まず第１図（Ａ）のようにガラス基板１上に所定パ
ターンのメタライズ膜２を形成する。メタライズ膜２に
は、ITO,ITO＋Ni・P,ITO＋Ni・Ｐ＋Auなどを用いる。
次に、第１図（Ｂ）のように所定の位置に導電性接着
剤（Agペーストなど）３を塗布し、この塗布面上に第１
図（Ｃ）のようにLEDチップ４をダイボンディングなど
によりマウントする。この場合、LEDチップ４の一方の
電極面にはAuバンプ５を形成しておき、他方の電極面が
導電性接着剤３と接合するようにマウントする。そし
て、第１図（Ｄ）のようにLEDチップ４の周囲にスペー
サー６を設置する。スペーサー６の寸法精度は、LEDチ
ップ４の厚みに対して＋０％，−20％とする。スペーサ
ー６の周りには、ディスペンサーを用いてエポキシ樹脂
などのシール剤７を塗布し、100℃,30min程度の熱処理
を行う。
剤（Agペーストなど）３を塗布し、この塗布面上に第１
図（Ｃ）のようにLEDチップ４をダイボンディングなど
によりマウントする。この場合、LEDチップ４の一方の
電極面にはAuバンプ５を形成しておき、他方の電極面が
導電性接着剤３と接合するようにマウントする。そし
て、第１図（Ｄ）のようにLEDチップ４の周囲にスペー
サー６を設置する。スペーサー６の寸法精度は、LEDチ
ップ４の厚みに対して＋０％，−20％とする。スペーサ
ー６の周りには、ディスペンサーを用いてエポキシ樹脂
などのシール剤７を塗布し、100℃,30min程度の熱処理
を行う。
この後、第１図（Ｅ）のようにLEDチップ４のAuバン
プ５上にUV硬化樹脂８を塗布し、その上にメタライズ膜
２′が形成された他のガラス基板１′を前記LEDチップ
４、スペーサー６などを挟むようにガラス基板１に重
ね、第１図（Ｆ）のように２枚のガラス基板1,1′を上
下から加圧しながらUV光を照射してUV硬化樹脂８を硬化
させる。この時、硬化収縮によりAuバンプ５とメタライ
ズ膜２′が密着する。続いて、加圧状態のまま導電性接
着剤３及びシール剤７を加熱硬化させる。加熱温度は20
0℃、加熱時間は4hr程度とする。
プ５上にUV硬化樹脂８を塗布し、その上にメタライズ膜
２′が形成された他のガラス基板１′を前記LEDチップ
４、スペーサー６などを挟むようにガラス基板１に重
ね、第１図（Ｆ）のように２枚のガラス基板1,1′を上
下から加圧しながらUV光を照射してUV硬化樹脂８を硬化
させる。この時、硬化収縮によりAuバンプ５とメタライ
ズ膜２′が密着する。続いて、加圧状態のまま導電性接
着剤３及びシール剤７を加熱硬化させる。加熱温度は20
0℃、加熱時間は4hr程度とする。
上記各工程での処理が完了すると、LEDチップ４が一
対のガラス基板1,1′に電気的に直接接続されるように
挟持され、かつ封止状態となっているLED表示素子が得
られる。
対のガラス基板1,1′に電気的に直接接続されるように
挟持され、かつ封止状態となっているLED表示素子が得
られる。
なお、上記工程でLEDチップのマウント工程とスペー
サーの設置・シール処理工程の順序を入替えてもよい。
サーの設置・シール処理工程の順序を入替えてもよい。
以上のように本発明によれば、LEDチップを２枚のガ
ラス基板で挟むとともに、UV硬化樹脂などによって封止
状態とするので、耐湿性に優れ、かつ熱ストレスに強い
LED表示素子を得ることができる。しかも、UV硬化樹脂
を用いるため、光を効率よく取出すことができる。
ラス基板で挟むとともに、UV硬化樹脂などによって封止
状態とするので、耐湿性に優れ、かつ熱ストレスに強い
LED表示素子を得ることができる。しかも、UV硬化樹脂
を用いるため、光を効率よく取出すことができる。
第１図（Ａ）〜（Ｆ）は本発明に係るLED表示素子の製
造方法の一実施例を示す工程説明図、第２図はLED表示
素子の従来の構造例を示す断面図である。 １及び１′……ガラス基板 ２及び２′……メタライズ膜 ３……導電性接着剤、４……LEDチップ ５……Auバンプ、６……スペーサー ７……シール剤、８……UV硬化樹脂
造方法の一実施例を示す工程説明図、第２図はLED表示
素子の従来の構造例を示す断面図である。 １及び１′……ガラス基板 ２及び２′……メタライズ膜 ３……導電性接着剤、４……LEDチップ ５……Auバンプ、６……スペーサー ７……シール剤、８……UV硬化樹脂
Claims (1)
- 【請求項１】ガラス基板上に所定パターンのメタライズ
膜を形成する工程と、ガラス基板のメタライズ膜上に導
電性接着剤を塗布する工程と、導電性接着剤塗布面に一
方の電極面にAuバンプが形成されたLEDチップをその他
方の電極面が接着剤塗布面と接合するようにマウントす
る工程と、前記LEDチップのAuバンプ上にUV硬化樹脂を
塗布する工程と、メタライズ膜が形成された他のガラス
基板を前記LEDチップに載せ、加圧しながらUV光を照射
してUV硬化樹脂を硬化させた後、加圧状態に保ちながら
導電性接着剤を加熱硬化させる工程とを含むことを特徴
とするLED表示素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9173090A JPH081966B2 (ja) | 1990-04-06 | 1990-04-06 | Ｌｅｄ表示素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9173090A JPH081966B2 (ja) | 1990-04-06 | 1990-04-06 | Ｌｅｄ表示素子の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03290983A JPH03290983A (ja) | 1991-12-20 |
| JPH081966B2 true JPH081966B2 (ja) | 1996-01-10 |
Family
ID=14034631
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9173090A Expired - Lifetime JPH081966B2 (ja) | 1990-04-06 | 1990-04-06 | Ｌｅｄ表示素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH081966B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6136626A (en) * | 1994-06-09 | 2000-10-24 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor light-emitting device and production method thereof |
| EP1473781A3 (en) * | 1994-07-21 | 2007-02-21 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor light-emitting device and production method thereof |
| US5583350A (en) * | 1995-11-02 | 1996-12-10 | Motorola | Full color light emitting diode display assembly |
-
1990
- 1990-04-06 JP JP9173090A patent/JPH081966B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH03290983A (ja) | 1991-12-20 |
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