JPH10162316A - 薄膜磁気ヘッドの製造方法およびウェハ - Google Patents
薄膜磁気ヘッドの製造方法およびウェハInfo
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- JPH10162316A JPH10162316A JP31677196A JP31677196A JPH10162316A JP H10162316 A JPH10162316 A JP H10162316A JP 31677196 A JP31677196 A JP 31677196A JP 31677196 A JP31677196 A JP 31677196A JP H10162316 A JPH10162316 A JP H10162316A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 本発明は、ウェハ上のマーカー部をもとにパ
ターニングして薄膜磁気ヘッドを製造する製造方法およ
びウェハに関し、ギャップ膜が薄くなってもマーカー部
の凸凹形状がくずれないようにマーカー上に保護膜を形
成し、高精度のパターンの重ね合わせを実現することを
目的とする。 【解決手段】 ウェハ上にフォトレジストを塗布してマ
ーカーのパターンを露光し現像した後、反射膜および透
明膜を順次積層してマーカー部を形成し、フォトレジス
トを塗布して露光・現像しイオンミリングで不要な部分
の上記反射膜および透明膜を除去した後、マーカー部を
もとにパターニングを行って薄膜磁気ヘッドを製造する
薄膜磁気ヘッドの製造方法である。また、マーカー部を
各薄膜磁気ヘッドのチップ外にパターニングする層数分
だけ少なくとも設けたウェハである。
ターニングして薄膜磁気ヘッドを製造する製造方法およ
びウェハに関し、ギャップ膜が薄くなってもマーカー部
の凸凹形状がくずれないようにマーカー上に保護膜を形
成し、高精度のパターンの重ね合わせを実現することを
目的とする。 【解決手段】 ウェハ上にフォトレジストを塗布してマ
ーカーのパターンを露光し現像した後、反射膜および透
明膜を順次積層してマーカー部を形成し、フォトレジス
トを塗布して露光・現像しイオンミリングで不要な部分
の上記反射膜および透明膜を除去した後、マーカー部を
もとにパターニングを行って薄膜磁気ヘッドを製造する
薄膜磁気ヘッドの製造方法である。また、マーカー部を
各薄膜磁気ヘッドのチップ外にパターニングする層数分
だけ少なくとも設けたウェハである。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ウェハ上のマーカ
ー部をもとにパターニングして薄膜磁気ヘッドを製造す
る製造方法およびウェハであって、薄膜磁気ヘッドの製
造時にパターンを重ね合わせるマーカ部を用いた薄膜磁
気ヘッドの製造方法およびウェハに関するものである。
ー部をもとにパターニングして薄膜磁気ヘッドを製造す
る製造方法およびウェハであって、薄膜磁気ヘッドの製
造時にパターンを重ね合わせるマーカ部を用いた薄膜磁
気ヘッドの製造方法およびウェハに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、薄膜磁気ヘッドの製造時に、パタ
ーンの重合わせ用のマーカーは、図４に示すように、凸
形状あるいは凹形状に形成し、当該マーカー自身が反射
膜になっているか、その上に反射膜を形成するかしてい
た。その後、ギャップ膜でカバーし、それ以降でイオン
ミリングによるマーカーの凸凹が減少するのを防止して
いた。
ーンの重合わせ用のマーカーは、図４に示すように、凸
形状あるいは凹形状に形成し、当該マーカー自身が反射
膜になっているか、その上に反射膜を形成するかしてい
た。その後、ギャップ膜でカバーし、それ以降でイオン
ミリングによるマーカーの凸凹が減少するのを防止して
いた。
【０００３】図４は、従来技術の説明図を示す。図４に
おいて、Ａは、アルチック基板２１上に成膜したアルミ
ナ膜２２にマーカー形状のフォトレジスト２３をパター
ンニングした様子を示す（フォトレジスト２３を塗布し
て露光・現像した後の様子を示す）。
おいて、Ａは、アルチック基板２１上に成膜したアルミ
ナ膜２２にマーカー形状のフォトレジスト２３をパター
ンニングした様子を示す（フォトレジスト２３を塗布し
て露光・現像した後の様子を示す）。
【０００４】Ｂは、イオンミリングで所望の深さまでエ
ッチングし、アルミナ膜上にマーカー部２４を作成した
様子を示す。Ｃは、反射膜２５、例えばＴｉなどの金属
を成膜し、マーカー部２４のみをフォトレジスト２３で
覆った様子を示す。
ッチングし、アルミナ膜上にマーカー部２４を作成した
様子を示す。Ｃは、反射膜２５、例えばＴｉなどの金属
を成膜し、マーカー部２４のみをフォトレジスト２３で
覆った様子を示す。
【０００５】Ｄは、イオンミリングで不要な部分の反射
膜をエッチングにより除去し、マーカー部２４のみの反
射膜を残した様子を示す。Ｅは、下部磁極２６を形成し
た様子を示す。
膜をエッチングにより除去し、マーカー部２４のみの反
射膜を残した様子を示す。Ｅは、下部磁極２６を形成し
た様子を示す。
【０００６】Ｆは、ギャップ膜２７を成膜し、マーカー
部２４上を保護した様子を示す。この後、コイル層など
を順次積層し、その後のイオンミリングにより、マーカ
ー部上のアルミナ膜２２がエッチングされ、最終的に反
射膜が露出し初め、マーカーの形状がくずれていた。
部２４上を保護した様子を示す。この後、コイル層など
を順次積層し、その後のイオンミリングにより、マーカ
ー部上のアルミナ膜２２がエッチングされ、最終的に反
射膜が露出し初め、マーカーの形状がくずれていた。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】上述した図４のＡない
しＦの手順によって作製したマーカー部２４は、薄膜磁
気ヘッドの高密度化に伴いギャップ膜が薄くなってきて
いる。そのため、ギャップ膜形成以降のイオンミリング
で、ギャップ膜が無くなっていきマーカーの凸凹形状が
くずれてしまい、重ね合わせに障害が発生するという問
題があった。
しＦの手順によって作製したマーカー部２４は、薄膜磁
気ヘッドの高密度化に伴いギャップ膜が薄くなってきて
いる。そのため、ギャップ膜形成以降のイオンミリング
で、ギャップ膜が無くなっていきマーカーの凸凹形状が
くずれてしまい、重ね合わせに障害が発生するという問
題があった。
【０００８】本発明は、これらの問題を解決するため、
ギャップ膜が薄くなってもマーカー部の凸凹形状がくず
れないようにマーカー上に保護膜を形成し、高精度のパ
ターンの重ね合わせを実現することを目的としている。
ギャップ膜が薄くなってもマーカー部の凸凹形状がくず
れないようにマーカー上に保護膜を形成し、高精度のパ
ターンの重ね合わせを実現することを目的としている。
【０００９】
【課題を解決するための手段】図１を参照して課題を解
決するための手段を説明する。図１において、アルチッ
ク基板１は、薄膜磁気ヘッドのチップを形成する基板で
あって、ウェハである。
決するための手段を説明する。図１において、アルチッ
ク基板１は、薄膜磁気ヘッドのチップを形成する基板で
あって、ウェハである。
【００１０】フォトレジスト３は、塗布して露光・現像
してパターンを形成するものである。反射膜５は、光を
反射する膜である。
してパターンを形成するものである。反射膜５は、光を
反射する膜である。
【００１１】透明膜８は、反射膜５を覆う透明の膜であ
る。次に、製造方法を説明する。ウェハであるアルチッ
ク基板１上にフォトレジストを塗布してマーカーのパタ
ーンを露光し現像した後、反射膜５および透明膜８を順
次積層してマーカー部を形成し、フォトレジスト３を塗
布して露光・現像しイオンミリングで不要な部分の反射
膜５および透明膜８を除去した後、マーカー部をもとに
パターニングを行って薄膜磁気ヘッドを製造するように
している。
る。次に、製造方法を説明する。ウェハであるアルチッ
ク基板１上にフォトレジストを塗布してマーカーのパタ
ーンを露光し現像した後、反射膜５および透明膜８を順
次積層してマーカー部を形成し、フォトレジスト３を塗
布して露光・現像しイオンミリングで不要な部分の反射
膜５および透明膜８を除去した後、マーカー部をもとに
パターニングを行って薄膜磁気ヘッドを製造するように
している。
【００１２】この際、透明膜８をＡｌ2Ｏ3膜あるいはＳ
ｉＯ2膜とするようにしている。また、ウェハであるア
ルチック基板１上のマーカー部を薄膜磁気ヘッドのチッ
プ外にパターニングする層数分の個数だけ少なくとも設
けるようにしている。
ｉＯ2膜とするようにしている。また、ウェハであるア
ルチック基板１上のマーカー部を薄膜磁気ヘッドのチッ
プ外にパターニングする層数分の個数だけ少なくとも設
けるようにしている。
【００１３】従って、薄膜磁気ヘッドの下部磁極と上部
磁極との間のギャップ膜が薄くなってもマーカー部の凸
凹形状がくずれないようにマーカー上に保護膜を形成お
よび当該マーカーをウェハ上にパターニングする層数分
の個数だけ少なくとも設けることにより、高精度のパタ
ーンの重ね合わせを実現することが可能となる。
磁極との間のギャップ膜が薄くなってもマーカー部の凸
凹形状がくずれないようにマーカー上に保護膜を形成お
よび当該マーカーをウェハ上にパターニングする層数分
の個数だけ少なくとも設けることにより、高精度のパタ
ーンの重ね合わせを実現することが可能となる。
【００１４】
【発明の実施の形態】次に、図１から図３を用いて本発
明の実施の形態および動作を順次詳細に説明する。
明の実施の形態および動作を順次詳細に説明する。
【００１５】図１は、本発明の１実施例説明図を示す。
図１において、Ｓ１は、アルミナ付アルチック基板１に
パターニングした後、反射膜５を形成する。これは、後
述する図２のａに示すように、アルミナ膜２の付いたア
ルチック基板１に、フォトレジストを塗布してマーカー
の形状のパターンで露光、現像してマーカーを形成した
後、反射膜５を全面に形成する。
図１において、Ｓ１は、アルミナ付アルチック基板１に
パターニングした後、反射膜５を形成する。これは、後
述する図２のａに示すように、アルミナ膜２の付いたア
ルチック基板１に、フォトレジストを塗布してマーカー
の形状のパターンで露光、現像してマーカーを形成した
後、反射膜５を全面に形成する。
【００１６】Ｓ２は、透明膜８を成膜する。これは、後
述する図２のｂに示すように、透明膜８、例えばアルミ
ナ膜（Ａｌ2Ｏ3膜あるいは酸化シリコン膜ＳｉＯ2膜）
を成膜する。
述する図２のｂに示すように、透明膜８、例えばアルミ
ナ膜（Ａｌ2Ｏ3膜あるいは酸化シリコン膜ＳｉＯ2膜）
を成膜する。
【００１７】Ｓ３は、フォトレジスト３を塗布する。こ
れは、Ｓ２で透明膜８を成膜した上から全面にフォトレ
ジスト３を塗布する。Ｓ４は、露光する。
れは、Ｓ２で透明膜８を成膜した上から全面にフォトレ
ジスト３を塗布する。Ｓ４は、露光する。
【００１８】Ｓ５は、現像する。Ｓ６は、イオンミリン
グする。これらＳ３ないしＳ６によって、フォトレジス
ト３を塗布し、Ｓ１でパターニングしたマーカーの部分
を残し、他の不要な部分を除去するパターンで露光して
現像した後、イオミンリングで不要な部分を除去し、図
２のｄに示すようにマーカー部を形成する。
グする。これらＳ３ないしＳ６によって、フォトレジス
ト３を塗布し、Ｓ１でパターニングしたマーカーの部分
を残し、他の不要な部分を除去するパターンで露光して
現像した後、イオミンリングで不要な部分を除去し、図
２のｄに示すようにマーカー部を形成する。
【００１９】以上によって、アルチック基板１上のアル
ミナ膜にパターニングによってマーカーの形状を形成し
ここに反射膜５および透明膜８を形成した後、パターニ
ングによって不要な部分の反射膜５および透明膜８を除
去し、反射膜５を透明膜８で覆ったマーカー部を生成で
きることとなる。このように、本実施例では、反射膜５
の上を透明膜８で覆い、これ以降の工程で当該マーカー
部を基点にパターン合わせを行ってパターニングしても
当該透明膜８が徐々に厚さが減少するのみで反射膜５に
まで至らないので（至らないように透明膜８の厚さを実
験によって決めておく）、特に高密度化に伴うギャップ
膜が薄くなっても常にマーカー部の形状がだれることが
なく正確な形状を保持したマーカー部によってパターン
合わせを行い、精度良好に下部磁極層、コイル層、上部
磁極層などの薄膜を積層することが可能となる。
ミナ膜にパターニングによってマーカーの形状を形成し
ここに反射膜５および透明膜８を形成した後、パターニ
ングによって不要な部分の反射膜５および透明膜８を除
去し、反射膜５を透明膜８で覆ったマーカー部を生成で
きることとなる。このように、本実施例では、反射膜５
の上を透明膜８で覆い、これ以降の工程で当該マーカー
部を基点にパターン合わせを行ってパターニングしても
当該透明膜８が徐々に厚さが減少するのみで反射膜５に
まで至らないので（至らないように透明膜８の厚さを実
験によって決めておく）、特に高密度化に伴うギャップ
膜が薄くなっても常にマーカー部の形状がだれることが
なく正確な形状を保持したマーカー部によってパターン
合わせを行い、精度良好に下部磁極層、コイル層、上部
磁極層などの薄膜を積層することが可能となる。
【００２０】図２は、本発明の説明図（その１）を示
す。図２のａは、マーカー部４上を含め全面に反射膜５
を成膜した様子を示す。これは、既述した図１のＳ１で
アルチック基板１上のアルミナ膜２上にフォトレジスト
を全面に塗布し、マーカーの形状のパターンで露光・現
像し、イオンミリングで所望の深さまでエッチングした
後、フォトレジストを除去し、全面にＴｉの反射膜５を
成膜したものである。
す。図２のａは、マーカー部４上を含め全面に反射膜５
を成膜した様子を示す。これは、既述した図１のＳ１で
アルチック基板１上のアルミナ膜２上にフォトレジスト
を全面に塗布し、マーカーの形状のパターンで露光・現
像し、イオンミリングで所望の深さまでエッチングした
後、フォトレジストを除去し、全面にＴｉの反射膜５を
成膜したものである。
【００２１】ｂは、アルミナ膜などの透明膜８を全面に
成膜した様子を示す。ｃは、マーカー部４のみをフォト
レジストで覆った様子を示す。これは、ｂの全面にフォ
トレジストを塗布し、マーカー部４のみを覆うパターン
で露光・現像したものである。
成膜した様子を示す。ｃは、マーカー部４のみをフォト
レジストで覆った様子を示す。これは、ｂの全面にフォ
トレジストを塗布し、マーカー部４のみを覆うパターン
で露光・現像したものである。
【００２２】ｄは、イオンミリングなどにより不要部分
の透明膜８および反射膜５を同時にエッチングを行った
様子を示す。ｃの状態でイオンミリングを行い、フォト
レジスト３がない不要な部分の透明膜８および反射膜５
を除去した後、フォトレジスト３を除去し、マーカーの
部分を反射膜５および透明膜８で覆い、マーカー部４を
完成させたものである。以降は、このマーカー部４を基
点にパターンの露光などを行うようにする。
の透明膜８および反射膜５を同時にエッチングを行った
様子を示す。ｃの状態でイオンミリングを行い、フォト
レジスト３がない不要な部分の透明膜８および反射膜５
を除去した後、フォトレジスト３を除去し、マーカーの
部分を反射膜５および透明膜８で覆い、マーカー部４を
完成させたものである。以降は、このマーカー部４を基
点にパターンの露光などを行うようにする。
【００２３】以上によって、アルチック基板１上のアル
ミナ膜２にマーカーの形状にパターニングして反射膜５
および透明膜８を成膜し、不要な部分を除去してマーカ
ー部４を形成する。これにより、マーカーが反射膜５で
覆われ、更にその上から透明膜８が覆っているため、こ
れ以降の工程でマーカ部４を基点にパターンニングを繰
り返しても透明膜８のみが薄くなり、反射膜５が薄くな
ることがなく、当該マーカー部４をもとにパターンを精
度良好に合わせることが可能となる。
ミナ膜２にマーカーの形状にパターニングして反射膜５
および透明膜８を成膜し、不要な部分を除去してマーカ
ー部４を形成する。これにより、マーカーが反射膜５で
覆われ、更にその上から透明膜８が覆っているため、こ
れ以降の工程でマーカ部４を基点にパターンニングを繰
り返しても透明膜８のみが薄くなり、反射膜５が薄くな
ることがなく、当該マーカー部４をもとにパターンを精
度良好に合わせることが可能となる。
【００２４】図３は、本発明の説明図（その２）を示
す。図３の（ａ）は、２０層分のマーカー部をウェハ上
に形成した様子を示す。ここで、マーカー部４は、アル
チック基板１であるウェハの図示の上の部分と下の部分
に、２０層分（下部磁極層、ギャップ層、コイル層・・
・上部磁極層などのパターニングに必要な層数）を成膜
した様子を示す。
す。図３の（ａ）は、２０層分のマーカー部をウェハ上
に形成した様子を示す。ここで、マーカー部４は、アル
チック基板１であるウェハの図示の上の部分と下の部分
に、２０層分（下部磁極層、ギャップ層、コイル層・・
・上部磁極層などのパターニングに必要な層数）を成膜
した様子を示す。
【００２５】図３の（ｂ）は、マーカー部の例を示す。
これは、図３の（ａ）のマーカー部４の１つを取り出し
て拡大した様子を示す。ここでは、図示のようなパター
ンを設け、Ｘ方向、Ｙ方向、更に回転などのパターンの
位置合わせを行い易いように成膜されている。
これは、図３の（ａ）のマーカー部４の１つを取り出し
て拡大した様子を示す。ここでは、図示のようなパター
ンを設け、Ｘ方向、Ｙ方向、更に回転などのパターンの
位置合わせを行い易いように成膜されている。
【００２６】図３の（ｃ）は、フォトマスクの例を示
す。このフォトマスクの上の部分と下の部分にマーカー
部４に位置合わせするパターンが設けられている。
す。このフォトマスクの上の部分と下の部分にマーカー
部４に位置合わせするパターンが設けられている。
【００２７】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
ウェハ上にフォトレジストを塗布してマーカーのパター
ンを露光し現像した後、反射膜５および透明膜８を順次
積層してマーカー部４を形成し、フォトレジストを塗布
して露光・現像しイオンミリングで不要な部分の反射膜
５および透明膜８を除去した後、マーカー部４をもとに
パターニングを行って薄膜磁気ヘッドを製造する構成を
採用しているため、薄膜磁気ヘッドの下部磁極と上部磁
極との間のギャップ膜が薄くなってもマーカー部４の凸
凹形状がくずれないようにマーカー上に透明な保護膜を
形成し、高精度のパターンの重ね合わせを実現すること
ができる。また、マーカー部４の透明膜８の形成が当該
マーカ部４の形成直後であるため、従来の途中で透明膜
を成形あるいは補強するときのイオンミリングなどによ
る素子にダメージを与えることがない。
ウェハ上にフォトレジストを塗布してマーカーのパター
ンを露光し現像した後、反射膜５および透明膜８を順次
積層してマーカー部４を形成し、フォトレジストを塗布
して露光・現像しイオンミリングで不要な部分の反射膜
５および透明膜８を除去した後、マーカー部４をもとに
パターニングを行って薄膜磁気ヘッドを製造する構成を
採用しているため、薄膜磁気ヘッドの下部磁極と上部磁
極との間のギャップ膜が薄くなってもマーカー部４の凸
凹形状がくずれないようにマーカー上に透明な保護膜を
形成し、高精度のパターンの重ね合わせを実現すること
ができる。また、マーカー部４の透明膜８の形成が当該
マーカ部４の形成直後であるため、従来の途中で透明膜
を成形あるいは補強するときのイオンミリングなどによ
る素子にダメージを与えることがない。
【図１】本発明の１実施例説明図である。
【図２】本発明の説明図（その１）である。
【図３】本発明の説明図（その２）である。
【図４】従来技術の説明図である。
１：アルチック基板 ２：アルミナ膜 ３：フォトレジスト ４：マーカー部 ５：反射膜 ８：透明膜
Claims (4)
- 【請求項１】ウェハ上のマーカー部をもとにパターニン
グして薄膜磁気ヘッドを製造する製造方法において、 ウェハ上にフォトレジストを塗布してマーカーのパター
ンを露光し現像した後、反射膜および透明膜を順次積層
してマーカー部を形成し、フォトレジストを塗布して露
光・現像しイオンミリングで不要な部分の上記反射膜お
よび上記透明膜を除去した後、上記マーカー部をもとに
パターニングを行って薄膜磁気ヘッドを製造することを
特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。 - 【請求項２】上記透明膜をＡｌ2Ｏ3膜あるいはＳｉＯ2
膜としたことを特徴とする請求項１記載の薄膜磁気ヘッ
ドの製造方法。 - 【請求項３】上記マーカー部について、パターニングす
る層数分の個数を少なくとも設けたことを特徴とする請
求項１あるいは請求項２記載の薄膜磁気ヘッドの製造方
法。 - 【請求項４】上記マーカー部を上記薄膜磁気ヘッドのチ
ップ外にパターニングする層数分の個数だけ少なくとも
設けたウェハ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31677196A JPH10162316A (ja) | 1996-11-27 | 1996-11-27 | 薄膜磁気ヘッドの製造方法およびウェハ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31677196A JPH10162316A (ja) | 1996-11-27 | 1996-11-27 | 薄膜磁気ヘッドの製造方法およびウェハ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10162316A true JPH10162316A (ja) | 1998-06-19 |
Family
ID=18080747
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31677196A Pending JPH10162316A (ja) | 1996-11-27 | 1996-11-27 | 薄膜磁気ヘッドの製造方法およびウェハ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10162316A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6399285B1 (en) | 1999-08-27 | 2002-06-04 | Tdk Corporation | Method for forming a thin film and for manufacturing a thin film |
| US7449790B2 (en) | 2004-08-26 | 2008-11-11 | Hitachi Global Storage Technologies, Inc. | Methods and systems of enhancing stepper alignment signals and metrology alignment target signals |
| US8283792B1 (en) | 2004-08-26 | 2012-10-09 | Hitachi Global Storage Technologies, Netherlands B.V. | Methods and systems for forming an alignment mark with optically mismatched alignment mark stack materials |
-
1996
- 1996-11-27 JP JP31677196A patent/JPH10162316A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6399285B1 (en) | 1999-08-27 | 2002-06-04 | Tdk Corporation | Method for forming a thin film and for manufacturing a thin film |
| US7449790B2 (en) | 2004-08-26 | 2008-11-11 | Hitachi Global Storage Technologies, Inc. | Methods and systems of enhancing stepper alignment signals and metrology alignment target signals |
| US8283792B1 (en) | 2004-08-26 | 2012-10-09 | Hitachi Global Storage Technologies, Netherlands B.V. | Methods and systems for forming an alignment mark with optically mismatched alignment mark stack materials |
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